山口　浩一

基盤理工学専攻教授
Ⅲ類（理工系）教授
i-パワードエネルギー・システム研究センター教授
学生支援センター教授
研究者情報

学位

  • 工学修士, 電気通信大学
  • 博士(工学), 東京大学

研究キーワード

  • nanotechnology
  • spin
  • selective growth
  • crystal growth
  • surface and interface physics
  • scanning probe microscopy
  • semiconductor devices
  • compound semiconductor
  • epitaxial growth
  • molecular beam epitaxy
  • quantum dot
  • quantum wire
  • quantum well
  • quantum nanostructure
  • ナノテクノロジー
  • スピン
  • 選択成長
  • 結晶成長
  • 表面界面物性
  • 走査型プローブ顕微鏡
  • 半導体デバイス
  • 化合物半導体
  • エピタキシャル成長
  • 分子線エピタキシー
  • 量子ドット
  • 量子細線
  • 量子井戸
  • 量子ナノ構造

研究分野

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電子デバイス、電子機器
  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電気電子材料工学
  • ナノテク・材料, ナノ材料科学

経歴

  • 2010年04月 - 現在
    電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 教授
  • 2022年04月 - 2024年03月
    電気通信大学, 副学長（学生・生涯キャリア支援担当）
  • 2020年04月 - 2022年03月
    電気通信大学, 副学長（学生支援担当）
  • 2018年04月 - 2020年03月
    電気通信大学, 教育研究技師部長
  • 2013年04月 - 2014年03月
    電気通信大学, 大学院情報理工学研究科、情報理工学部 先進理工学専攻、先進理工学科, 学科長
  • 2013年04月 - 2014年03月
    電気通信大学, 大学院情報理工学研究科、情報理工学部 先進理工学専攻、先進理工学科, 専攻長
  • 2008年04月 - 2010年03月
    電気通信大学, 電気通信学部, 教授
  • 2007年04月 - 2008年03月
    電気通信大学, 電気通信学部, 准教授
  • 1995年08月 - 2007年03月
    電気通信大学, 電気通信学部, 助教授
  • 1986年04月 - 1995年07月
    電気通信大学, 電気通信学部, 助手

学歴

  • 1993年12月
    博士（工学） （東京大学）
  • 1986年03月
    電気通信大学, 電気通信学研究科, 通信工学専攻
  • 1984年03月
    電気通信大学, 電気通信学部, 通信工学科
  • 1977年04月01日 - 1982年03月31日
    国立佐世保工業高等専門学校, 電気工学科

委員歴

  • 2017年04月 - 2018年03月
    電子材料・デバイス技術専門委員会委員, 社）電子情報技術産業協会, 学協会
  • 2016年10月 - 2017年03月31日
    研究プロジェクト事後評価委員, 国立研究開発法人 物質・材料研究機構
  • 2015年04月01日 - 2017年03月31日
    量子現象利用デバイス技術分科会委員長, 社）電子情報技術産業協会
  • 2015年04月01日 - 2017年03月31日
    電子材料・デバイス技術専門委員会委員, 社）電子情報技術産業協会
  • 2013年04月 - 2015年03月31日
    量子ドット利用デバイス技術分科会 委員長, 社）電子情報技術産業協会
  • 2013年04月 - 2015年03月31日
    電子材料・デバイス技術専門委員会 委員, 社）電子情報技術産業協会
  • 2009年04月 - 2011年03月
    論文賞委員会委員, 応用物理学会, 学協会
  • 2007年04月 - 2009年03月
    講演奨励賞委員会委員, 応用物理学会, 学協会
  • 2007年04月 - 2009年03月
    講演会企画運営委員会委員, 応用物理学会, 学協会
  • 2006年04月 - 2007年05月
    プログラム編集委員会委員, 応用物理学会, 学協会
  • 2001年02月 - 2001年12月
    大会委員会委員, 電子情報通信学会, 学協会
研究活動情報

受賞

  • 受賞日 2017年01月
    Elsevier
    Outstanding Contribution in Reviewing (Journal of Crystal Growth, Elsevier), Koichi Yamaguchi
  • 受賞日 2016年01月
    Elsevier
    Outstanding Contribution in Reviewing (Journal of Crystal Growth, Elsevier), Koichi Yamaguchi
  • 受賞日 1991年06月
    安藤博記念財団
    クロライド系有機金属による化合物半導体の選択成長に関する研究
    安藤博記念学術奨励賞

論文

  • Resonant tunneling injection of electrons through double stacked GaAs/InAs quantum dots with nanohole electrode
    Yuji Nakazato; Naoya Miyashita; Koichi Yamaguchi
    Japanese Journal of Applied Physics, IOP Publishing, 62巻, 掲載ページ 112005-1-112005-6, 出版日 2023年10月24日, 査読付, Abstract

