小林 忠行
| 名誉教授・その他関係者 | 名誉教授 |
研究者情報
研究活動情報
論文
- Fabrication and Properties of the Variable Thickness Bridges with YBCO Thin Film
Masataka Moriya; Atsushi Hashimoto; Yoshinao Mizugaki; Tadayuki Kobayashi
Extended abstracts in 12th International Superconductive Electronics Conference, 掲載ページ TD-P15, 出版日 2009年06月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Magnetic Isolation Enhanced by the Meissner Effect of a Superconducting Loop in Multi-layered Nb Integrated Circuits.
Yoshinao Mizugaki; Ryuta Kashiwa; Akio Kawai; Masataka Moriya; Tadayuki Kobayashi
Proc. of Superconducting SFQ VLSI Workshop(SSV2009), 掲載ページ p.9 O3, 出版日 2009年06月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Mutial Inductance between Two Strip Lines Sanwitched by Two Ground Planes.
Yoshinao Mizugaki; Akio Kawai; Ryuta Kashiwa; Masataka Moriya; Tadayuki Kobayashi
Proc. of Superconducting SFQ VLSI Workshop(SSV2009), 掲載ページ p.41 P3, 出版日 2009年06月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Stacked-SQUID-based Voltage Multiplier Cell Generating Twofold or Fourfold Voltage
Takeyuki Tanaka; Tadayuki Kobayashi; Masataka Moriya; Yoshinao Mizugaki; Masaki Maezawa
Extended abstracts in 12th International Superconductive Electronics Conference, 掲載ページ SP-P22, 出版日 2009年06月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Design and Operation of 2n-fold Variable SFQ Pulse Number Multiplier.
Jun Saito; Ryuta Kashiwa; Akio Kawai; Takeyuki Tanaka; Masataka Moriya; Tadayuki Kobayashi; Yoshinao Mizugaki; Masaki Maezawa
Extended abstracts in 12th International Superconductive Electronics Conference, 掲載ページ SP-P23, 出版日 2009年06月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - DAnalytical Calculation for Inductance of Superconducting Stripline.
Yoshinao Mizugaki; Akio Kawai; Ryuta Kashiwa; Masataka Moriya; Tadayuki Kobayashi
Extended abstracts in 12th International Superconductive Electronics Conference, 掲載ページ SP-P28, 出版日 2009年06月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Self organized Micro Cones on Si substrate by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition
Masataka Moriya; Yuji Matsumoto; Yoshinao Mizugaki; Tadayuki Kobayashi; Koichi Usami
Extended abstracts of the 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials, P-8-17), 掲載ページ pp.560-561, 出版日 2007年09月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Planar intrinsic Josephson junctions with in-plane aligned YBCO films
L Zhang; M Moriya; T Kobayashi; T Goto; M Mukaida
SUPERCONDUCTOR SCIENCE & TECHNOLOGY, IOP PUBLISHING LTD, 15巻, 12号, 掲載ページ 1775-1777, 出版日 2002年12月, 査読付, Planar type devices were fabricated by patterning in-plane aligned YBa2Cu3O7-delta (YBCO) films. The current-voltage characteristics along the c-axis at various temperatures and oxygen contents were measured. The current voltage curves showing supercurrent and hysteresis were obtained for the samples annealed at an oxygen pressure of 1.3 x 10(4) Pa, while the supercurrent and hysteresis became smaller and even disappeared as the oxygen pressure decreased. The relationships between the critical currents and temperatures are similar to those of d-wave superconducting tunnel junctions. These results indicate the formation of stacks of intrinsic Josephson junctions, which are useful for developing high-frequency electron devices.
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Anisotropic superconducting properties and fabrication of submicrometre bridges in misaligned Bi-Sr-Ca-Cu-O (2212) films
M Moriya; Y Koike; K Usami; T Goto; T Kobayashi
SUPERCONDUCTOR SCIENCE & TECHNOLOGY, IOP PUBLISHING LTD, 15巻, 12号, 掲載ページ 1749-1752, 出版日 2002年12月, 査読付, In this paper, we report on misaligned Bi-Sr-Ca-Cu-O (2212) films that have been deposited on vicinal strontium titanate substrates using a dc sputtering system. We measured the temperature dependences of resistivity across and along the terrace, and only the resistivity across the terrace slightly decreased with the increase of the temperature in the normal state region. The estimated anisotropy parameter y was smaller than that of single crystal, but a significant anisotropy was observed. Submicrometre bridges were fabricated, and the temperature dependence of the critical current density was investigated. The value of the critical current density across the terrace is smaller than the value of that along the terrace. This suggests that the current partially flows along the c-axis. However, a multi-branch structure was not observed even after post annealing in oxygen atmosphere at low pressure.