    Resonant tunneling diodes containing closely double-stacked InAs quantum dots (QDs) were grown on GaAs substrates by molecular beam epitaxy. After growing a thin GaAs capping layer on the double-stacked InAs QDs, nanoholes were selectively formed just above the larger second QDs by thermal annealing. The Au thin film was deposited directly on top surface of the larger second QDs through the nanoholes. The second QDs contacted with Au film served as conducting dots, which can locally inject electrons into the underlying first QDs. In current versus voltage (I-V) measurements, (dI/dV) peaks were clearly observed in the forward bias voltage region. It was due to the tunneling current through a non-doped GaAs thin layer between double-stacked QDs and n-GaAs conduction band. The (dI/dV) peaks shifted toward the lower forward voltage region with increasing temperature. It was explained by the temperature dependence of the electron energy distribution in the GaAs conduction band.
    研究論文（学術雑誌）
    URL
    URL 2
    DOI URL
  • High-Density and High-Uniformity InAs Quantum Nanowires on Si(111) Substrates
    Ryusuke Nakagawa; Rikuta Watanabe; Naoya Miyashita; Koichi Yamaguchi
    J. Appl. Phys., AIP Publishing, 134巻, 15号, 掲載ページ pp.154302 1-7, 出版日 2023年10月18日, 査読付, InAs nanowires (NWs) were grown on SiOx pinholes formed on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy. Influences of electron-beam (EB) irradiation on the SiOx layer on the pinhole formation and the subsequent InAs NW growth were studied. As the EB irradiation dose increased, the pinhole density in the SiOx layer decreased. From atomic force microscopy, transmission electron microscopy, and x-ray photoelectron spectroscopy results, it was found that the pinhole etching of the SiOx layer by Ga droplets was suppressed by carbon adsorption due to the EB irradiation. By forming high-density pinholes on the SiOx layer without the EB irradiation, high-density InAs NWs with 1–2 × 1010 cm−2 were grown successfully, and the uniformity in the NW diameter improved. The standard deviation of the NW diameter was 1.8 nm (8.8%) for high-density NWs. In addition, the NW diameter decreased with decreasing EB dose, and the NW diameter was controlled by adjusting the diameter of Ga droplets forming the pinholes. As the NW diameter decreased, photoluminescence spectra of the NWs shifted to higher energies than the bandgap energy of the wurtzite InAs bulk. From these results, we successfully fabricated high-density and high-uniformity InAs NWs with quantum size effects on EB-unirradiated SiOx/Si(111).
    研究論文（学術雑誌）
    URL
    DOI URL
  • Demonstration of In-Plane Miniband Formation in InAs/InAsSb Ultrahigh-Density Quantum Dots by Analysis of Temperature Dependence of Photoluminescence
    S. Tatsugi; N. Miyashita; T. Sogabe; K. Yamaguchi
    Jpn. J. Appl. Phys., 61巻, 掲載ページ 102009-1-102009-7, 出版日 2022年10月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Self-Formation of InAs/InGaAsSb type-II Superlattice Structures on InP Substrates by MBE and Their Application to Mid-Infrared LEDs
    K. Uno; N. Iijima; N. Miyashita; K. Yamaguchi
    AIP Advances, 12巻, 掲載ページ 085301-1-085301-6, 出版日 2022年08月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Quantum Dot Phase Transition Simulation with Hybrid Quantum Annealing via Metropolis-Adjusted Stochastic Gradient Langevin Dynamics
    K. Shiba; R. Sugiyama; K. Yamaguchi; T. Sogabe
    Advances in Cond. Mat. Phys., Art. ID 9711407巻, 掲載ページ 1-11, 出版日 2022年04月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • InAs/GaAsSb In-Plane Ultrahigh-Density Quantum Dot Lasers
    M. Tanaka; K. Banba; T. Sogabe; K. Yamaguchi
    Appl. Phys. Express, 14巻, 掲載ページ 124002-1-124002-4, 出版日 2021年12月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Experimental Demonstration of Energy-Transfer Rachet Intermediate-Band Solar Cell
    T. Sogabe; C. Hung; R. Tamaki; S. Tomic; K. Yamaguchi; N. Ekins-Daukes; Y. Okada
    Communications Physics., 4,(2021)巻, 掲載ページ 1-10, 出版日 2021年03月01日, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Intermittent Growth for InAs Quantum Dot on GaAs(001)
    T. Toujyou; T. Konishi; M. Hirayama; K. Yamaguchi; S. Tsukamoto
    J. Cryst. Growth, Elsevier, 551巻, 掲載ページ 125891 1-125891 5, 出版日 2020年12月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • 面内超高密度量子ドットの自己形成と光電子デバイス応用
    山口浩一
    金属, アグネ技術センター, 90巻, 10号, 掲載ページ 43-47, 出版日 2020年, 招待
    研究論文（研究会，シンポジウム資料等）, 日本語
  • Low Sunlight Concentration Properties of InAs Ultrahigh-Density Quantum-Dot Solar Cells
    R. Suzuki; K. Terada; K. Sakamoto; T. Sogabe; K. Yamaguchi
    Jpn. J. Appl. Phys., 58巻, 掲載ページ 071004 1-071004 7., 出版日 2019年07月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Optical Transition and Carrier Relaxation in a Type-II InAs/GaAsSb Quantum Dot Layer
    R. Sugiyama; S. Tatsugi; T. Sogabe; K. Yamaguchi
    Jpn. J. Appl. Phys., 58巻, 掲載ページ 012004 1-012004 5., 出版日 2019年06月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Molecular Beam Deposition of High-Density InAs Quantum Dots on SiOx Films
    A. Makaino; Y. Tanaka; K. Yamaguchi
    Jpn. J. Appl. Phys., 58巻, 掲載ページ SDDF07 1-SDDF07 4., 出版日 2019年06月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Self-Formation of InAs Quantum Dots on SiOx/Semiconductor Substrates by Molecular Beam Deposition
    A. Makaino; K. Sakamoto; T. Sogabe; S. Kobayashi; K. Yamaguchi
    Appl. Phys. Express, 11, (2018)巻, 掲載ページ pp.085501 1.-pp.085501 4., 出版日 2018年08月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Strongly Iridescent Hybrid Photonic Sensors Based on Self-Assembled Nanoparticles for Hazardous Solvent Detection
    A. Sato; Y. Ikeda; K. Yamaguchi; V. Vohra
    Nanomaterials, 8, (2018)巻, 掲載ページ pp.169 1.-pp.169 10., 出版日 2018年05月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Coarsening Process of High-Density InAs Quantum Dots on Sb-Irradiated GaAs
    N. Kakuda; K. Yamaguchi
    Jpn. J. Appl. Phys., 57, (2018)巻, 掲載ページ pp.045601 1.-pp.045601 5., 出版日 2018年04月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Growth process and Photoluminescence Properties of In-Plane Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots on InAsSb/GaAs(001)
    S. Oikawa; A. Makaino; T. Sogabe; K. Yamaguchi
    Phys. Status Solidi B, (2017), 掲載ページ pp.1700307 1.-pp.1700307 5., 出版日 2017年04月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Recent Progress on Quantum Dot Solar Cells: a review
    T. Sogabe; Q. Shen; K. Yamaguchi
    J. Photonics for Energy, pp.040901 1-27巻, 9号, 掲載ページ pp.040901 1-27, 出版日 2016年10月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Self-Formation of Ultrahigh-Density (1012 cm-2) InAs Quantum Dots on InAsSb/GaAs(001) and Their Photoluminescence Properties
    K. Sameshima; T. Sano; K. Yamaguchi
    Appl. Phys. Express, 9号, 掲載ページ pp.075501 1-4, 出版日 2016年07月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Fabrication of GaAs/AlAs Micro-Pillar Cavities Including Low-Density InAs Quantum Dots and Their Photoluminescence Properties
    H. Yamashita; N. Kawamoto; Y. Ogawa; K. Yamaguchi
    Jpn. J. Appl. Phys, 54号, 掲載ページ pp.06FH03 1-4, 出版日 2015年06月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Wideband luminescence of high-density InAs quantum dots on GaAsSb/GaAs layers
    Yuji Osaka; Hiroyuki Tanabe; Kazuhiro Yamada; Koichi Yamaguchi
    Journal of Crystal Growth, 378巻, 掲載ページ 422-425, 出版日 2013年08月
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Observation of optical anisotropy of highly uniform InAs quantum dots
    M. Uemura; J. Ohta; R. Yamaguchi; K. Yamaguchi; A. Tackeuchi
    Journal of Crystal Growth, 378巻, 掲載ページ 463-465, 出版日 2013年08月
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Long Carrier Lifetime in Ultrahigh Density InAs Quantum Dot Sheet of Intermediate Band Solar Cells
    Miyuki Shiokawa; Koichi Yamaguchi
    The 39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 掲載ページ No.482, 出版日 2013年06月
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Quantum-Dot Density Dependence of Power Conversion Efficiency of Intermediate-Band Solar Cells
    K. Sakamoto; Y. Kondo; K. Uchida; K. Yamaguchi
    J. Appl. Phys, -112, (2012) pp.124545 1-4, 出版日 2012年12月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Self-Formation of In-Plane Ultrahigh Density InAs Quantum Dots on GaAsSb/GaAs(001)
    Edes Saputra; Jun Ohta; Naoki Kakuda; Koichi Yamaguchi
    Applied Physics Express, 5巻, 掲載ページ 125502 1-3, 出版日 2012年10月
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Self-formation of ultrahigh-density InAs quantum dots on GaAs(001) substrates by Sb-mediated MBE growth
    E. Saputra; T. Sano; J. Ohta; K. Yamaguchi
    The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, TuP-39巻, 出版日 2012年09月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • ThP-57 Wideband luminescence from high-density InAs QDs on GaAsSb/GaAs layers
    Y. Osaka; H. Tanabe; K. Yamada; K. Yamaguchi
    The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, ThP-57巻, 出版日 2012年09月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Intermediate-Band Solar Cells Using In-Plane Ultrahigh Density InAs/GaAsSb Quantum Dot Sheets
    Y.Eguchi; M.Shiokawa; K.Sakamoto; K.Yamaguchi
    38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 掲載ページ B13-20, 出版日 2012年06月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • In-Plane High Density InAs Quantum Dots on GaAs/Ge(001) for Solar Cell Applications
    S.Matsuzaki; H.Hirano; Y.Sakamoto; K.Yamaguchi
    21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference, 掲載ページ 2D-4P-08, 458, 出版日 2011年11月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • In-plane densification of InAs self-assembled quantum dots
    K.Yamaguchi
    SemiconNano2011, 掲載ページ P4, 出版日 2011年09月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • In-Plane Quantum-Dot Superlattices of InAs on GaAsSb/GaAs(001) for Intermediate Band Solar-Cells
    H.Fujita; K.Yamamoto; J.Ohta; Y.Eguchi; K.Yamaguchi
    Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 2011 37th IEEE, 掲載ページ 2612-2614, 出版日 2011年06月
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Self-Formation of In-Plane InAs QD Superlattices with Long Carrier Lifetime
    J.Ohta; H.Fujita; K.Yamaguchi
    The 3rd International Symposium on Innovative Solar Cells, 掲載ページ P62, P319, 出版日 2010年10月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • MBE Growth of InAs/GaAs Quantum Dots on Ge(001) Substrates
    K.Hirano; T.Seo; K.Minagawa; K.Yamaguchi
    16th International Conference on Crystal Growth, 掲載ページ -, 出版日 2010年08月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Sb-Mediated Self-Formation of Ultra-High Density InAs Quantum-Dots on GaAs(001)
    J.Ohta; K.Sakamoto; K.Yamaguchi
    16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2010), 掲載ページ P1-35., 出版日 2010年08月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Stacking Growth of In-Plane InAs Quantum-Dot Superlattices on GaAsSb / GaAs (001) for Solar Cell Applications
    T.Inaji; J.Ohta; K.Yamaguchi
    Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 2010 35th IEEE, 掲載ページ 1885-1888, 出版日 2010年06月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Self-Formation Control of Ultra-Low Density InAs Quantum-Dots by Intermittent MBE Growth
    T.Yanagisawa; Y.Ogawa; K.Yamaguchi
    37th Int. Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010), 掲載ページ MoP11, p.13, 出版日 2010年03月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Time-Resolved X-ray Diffraction Measurements of High-Density InAs Quantum-Dots on Sb/GaAs Layers and the Suppression of Coalescence by Sb-Irradiated Growth Interruption
    N. Kakuda; T. Kaizu; M. Takahasi; S. Fujikawa; K. Yamaguchi
    Jpn. J. Appl. Phys, 49巻, 掲載ページ 95602 1-4, 出版日 2010年01月
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Fabrication of High-density and High-uniformity InAs Quantum Dots on GaAs(001) and Ge(001) Substrates for Solar Cell Applications
    N.Kakuda; S.Sekiguchi; T.Seo; K.Yamaguchi
    The 2nd International Symposium on Innovative Solar Cells, 掲載ページ P62, p.319, 出版日 2009年12月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • MBE Growth of InAs/GaAs Quantum Dots on Ge(001) Substrates
    T.Seo; K.Hirano; K.Yamaguchi
    The 2nd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano-2009), 掲載ページ P-16, 出版日 2009年08月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Real-time X-ray diffraction measurements during Sb-mediated SK growth and annealing of InAs quantum dots
    T.Kaizu; N.Kakuda; M.Takahasi; S.Fujikawa; K.Yamaguchi
    The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-14), Tu-m巻, 掲載ページ p.73.p.187, 出版日 2009年07月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Fine control of super low-density InAs quantum dots by intermittent growth using MBE
    S.Sekiguchi; P.Polache; K.Yamaguchi
    The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-14), 掲載ページ Mo-mP15, p.27., 出版日 2009年07月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Annealing properties of InAs quantum dots grown on GaAsSb/GaAs buffer layers
    M.Hirose; Jiaying Hu; K.Yamaguchi
    The 2nd IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC 2008), 掲載ページ Mo P3, pp.48., 出版日 2008年10月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Sb-mediated growth of high-density InAs quantum dots and GaAsSb embedding growth by MBE
    N. Kakuda; T. Yoshida; K. Yamaguchi
    Appl. Surf. Sci, 254巻, 掲載ページ 8050-8053, 出版日 2008年09月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Uniform formation of high-density InAs quantum dots by InGaAs capping growth
    S. Tonomura; K. Yamaguchi
    J. Appl. Phys, 104巻, 掲載ページ 054909-1-4, 出版日 2008年08月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • In situ determination of Sb distribution in Sb/GaAs(001) layer for high-density InAs quantum dot growth
    T. Kaizu; M. Takahasi; K. Yamaguchi; J. Mizuki
    J. Cryst. Growth, 310巻, 掲載ページ 3436-3439, 出版日 2008年07月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Narrow photoluminescence spectra of closely stacked InAs quantum dots with high dot density on GaSb/GaAs(001)
    S.Sekiguchi; N.Tsukiji; K.Yamaguchi
    The 5th International Conference on Semiconductor Quantum Dots (QD-2008), 掲載ページ Tu-P-101, pp.220., 出版日 2008年05月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Generation of highly circularly polarized light from uniform InAs/GaAs quanutm dots
    K.Kusunoki; N.Tsukiji; T.Umi; A.Tackeuchi; K.Yamaguchi
    Physics Status Solidi C, 5巻, 1号, 掲載ページ 378-381, 出版日 2008年01月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Self-Formation Control of Low-Density InAs Quantum Dots by Intermittent Supplying and Annealing Method
    P.Patchakapa; K.Yamaguchi
    34 th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-2007), 掲載ページ p.172, 出版日 2007年10月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • In Situ X-Ray Crystal Truncation Rod Scattering Measurements of Sb Irradiated GaAs(001) Surface
    T.Kaizu; M.Takahasi; K.Yamaguchi; J.Mizuki
    34 th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-2007), 掲載ページ p.274., 出版日 2007年10月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • MBE Growth of Sb-containing InAs Quantum Dots and GaAsSb Capping Layers
    N.Kakuda; K.Yamaguchi
    5th Int. Workshop on Semiconductor Surface Passivation (SSP-2007), 掲載ページ p.48, 出版日 2007年09月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Two-Exciton State in GaSb/GaAs Type-II Quantum Dots Studied using Near-Field Photoluminescence Spectroscopy
    K.Matsuda; S.V.Nair; H.E.Ruda; Y.Sugimoto; T.Saiki; K.Yamaguchi
    Appl. Phys. Lett., 90巻, 1号, 掲載ページ 013101-1～013101-3, 出版日 2007年06月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Sb-mediated growth of high-density InAs Quantum Dots and GaAsSb Embedding Growth by MBE
    N.Kakuda; T.Yoshida; K.Yamaguchi
    2007 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 掲載ページ pp.458-461, 出版日 2007年05月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • In-Plane Self-Arrangement of High-Density InAs Quantum Dots on GaAsSb/GaAs(001) by Molecular Beam Epitaxy
    T.Kanto; K.Yamaguchi
    J. Appl. Phys., 101巻, 掲載ページ 094901 1-4., 出版日 2007年05月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Closely Stacking Growth of Highly Uniform InAs Quantum Dots on Self-Formed GaAs Nanoholes
    N.Tsukiji; K.Yamaguchi
    J. Cryst. Growth, 301-302巻, 掲載ページ 849-852, 出版日 2007年04月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Modification of InAs Quantum Dot Structure During Annealing
    T.Kaizu; M.Takahashi; K.Yamaguchi; J.Mizuki
    J. Cryst. Growth, 301-302巻, 掲載ページ 248-251, 出版日 2007年04月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Structure of GaSb/GaAs(001) Surface Using the First Principles Caluculation
    A.Ishii; K.Fujiwara; S.Tukamoto; N.Kakuda; K.Yamaguchi; Y.Arakawa
    J. Cryst. Growth, 301-302巻, 掲載ページ 880-883, 出版日 2007年04月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Surface Reconstructions on Sb-irradiated GaAs(001) Formed by Molecular Beam Epitaxy
    N.Kakuda; S.Tsukamoto; A.Ishii; K.Fujiwara; T.Ebisuzaki; K.Yamaguchi; Y.Arakawa
    Microelectronics Journal, 38巻, 掲載ページ 620-624, 出版日 2007年04月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Uniform Self- Formation of High-Density InAs Quantum Dots by InGaAs Embedding Growth
    S.Tonomura; M.Tomita; K.Yamaguchi
    2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2006), 掲載ページ I-1-3, pp.184-185, 出版日 2006年09月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Closely Stacking Growth of Highly Uniform InAs Quantum-Dot Molecules on Self-Formed GaAs Nanoholes
    N.Tsukiji; K.Yamaguchi
    The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2006), 掲載ページ ThP-56, p.333, 出版日 2006年09月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • InAs quantum dots formation on Sb irradiated GaAs(001) observed by in situ STM inside MBE growth chamber
    N.Kakuda, S; Tsukamoto; K.Yamaguchi; Y.Arakawa
    The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2006), 掲載ページ MoP-53, p.70, 出版日 2006年09月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Atomic structure of epitaxially grown GaSb/GaAs(001) surface using the first principles calculation
    A.Ishii; K.Fujiwara; T.Ebisuzaki; N.Kakuda; S.Tsukamoto; K.Yamaguchi; Y.Arakawa
    The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2006), 掲載ページ MoP-55, p.72, 出版日 2006年09月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Field Emission of Spin-Polarized Electrons Extracted from Photoexcited GaAs Tip
    M.Kuwahara; T.Nakanishi; S.Okumi; M.Yamamoto; M.Miyamaoto; N.Yamamoto; K.Yasui; T.Morino; R.Sakai; K.Tamagaki; K.Yamaguchi
    Jpn. J. Appl. Phys, 45巻, 8A号, 掲載ページ 6245-6249, 出版日 2006年08月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • High-Density InAs Quantum Dots on GaAsSb/GaAs(001) Layers by Molecular Beam Epitaxy
    T.Kanto; K.Yamaguchi
    The 4th International Conference on Semiconductor Quantum Dots (QD-2006), 掲載ページ P-18, p.251, 出版日 2006年05月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Spin Relaxation and Antiferromagnetic Coupling in Semiconductor Quantum Dots
    A.Tackeuchi; T.Kuroda; K.Yamaguchi; Y.Nakata; N.Yokoyama; T.Takagahara
    Physica E, 32巻, 掲載ページ 354-358, 出版日 2006年05月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Self-Formation of High-Density and High-Uniformity InAs Quantum Dots on Sb/GaAs Layers by Molecular Beam Epitax
    M.Ohta; T.Kanto; K.Yamaguchi
    Jpn. J. Appl. Phys., 45巻, 4B号, 掲載ページ 3427-3429, 出版日 2006年04月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • In-Plane Ordering of Self-Assembled InAs Quantum Dots on GaAsSb/GaAs(001) Layers by Molecular Beam Epitaxy
    T.Kanto; K.Yamaguchi
    17th Int. Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC-2005), 掲載ページ 28B-9-2, pp.246-247., 出版日 2005年10月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Self-Assembled InAs Quantum-Dot Chains on Self-Formed GaAs Mesa-Stripes by Molecular Beam Epitaxy
    T.Kanto; K.Yamaguchi
    Jpn. J. Appl. Phys., Vol.44巻, No.10号, 掲載ページ 7690-7693, 出版日 2005年10月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Self-Formation of High-Uniformity InAs Quantum-Dots on GaSb/GaAs Layers by Molecular Beam Epitax
    M.Ohta; T.Kanto; K.Yamaguchi
    2005 Int. Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2005), 掲載ページ E-1-4, pp.98-99., 出版日 2005年09月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Analysis of Sb-As Surface Exchange Reaction in Molecular Beam Epitaxy of GaSb/GaAs Quantum Wells
    T.Nakai; K.Yamaguchi
    Jpn. J. Appl. Phys., Vol.44巻, No.6A号, 掲載ページ 3803-3807., 出版日 2005年06月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Two-Dimensional Self-Arrangement of InAs Quantum Dots on GaAsSb/GaAs(001) Layers by Molecular Beam Epitaxy
    T.Kanto; K.Yamaguchi
    International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2005 (QDPC2005), 掲載ページ P-10, p.31, 出版日 2005年05月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Control of Light Emitting Wavelength from Uniform InAs Quantum Dots by Annealing
    Y.Kobayashi; K.Yamaguchi
    Appl. Surf. Sci., Vol.244巻, 掲載ページ 88-91, 出版日 2005年05月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Control of Self-Formed GaAs Nanoholes Combined with Embedded InAs Quantum Dots
    T.Satoh; K.Yamaguchi
    Jpn. J. Appl. Phys., Vol.44巻, No.4B号, 掲載ページ 2672-2675., 出版日 2005年04月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Control of Self-Assembled InAs Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy
    K.Yamaguchi
    International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2005 (QDPC2005), 掲載ページ D-5, p.15., 出版日 2005年03月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Stacking Growth of High-Density InAs Quantum-Dots on GaSb/GaAs Layers by Molecular Beam Epitaxy
    T.Yoshida; K.Yamaguchi
    International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2005 (QDPC2005), 掲載ページ P-9, p.30., 出版日 2005年03月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Self-Formation of High-Density and High-Uniformity InAs Quantum-Dots on GaSb/GaAs Layers by MBE
    M.Ohta; T.Kanto; K.Yamaguchi
    International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2005 (QDPC2005), 掲載ページ P-7, p.28., 出版日 2005年03月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Two-Dimensional Self-Arrangement of InAs Quantum Dots on GaAsSb/GaAs(001) Layers by Molecular Beam Epitaxy
    T.Kanto; K.Yamaguchi
    International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2005 (QDPC2005), 掲載ページ P-10, p.31, 出版日 2005年03月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Structural Stability of Size-Limited InAs Quantum Dots during Growth Interruption
    M.Horita; T.Kaizu; K.Yamaguchi
    International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2005 (QDPC2005), 掲載ページ P-15, p.36., 出版日 2005年03月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • In-situ X-ray diffraction study on modification of InAs quantum dot structure during growth interruption
    T.Kaizu; M.Takahashi; M.Horita; T.Satoh; K.Yamaguchi; J.Mizuki
    Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2005 (QDPC2005), 掲載ページ P-16, p.37., 出版日 2005年03月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Self-Assembled InAs Quantum Dots on GaSb/GaAs(001) layers by Molecular Beam Epitaxy
    K.Yamaguchi; T.Kanto
    J. Crystal Growth, Vol.275巻, 掲載ページ e2269-e2273, 出版日 2005年02月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Atomically controlled GaSb-termination of GaAs surface and its properties
    T.Miura; T.Nakai; K.Yamaguchi
    Appl. Surf. Sci., Vol.237巻, 掲載ページ 242-245, 出版日 2004年10月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Control of Self-Formed GaAs Nanoholes Combined with Embedded InAs Quantum Dots
    T.Satoh; K.Yamaguchi
    2004 Int. Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2004), 掲載ページ P9-4, pp.618-619, 出版日 2004年09月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Self-Assembled InAs Quantum Dots on GaSb/GaAs(001) layers by Molecular Beam Epitaxy
    K.Yamaguchi; T.Kanto
    14th Int. Conference on Crystal Growth / 12th Int. Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICCG-14/ICVGE-12), 掲載ページ T03-3, p.644., 出版日 2004年08月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Spin Relaxation Dynamics in Highly Uniform InAs Quantum Dots
    A.Tackeuchi; Y.Suzuki; M.Murayama; T.Kitamura; T.Kuroda; T.Takagahara; K.Yamaguchi
    27th Int. Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-2004), 掲載ページ (Jul. 26-30, 2004), 出版日 2004年07月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Analysis of Sb-As Exchange Reaction in Molecular Beam Epitaxy of GaSb/GaAs Quantum Wells
    T.Nakai; K.Yamaguchi