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Anisotropic superconducting properties in misaligned BSCCO (2212) films
M. Moriya; Y. Koike; K. Usami; T. Goto; T. Kobayashi
The 8th IUMRS International conference on Electronic Materials, L-67巻, 掲載ページ 461, 出版日 2002年06月
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Planar intrinsic Josephson junctions with in-plane aligned YBCO films
L. Zhang; M. Moriya; T. Kobayashi; T. Goto; M. Mukaida
The 8th IUMRS International conference on Electronic Materials, 掲載ページ 467, 出版日 2002年06月
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Fabrication and properties of planar intrinsic Josephson junctions with in-plane aligned YBCO films
L Zhang; M Moriya; T Kobayashi; M Mukaida; T Goto
IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E85C巻, 3号, 掲載ページ 764-768, 出版日 2002年03月, 査読付, High-Tc superconductors convincingly showed that thee materials are essentially natural arrays of Josephson junctions formed in atomic scale. In this paper, in-plane aligned a-axis-oriented YBa2CU3O7-delta (YBCO) thin films were successfully grown on LaSrGaO4(LSGO) (100) substrates which were cleaned by ion-beam. Voltage jumps with hysteresis implying intrinsic Josephson effects arc, observed in c-axis direction. This re-tit suggest that it is to achieve planar intrinsic Josephson devices which have applications in high frequency electronics, such as voltage standards, Josephson masers and so on.
研究論文（学術雑誌）, 英語 - "Fabrication and properties of planar intrinsic Josephson junctions with in-plane aligned YBCO films"
L.Zhang; M.Moriya; T.Kobayashi; T.Goto; M.Mukaida
Extended abstracts of 8th International Superconductive Electronics Conference, 掲載ページ 241-242, 出版日 2001年06月
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Anisotropic properties of BSCCO (2212) films deposited on tilted substrates
M Moriya; T Sudoh; Y Koike; K Usami; T Kobayashi; T Goto
IEEE TRANSACTIONS ON APPLIED SUPERCONDUCTIVITY, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 11巻, 1号, 掲載ページ 2700-2702, 出版日 2001年03月, 査読付, Intrinsic Josephson junctions with single crystals or thin films of high-Tc superconductor have been studied. For this purpose, BiSrCaCuO (2212) films have been deposited on tilted strontium titanate substrates using a de sputtering system. Superconducting and structural properties of these films have already been reported in II]. In the present study, the surface morphology of films deposited on the tilted substrates is investigated by Atomic Force Microscopy, Many steps and terraces are seen in the film on the tilted substrate. Furthermore, two more films, prepared on the tilted substrates simultaneously are subjected to resistivity measurements across and along the terraces, respectively. The anisotropy parameter gamma,((ratio of resistivity measured along the c-axis and the a-axis)<^>0.5), calculated from the resistivity measurement is found to be of the order of 50 in the films. A semiconductor-like behavior has been observed above the critical temperature in the temperature - resistivity characteristics, across the terraces.
研究論文（学術雑誌）, 英語 - ａ軸配向YBCO薄膜を用いた積層構造トンネル接合の作製とその特性の評価
姜 友松; 小林忠行; 後藤俊成
電子情報通信学会論文誌Ｃ, 一般社団法人電子情報通信学会, J84-C巻, 2号, 掲載ページ 151-156, 出版日 2001年02月, 査読付, a軸配向YBa_2Cu_3O<7-δ>(YBCO)薄膜を用いた積層型SIS接合を作製しその特性を検討した.PrGaO_3(PGO)とCeO_2の2層バリア構造を用いることが電気的短絡を防ぐことに有効であることがわかった.バリアPGO50ÅとCeO225ÅのSIS接合でジョセフソン電流が観測されたが, 臨界電流と接合抵抗の温度依存性はSIS接合よりSNS接合に近いものであった.下部電極YBCO膜の表面をイオンビームクリーニングした接合はヒステリシス電流を有する電圧-電流特性を示し, 臨界電流と接合抵抗を考察した結果, ジョセフソン電流はトンネル効果によることが明らかになった.
研究論文（学術雑誌）, 日本語 - 傾斜基板上に堆積したBi系超伝導薄膜の特性
守屋雅隆; 岡本尚志; 須藤貴之; 小池優作; 宇佐美興一; 後藤俊成; 小林忠行
電気通信大学紀要, 電気通信大学, 13巻, 2号, 掲載ページ 187-190, 出版日 2001年01月
研究論文（大学，研究機関等紀要）, 日本語 - Alの陽極酸化膜を用いたMIMトンネルエミッタの作製
宇佐美興一; 浜田顕徳; 守屋雅隆; 小林忠行; 後藤俊成
電気通信大学紀要, 電気通信大学, 13巻, 2号, 掲載ページ 191-194, 出版日 2001年01月
研究論文（大学，研究機関等紀要）, 日本語 - Properties of Trilayer SIS Junctions with YBa_2_Cu_3_O_7-y_
You-Song Jiang; Masataka Moriya; Tadayuki Kobayashi; Toshinari Goto
IEEE Trans. on Appl. Superconductivity, 11巻, 1号, 掲載ページ 505-508, 出版日 2001年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Josephson effects in a-axis oriented YBa_2_Cu_3_O_7-y_ SIS tunnel jucntions with double layer barrier
Y. S. Jiang; T. Kobayashi; T. Goto
Physica C, 341-348巻, 掲載ページ 2741-2742, 出版日 2000年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Growth of a-axis Oriented YBa_2_Cu_3_O_7-δ_ Films on Ion-Beam Cleaned LaSrGaO_4_ Substrates
T.Goto; S.Takekawa; M.Moriya; K.Usami; T.Kobayashi
Physica C, 341-348巻, 掲載ページ 2373-2374, 出版日 2000年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Anisotropic properties of BSCCO（2212）films deposited on tilted substrates
M. Moriya; T. Sudoh; Y. Koike; K. Usami; T. Goto; T. Kobayashi
Applied superconductivity conference 2000, 1MA02巻, 掲載ページ 171, 出版日 2000年09月
英語 - Growth conditions and superconductive properties of a-axis oriented YBa_2_Cu_3_O_7_ films on LaSrGaO_4_ substrates
T. Goto; S. Takekawa; L.Zhang; M. Moriya; T. Kobayashi
Applied superconductivity conference 2000, 1MJ06巻, 掲載ページ 180, 出版日 2000年09月
英語 - Properties of trilayer SIS junction with YBa_2_Cu_3_O_7-y_
Y. S. Jiang; M. Moriya; T. Kobayashi; T. Goto
Applied superconductivity conference 2000, 2EH08巻, 掲載ページ 80, 出版日 2000年09月
英語 - Growth of a-axis Oriented YBa2Cu3O7-δ Films on Ion-Beam Cleaned LaSrGaO4 Substrates
T. Goto; S. Takekawa; M. Moriya; K. Usami; T. Kobayashi
6th International Conference on Materials and Mechnisms of Superconductivity -High-Temperature Superconductors（M^2^S-HTSC-Ⅵ）, IP04-37巻, 掲載ページ 122, 出版日 2000年02月
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Josephson Effects in a-axis Oriented YBa_2_Cu_3_O_7-σ_ SIS Tunnel Junctions with Double Layer Barrier
Y. S. Jiang; T. Kobayashi; T. Goto
6th International Conference on Materials and Mechnisms of Superconductivity - High-Temperature Superconductors（M^2^S-HTSC-Ⅵ）, IP09-69巻, 掲載ページ 492, 出版日 2000年02月
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Siのプラズマ酸化膜を用いたMIS型トンネルエミッタの作製
宇佐美興一; 三宅栄太郎; 守屋雅隆; 小林忠行; 後藤俊成
電気通信大学紀要, 12巻, 掲載ページ 135-139, 出版日 1999年11月
研究論文（大学，研究機関等紀要）, 日本語 - Preparation of Thin Al Oxide Films by Anodizing for MIM Type tunnel Emiter
K. Usami; A. Hamada; M. Moriya; T. Kobayashi; T. Goto
Proceedings of First Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia, AA-1174巻, 出版日 1999年09月
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Preparation of a-axis oriented YBCO film on CeO2 buffered sapphire substrate(共著)
Y. S. Jiang; T. Kobayashi; T. Goto
IEEE Trans. on Applied Superconductivity, 9巻, 2号, 掲載ページ 1657, 出版日 1999年06月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Preparation of YBCO films on sapphire with CeO2 deposited by ion beam sputtering
T Goto; T Kuji; YS Jiang; M Moriya; K Usami; T Kobayashi