    12th Int. Conference on Solid Films and Surface (ICSFS-12), 掲載ページ P1-31, 64., 出版日 2004年06月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Control of Light Emitting Wavelength from Uniform InAs Quantum Dots by Annealing
    Y.Kobayashi; K.Yamaguchi
    12 th Int. Conference on Solid Films and Surface (ICSFS-12), 掲載ページ P2-11, p.187., 出版日 2004年06月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Spin Relaxation Dynamics in Highly Uniform InAs Quantum Dots
    A.Takeuchi; R.Ohtsubo; K.Yamaguchi; M.Murayama; T.Kitamura; T.Kuroda; T.Takagahara
    Appl. Phys. Lett., Vol.84巻, 掲載ページ 3576-3578, 出版日 2004年05月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Control of GaSb/GaAs Nanostructures by Molecular Beam Epitaxy
    T.Nakai; S.Iwasaki; K.Yamaguchi
    Jpn. J. Appl. Phys., Vol.43巻, No.4B号, 掲載ページ 2122-2124, 出版日 2004年04月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Controlled Stacking Growth of Uniform InAs Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy
    Y.Suzuki; T.Kaizu; K.Yamaguchi
    Physica E, Vol.21/2-4巻, 掲載ページ 555-559, 出版日 2004年03月, 査読付
    研究論文（大学，研究機関等紀要）, 英語
  • Self-Formation of Uniform InAs Quantum Dots and Quantum-Dot Chains
    K.Yamaguchi; T.Kaizu; T.Kanto; Y.Suzuki
    Trans. MRS-J, Vol.29巻, No.1号, 掲載ページ 117-121, 出版日 2004年01月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Self-Assembled GaAs/GaSb Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy
    S.Iwasaki; T.Nakai; K.Yamaguchi
    Trans. MRS-J, Vol.29巻, No.1号, 掲載ページ 127-129, 出版日 2004年01月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Atomically controlled GaSb-termination of GaAs surface and its properties
    T.Miura; T.Nakai; K.Yamaguchi
    7th Int. Conference on Atomically Controlled of Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7), 掲載ページ 18P055, p.425., 出版日 2003年11月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Kelvin Probe Force Microscopy Measurement of InAs Quantum Dots
    K.Yoshimoto; S.Konoshita; Y.Sugimoto; M.Abe; S.Morita; T.Kaizu; K.Yamaguchi; K.Matsuda; T.Saiki; D.Fujita
    1st Int. Symposium on Active Nano-Characterization and Technology (ANCT-2003), 掲載ページ P-53., 出版日 2003年11月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Highly Uniform and Highly Dense InAs Quantum Dots by MBE Stacking Growth
    T.Kaizu; Y.Suzuki; K.Yamaguchi
    International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2003 (QDPC2003), 掲載ページ P-4, p.24., 出版日 2003年11月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • 1.3-μm Light Emission from InAs Quantum Dots in a GaAs Matrix
    H.Takeda; T.Kaizu; K.Yamaguchi
    International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2003 (QDPC2003), 掲載ページ P-14, p.34, 出版日 2003年11月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Self-Formation of GaAs Nanoholes Combined with Embedded InAs Quantum Dots
    T.Sato; K.Yamaguchi
    International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2003 (QDPC2003), 掲載ページ P-3, p.23, 出版日 2003年11月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Uniform Formation of GaSb Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy
    M.Horita; S.Iwasaki; K.Yamaguchi
    International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2003 (QDPC2003), 掲載ページ P-8, p.28, 出版日 2003年11月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Self-Formation of One-Dimensional InAs Quantum-Dot-Chains on Vicinal GaAs(001) Substrates
    T.Kanto; K.Yamaguchi
    International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2003 (QDPC2003), 掲載ページ P-2, p.22, 出版日 2003年11月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Observation of Spin-dependent Tunnel Conductance by Spin-polarized Scanning Tunneling Microscopy Using Ni tips
    D.Murahara; Y.Kobayashi; K.Yamaguchi
    16th Int. Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC-2003), 掲載ページ 30P-7-32, pp.232-233., 出版日 2003年10月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Observation of Spin Relaxation, Tunneling, Anti-Ferromagnetic Coupling and Spin-Pauli-Blocking in Quantum Dots
    A.Takeuchi; R.Ohtsubo; M.Murayama; T.Kitamura; T.Kuroda; Y.Nakata; N.Yokoyama; K.Yamaguchi
    2 nd Int. Conference and School on Spintronics and Quantum Information Technology (SPINTECH II), 掲載ページ (Aug. 4-8, 2003), 出版日 2003年08月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Facet Formation of Uniform InAs Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy
    T.Kaizu; K.Yamaguchi
    Jpn. J. Appl. Phys., Vol.42巻, No.6B号, 掲載ページ 4166-4168, 出版日 2003年06月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Uniform Formation of Two-dimensional and Three-dimensional InAs Islands on GaAs by Molecular Beam Epitaxy
    T.Kaizu; K.Yamaguchi
    Jpn. J. Appl. Phys., Vol.42巻, No. 4A号, 掲載ページ 1705-1708, 出版日 2003年04月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • High Quality InAs Quantum Dots Covered by InGaAs/GaAs Hetero-Capping Layer
    Ryou Ohtsubo; Koichi Yamaguchi
    Phys. Status Sol. (c), 3号, 掲載ページ 939, 出版日 2003年03月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Shape Transition of InAs from 2-Dimensional Islands and 3-Dimensional Dots by Annealing
    S.Iwasaki; K.Yamaguchi
    Appl. Surf. Sci., Vol.216巻, 掲載ページ 407-412, 出版日 2003年01月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Direct Observation of Phonon Relaxation Bottleneck in InAs Quantum Dots of High-Uniformity
    T.Kitamura; R.Ohtsubo; M.Murayama; T.Kuroda; K.Yamaguchi; A.Tackeuchi
    Phys. Status Sol. (c), Vol.0巻, No.4号, 掲載ページ 1165-1168, 出版日 2003年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Observation of Spin Pauli Blocking in InAs High-Uniform Quantum Dots
    M.Murayama; R.Ohtsubo; T.Kitamura; T.Kuroda; K.Yamaguchi; A.Tackeuchi
    Phys. Status Sol. (c), Vol.0巻, No.4号, 掲載ページ 1145-1148, 出版日 2003年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Controlled Stacking Growth of Uniform InAs Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy
    Y.Suzuki; T.Kaizu; K.Yamaguchi
    11 th Int. Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-11), 掲載ページ B5, pp.163-164, 出版日 2003年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Control of GaSb/GaAs Nanostructures by Molecular Beam Epitaxy
    T.Nakai; S.Iwasaki; K.Yamaguchi
    2003 Int. Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2003), 掲載ページ P8-6, pp.608-609, 出版日 2003年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Self-Assembled GaAs/GaSb Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy
    S.Iwasaki; T.Nakai; K.Yamaguchi
    8 th IUMRS Int. Conference on Advanced Materials 2003 (IUMRS-ICAM 2003), 掲載ページ A1-12-P06, p.7., 出版日 2003年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Facet Formation of Uniform InAs Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy
    Toshiyuki Kaizu; Koichi Yamaguchi
    15th Int. Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC-2002), 掲載ページ 146, 出版日 2002年11月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Fabrication of One-Dimensional InAs Quantum-Dot Chains on GaAs/InGaAs Strained Buffer Layer by Molecular Beam Epitaxy
    Toru Kanto; Koichi Yamaguchi
    2 nd Int. Conference on Semiconductor Quantum Dots (QD-2002), 掲載ページ 24, 出版日 2002年10月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Direct Observation of Phonon Relaxation Bottleneck in InAs High-Uniform Quantum Dots
    T.Kitamura; R.Ohtsubo; M.Murayama; T.Kuroda; K.Yamaguchi; A.Takeuchi
    2 nd Int. Conference on Semiconductor Quantum Dots (QD-2002), 掲載ページ 147, 出版日 2002年10月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Observation of Spin Pauli Blocking in InAs High-Uniform Quantum Dots
    M.Murayama; R.Ohtsubo; T.Kitamura; T.Kuroda; K.Yamaguchi; A.Takeuchi
    2 nd Int. Conference on Semiconductor Quantum Dots (QD-2002), 掲載ページ 143, 出版日 2002年10月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Shape Transition of InAs from 2-Dimensional Islands to 3-dimensional Dots by Annealing
    Seiki Iwasaki; Koichi Yamaguchi
    4 th Int. Symposium on Control of Semiconductor Interfaces(ISCSI-4), 掲載ページ B2-2, 出版日 2002年10月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • High Quality InAs Quantum Dots Covered by InGaAs/GaAs Hetero-Capping Layer
    Ryou Ohtsubo; Koichi Yamaguchi
    6th Int. Workshop on Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies, 掲載ページ 50, 出版日 2002年05月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Size-Shrinkage Effects of InAs Quantum Dots During the Growth of GaAs Capping Layer
    Koichi Yamaguchi; Yoshikuni Saito; Ryou Otsubo
    Appl. Surf. Sci, 190巻, 掲載ページ 212-217, 出版日 2002年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Uniform Formation Process of Self-Organized InAs Quantum Dots
    Koichi Yamaguchi; Toshiyuki Kaizu; Kunihiko Yujobo; Yoshikuni Saito
    J. Cryst. Growth, 237-239巻, 掲載ページ 1301, 出版日 2002年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Spin-Polarized Scanning Tunneling Microscopy Using Optically Pumped GaAs Tips
    Takeshi Miura; Koichi Yamaguchi
    Jpn. J. Appl. Phys., 41巻, 6B号, 掲載ページ 4382, 出版日 2002年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • One-Dimensional Quantum-Dot Chains of InAs Grown on Strain-Controlled GaAs/InGaAs Buffer Layer by Molecular Beam Epitaxy
    Koichi Yamaguchi; Kazuhisa Kawaguchi; Toru Kanto
    Jpn. J. Appl. Phys., 41巻, 9AB号, 掲載ページ L996, 出版日 2002年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Observation of Spin-polarized Electrons Using STM-differential Conductivity and Photo-assisted Tunneling Measurements
    T.Kawagoe; Y.Suzuki; E.Tamura; K.Yamaguchi; K.Koike
    2001 JRCAT Symposium on Atom Technology, 掲載ページ 287-290, 出版日 2001年11月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Size Ordering Effects of InAs Quantum Dots During a GaAs Capping Growth
    Yoshikuni Saito; Ryou Otsubo; Koichi Yamaguchi
    28th Int. Symposium on Compound Semiconductors, 掲載ページ WeP-16, p.156, 出版日 2001年10月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Spin-Polarized Scanning Tunneling Microscopy Using Optically Pumped GaAs Tips
    Takeshi Miura; Koichi Yamaguchi
    14th Int. Microprocesses and Nanotechnology Conference, 掲載ページ 160-161, 出版日 2001年10月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Uniform Formation Process of Self-Organized InAs Quantum Dots
    Koichi Yamaguchi; Toshiyuki Kaizu; Kunihiko Yujobo; Yoshikuni Saito
    13th Int. Conference on Crystal Growth / 11th Int. Conference on Vapor Growth and Epitaxy, 掲載ページ 231, 出版日 2001年08月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Size-Shrinkage Effects of InAs Quantum Dots During the Growth of GaAs Capping Layer
    Koichi Yamaguchi; Yoshikuni Saito; Ryou Otsubo
    8th Int. Conference on the Formation of Semiconductor Interface, 掲載ページ 90-91, 出版日 2001年06月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Self Size-Limiting Process of InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy
    T.Kaizu; K.Yamaguchi
    Jpn. J. Appl. Phys., 40巻, 3B号, 掲載ページ 1885-1887, 出版日 2001年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Anisotropic Surface Segregation of Indium Atoms in Molecular Beam Epitaxy of InGaAs/GaAs Quantum Wells
    K.Yamaguchi; Y.Yasuda; A.Kovacs; P.B.Barna
    J. Appl. Phys., 89巻, 1号, 掲載ページ 217-220, 出版日 2001年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Photo-Excitation Spectra in Spin-Polarized STM Using Optically Pumped GaAs Tip
    Y.Suzuki; T.Manago; R.Shinohara; K.Yamaguchi; T.Kawagoe; H.Akinaga; T.Kuroda; F.Minami; S.Yuasa
    2000 JRCAT Int. Symposium on Atom Technology, 掲載ページ (Nov.7, 2000), 出版日 2000年11月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Photo-Assisted Electron Tunneling from GaAs to Ferromagnets in Micro-Fabricated Junctions and Spin-Polarized STM
    Y.Suzuki; T.Manago; H.Akinaga; T.Kawagoe; R.Shinohara; K.Yamaguchi; E.Tamura; S.Yuasa
    Int. Symposium on Surface and Interface: Properties of Different Symmetry Crossing-2000（Oct.17-20, 2000）Nagoya, 掲載ページ (Oct.17-20, 2000), 出版日 2000年10月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Application of Micro-Fabricated GaAs Tip to Spin-Polarized Scanning Tunneling Microscope
    K.Yamaguchi; R.Shinohara; H.Hirota; T.Miura; M.Hashimoto
    The Int. Workshop on Polarized Electron Source and Polarimeter 2000（Oct.12-14, 2000）Nagoya, 掲載ページ (Oct.12-14, 2000), 出版日 2000年10月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Self Size Limit of InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy
    K.Yamaguchi; T.Kaizu
    3rd Int. Symposium on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures（Sep. 10-14, 2000）Sapporo, Tu1-10, 掲載ページ 88, 出版日 2000年09月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Spin-Polarized STM Using Optically Pumped GaAs Tips
    S.Yuasa
    Int. Symposium on Spin-Electronics（Jul. 3-6, 2000）Germany, 掲載ページ (Jul. 3-6, 2000), 出版日 2000年07月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Self-Organized Quantum Dot Chains of InAs Grown by Molecular Beam Epitaxy
    K.Yamaguchi; K.Kawaguchi
    10th Int. Conference on Solid Films and Surfaces（Jul.9-13, 2000）Princeton, We-P-104, 掲載ページ We-P-104, 出版日 2000年07月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Lifetime and Spin Relaxation Time Measurements of Micro-fabricated GaAs Tips
    R.Shinohara; K.Yamaguchi; H.Hirota; Y.Suzuki; T.Manago; H.Akinaga; T.Kuroda; F.Minami
    13th Int. Microprocesses and Nanotechnology Conference（Jul.11-13, 2000）Tokyo, Digest of Papers, 12C-6-7, 掲載ページ 170-171, 出版日 2000年07月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Possible Parasitic Signals in the Spin-Polarized STM Using Optically Pumped GaAs Tips
    Y. Suzuki; W. Nabhan; R. Shinohara; K. Yamaguchi; T. Kawagoe; K. Shigeto; T. Manago; H. Akinaga; T. Kuroda; F. Minami; S. Yuasa
    Int. Symposium on Nanoscale Magnetism and Transport, Sendai, 掲載ページ (March 8-10, 2000), 出版日 2000年03月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • One-Dirnensional Alignment of InAs Dots on Strain-Controlled InGaAs Layers by Selective-Area Molecular Beam Epitaxy
    K.Yamaguchi; T.Hiraike; K.Kawaguchi
    Applied Surface Science, 162-163巻, 掲載ページ 590, 出版日 2000年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • 光励起GaAs探針を用いたスピン偏極走査型トンネル顕微鏡の試み
    山口浩一; 篠原亮一
    真空, 43巻, 5号, 掲載ページ 580, 出版日 2000年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 日本語
  • 円偏光励起GaAsマイクロ探針のスピン偏極トンネル電子源への応用
    篠原亮一; 山口浩一
    電子情報通信学会論文誌 C-Ⅱ, J83-C巻, 9号, 掲載ページ 835-841, 出版日 2000年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 日本語
  • Lifetime and Spin Relaxation Time Measurements of Micro-fabricated GaAs Tips
    R.Shinohara; K.Yamaguchi; H.Hirota; Y.Suzuki; T.Manago; H.Akinaga; T.Kuroda; F.Minami
    Jpn. J. Appl. Phys., 39巻, 12B号, 掲載ページ 7093-7096, 出版日 2000年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Stranski-Krastanov Growth of InAs Quantum Dots with Narrow Size Distribution
    K.Yamaguchi; K.Yujobo; T.Kaizu
    Jpn. J. Appl. Phys., 39巻, 12A号, 掲載ページ L1245-L1248, 出版日 2000年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Progress Toward Spin-Polarized STM Using Ferromagnetic and Semiconductor Tips
    T. Kawagoe; Y. Suzuki; R. Shinohara; K. Yamaguchi; T. Sato; E. Tamura
    '99 JRCAT Int. Symposium on Atom Technology, Tokyo, 掲載ページ pp.311-314, 出版日 1999年11月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • One-Dimensional Alignment of InAs Quantum Dots on Strain-Controlled InGaAs Layers by Selective-Area Molecular Beam Epitaxy
    K. Yamaguchi; T. Hiraike; K. Kawaguchi
    5th Int. Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interface and Nanostructures, Aix-en Provence,, 掲載ページ TH.A 14.50 O, 出版日 1999年07月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Observation of Spin-Dependent Tunneling Current Using Optically Pumped GaAs Microtip
    R. Shinohara; K. Yamaguchi
    12th Int. Microprocesses and Nanotechnology Conference, Yokohama, Digest of Papers, 7C-6-17, 掲載ページ 128-129, 出版日 1999年07月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Effect of Dichroism in the GaAs-Tip-Based Spin Polarized STM
    W. Nabhan; Y. Suzuki; R. Shinohara; K. Yamaguchi; E. Tamura
    Applied Surface Science, 144-145巻, 掲載ページ 570, 出版日 1999年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Spin - Sensitive Scanning Tunneling Microscope Using GaAs Optically Pumped Tips
    Y. Suzuki; W. Nabhan; R. Shinohara; K. Yamaguchi; T. Katayama
    Journal of Magnetism and Magnetic Materials, Multilayers, 198-199巻, 掲載ページ 540, 出版日 1999年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Spin-Polarized Scanning Tunneling Microscope Using Optically Pumped GaAs Microtips
    K. Yamaguchi; R. Shinohara; M. Hashimoto
    Functional Materials, 6巻, 3号, 掲載ページ 575, 出版日 1999年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Observation of Co Ultrathin Films Using Scanning Tunneling Microscope Equipped with GaAs Photoexcited Tips
    Y. Suzuki; W. Nabhan; R. Shinohara; K. Yamaguchi
    Int. Symposium on Surface and Interface, Properties of Different Symmetry Crossing,Tokyo, 掲載ページ 48, 出版日 1998年11月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • A Trial of Spin-Sensitive STM Using Micro-Fabricated GaAs Tips
    Y. Suzuki; R. Shinohara; W. Nabhan; K. Yamaguchi; T. Sato
    1998 JRCAT Int. Symposium on Atom Technology,Tokyo, 掲載ページ P48, 出版日 1998年11月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Effect of Dichroism in the GaAs Tip-Based Spin-Polarized STM
    W.Nabhan; Y. Suzuki; R. Shinohara; K. Yamaguchi
    14th Int. Vaccuum Congress and 10th Int.Conference on Solid Surfaces,Birmingham, 掲載ページ (Aug.31-Sep.4, 1998), 出版日 1998年08月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Fabrication of GaAs Microtips and Its Application to Spin-Polarized Scanning Tunneling Microscope
    K. Yamaguchi; R. Shinohara; Y. Suzuki; W. Nabhan
    11th Int. Microprocesses and Nanotechnology Conference, 掲載ページ 285-286, 出版日 1998年07月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Spin-Sensitive Scanning Tunneling Microscope Using GaAs Optically Pumped Tips
    Y. Suzuki; W. Nabhan; K. Yamaguchi; T. Katayama
    3rd International Symposium on Metallic Multilayers, 掲載ページ (Jun.14-19, 1998), 出版日 1998年06月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Selective Self-Organization of InAs Quantum Dots on InGaAs/GaAs Buffer Layers
    K.Yamaguchi; T.Hiraike; F.Hiwatashi
    3rd International Symposium on Advanced Physical Fields, Fabrication of Nanostructures, 掲載ページ P-2, 出版日 1998年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Selective growth of self-organizing InAs quantum dots on strained inGaAs surfaces
    F. Hiwatashi; K. Yamaguchi
    J Applied Surface Science, 130-132巻, 掲載ページ 737, 出版日 1998年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Selective Self-organization of InAs Islands on InGaAs/GaAs Buffer Layers
    K. Yamaguchi; T. Hiraike; F. Hiwatashi
    Journal of Surface Analysis, 4巻, 2号, 掲載ページ 242, 出版日 1998年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Fabrication of GaAs Microtips and Their Application to Spin-Polarized Scanning Tunneling Microscope
    R. Shinohara; K. Yamaguchi; Y. Suzuki; W. Nabhan
    Japanese Journal of Applied Physics, 37巻, 12B号, 掲載ページ 7151, 出版日 1998年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Selective Self-Formation of InAs Quantum Dots on Strained InGaAs Layers by Molecular Beam Epitaxy
    K.Yamaguchi; E.Waki; H.Hasegawa
    Japanese Journal of Applied Physics, 36巻, 7A号, 掲載ページ L871, 出版日 1997年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Analysis of Indium Surface Segregation in Molecular Beam Epitaxy of InGaAs/GaAs Quantum Wells
    K.Yamaguchi; T.Okada; F.Hiwatashi
    Applied Surface Science, 117-118巻, 掲載ページ 700, 出版日 1997年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Selective Growth of Self-Organizing InAs Quantum Dots on Strained InGaAs Surfaces
    F.Hiwatashi; K.Yamaguchi
    4th International Symposium on Atomically Controlled of Surfaces and Interfaces, 掲載ページ PC44, pp.294-295, 出版日 1997年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Fabrication of GaAs Microtips for Scanning Tunneling Microscopy by Wet Etching
    K.Yamaguchi; S.Tada
    Journal of Electrochemical Society, 143巻, 8号, 掲載ページ 2616, 出版日 1996年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Self-Limited Stripe Width in Selective Metalorganic Chemical Vapor Deposition Growth of GaAs
    K.Yamaguchi; S.Nozaki
    Proceedings of 24th State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors, 掲載ページ 253, 出版日 1996年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • 原子間力顕微鏡(AFM)の試作
    篠原亮一; 山口浩一
    電気通信大学紀要, 9巻, 1号, 掲載ページ 1, 出版日 1996年
    研究論文（大学，研究機関等紀要）, 日本語
  • Analysis of Indium Surface Segregation in Molecular Beam Epitaxy of InGaAs/GaAs Quantum Wells
    K.Yamaguchi; T.Okada; F.Hiwatashi
    2nd International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, 掲載ページ P5-5, p.81, 出版日 1996年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Scanning tunneling microscope with gallium arsenide microtip fabricated by selective epitaxial growth
    Koichi Yamaguchi; Kotaro Okamoto; Shigemi Yugo
    Journal of Applied Physics, 77巻, 11号, 掲載ページ 6061, 出版日 1995年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • 走査型トンネル顕微鏡(STM)の試作
    山口浩一; 湯郷成美
    電気通信大学紀要, 7巻, 1号, 掲載ページ 7, 出版日 1994年
    研究論文（大学，研究機関等紀要）, 英語
  • 走査型トンネル顕微鏡(STM)の試作〔II〕
    山口浩一; 湯郷成美
    電気通信大学紀要, 7巻, 2号, 掲載ページ 133, 出版日 1994年
    研究論文（大学，研究機関等紀要）, 英語
  • Lateral Supply Mechanisms in Selective Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    Koichi Yamaguchi; Kotaro Okamoto
    Japanese Journal of Applied Physics, 32巻, 4号, 掲載ページ 1523, 出版日 1993年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Anisotropic Ridge Growth by Step-Flow-Mode Metalorganic Chemical Vapor Deposition Using Diethylgalliumchloride
    K.Yamaguchi; K.Okamoto
    Japanese Journal of Applied Physics, 32巻, 11A号, 掲載ページ 11A/4885, 出版日 1993年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • クロライド系有機金属を用いた選択MOCVD法によるAlGaAs/GaAs系発光素子の作製
    山口浩一; 岸田繁樹; 岡本孝太郎
    電気通信大学紀要, 6巻, 1号, 掲載ページ 1, 出版日 1993年
    研究論文（大学，研究機関等紀要）, 日本語
  • Doping Properties of GaAs Selective Epilayers Grown by Atmospheric-Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    K.Yamaguchi; S.Kishida; K.Okamoto
    Japanese Journal of Applied Physics, 31巻, 掲載ページ 10A, 出版日 1992年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Surface-Diffusion Model in Selective Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    K.Yamaguchi; M.Ogasawara; K.Okamoto
    Journal of Applied Physics, 72巻, 12号, 掲載ページ 5919, 出版日 1992年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Selective Epitaxial Growth on (100) Vicinal GaAs Surfaces by Atmospheric-Pressure Metalogranic Chemical Vapor Deposition Using Diethylgalliumchloride
    K.Yamaguchi; K.Okamoto
    Japanese Journal of Applied Physics, 30巻, 掲載ページ 2B, 出版日 1991年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Fabrication of GaAs Fine Stripe Structures by Selective Metalorganic Chemical Vapor Deposition Using Diethylgalliumchloride
    Koichi Yamaguchi; Kotaro Okamoto
    Applied Physics Letters, 59巻, 掲載ページ 27, 出版日 1991年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Selective Epitaxial Growth of AlGaAs by Atmospheric Pressure MOCVD Using Diethylgalliumchloride and Diethylaluminumchloride
    K.Yamaguchi; K.Okamoto
    Japanese Journal of Applied Physics, 29巻, 掲載ページ 8, 出版日 1990年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Analysis of Deposition Selectivity in Selective Epitaxy of GaAs by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    K.Yamaguchi; K.Okamoto
    Japanese Journal of Applied Physics, 29巻, 掲載ページ 11, 出版日 1990年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Lateral Growth of GaAs over SiO2 Films Prepared on (111)B Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    K.Yamaguchi; K.Okamoto
    Japanese Journal of Applied Physics, 28巻, 4号, 掲載ページ 685, 出版日 1989年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Atom Beam-Irradiation Effects on Selective Epitaxial Growth of GaAs by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    K.Yamaguchi; K.Okamoto
    Japanese Journal of Applied Physics, 28巻, 9号, 掲載ページ L1489, 出版日 1989年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Lateral Growth on {111}B GaAs Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    K.Yamaguchi; K.Okamoto
    Journal of Crystal Growth, 94巻, 掲載ページ 203, 出版日 1989年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Selectively Buried Epitaxial Growth of GaAs by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    K.Okamoto; K.Yamaguchi
    Applied Physics Letters, 48巻, 13号, 掲載ページ 849, 出版日 1986年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Selective Epitaxial Growth of GaAs by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    K.Yamaguchi; K.Okamoto; T.Imai
    Japanese Journal of Applied Physics, 24巻, 12号, 掲載ページ 1666, 出版日 1985年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語

MISC

  • 量子ドットの基礎知識と結晶成長およびデバイス応用
    山口浩一
    出版日 2018年08月, R&D支援センター・セミナー資料, 掲載ページ pp.1.-pp.73., 日本語, 講演資料等（セミナー，チュートリアル，講習，講義他）
  • 量子ドットデバイスと最先端太陽電池開発
    山口浩一
    出版日 2016年10月, 「クリーンテック・水素社会への挑戦」講演集, 掲載ページ 5-16, 日本語, 講演資料等（セミナー，チュートリアル，講習，講義他）
  • 光デバイス応用に向けたⅢ‐Ⅴ族半導体量子ドットの結晶技術の進展
    山口 浩一
    出版日 2014年10月, OPTRONICS, 394巻, 2014年10月号, 掲載ページ 79-84, 日本語, 記事・総説・解説・論説等（商業誌、新聞、ウェブメディア）
  • 量子ドットの作製技術・構造制御と応用
    山口 浩一
    出版日 2014年07月, 技術情報協会セミナー テキスト, 掲載ページ 1-43, 日本語, 講演資料等（セミナー，チュートリアル，講習，講義他）
  • 半導体量子ドットのデバイス応用における作製技術の課題と展望
    山口浩一
    技術情報協会, 出版日 2014年03月, 研究開発リーダー, 3月号巻, 掲載ページ 38-42, 日本語, 記事・総説・解説・論説等（商業誌、新聞、ウェブメディア）
  • 量子ドットの作製技術とデバイスへの応用
    山口浩一
    出版日 2013年10月, 技術セミナー, 掲載ページ 1-27, 日本語, 講演資料等（セミナー，チュートリアル，講習，講義他）
  • Sb原子による表面・界面改質効果を利用したInAs量子 ドットの自己形成制御
    山口浩一; 菅藤 徹; 太田雅彦
    出版日 2006年, 表面科学, 27巻, 12号, 掲載ページ 36-43, 日本語, 査読付, 記事・総説・解説・論説等（その他）
  • 高均一量子ドットの自己形成
    山口浩一
    出版日 2005年03月, 応用物理学会誌, 74巻, 3号, 掲載ページ 307-312, 日本語, 査読付, 記事・総説・解説・論説等（その他）
  • 半導体量子ドット構造の自己組織化成長
    山口浩一
    出版日 2002年12月, 物性研究（第47回物性若手夏の学校(2002年8月,東京)講義ノート）, 79巻, 3号, 掲載ページ 491, 日本語, 査読付, 記事・総説・解説・論説等（その他）
  • 光励起GaAs探針を用いたスピン偏極走査型トンネル顕微鏡の試み
    山口浩一; 篠原亮一
    出版日 2000年, 真空, 掲載ページ 第43巻5号, pp.580-586, 日本語, 記事・総説・解説・論説等（その他）
  • 原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）の試作
    篠原亮一; 山口浩一
    出版日 1996年06月, 電気通信大学紀要, 掲載ページ 第9巻 第1号, pp.1-7, 日本語, 記事・総説・解説・論説等（その他）