IEEE TRANSACTIONS ON APPLIED SUPERCONDUCTIVITY, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 9巻, 2号, 掲載ページ 1653-1656, 出版日 1999年06月, 査読付, Although sapphire has superior high frequency properties, an adequate buffer layer is required to form a high-Tc film. We deposited a CeO2 buffer layer by ion beam sputtering in high oxygen pressure, and investigated the influence of the deposition conditions on the superconducting properties of YBa2Cu3O7-y(YBCO) films. CeO2 films deposited at higher than 600 degrees C were c-axis oriented and YBCO films deposited on the top at 700 degrees C were also c-axis oriented. T-ce(R=0) = 89K and J(c) > 10(6)A/cm(2) were obtained for a 120nm thick YBCO film deposited on 50nm thick CeO2 layer. High oxygen pressure similar to 1Pa is desirable. Grain boundary Josephson junctions were also successfully fabricated on bicrystal sapphire substrate. It was found that high pressure ion beam sputtering is a promising method for superconductive electron devices.
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Properties of Bi-Sr-Ca-Cu-O（2212）films deposited by sputtering on tilted substrates
M. Moriya; T. Okamoto; K. Usami; T. Kobayashi; T. Goto
IEEE Trans. on Applied Superconductivity, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 9巻, 2号, 掲載ページ 2380-2382, 出版日 1999年06月, 査読付, Bi-Sr-Ca-Cu-O(2212) thin films have been deposited on tilted SrTiO3 substrates using a de sputtering system. Those films have been deposited at 710-790 degrees C. Thickness of these films is about 170nm, The films deposited at 730, 750 and 770 degrees C have exhibited superconductivity, and the highest value of critical temperature is about 70K for the film deposited at 750 degrees C. The crystal structure of this film has also been investigated by a X-ray diffraction with c-axis oriented 2212 phase.
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Preparation of YBCO Films on Sapphire with ceria deposited by ion beam
T Goto; T. Kuji; M. Moriya; K. Usami; T. Kobayashi
1998 Applied Superconductivity Conference, MDC-09巻, 出版日 1998年09月
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Preparation of a-axis oriented YBCO films on buffered sapphire substrate
Y. S. Jiang; T. Kobayashi; T. Goto
1998 Applied Superconductivity Conference, MDC-10巻, 出版日 1998年09月
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - BSCCO（2212）films deposited by sputtering on tilted substrates
M. Moriya; T. Okamoto; K. Usami; T. Goto; T. Kobayashi
1998 Applied Superconductivity Conference, MOD-05巻, 出版日 1998年09月
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Properties of the junctions using YBCO/STO(PGO) layer. (共著)
Exfended Abstracts of 1996 International Workshop on Superconductivity, 掲載ページ P0-22, 出版日 1996年
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Characteristics of a NiO barrier layer for high-Tc superconducting tunnel junction. (共著)
M.Moriya; T.Kobayashi; T.Goto
IEEE Trans. on Applied Superconductivity, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 5巻, 2号, 掲載ページ 2358-2360, 出版日 1995年06月, 査読付, Characteristics of a NiO barrier layer for high-Tc superconducting tunnel junctions were investigated. Bi2Sr2CaCu2Ox (BSCCO) films were deposited on a MgO or SrTiO3 substrate using a dc hollow cathode sputtering system. In situ superconducting BSCCO films deposited in Ar + 20% O-2 gas at Ts = 680 degrees C on a MgO substrate were c-axis oriented 2212 phase. A NiO layer was formed by reactive sputtering in Ar + 20%O-2 gas using a Ni hollow cathode, and the layer on the BSCCO film was of (100) and (110) orientation.
The current-voltage characteristics of an Ag/NiO/BSCCO junction with a NiO barrier layer 5nm thick were investigated. In the G-V curves of some junctions, a zero bias conductance peak was observed. It is assumed that this behavior is probably due to the nonuniform thickness of the barrier layer. The junction with a thicker barrier layer (18nm) showed tunnel current characteristics without anomaly.