書籍等出版物

  • 半導体光デバイス
    山口 浩一
    教科書・概説・概論, 日本語, 単著, (株)コロナ社, 出版日 2020年
  • Molecular Beam Epitaxy
    K. Yamaguchi
    英語, 共著, Chapter 4, Wiley, 出版日 2019年
  • ユニーク＆エキサイティング サイエンスⅢ
    山口 浩一
    学術書, 日本語, 共著, 近代科学社, 出版日 2014年
  • Handbook of Nano-Optics and Nanophotonics
    K.Yamaguchi
    英語, 共著, Springer, 出版日 2013年
  • 量子ドット太陽電池の最前線（豊田太郎 監修）
    山口 浩一
    日本語, 共著, シーエムシー出版, 出版日 2012年
  • 量子ドットエレクトロニクスの最前線
    山口浩一
    日本語, 共著, エヌ・ティー・エス, 出版日 2011年
  • Progress in Nanophotonics 1
    K.Yamaguchi
    英語, 共著, Springer-Verlag, 出版日 2011年
  • Handbook of Self-Assembled Semiconductor Nanostructures for Novel Devices in Photonics and Electronics
    K.Yamaguchi; S.Tsukamoto; K.Matsuda
    英語, 共著, Chapter 8, Elsevier Inc, 出版日 2008年
  • 電子材料ハンドブック（木村忠正他編集）
    山口浩一
    日本語, 共著, 朝倉書店, 出版日 2006年
  • ナノマテリアルハンドブック（国武豊喜監修）
    山口浩一
    日本語, 共著, エヌ・ティー・エス, 出版日 2005年
  • プロフェッショナル英和辞典 SPED TERRA 物質・工学編
    山口浩一
    日本語, 共著, 小学館, 出版日 2004年
  • 工業材料大辞典
    山口浩一
    日本語, 共著, 工業調査会, 出版日 1997年

講演・口頭発表等

  • Photoluminescence Properties of InAs/InAsSb In-Plane Ultrahigh-Density Quantum-Dot Layer with In-Plane Enenrgy Miniband
    Sim Jui Oon; N. Miyashita; K. Yamaguchi
    ポスター発表, Compound Semiconductor Week 2023 (CSW-2023)
    発表日 2023年05月29日
  • High-Density InAs Quantum Nanowires on Si(111) Substrates by MBE
    R. Watanabe; R. Nakagawa; N. Miyashita; K. Yamaguchi
    ポスター発表, Compound Semiconductor Week 2023 (CSW-2023)
    発表日 2023年05月29日
  • 近接積層InAs量子ドットにおける共鳴トンネル伝導
    中里雄次; 宮下直也; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 第70回応用物理学会春季学術講演会
    発表日 2023年03月
  • Abnormal Temperature Dependence of Photoluminescence Properties of In-Plane Ultrahigh-Density InAs/InAsSb Quantum-Dot Layer
    Sim Jui Oon; Naoya Miyashita; Koichi Yamaguchi
    ポスター発表, 第70回応用物理学会春季学術講演会
    発表日 2023年03月
  • Si(111)基板上への高密度InAs量子ナノワイヤのMBE成長
    中川竜輔; 渡部陸太; 宮下直也; 山口浩一
    ポスター発表, 第70回応用物理学会春季学術講演会
    発表日 2023年03月
  • 面内超高密度InAs量子ドットの成長技術とその半導体レーザ応用
    山口浩一; 田中元幸
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, 電子情報通信学会ソサイエティ大会・シンポジウム「将来の光デバイスに向けた成長及びプロセス要素技術の最新動向」, 電子情報通信学会, 国内会議
    発表日 2022年09月
  • InAs In-Plane Ultrahigh-Density Quantum Dots - MBE Growth and Their Device Applications -
    口頭発表（招待・特別）, 英語, The 8th Int. Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, 招待, SemiconNano committee, Milano (online), 国際会議
    発表日 2021年09月03日
  • Fabrication of InAs Quantum Dots on Fused Silica Substrates by Molecular Beam Deposition
    K. Sasaki; Y. Tanaka; K. Yamaguchi
    口頭発表（一般）, 英語, The 32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference, 国際会議
    発表日 2020年11月09日
  • 面内超高密度量子ドットの自己形成と光電子デバイス応用
    山口浩一
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, 東北大学多元物質科学研究所 金属資源プロセス研究センターシンポジウム「エネルギー・環境問題を解決する新材料・新技術」, 東北大学多元物質科学研究所 金属資源プロセス研究センター, 国内会議
    発表日 2020年11月
  • 高密度・高均一量子ドットの自己形成と光電子デバイス応用
    山口浩一
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, 2020年電子情報通信学会ソサイエティ大会・シンポジウム「新たな光デバイスを生みだす革新的基盤技術」, 電子情報通信学会, 国内会議
    発表日 2020年09月15日
  • 面内超高密度InAs量子ドット層を導入した量子ドットレーザの作製(2)
    馬場慶一郎; 田中元幸; 山口浩一
    ポスター発表, 日本語, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 国内会議
    発表日 2020年03月
  • 分子線堆積法によるガラス基板上へのInAs量子ドットの自己形成
    田中優太; 佐々木一夢; 山口浩一
    ポスター発表, 日本語, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 国内会議
    発表日 2020年03月
  • Si(111)基板上へのGaAsSb/InAsコアシェル・ナノワイヤのMBE成長
    柿澤俊太; 田中広也; 坂本克好; 山口浩一
    ポスター発表, 日本語, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 国内会議
    発表日 2020年03月
  • InP基板上のInAs/GaAsSb type-Ⅱ超格子構造を用いた中赤外LEDの作製(2)
    飯嶋直人; 宇野 江; 坂本克好; 山口浩一
    ポスター発表, 日本語, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 国内会議
    発表日 2020年03月
  • 面内超高密度InAs量子ドット層における中間バンド形成
    加藤彬紘; 立木 象; 山口浩一
    ポスター発表, 日本語, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 国内会議
    発表日 2020年03月
  • 「分子線堆積法によるガラス基板上へのInAs量子ドットの自己形成」
    田中 優太; 佐々木 一夢; 山口 浩一
    その他, 日本語, 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集12p-D215-6(2020)
    発表日 2020年
  • 「面内超高密度InAs 量子ドット層における中間バンド形成」
    加藤 彬紘; 立木 象; 山口 浩一
    その他, 日本語, 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集14a-PA5-2(2020)
    発表日 2020年
  • 「面内超高密度InAs量子ドット層を導入した量子ドットレーザの作製」
    馬場 慶一郎; 田中 元幸; 山口 浩一
    その他, 日本語, 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集13p-PA5-1(2020)
    発表日 2020年
  • 「Si(111)基板上へのGaAsSb/InAsコアシェル・ナノワイヤのMBE成長」
    柿澤 俊太; 田中 広也; 坂本 克好; 山口 浩一
    その他, 日本語, 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集13ｐ-PA5-5（2020）
    発表日 2020年
  • 「 InP基板上のInAs/InGaAsSb type-Ⅱ超格子構造の中赤外LED の作製（2）」
    飯嶋 直人; 宇野 江; 坂本 克好; 山口 浩一
    その他, 日本語, 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集13ｐ-PA5-9(2020)
    発表日 2020年
  • Fabrication of Mid-Infrared LEDs Using InAs/InGaAsSb Superlattice Structures Grown by MBE
    K. Uno; N. Iijima; K. Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, The 7th Int. Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, Kobe
    発表日 2019年09月
  • Enhancement of Photoluminescence of InAs Quantum Dots grown on SiOx Films by Molecular Beam Deposition
    Y. Tanaka; K. Sasaki; A. Makaino; K. Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, The 7th Int. Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, Kobe
    発表日 2019年09月
  • Fabrication of In-Plane Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots and Their Quantum-Dot Laser Applications
    M. Tanaka; K. Banba; K. Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, SPIE Photonics Optics + Photonics 2019, San Diego
    発表日 2019年08月
  • Sunlight Concentration Properties of InAs/InAsSb Ultrahigh-Density Quantum -Dot Solar Cells
    K. Terada; T. Togawa; F. Ozeki; K. Sakamoto; T. Sogabe; K. Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, The 46th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Chicago, 国際会議
    発表日 2019年06月
  • Photoluminescence Mapping Analysis of In-Plane Ultrahigh-Density InAs/GaAsSb Quantum Dot Layers
    S. Tatsugi; R. Sugiyama; K. Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019), Nara, 国際会議
    発表日 2019年05月
  • Fabrication of III-V Compound Semiconductor Quantum Dots and Their Device Applications
    K. Yamaguchi
    口頭発表（招待・特別）, 英語, Silver Jubilee Advanced Functional Materials Congress (AFMC-25), 招待, Stockholm, 国際会議
    発表日 2019年03月
  • エレクトロスプレーイオン源による薄膜のキャラクタリゼーション
    池田侑矢; 山口浩一; 坂本克好; 小林 哲
    口頭発表（一般）, 日本語, 第28回インテリジェント・ナノ材料シンポジウム, 国内会議
    発表日 2019年
  • 面内超高密度InAs量子ドット層の面内PLマッピング解析(2)
    立木 象; 杉山 涼; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 国内会議
    発表日 2019年
  • 分子線堆積法によるSiOx膜上へのInAs量子ドットの自己形成(3)
    佐々木一夢; 馬飼野彰宜; 坂本克好; 山口浩一
    ポスター発表, 日本語, 第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 国内会議
    発表日 2019年
  • イオンビーム堆積法によるInP/ZnS CQD薄膜作製とキャラクタリゼーション
    池田侑矢; 山口浩一; 坂本克好; 小林哲
    口頭発表（一般）, 日本語, 第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 国内会議
    発表日 2019年
  • 面内超高密度InAs量子ドット層を導入した量子ドット太陽電池の集光特性(2)
    戸川匠; 鈴木亮介; 寺田圭佑; 坂本克好; 曽我部東馬; 山口浩一
    ポスター発表, 日本語, 第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 国内会議
    発表日 2019年
  • 面内超高密度InAs量子ドット層を導入した量子ドットレーザの作製
    田中元幸; 馬場慶一郎; 山口浩一
    ポスター発表, 日本語, 第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 国内会議
    発表日 2019年
  • InP基板上のInAs/GaAsSb type-Ⅱ超格子構造を用いた中赤外LEDの作製
    宇野江; 飯嶋直人; 山口浩一
    ポスター発表, 日本語, 2019年（令和元年）第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集
    発表日 2019年
  • 「高密度InAs量子ドット層における欠陥起因の励起子発光マッピング
    立木 象; 杉山 涼; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2019年（令和元年）第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集
    発表日 2019年
  • Fabrication of InAs Quantum Dots on SiOx Films by Molecular Beam Deposition
    A. Makaino; Y. Tanaka; K. Yamaguchi
    口頭発表（一般）, 英語, The 31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference, Sapporo, 国際会議
    発表日 2018年11月
  • 酸化膜上へのⅢ-Ⅴ族半導体量子ドットの成長
    山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 第14回量子ナノ材料セミナー, 埼玉大
    発表日 2018年09月25日
  • Quantum Dot Technology for Optoelectronic Device Applications
    K. Yamaguchi
    口頭発表（一般）, 英語, Joint International Symposium of Energy and Environment between NU, KIT and UEC, Chofu, 国際会議
    発表日 2018年07月
  • Photoluminescence Mapping of In-Plane Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots for Solar Cell Applications
    S. Tatsugi; R. Sugiyama; T. Kato; T. Sogabe; K. Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, The 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-7), Kaikoloa, Hawaii, 国際会議
    発表日 2018年06月
  • Self-Formation of InAs Quantum Dots on Oxide/Semiconductor Substrates by Molecular Beam Deposition
    K. Yamaguchi; A. Makaino; K. Sakamoto; T. Sogabe
    ポスター発表, 英語, Compound Semiconductor Week 2018 (CSW-2018), Boston, 国際会議
    発表日 2018年05月
  • 「分子線堆積法によるSiO2/半導体上へのInAs量子ドットの自己形成」
    ウイクラマナヤカ・ラシミ・プラビーン; 馬飼野彰宜; 坂本克好; 山口浩一
    ポスター発表, 日本語, 2018年（平成30年）第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 国内会議
    発表日 2018年03月
  • 「面内超高密度InAs量子ドット層を導入した太陽電池のドリフト・拡散モデルによる特性解析」
    寺田圭佑; 鈴木亮介; 坂本克好; 曽我部東馬; 山口浩一
    ポスター発表, 日本語, 2018年（平成30年）第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 国内会議
    発表日 2018年03月
  • 「面内超高密度InAs量子ドット層の面内PLマッピング測定評価」
    立木 象; 杉山 涼; 加藤智恵; 山口浩一
    ポスター発表, 日本語, 2018年（平成30年）第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 国内会議
    発表日 2018年03月
  • 「GaAsSb/GaAs(001)上の高密度InAs量子ドットの層の発光特性(3)」
    杉山 涼; 立木 象; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2018年（平成30年）第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 国内会議
    発表日 2018年03月
  • 面内超高密度量子ドット層の太陽電池応用
    山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 第13回量子ナノ材料セミナー，東大先端研
    発表日 2018年01月10日
  • 量子ドット太陽電池用Type-II型InAs/GaAsSb量子ドット層の発光特性
    杉山涼; 立木象; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 第79回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, 国内会議
    発表日 2018年
  • 面内超高密度InAs量子ドット層を導入した量子ドット太陽電池の集光特性
    鈴木亮介; 坂本克好; 曽我部東馬; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 第79回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, 国内会議
    発表日 2018年
  • 面内超高密度InAs量子ドット層を導入した量子ドットレーザの作製
    田中元幸; 山口浩一
    ポスター発表, 日本語, 第79回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, 国内会議
    発表日 2018年
  • InP基板上への中赤外発光InAs/GaAsSb type-II超格子構造のMBE成長
    外川開人; 宇野江; 山口浩一
    ポスター発表, 日本語, 第79回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, 国内会議
    発表日 2018年
  • 分子線堆積法によるSiOx/半導体基板上へのInAs量子ドットの自己形成(2)
    馬飼野彰宜; 坂本克好; 曽我部東馬; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 第79回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, 国内会議
    発表日 2018年
  • 面内超高密度InAs量子ドット層のPLマッピング解
    立木象; 杉山涼; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 第79回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, 国内会議
    発表日 2018年
  • Light Interfererence Integrated Device Simulation in Thin Film InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cell
    T. Sogabe; M. Mori; K. Sakamoto; K. Yamaguchi; T. Okada
    口頭発表（一般）, 英語, The 27th Int. Photovotaic Sicnece and Engineering Conference (PVSEC-27), Otsu, 国際会議
    発表日 2017年11月
  • Optical Transition and Carrier Transport in Type-II Heterostructures of Highly Dense InAs Quantum Dots on GaAsSb/GaAs
    R. Suzuki; R. Sugiyama; T. Sogabe; K. Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, The 27th Int. Photovotaic Sicnece and Engineering Conference (PVSEC-27), Otsu, 国際会議
    発表日 2017年11月
  • Light Interference Integrated Device Simulation in Thin Film InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cell
    T. Sogabe; M. Mori; K. Sakamoto; K. Yamaguchi; Y. Okada
    口頭発表（一般）, 英語, Int. Symp. Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surface for Future Earth (NENCS), Tokyo, 国際会議
    発表日 2017年10月
  • Influence of Urback Tail on Fundamental Properties of Solar Cells Using In-Plane Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots
    R. Suzuki; R. Sugiyama; T. Kato; T. Sogabe; K. Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, Int. Symp. Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surface for Future Earth (NENCS), Tokyo, 国際会議
    発表日 2017年10月
  • Study on Carrier Dyanamics in Ultrahigh-Density InAs Quantum-Dot Layer for Solar Cell Applications
    R. Sugiyama; S. Tatsuki; T. Sogabe; K. Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, Int. Symp. Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surface for Future Earth (NENCS), Tokyo, 国際会議
    発表日 2017年10月
  • GaAsSb/GaAs(001)上の高密度InAs量子ドットの層の発光特性(2)
    杉山涼; 立木象; 曽我部東馬; 山口浩一
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, 2017年（平成29年）第78回応用物理学会秋季学術講演会, 国内会議
    発表日 2017年09月
  • 面内超高密度InAs量子ドット層を導入した太陽電池におけるUrback tailの影響
    鈴木亮介; 杉山涼; 加藤智恵; 曽我部東馬; 山口浩一
    ポスター発表, 日本語, 2017年（平成29年）第78回応用物理学会秋季学術講演会, 国内会議
    発表日 2017年09月
  • 自己形成量子ドットの進展
    山口浩一
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, 2017年（平成29年）第78回応用物理学会秋季学術講演会 シンポジウム講演「革新デバイスを支えるⅢ-Ⅴ族半導体の成長技術」【招待講演】, 国内会議
    発表日 2017年09月
  • Photoluminescence Properties of In-Plane Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots on GaAsSb/GaAs(001) for Solar Cell Applications
    R. Sugiyama; N. Akimoto; T. Sogabe; K. Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, The 44th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Washington, 国際会議
    発表日 2017年06月
  • Self-Formation of In-Plane Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots and Their Photoluminescence Properties
    S. Oikawa; A. Makaino; T. Sogabe; K. Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, Compound Semiconductor Week 2017 (CSW-2017), 国際会議
    発表日 2017年05月
  • 量子ドットのデバイス応用
    山口浩一
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, 太陽光発電プロジェクト講演会（宮崎大）, 国内会議
    発表日 2017年03月
  • 「GaAsSb/GaAs(001)上の高密度InAs量子ドット層の発光特性」
    杉山涼; 秋元直己; 曽我部東馬; 山口浩一
    ポスター発表, 日本語, 2017年（平成29年）第64回応用物理学会春季学術講演会, 国内会議
    発表日 2017年03月
  • Sb照射熱処理によるInAs量子ドット層の構造変化
    馬飼野彰宜; 及川信吾; 坂本克好; 山口浩一
    ポスター発表, 日本語, 2017年（平成29年）第64回応用物理学会春季学術講演会, 国内会議
    発表日 2017年03月
  • 量子現象利用デバイス技術動向
    山口浩一
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, 平成29年度 JEITA 先端電子材料・デバイス技術フォーラム～材料科学の視点から見えてくる実現可能な世界～, 国内会議
    発表日 2017年
  • Photoluminescence and Photovoltaic Properties of Ultrahigh Density InAs Quantum Dots on InAsSb/GaAs(001)
    K. Nii; Y. Minami; K. Sakamoto; T. Sogabe; K. Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, The 26th Photovotaic Sicnece and Engineering Conference (PVSEC-26)
    発表日 2016年10月
  • Investigation of Hot Carrier Transportation Dynamics in InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cell
    T. Sogabe; K. Nii; Y. Minami; K. Sakamoto; K. Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, The 26th Photovotaic Sicnece and Engineering Conference (PVSEC-26), 国際会議
    発表日 2016年10月
  • InAsSb/GaAs(001)上へのInAs3次元島成長とその発光特性
    及川信吾; 馬飼野彰宜; 曽我部東馬; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2016年（平成28年）第77回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 国内会議
    発表日 2016年09月
  • InAs/GaAs量子ドット太陽電池におけるホットキャリア輸送ダイナミクス
    仁井皓大; 南裕太; 坂本克好; 曽我部東馬; 山口浩一; 岡田至崇
    口頭発表（一般）, 日本語, 2016年（平成28年）第77回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 国内会議
    発表日 2016年09月
  • InP基板上への3μm帯発光InAsSb量子ナノ構造のMBE成長
    永井大嗣; 外川開斗; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2016年（平成28年）第77回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 国内会議
    発表日 2016年09月
  • Fabrication of Ultrahigh-Density GaAsSb/InAsSb Quantum Dots and Their Photovoltaic Applications
    K. Yamaguchi
    口頭発表（招待・特別）, 英語, Collaborative Conference on 3D & Materials Research (CC3DMR) 2016, 招待, Incheon/Seoul, 国際会議
    発表日 2016年06月
  • 面内超高密度InAs量子ドット層を導入した太陽電池の熱処理効果
    秋元直己; 仁井皓大; 南裕太; 遠藤航介; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2016年（平成28年）第63回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 国内会議
    発表日 2016年03月
  • 面内超高密度InAs量子ドット層における熱処理効果
    南裕太; 秋元直己; 鮫島一樹; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2016年（平成28年）第63回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 国内会議
    発表日 2016年03月
  • InAsSb/GaAs(001)上のInAs成長における3次元核形成機構
    及川信吾; 鮫島一樹; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2016年（平成28年）第63回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 国内会議
    発表日 2016年03月
  • Self-Formation of Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots for Intermediate-Band Solar Cell Applications
    K. Yamaguchi; K. Sameshima; K. Sakamoto; K. Nii
    口頭発表（招待・特別）, 英語, SPIE Photonics West 2016 [invited], 招待, 国際会議
    発表日 2016年02月
  • Fabrication of Ultrahigh-Density InAs Quantum Dot Layers and Their In-Plane Carrier Transport Properties
    K.Yamaguchi
    口頭発表（招待・特別）, 英語, The 5th Int. Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures [invited], National Nano Device Laboratories, Hsinchu, Taiwan, 国際会議
    発表日 2015年09月
  • 面内高密度 InAs/GaAsSb 量子ドット層における光励起キャリア効果
    秋元直己; 山口浩一