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Properties of Sandwich type SIN Junctions using a-axis oriented Y-Ba-Cu-O films. (共著)
Extended Abstracts of ISEC'95, 掲載ページ 123, 出版日 1995年
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Preparation and properties of YBCO tunnel junction by ion beam sputtering. (共著)
X.Y.Cai; T.Namai; K.Usami; T.Kobayashi; T.Goto
IEEE Trans. on Applied Superconductivity, 5巻, 2号, 掲載ページ 2385-2387, 出版日 1995年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Millimeter wave responses of YBCO variable-thickness bridges. (共著)
C.H.Park; T.Kobayashi; T.Goto
IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 3巻, 1号, 掲載ページ 2409-2412, 出版日 1993年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - YBCO薄膜を用いたブリッジ形弱結合素子の特性(共著)
朴賛勲; 小林忠行; 後藤俊成
電子情報通信学会論文誌, 一般社団法人電子情報通信学会, J76-C-II巻, 2号, 掲載ページ 74-79, 出版日 1993年, 膜の作製には化学量論的な123組成のターゲットを用いてDCホロー陰極スパッタ法によって研磨したMaO(100)基板上に厚さ100-300nm程度のYBCO膜を堆積させる.スパッタガスAr+5%O_2,スパッタガス圧820mTorr,基板温度700℃でTczero=87Kのc軸配向膜が得られた.本研究は結晶粒界を用いない,ブリッジ部を局部的に薄くした膜厚変化形ブリッジ(VTB)素子の実現を目的としている.今回我々は,ホトリソグラフィとAlの斜め蒸着と低エネルギーイオンビームエッチングを用いて85-410nmの微細加工を行いVTB素子を作製し,マイクロ波(9.67GHz)およびミリ波(94GHz)を印加する実験を行った結果,ミリ波まで応答することが明らかになった.
研究論文（学術雑誌）, 日本語 - 有機物バリヤを用いた高温超伝導トンネル接合の作製と特性(共著)
岡部寛; 守屋雅隆; 宇佐美興一; 小林忠行; 後藤俊成
電子情報通信学会論文誌, 一般社団法人電子情報通信学会, J76-C-II巻, 6号, 掲載ページ 385-390, 出版日 1993年, 本研究では有機物ヘキサメチルジシラン(Hexamethyldisilane:HMDS)を用いることにより,酸化物高温超伝導体/HMDS/金属超伝導体接合を作製した.初めにYBCO薄膜を直流ホロー陰極スパッタ法,またはrf off-axisスパッタ法により成膜し,続いてHMDSを膜に吸着させた.HMDSは吸着させた場合1分子層(1nm程度)の膜を形成する.その後,対向電極としてPb(T_c=7.2K)を蒸着した.このようにして作製したトンネル接合の電流-電圧特性を測定した結果,エネルギーギャップ構造とジョセフソン電流が観測された.また,このジョセフソン電流のマイクロ波応答と磁界依存性を観測した.
研究論文（学術雑誌）, 日本語 - Influence of sputtering conditions on the characteristics of superconducting Y-Ba-Cu-O films. (共著)
T.Kobayashi; S.Eto; Y.Kato; K.Usami; T.Goto
Japanese Journal of Applied Physics., 32巻, 7号, 掲載ページ 3150-3153, 出版日 1993年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Fabrication of YBa2Cu3O7-x-PrBa2Cu3O7-y heterostructures by using a hollow cathocle sputtering system. (共著)
A.Kawabata; T.Kobayashi; K.Usami; T.Goto
IEICE transactions on Electronics, E76-C巻, 8号, 掲載ページ 1236-1240, 出版日 1993年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Characteristics of a sputtered Y-Ba-Cu-O thin film dc superconducting quantum interference device Prepared by rf sputtering. (共著)
T.Goto; X.Ying; C.H.Park; Y.Takeda; K.Usami; T.Kobayashi
Journal of Applied Physics, AMER INST PHYSICS, 70巻, 3号, 掲載ページ 1856-1857, 出版日 1991年08月, 査読付, A dc superconducting quantum interference device (SQUID) is fabricated on an amorphous Y-Ba-Cu-O film by a photolithographic technique and successive post-annealing treatment. The SQUID shows periodic and symmetric behavior in the voltage versus magnetic-flux curves (V-PHI curves). No multiple periodicities are observed. The transfer function partial-V/partial-PHI for output voltage is about 90 20-mu-V/PHI-0 at 4.2 and 56 K, respectively. It is expected that the SQUID contains only two symmetric active Josephson junctions.