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, 2015年（平成27年）第76回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 国内会議
    発表日 2015年09月
  • InAsSb/GaAs 層上の面内超高密度 InAs 量子ドットの発光特性
    鮫島一樹; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2015年(平成２７年)第76回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 国内会議
    発表日 2015年09月
  • 量子ドット利用デバイス技術動向
    山口浩一
    公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等, 日本語, 平成27年度 JEITA 先端電子材料・デバイス技術フォーラム～IT・エレクトロニクスが支える将来～, JEITA, 東京, 国内会議
    発表日 2015年07月
  • 自己形成量子ドットの作製技術とデバイス応用
    山口浩一
    公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等, 日本語, 第49回基礎科学部会セミナー「低次元形態セラミックスの機能と構造制御」, 招待, 日本セラミックス協会, 名古屋, 国内会議
    発表日 2015年07月
  • Photo-Conductance Properties of Ultrahigh-Density InAs/GaAsSb Quantum Dots
    N.Akimoto; S.Uchida; K.Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, The 42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, New Orleans, 国際会議
    発表日 2015年06月
  • In断続供給によるInAs量子ドット形成のSTMBE観察
    東條孝志; 山口浩一; 塚本史郎
    口頭発表（一般）, 日本語, 第62回応用物理学会春季学術講演会、第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集, 国内会議
    発表日 2015年03月
  • InAsSb 層上への面内超高密度InAs 量子ドット（1012 cm-2）の自己形成（3）
    鮫島一樹; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 第62回応用物理学会春季学術講演会、第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集, 国内会議
    発表日 2015年03月
  • 面内高密度InAs量子ドット層の発光特性のInAs成長量依存性
    佐藤祐介; 秋元直己; 内田俊介; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 第62回応用物理学会春季学術講演会、第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集, 国内会議
    発表日 2015年03月
  • 面内超高密度InAs量子ドット層おける光伝導特性
    秋元直己; 内田俊介; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 第62回応用物理学会春季学術講演会、第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集, 国内会議
    発表日 2015年03月
  • 自己形成量子ドットはどこまで制御できるか
    山口浩一
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, 2013年（平成25年）春季第60回応用物理学関係連合講演会 シンポジウム講演「半導体量子ドット成長技術・物性評価の最前線【招待講演】, 国内会議
    発表日 2015年03月
  • Sun-Concentration Properties and Two-Step Photoexcitation Effects of In-Plane High-Density InAs/GaAsSb Quantum Dot Layers
    K. Uchida; S. Uchida; K. Sakamoto; K. Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, The 7th International Symposium on Innovative Solar Cells, Tokyo, 国際会議
    発表日 2015年01月
  • 半導体量子ドットの結晶成長技術と光デバイス応用の展開
    山口浩一
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, 日本セラミックス協会ガラス部会フォトニクス分科会【招待講演】, 日本セラミックス協会ガラス部会フォトニクス分科会, 東京, 国内会議
    発表日 2015年01月
  • Fabrication of GaAs/AlAs Micro-Pillar Cavities Including Low-Density InAs Quantum Dots and Their Photoluminescence Properties
    H.Yamashita; Y.Takahashi; K.Yamaguchi
    口頭発表（一般）, 英語, 27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2014), Fukuoka
    発表日 2014年11月
  • Intermediate-Band Formation of Ultrahigh-Density InAs/GaAsSb Quantum Dots
    S. Uchida; K. Uchida; K. Sakamoto; K. Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6), Kyoto, 国際会議
    発表日 2014年11月
  • 面内超高密度InAs量子ドット層の特異なPL特性
    内田俊介; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 第75回応用物理学会秋季学術講演会予行集、第75回応用物理学会秋季学術講演会, 国内会議
    発表日 2014年09月
  • 低密度InAs量子ドットを内蔵したマイクロピラー共振器の作製とPL発光特性
    山下博幸; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 第75回応用物理学会秋季学術講演会予稿集、第75回応用物理学会秋季学術講演会, 国内会議
    発表日 2014年09月
  • InAsウエッティング層上ステップ構造近傍での量子ドット形成ＳＴＭＢＥ観察
    東條孝志; 山口浩一; 塚本史郎
    口頭発表（一般）, 日本語, 第75回応用物理学会秋季学術講演会予稿集、第75回応用物理学会秋季学術講演会, 国内会議
    発表日 2014年09月
  • InAs/GaAsSb量子ドットを用いた中間バンド太陽電池の集光特性の計算
    内田圭祐; 坂本克好; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 第75回応用物理学会秋季学術講演会予稿集、第75回応用物理学会秋季学術講演会, 国内会議
    発表日 2014年09月
  • Long Photoluminescence Decay Time of In-Plane Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots on GaAsSb/GaAs(001)
    M.Shiokawa; S.Uchida; K.Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, The 8th International Conference on Semiconductor Quantum Dots(QD-2014), 国際会議
    発表日 2014年05月
  • STMBE法によるGaAs(001)上InAs3D島構造成長その場観察
    東條孝志; 山口浩一; 塚本史郎
    口頭発表（一般）, 日本語, 第61回応用物理学会春季学術講演会予稿集、第61回応用物理学会春季学術講演会, 国内会議
    発表日 2014年03月
  • 面内超高密度InAs量子ドット層における長い蛍光寿命特性
    内田俊介; 塩川美雪; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 第61回応用物理学会春季学術講演会予稿集、第61回応用物理学会春季学術講演会, 国内会議
    発表日 2014年03月
  • 自己形成GaAsナノホールを用いた近接積層InAs量子ドットの発光特性
    山下博幸; 高橋佑太; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 第61回応用物理学会春季学術講演会予稿集、第61回応用物理学会春季学術講演会, 国内会議
    発表日 2014年03月
  • 高密度InAs量子ドット層の広帯域発光特性
    山田和寛; 山本雅人; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 第61回応用物理学会春季学術講演会予稿集、第61回応用物理学会春季学術講演会, 国内会議
    発表日 2014年03月
  • InAsSb層上への面内超高密度InAs量子ドット(1012 cm-2)の自己形成(2)
    鮫島一樹; 佐野琢哉; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 第61回応用物理学会春季学術講演会予稿集、第61回応用物理学会春季学術講演会, 国内会議
    発表日 2014年03月
  • Self Formation of In-Plane Ultrahigh-Density InAs(Sb)/GaAs(Sb) Quantum Dots and Their Solar Cell Applications
    H. Hoshino; M. Shiokawa; K. Uchida; K. Sakamoto; K. Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, The 6th International Symposium on Innovative Solar Cells, 国際会議
    発表日 2014年01月
  • 面内超高密度InAs量子ドットの自己形成とその特性評価
    山口浩一
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, 第９回量子ナノ材料セミナー, 国内会議
    発表日 2013年11月
  • ナノホールGaAs歪緩和埋め込み層によるInAs量子ドットの1.5μm面発光(2)
    山下博幸; 高橋佑太; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 第74回応用物理学会秋季学術講演会予稿集、第74回応用物理学会秋季学術講演会, 国内会議
    発表日 2013年09月
  • GaAsSbバッファ層上の面内超高密度InAs量子ドットの選択励起PL特性
    塩川美雪; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 第74回応用物理学会秋季学術講演会予稿集、第74回応用物理学会秋季学術講演会, 国内会議
    発表日 2013年09月
  • Quantum-Dot Density Dependences of Power Conversion Efficiency for Intermediate-Band Solar Cells
    K. Uchida; K. Sakamoto; K. Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, 2013 JSAP-MRS Joint Symposia, 国際会議
    発表日 2013年09月
  • Long Carrier Lifetime in Ultrahigh-Density InAs Quantum-Dot Sheet of Intermediate Band Solar Cells
    M. Shiokawa; K. Sakamoto; K. Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, 39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 国際会議
    発表日 2013年06月
  • 1.5-μm Surface Emission of InAs Quantum Dots with GaAs-Nanohole Capping Layers
    Yuta Takahashi; Noriyuki Kawamoto; Hiroyuki Yamashita; Koichi Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, The 40th International Symposium on Compound Semiconductors（ISCS2013）, The 40th International Symposium on Compound Semiconductors（ISCS2013）, 神戸, 国際会議
    発表日 2013年05月
  • Self-Formation of Ultrahigh Density InAs Quantum Dots on InAsSb/GaAs Layers
    Takuya Sano; Edes Saputra; Koichi Yamaguchi
    シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, The 40th International Symposium on Compound Semiconductors（ISCS2013）, The 40th International Symposium on Compound Semiconductors（ISCS2013）
    発表日 2013年05月
  • 中間バンド型太陽電池特性の量子ドット密度依存性
    内田圭祐; 坂本克好; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 第60回応用物理学会春季学術講演会予稿集,第60回応用物理学会春季学術講演会
    発表日 2013年03月
  • 面内超高密度InAs量子ドットの時間分解PL特性
    塩川美雪; エデス サプトラ; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 第60回応用物理学会春季学術講演会予稿集,第60回応用物理学会春季学術講演会
    発表日 2013年03月
  • InAsSb層上への面内超高密度InAs量子ドット（1012 cm-2）の自己形成
    佐野琢哉; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 第60回応用物理学会春季学術講演会予稿集,第60回応用物理学会春季学術講演会, 国内会議
    発表日 2013年03月
  • Self-formation of In-plane ultrahigh-density InAs quantum dots for intermediate-band solar cells
    M. Shiokawa; T. Sano; K. Uchida; K. Sakamoto; K. Yamaguchi
    シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, The 5th International Symposium on Innovative Solar Cells, 5th International Symposium on Innovative Solar Cells, つくば
    発表日 2013年01月
  • Self-Formation of In-Plane Ultrahigh Density InAs Quantum Dots for Solar Cell Applications
    Koichi Yamaguchi
    口頭発表（招待・特別）, 英語, 4th International Workshop on Quantum Nanostructure Solar Cells/8th Seminar on Quantum Nanostructure Materials, 4th International Workshop on Quantum Nanostructure Solar Cells/8th Seminar on Quantum Nanostructure Materials, Kobe, Japan, 国際会議
    発表日 2012年12月
  • 単層高均一InAs量子ドットの面内異方性の観測
    上村光典; 太田 潤; 山口 亮; 山口浩一; 竹内 淳
    口頭発表（一般）, 日本語, 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
    発表日 2012年09月
  • 面内超高密度InAs量子ドットシートを用いた中間バンド型太陽電池の作製評価
    塩川美雪; 江口陽亮; 坂本克好; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
    発表日 2012年09月
  • ナノホールGaAs歪緩和埋込み層によるInAs量子ドットの1.5μm面発光
    河本憲幸; 高橋佑太; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
    発表日 2012年09月
  • GaAsSbバッファ層上の面内超高密度InAs量子ドットの時間分解PL特性
    エデス サプトラ; 佐野琢哉; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
    発表日 2012年09月
  • Self-Formation of Ultrahigh Density InAs Quantum Dots on GaAs(001) Substrates by Sb-Mediated MBE Growth
    E. Saputra; T. Sano; J. Ohta; K. Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2012), 国際会議
    発表日 2012年09月
  • Wideband Luminescence from High-Density InAs QDs on GaAsSb/Gaas Layers
    Y. Osaka; H. Tanabe; K. Yamada; K. Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2012), 国際会議
    発表日 2012年09月
  • Intermediate-Band Solar Cells Using In-Plane Ultrahigh Density InAs/GaAsSb Quantum Dot Sheets
    Y. Eguchi; M. Shiokawa; K. Sakamoto; K. Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 国際会議
    発表日 2012年06月
  • Self-Formation of In-Plane Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots and Their Solar Cell Applications
    Koichi Yamaguchi
    口頭発表（招待・特別）, 英語, 2012 EMN Meeting, 2012 EMN Meeting, Florida, USA, 国際会議
    発表日 2012年04月
  • ナノひずみ制御による超高密度InAs 量子ドットの自己形成 とそのデバイス応用
    山口浩一
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, 2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会, 2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会
    発表日 2012年03月
  • 面内超高密度InAs量子ドットの太陽電池応用（３）
    江口陽亮; 山口浩一; 藤田浩輝; 塩川美雪
    口頭発表（一般）, 日本語, 2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会,2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会
    発表日 2012年03月
  • GaAsSb/GaAs層上への面内超高密度InAs量子ドットの自己形成（２）
    エデス サプトラ; 太田 潤; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会,2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会
    発表日 2012年03月
  • InAsSb/GaAs層上への面内超高密度InAs量子ドットの自己形成
    佐野琢哉; 太田 潤; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会,2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会
    発表日 2012年03月
  • GaAsSb/GaAs層上の高密度InAs量子ドットの広帯域発光
    田邊宏行; 尾坂祐治; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会,2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会
    発表日 2012年03月
  • Solar Cell Applications of In-Plane Ultrahigh Density InAs/GaAsSb Quantum Dots
    Y.Eguchi; H.Fujita; J.Ohta; M.Shiokawa; K.Samoto; K.Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, The 4th International Symposium on Innovative Solar Cells, 4th International Symposium on Innovative Solar Cells, Tokyo, Japan, 国際会議
    発表日 2012年03月
  • 量子ドット太陽電池の開発 超高密度量子ドットセル
    山口浩一; 太田潤; 藤田浩輝; 江口陽亮
    その他, 日本語, 革新的太陽光発電カンファレンス2011（NEDO）, 革新的太陽光発電カンファレンス2011（NEDO）
    発表日 2011年11月
  • In-Plane High Density InAs Quantum Dots on GaAs/Ge(001) for Solar Cell Applications
    S. Matsuzaki; H. Hirano; Y. Sakamoto; K. Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, The 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference, 国際会議
    発表日 2011年11月
  • 面内超高密度InAs量子ドットの太陽電池への応用(2)
    江口陽亮; 藤田浩輝; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2011年（平成23年）秋季第72回応用物理学会学術講演会予稿集,2011年（平成23年）秋季第72回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2011年08月
  • GaAsSb/GaAs(001)層上への面内超高密度InAs量子ドットの自己形成
    サプトラエデス; 太田潤; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2011年（平成23年）秋季第72回応用物理学会学術講演会予稿集,2011年（平成23年）秋季第72回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2011年08月
  • 面内超高密度GaAsSb/InAs type-II量子ドットへのGaAsスペーサ層導入効果
    太田潤; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2011年（平成23年）秋季第72回応用物理学会学術講演会予稿集,2011年（平成23年）秋季第72回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2011年08月
  • 単層高均一InAs量子ドットのスピン緩和時間の温度依存性
    笹山和俊; 太田潤; 中西奏太; 小柳慶継; 山口亮; 山口浩一; 竹内淳
    口頭発表（一般）, 日本語, 2011年（平成23年）秋季第72回応用物理学会学術講演会予稿集,2011年（平成23年）秋季第72回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2011年08月
  • 面内超高密度InAs量子ドットの太陽電池への応用
    江口陽亮; 藤田浩輝; 太田潤; 山口浩一
    シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 日本語, 2011年（平成23年）第8回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム, 日本学術振興会 産学協力研究委員会 第175 委員会, 岐阜
    発表日 2011年06月
  • 面内超高密度InAs量子ドットの太陽電池への応用
    藤田浩輝; 山本和輝; 江口陽亮; 山口浩一
    その他, 日本語, 2011年（平成23年）春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集,2011年（平成23年）春季第58回応用物理学関係連合講演会
    発表日 2011年03月
  • GaAsSbバッファ層上のInAs量子ドット成長における面内超高密度化
    船原一祥; 太田潤; 山口浩一
    その他, 日本語, 2011年（平成23年）春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集,2011年（平成23年）春季第58回応用物理学関係連合講演会
    発表日 2011年03月
  • 面内超高密度InAs量子ドット構造におけるキャリアの空間分離とその長寿命化
    太田潤; 山口浩一
    その他, 日本語, 2011年（平成23年）春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集,2011年（平成23年）春季第58回応用物理学関係連合講演会
    発表日 2011年03月
  • InAs/GaAs量子ドットの自己形成過程におけるGa導入効果
    エデスサプトラ; 山口浩一
    その他, 日本語, 2011年（平成23年）春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集,2011年（平成23年）春季第58回応用物理学関係連合講演会
    発表日 2011年03月
  • 時間分解ポンププローブ反射計測による高均一InAs量子ドットのスピン緩和の観測
    笹山和俊; 太田潤; 貫井貴夫; 中西奏太; 山口浩一; 竹内淳
    その他, 日本語, 2011年（平成23年）春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集,2011年（平成23年）春季第58回応用物理学関係連合講演会
    発表日 2011年03月
  • 超低密度InAs量子ドットの自己形成制御
    柳澤拓弥; 小川善秀; 山口浩一
    シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 日本語, 2010年（平成22年）東京京農工大学・電気通信大学 第７回合同シンポジウム 「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」 合同シンポジウム, 2010年（平成22年）東京京農工大学・電気通信大学 第７回合同シンポジウム 「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」 合同シンポジウム, 東京
    発表日 2010年12月
  • 量子ドット型太陽電池へ向けた量子ドットの面内超高密度化と長キャリア寿命化
    山口浩一
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, 第６回量子ナノ材料セミナー, 第６回量子ナノ材料セミナー，物質材料研究機構
    発表日 2010年10月
  • 量子ドット超格子構造太陽電池の研究開発（量子ドットの高均一・高密度化技術）
    太田潤; 山口浩一
    その他, 日本語, NEDO新エネルギー技術開発成果報告会2010, NEDO新エネルギー技術開発成果報告会2010
    発表日 2010年07月
  • Self-Formation Control of GaAs/InAs Quantum Dots for Solar Cells with Intermediate Bands"
    K.Yamaguchi; N.Tsukiji; S.Sekiguchi; T.Seo; J.Ohta; T.Inaji
    口頭発表（招待・特別）, 英語, The Japan-China Workshop on Sensitized Solar Cells, The Japan-China Workshop on Sensitized Solar Cells, Chofu, Japan, 国際会議
    発表日 2010年02月
  • 半導体ナノ構造の最近の展開 -量子ドットの自己形成-
    山口浩一
    シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 日本語, 飯島澄男特別栄誉教授 文化勲章受章記念シンポジウム, 東京
    発表日 2010年01月
  • ナノフォトニクス半導体量子ドットの自己形成制御
    山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2010年（平成22年）春季第57回応用物理学関係連合講演会 シンポジウム講演「ナノフォトニクスを支えるナノ加工」,2010年（平成22年）春季第57回応用物理学関係連合講演会 シンポジウム講演「ナノフォトニクスを支えるナノ加工」
    発表日 2010年
  • InAs量子ドット面内超格子構造の積層成長
    稲次敏彦; 関口修司; 太田 潤; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2010年（平成22年）春季第57回応用物理学関係連合講演会予稿集,2010年（平成22年）春季第57回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2010年
  • InAs量子ドット面内超格子構造の自己形成
    太田 潤; 角田直輝; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2010年（平成22年）春季第57回応用物理学関係連合講演会予稿集,2010年（平成22年）春季第57回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2010年
  • 断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御(4)
    柳澤拓弥; 小川善秀; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2010年（平成22年）春季第57回応用物理学関係連合講演会予稿集,2010年（平成22年）春季第57回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2010年
  • 光デバイス応用に向けたInAs量子ドットの高密度・高均一成長
    山口浩一; 角田直輝; 築地伸和; 関口修司; 太田潤; 海津利行; 高橋正光
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, 応用物理学会結晶工学分科会第132回研究会, 応用物理学会結晶工学分科会第132回研究会
    発表日 2010年
  • 高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解Ｘ線回折測定（3)
    山本和輝; 角田直輝; 海津利行; 物材機構; 東大先端研; 高橋正光; 藤川誠司; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2010年（平成22年）秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集,2010年（平成22年）秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2010年