研究論文（学術雑誌）, 英語 - モザイクターゲットをもちいた基板ホルダバイアスRFスパッタ法によるY-Ba-Cu-O系薄膜.(共著)
小林忠行; 江渡聡; 宇佐美興一; 後藤俊成
Journal of the vacuum society of Japan., 34巻, 6号, 掲載ページ 540-546, 出版日 1991年, 査読付, In situ grown superconducting Y-Ba-Cu-O films were deposited on a MgO substrate by rf sputtering with dc biased substrate holder using a mosaic YBaxCuyOz target, which was composed of 9 pieces of ceramic of a nominal composition of x = 2, 4, 6, and y = 3, 5, 7. The films were deposited at a substrate temperature Ts of 660°C and at various substrate holder voltages VH. After deposition, the films were immediately cooled in the chamber vented with 400 Torr of oxygen. The dependence of the critical temperature on the substrate position was investigated. The critical temperature higher than 70K was obtained at the substrate position above the target composition of x = 2–6 and y = 3–5 for VH = −80 V to −120 V. The deposition rate at finite negative holder voltage was higher than that at zero holder voltage. It was shown that the film composition approached to the target composition by the substrate holder negative voltage. The film with short c-lattice parameter showed high Tc, but the shortest one was somewhat longer than the bulk value. © 1991, The Vacuum Society of Japan. All rights reserved.
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Preparation and properties of Y-Ba-Cu-O thin films by rf magnetron sputtering with a dc biased substrate holder. (共著)
S.Eto; T.Kobayashi; K.Usami; T.Goto
The transactions of the institute of electronics, information and communication engineers., E74巻, 掲載ページ 1949-1954, 出版日 1991年
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Bi(-Pb)-Sr-Ca-Cu-O films prepared by dc sputtering with mosaic target. (共著)
T.Kobayashi; M.Moriya; K.Usami; T.Goto; X.Ying; M.Hatanaka
The transactions of the institute of electronics, information and communications engineers., E72巻, 10号, 掲載ページ 1072-1074, 出版日 1989年
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Constant-voltage steps in the V-I curve of a J-J loop. (共著)
S.Takeuchi; H.Narita; T.Kobayashi; K.Hamasaki; S.Yoshikawa; T.Yamashita
Japanese Journal of Applied Physics., 24巻, 12号, 掲載ページ 1627-1631, 出版日 1985年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Rf induced steps in the V-I characteristics of a superconducting closed loop formed from 2N-Josephson junctions. (共著)
K.Takanaka; T.Kobayashi; T.Yamashita
Japanese Journal of Applied Physics., 23巻, 9号, 掲載ページ 1216-1222, 出版日 1984年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Coherent behavior of 2N-Josephson junction closed loop. (共著)
T.Kobayashi; K.Hamasaki; N.Kondoh; T.Komata; T.Yamashita
Applied Physics Letters., AMER INST PHYSICS, 42巻, 5号, 掲載ページ 475-476, 出版日 1983年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - 2Nジョセフソン接合閉回路におけるコヒーレント的動作.(共著)
小林忠行; 近藤信義; 浜崎勝義; 山下努
The transactions of the institute of electronics and communication engineers of Japan., J66-C巻, 9号, 掲載ページ 660-667, 出版日 1983年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 日本語 - Cross-shaped proximity-effect bridge. (共著)
T.Kobayashi; K.Najima; T.Yamashita; Y.Onodera
Applied Physics Letters., 34巻, 10号, 掲載ページ 1707-708, 出版日 1979年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Properties of cross-shaped proximity effect weak link device. (共著)
T.Kobayashi; T.Yamashita; Y.Onodera
Japanese Journal of Applied Physics., Supple18-1巻, 掲載ページ 195-200, 出版日 1979年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語
講演・口頭発表等
- ａ軸配向ＹＢＣＯ薄膜を用いた膜厚変化形ブリッジの作製Ⅲ
橋本篤士; 丸山伸伍; 守屋雅隆; 水柿義直; 宇佐美興一; 小林忠行
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集(第１分冊)
発表日 2008年03月 - a軸配向NdBa2Cu3Oy薄膜を用いた膜厚変化形ブリッジの作製II
吉澤延之; 丸山伸伍; 守屋雅隆; 水柿義直; 宇佐美興一; 小林忠行
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集(第１分冊)
発表日 2007年03月 - ｃ軸配向NdBa2Cu3Oy薄膜を用いた膜厚変化形ブリッジの試作
常盤貴彦; 丸山伸伍; 守屋雅隆; 水柿義直; 宇佐美興一; 小林忠行
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集(第１分冊)
発表日 2007年03月 - Bi2Sr2CaCu2Oy超電導薄膜を用いたランプエッジ接合のの作製
前嶋一利; 守屋雅隆; 水柿義直; 宇佐美興一; 小林忠行
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集(第１分冊)
発表日 2007年03月 - a軸配向NdBa2Cu3Oy下部電極を用いたランプエッジ接合の電気的特性
平塚雅; 守屋雅隆; 水柿義直; 宇佐美興一; 小林忠行
口頭発表（一般）, 日本語, 低温工学･超伝導学会,2006年度秋季低温工学･超伝導学会講演会講演予稿集
発表日 2006年11月 - a軸配向YBCO薄膜を用いた膜厚変化形ブリッジの作製II
江飛; 影山尚人; 守屋雅隆; 水柿義直; 宇佐美興一; 小林忠行
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,2006年度春季第53回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集(第１分冊)
発表日 2006年03月 - a軸配向NBCO薄膜を用いた膜厚変化形素子の作製1
大河勇樹; 常盤貴彦; 守屋雅隆; 水柿義直; 宇佐美興一; 小林忠行
口頭発表（一般）, 日本語, 低温工学･超伝導学会,第73回2005年度秋季低温工学･超伝導学会講演会講演予稿集
発表日 2005年11月 - 超伝導薄膜で磁気分離されたストリップライン間の相互インダクタンス
水柿義直; 波木井秀充; 守屋雅隆; 宇佐美興一; 小林忠行
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会,超伝導エレクトロニクス研究会 信学技報
発表日 2005年10月 - a軸配向YBCO薄膜を用いた膜厚変化形ブリッジの作製I
石田将崇; 江 飛; 守屋雅隆; 水柿義直; 宇佐美興一; 小林忠行
口頭発表（一般）, 日本語, 第５２回応用物理学関係連合講演会講演予稿集第一分冊
発表日 2005年03月 - サファイア基板上に作製したMIMトンネルエミッタの特性
中村太陽; 宇佐美興一; 守屋雅隆; 水柿義直; 小林忠行; 後藤俊成
口頭発表（一般）, 日本語, 第４５回真空に関する連合講演会講演予稿集
発表日 2004年10月 - 基板バイアスMPCVD法によるダイヤモンド薄膜からの電界電子放出特性(Ⅱ)
新妻和典; 宇佐美興一; 守屋雅隆; 水柿義直; 小林忠行; 後藤俊成; 湯郷成美
口頭発表（一般）, 日本語, 第６５回応用物理学会学術講演会講演予稿集第二分冊
発表日 2004年09月 - SiのRFプラズマ酸化膜の形成とMIS形トンネルエミッタへの応用(Ⅱ)
萩生貴文; 家田義紀; 小山勇作; 宇佐美興一; 守屋雅隆; 水柿義直; 小林忠行; 後藤俊成
口頭発表（一般）, 日本語, 第６５回応用物理学学術講演会講演予稿集第二分冊
発表日 2004年09月 - 直流スパッタリング法で傾斜SrTiO3基板上に堆積したBi系超伝導薄膜の特性
守屋雅隆; 後藤俊成; 宇佐美興一; 水柿義直; 小林忠行
口頭発表（一般）, 日本語, 第６４回応用物理学会学術講演会予稿集第一分冊
発表日 2003年09月 - サファイア基板上に作製したMIMトンネル素子の特性2
市川弘毅; 岡田創; 宇佐美興一; 守屋雅隆; 水柿義直; 小林忠行; 後藤俊成
口頭発表（一般）, 日本語, 第６４回応用物理学会学術講演会予稿集第二分冊
発表日 2003年09月 - 基板バイアスMPCVD法によるダイヤモンド薄膜からの電解電子放出特性(Ⅰ)
新妻和典; 宇佐美興一; 守屋雅隆; 水柿義直; 小林忠行; 後藤俊成; 湯郷成美
口頭発表（一般）, 日本語, 第６４回応用物理学会学術講演会予稿集第二分冊
発表日 2003年09月 - サファイア基板上に作製したＭＩＭトンネル素子の特性
市川弘殻; 岡田創; 宇佐美興一; 守屋雅隆; 小林忠行; 後藤俊成
口頭発表（一般）, 日本語, 第63回応用物理学会講演会
発表日 2002年06月 - サファイア基板を用いた高温超伝導ブリッジ素子の形成[Ⅱ]
柴原輝; 田中智典; 守屋雅隆; 宇佐美興一; 小林忠行; 後藤俊成
口頭発表（一般）, 日本語, 第４９回応用物理学関係連合講演会講演予稿集第一分冊
発表日 2002年03月 - 基板バイアスマイクロ波ＣＶＤ法によるダイヤモンド薄膜からの電子放出
加茂謙介; 宇佐美興一; 守屋雅隆; 小林忠行; 後藤俊成
口頭発表（一般）, 日本語, 第62回応用物理学会学術講演会
発表日 2001年09月 - 三軸配向YBCO膜によるイントリンジックジョセフソン接合の形成
張 蘭; 竹川 智; 守屋雅隆; 小林忠行; 後藤俊成
その他, 日本語, 信学技報
発表日 2000年10月 - サファイア基板を用いた高温超伝導ブリッジ素子の形成（Ⅰ）
田中智典; 柴原 輝; 守屋雅隆; 宇佐美興一; 小林忠行; 後藤俊成
口頭発表（一般）, 日本語, 第61回応用物理学会 学術講演会講演予稿集，第１分冊
発表日 2000年09月 - Co-PBCOを用いた積層型ジョセフソン接合の製作
廣瀬 司; 守屋雅隆; 宇佐美興一; 小林忠行; 後藤俊成
口頭発表（一般）, 日本語, 第61回応用物理学会学術講演会講演予稿集，第１分冊
発表日 2000年09月 - ２層バリアを持つ積層構造SISトンネル接合の製作とその特性評価
姜 友松; 守屋雅隆; 宇佐美興一; 小林忠行; 後藤俊成
口頭発表（一般）, 日本語, 第61回応用物理学会学術講演会講演予稿集，第１分冊
発表日 2000年09月 - イオンエッチングを用いた面内配向YBa_2_Cu_3_O_7-y_薄膜の作製と評価
張 蘭; 竹川 智; 守屋雅隆; 宇佐美興一; 小林忠行; 後藤俊成
口頭発表（一般）, 日本語, 第61回応用物理学会学術講演会講演予稿集，第１分冊
発表日 2000年09月 - 基板バイアスマイクロ波CVD法ダイヤモンド薄膜からの電子放出
宇佐美興一; 加茂謙介; 守屋雅隆; 小林忠行; 後藤俊成
口頭発表（一般）, 日本語, 第61回応用物理学会学術講演会
発表日 2000年09月 - Al陽極酸化膜の形成とMIM素子への応用に関する研究
浜田顕徳; 中村 開; 守屋雅隆; 宇佐美興一; 小林忠行; 後藤俊成
口頭発表（一般）, 日本語, 第47回応用物理学関係連合講演会予稿集，第２分冊
発表日 2000年03月 - Bi系傾斜薄膜の作製
守屋雅隆; 岡本尚志; 後藤俊成; 小林忠行
口頭発表（一般）, 日本語, 第61回1999年度秋季低温工学・超電導学会講演概要集
発表日 1999年11月 - サファイア基板上への高温超伝導弱結合素子形成
定村周明; 張 蘭; 守屋雅隆; 宇佐美興一; 小林忠行; 後藤俊成
口頭発表（一般）, 日本語, 第61回1999年度秋季低温工学・超電導学会講演概要集
発表日 1999年11月 - イオンビームスパッタCeO_2_をバッファー層とするサファイア基板上に形成したYBCO薄膜の配向性制御
姜 友松; 久慈宝人; 守屋雅隆; 宇佐美興一; 小林忠行; 後藤俊成
その他, 日本語, 信学技報
発表日 1998年07月