  • 面内超高密度InAs量子ドットの自己形成とそのキャリア寿命時間測定
    太田潤; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2010年（平成22年）秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集,2010年（平成22年）秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2010年
  • 自己形成InAs量子ドットの高密度・高均一化
    金丸豊; 角田直輝; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2010年（平成22年）秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集,2010年（平成22年）秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2010年
  • 断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御（5)
    小川善秀; 柳澤拓弥; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2010年（平成22年）秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集,2010年（平成22年）秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2010年
  • 太陽電池用高密度InAs量子ドットのGe基板上への成長
    瀬尾崇志; 平野和浩; 山口浩一
    シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 日本語, 2009年（平成21年）電気通信大学・東京京農工大学 第６回合同シンポジウム, 2009年（平成21年）電気通信大学・東京京農工大学 第６回合同シンポジウム
    発表日 2009年12月
  • 高密度InAs量子ドットの時間分解X線回折測定とSb照射成長中断法による高品質化
    角田直輝; 山口浩一; 海津利行; 高橋正光; 藤川誠司
    シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 日本語, 電気通信大学・東京京農工大学 第６回合同シンポジウム 「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」 合同シンポジウム, 年（平成21年）電気通信大学・東京京農工大学 第６回合同シンポジウム
    発表日 2009年12月
  • 半導体量子ドットの自己形成制御
    山口浩一
    シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 日本語, 「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」 合同シンポジウム, 2009年（平成21年）電気通信大学・東京京農工大学 第６回合同シンポジウム
    発表日 2009年12月
  • 自己形成量子ドットの精密制御法の展開
    山口浩一
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, 第21回ナノフォトニックスセミナー
    発表日 2009年10月
  • 自己形成GaAsナノホールを用いた近接積層InAs量子ドットの発光特性
    築地伸和; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2009年（平成21年）秋季第70回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2009年09月
  • InAs量子ドット上の自己形成GaAsナノホールのモンテカルロシミュレ－ション
    関口修司; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2009年（平成21年）秋季第70回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2009年09月
  • 積層InAs量子ドットの熱処理効果
    廣瀬真幸; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2009年（平成21年）秋季第70回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2009年09月
  • Ge(001)基板上へのInAs/GaAs系量子ドットのMBE成長(2)
    瀬尾崇志; 平野和浩; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2009年（平成21年）秋季第70回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2009年09月
  • 高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解X線回折測定(2)
    角田直輝; 海津利行; 高橋正光; 藤川誠司; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2009年（平成21年）秋季第70回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2009年09月
  • Invited) Density Control of Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots
    K.Yamaguchi; N.Kakuda; S.Sekiguchi; Y.Kanemaru
    口頭発表（招待・特別）, 英語, The 2nd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano-2009), Anan,JAPAN, 国際会議
    発表日 2009年08月
  • Sb導入InAs/GaAs系量子ドットの自己形成制御 -均一性、サイズ、密度はどこまで制御できるか-
    山口浩一
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, 第５回量子ナノ材料セミナー
    発表日 2009年07月
  • InAs量子ドットのSb導入MBE成長過程における時間分解X線回折測定
    山口浩一; 角田直輝; 海津利行; 高橋正光; 藤川誠司
    口頭発表（一般）, 日本語, 文部科学省ナノテクノロジー・ネットワーク/重点ナノテクノロジー支援放射光利用研究成果報告会「ナノテクノロジー放射光利用研究の最前線2008」
    発表日 2009年05月
  • 自己形成InAs量子ドットの成長中断におけるAs-Sb照射交換の影響
    山本和輝; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2009年（平成21年）春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2009年03月
  • 高密度InAs量子ドットのcoarsening過程
    金丸豊; 角田直輝; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2009年（平成21年）春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2009年03月
  • 断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御
    パッチャカパットポンラチェット; 関口修司; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2009年（平成21年）春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2009年03月
  • Ge(001)基板上へのInAs/GaAs系量子ドットのMBE成長
    瀬尾崇志; 平野和浩; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2009年（平成21年）春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2009年03月
  • 高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解X線回折測定
    角田直輝; 海津利行; 高橋正光; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2009年（平成21年）春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2009年03月
  • 自己形成GaAsナノホールを用いたGaSb/GaAs層上高密度InAs量子ドットの近接積層成長
    関口修司; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2008年（平成20年）東京農工大学・電気通信大学 合同シンポジウム 「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」 第5回合同シンポジウム予稿集
    発表日 2008年12月
  • 断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御
    P. Ponlache; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2008年（平成20年）東京農工大学・電気通信大学 合同シンポジウム 「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」 第5回合同シンポジウム予稿集
    発表日 2008年12月
  • GaAsSb/GaAs層上の高密度InAs量子ドットの熱処理効果(2)
    廣瀬真幸; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2008年09月
  • 自己形成GaAsナノホールを用いたGaSb/GaAs層上近接積層InAs量子ドットの発光特性改善
    関口修司; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2008年09月
  • Sb照射InAs量子ドット上のGaAs薄膜成長
    村脇史敏; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2008年09月
  • GaAsSb/GaAs層上高密度InAs量子ドットのcoarsening過程
    角田直輝; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2008年（平成20年）秋季第69回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2008年09月
  • InAs量子ドットのSb導入MBE成長過程における時間分解X線回折測定
    山口浩一; 高橋正光; 海津利行; 角田直輝; 水木純一郎
    口頭発表（一般）, 日本語, 文部科学省ナノテクノロジー総合支援プロジェクト平成19年度放射光グループ研究成果報告会「放射光利用ナノテク最前線2007」
    発表日 2008年05月
  • 自己形成GaAsナノホールを用いたGaSb/GaAs層上InAs量子ドットの近接積層成長
    関口修司; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2008年（平成20年）春季第55回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2008年03月
  • GaSb/GaAs層上高密度InAs量子ドットの積層成長
    高島理人; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2008年（平成20年）春季第55回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2008年03月
  • GaAsSb/GaAs層上の高密度InAs量子ドットの熱処理効果
    胡家英; 廣瀬真幸; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2008年（平成20年）春季第55回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2008年03月
  • GaAsSb/GaAs(001)層上のInAs量子ドット成長におけるSb導入効果
    菅藤徹; 高島理人; 角田直輝; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2008年（平成20年）春季第55回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2008年03月
  • Progress in Size Uniformity and Density Control of Self-Assembled InAs Quantum Dots
    K.Yamaguchi; T.Kanto; N.Kakuda; N.Tsukiji; P.Polache
    口頭発表（招待・特別）, 英語, Joint Conferences on Interaction Among Nanostrcutures (VC-IAN 2008), Joint Conferences on Interaction Among Nanostrcutures (VC-IAN 2008), 国際会議
    発表日 2008年02月
  • InAs/GaAs系量子ドットのMBE成長におけるSb導入効果
    高島理人; 菅藤徹; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会結晶工学分科会 2007年年末講演会
    発表日 2007年12月
  • 自己形成GaAsナノホールを用いた２重積層InAs量子ドットのトンネルコンダクタンス測定
    武藤亜弥; 佐藤峻之; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会結晶工学分科会 2007年年末講演会
    発表日 2007年12月
  • Self-Formation of High-Density and High-Uniformity InAs Quantum Dots for Optical Communication Devices
    Koichi Yamaguchi; Naoki Kakuda; Toru Kanto; Masahiko Ohta
    口頭発表（招待・特別）, 英語, SPIE Optics East 2007, Next-Generation Photonic Sensor Technologies Conference, SPIE Optics East 2007, Next-Generation Photonic Sensor Technologies Conference, Boston, USA, 国際会議
    発表日 2007年09月
  • Sb-Mediated Growth of Self-Assembled InAs Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy
    K.Yamaguchi; T.Kanto; N.Kakuda
    口頭発表（招待・特別）, 英語, 5th Int. Workshop on Semiconductor Surface Passivation (SSP-2007), 5th Int. Workshop on Semiconductor Surface Passivation (SSP-2007), 国際会議
    発表日 2007年09月
  • 高均一InAs量子ドットの高スピン偏極発光:スピンパウリブロッキングを含むレート方程式解析
    楠 紘慈; 築地伸和; 宇美武彦; 山口浩一; 竹内 淳
    口頭発表（一般）, 日本語, 2007年（平成19年）秋季第68回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2007年09月
  • 高均一InAs/GaAs量子ドットの第二励起準位のスピン緩和
    宇美武彦; 築地伸和; 楠 紘慈; 山口浩一; 竹内 淳
    口頭発表（一般）, 日本語, 2007年（平成19年）秋季第68回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2007年09月
  • Sb導入高密度InAs量子ドットのMBE成長過程におけるドット構造変化
    角田直輝; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2007年（平成19年）秋季第68回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2007年09月
  • 断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御（2）
    パッチャカパットポンラチェット; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2007年（平成19年）秋季第68回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2007年09月
  • 自己形成GaAsナノホールを用いたInAsおよびGaSb量子ドットの近接積層成長
    村脇史敏; 築地伸和; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2007年（平成19年）秋季第68回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2007年09月
  • GaSb/GaAs層上高密度InAs量子ドットの発光特性
    高島理人; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, GaSb/GaAs層上高密度InAs量子ドットの発光特性
    発表日 2007年09月
  • MBE Growth of InAs Quantum Dots on InAsSb Wetting Layers
    N.Kakuda; K.Yamaguchi
    口頭発表（一般）, 英語, 公開シンポジウム「ナノ光・電子デバイスと量子情報エレクトロニクス」
    発表日 2007年03月
  • InAs Quantum Dots Formation on Sb Irradiated GaAs(001) Observed by in-situ STM inside MBE Growth Chamber
    N.Kakuda; S.Tsukamoto; K.Yamaguchi; Y.Arakawa
    口頭発表（一般）, 英語, 公開シンポジウム「ナノ光・電子デバイスと量子情報エレクトロニクス」
    発表日 2007年03月
  • Self-Formation of High-Density InAs Quantum Dots on GaSb/GaAs by Molecular Beam Epitaxy
    R.Takashima; K.Yamaguchi
    口頭発表（一般）, 英語, 公開シンポジウム「ナノ光・電子デバイスと量子情報エレクトロニクス」, 国内会議
    発表日 2007年03月
  • Self-Formation Control of Low-Density InAs Quantum Dots by Intermittent Supply and Anneal Method
    P.Patchakapa; K.Yamaguchi
    口頭発表（一般）, 英語, 公開シンポジウム「ナノ光・電子デバイスと量子情報エレクトロニクス」
    発表日 2007年03月
  • Sb照射GaAs(001)表面のその場X線回折測定
    海津利行; 高橋正光; 菅藤徹; 築地伸和; 外村慎一; 山口浩一; 水木純一郎
    口頭発表（一般）, 日本語, 2007年(平成19年) 春季第54回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2007年03月
  • 高均一InAs/GaAs量子ドットによる高スピン偏極円偏光の時間分解測定
    楠紘慈; 築地伸和; 宇美武彦; 山口浩一; 竹内淳
    口頭発表（一般）, 日本語, 年(平成19年) 春季第54回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2007年03月
  • 高均一InAs/GaAs量子ドットによる高スピン偏極円偏光の発生
    宇美武彦; 築地伸和; 楠紘慈; 山口浩一; 竹内淳
    口頭発表（一般）, 日本語, 2007年(平成19年) 春季第54回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2007年03月
  • GaAs上のInAs量子ドット成長におけるInAsSb濡れ層の導入効果
    角田直輝; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2007年(平成19年) 春季第54回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2007年03月
  • 高密度InAs量子ドットの積層成長におけるGaAsSb埋め込み層の導入
    吉田剛之; 角田直輝; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2007年(平成19年) 春季第54回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2007年03月
  • Sb終端GaAs層上の高密度InAs量子ドットの発光特性
    太田雅彦; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2007年(平成19年) 春季第54回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2007年03月
  • InAs量子ドットのInGaAs埋め込み成長におけるサイズ揺らぎの抑制
    外村慎一; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2007年(平成19年) 春季第54回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2007年03月
  • 断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御
    パッチャカパットポンラチェット; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2007年(平成19年) 春季第54回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2007年03月
  • 光通信波長帯InAs量子ドットのMBE成長その場X線回折測定
    山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 文部科学省ナノテクノロジー総合支援プロジェクト成果発表会
    発表日 2007年02月
  • Sb/GaAs層上高密度InAs量子ドットのInGaAs埋め込み成長による高均一化
    外村慎一; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2006年(平成18年) 秋季第67回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2006年09月
  • 自己形成GaAsナノホールを用いた高均一InAs量子ドットの近接積層成長
    築地伸和; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2006年(平成18年) 秋季第67回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2006年09月
  • MBEによる高密度InAs量子ドットのGaAsSb埋め込み成長
    吉田剛之; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2006年(平成18年) 秋季第67回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2006年09月
  • Sb 照射GaAs(001)表面上InAs量子ドットのMBE成長その場STM観察
    角田直輝; 塚本史郎; 永原靖治; 磯村暢宏; 山口浩一; 荒川泰彦
    口頭発表（一般）, 日本語, 2006年(平成18年) 秋季第67回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2006年09月
  • GaAsSb/GaAs(001)基板上の高密度InAs量子ドットの面内自己配列形成
    GaAsSb/GaAs; 基板上の高密度InAs量子ドットの面内自己配列形成
    口頭発表（一般）, 日本語, 2006年(平成18年) 秋季第67回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2006年09月
  • 高密度・高均一InAs量子ドットの自己形成制御
    山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2006年(平成18年) 秋季第67回応用物理学会学術講演会予稿集, シンポジウム講演「ボトムアップ成長技術のマイルストーンとナノエピタキシィへの展開」
    発表日 2006年09月
  • InAs wetting layer formation on Sb irradiated GaAs(001) observed by in-situ STM inside MBE growth chamber
    N.Kakuda; S.Tsukamoto; K.Yamaguchi; Y.Arakawa
    その他, 英語, 25th Electronic Materials Symposium (EMS-25)
    発表日 2006年07月
  • 高密度・高均一InAs量子ドットの自己形成とその場時間分解X線回折測定
    山口浩一; 海津利行; 菅藤徹; 吉田剛之; 太田雅彦; 高橋正光; 水木純一郎
    口頭発表（一般）, 日本語, 文部科学省ナノテクノロジー総合支援プロジェクト平成17年度放射光グループ研究成果報告会「放射光利用ナノテク最前線2006」
    発表日 2006年06月
  • Sb照射GaAs(001)層上InAs量子ドットのMBE成長その場STM観察
    角田直輝; 塚本史郎; 山口浩一; 荒川泰彦
    口頭発表（一般）, 日本語, ナノ光・電子デバイスシンポジウム「量子ドットとフォトニック結晶」
    発表日 2006年05月
  • 自己形成GaAsナノホールを用いた高均一InAs量子ドットの近接積層成長
    築地伸和; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, ナノ光・電子デバイスシンポジウム「量子ドットとフォトニック結晶」
    発表日 2006年05月
  • MBEによるGaAsSb/GaAs(001)バッファ層上への高密度InAs量子ドットの面内自己配列
    菅藤徹; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, ナノ光・電子デバイスシンポジウム「量子ドットとフォトニック結晶」
    発表日 2006年05月
  • Sb/GaAs(001)バッファ層上への高密度InAs量子ドットのMBE成長
    吉田剛之; 太田雅彦; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, ナノ光・電子デバイスシンポジウム「量子ドットとフォトニック結晶」
    発表日 2006年05月
  • 高密度・高均一InAs量子ドットの自己形成制御
    山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, ナノ光・電子デバイスシンポジウム「量子ドットとフォトニック結晶」
    発表日 2006年05月
  • 化合物半導体量子ドット成長のその場観察による成長機構に関する研究
    山口浩一; 海津利行; 菅藤 徹; 吉田剛之; 太田雅彦; 高橋正光; 水木純一郎
    口頭発表（一般）, 日本語, 第１回JAEA放射光科学研究シンポジウム（SPring-8）
    発表日 2006年03月
  • 高均一InAs結合量子ドットにおけるフォトルミネッセンス時間分解測定
    宮田匠悟; 鈴木康太; 楠 紘慈; 素川靖司; 山口浩一; 竹内 淳
    口頭発表（一般）, 日本語, 2006年(平成18年) 春季第53回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2006年03月
  • 自己形成GaAsナノホールを用いたInAs量子ドットの近接積層成長
    築地伸和; 佐藤峻之; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2006年(平成18年) 春季第53回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2006年03月
  • GaAs層上の高密度・高均一InAs量子ドットのMBE成長
    富田充朗; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2006年(平成18年) 春季第53回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2006年03月
  • Sb/GaAs層上への高密度・高均一InAs量子ドットのMBE成長
    外村慎一; 太田雅彦; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2006年(平成18年) 春季第53回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2006年03月
  • Sb照射GaAs(001)表面上InAs量子ドットMBE成長その場STM観察
    角田直輝; 塚本史郎; 永原靖治; 磯村暢宏; 山口浩一; 荒川泰彦
    口頭発表（一般）, 日本語, 2006年(平成18年) 春季第53回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2006年03月
  • Sb/GaAs層上への高密度・高均一InAs量子ドットのMBE成長 - Sb/GaAs成長条件依存性 -
    太田雅彦; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2006年(平成18年) 春季第53回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2006年03月
  • GaAsSb/GaAs(001)基板上への高密度InAs量子ドットの自己配列形成
    菅藤 徹; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2006年(平成18年) 春季第53回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2006年03月
  • Sb-Mediated Stranski-Krastanov Growth of High-Density InAs Quantum Dots on GaAs(001)
    K.Yamaguchi
    口頭発表（招待・特別）, 英語, Int. Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, Int. Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, Bonassola, 国際会議
    発表日 2006年
  • 高密度InAs量子ドットの自己形成
    山口浩一
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, 第１回量子ナノ材料セミナー， 情報通信研究機構
    発表日 2005年10月
  • GaAs(001)-c(4x4)上のSb照射表面その場STM観察
    角田直輝; 塚本史郎; 本間 剛; 磯村暢宏; 山口浩一; 荒川泰彦
    口頭発表（一般）, 日本語, 2005年(平成17年) 秋季第66回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2005年09月
  • GaSb/GaAs層上の自己形成InAs量子ドットの密度制御
    太田雅彦; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2005年(平成17年) 秋季第66回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2005年09月
  • GaAsSbバッファ層上のInAs量子ドットの自己配列形成(3) -バッファ層成長温度依存性-
    菅藤 徹; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2005年(平成17年) 秋季第66回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2005年09月
  • 均一InAs量子ドットのスピン偏極率緩和時間の温度依存性
    楠 紘慈; 鈴木康太; 宮田匠悟; 素川靖司; 高河原俊秀; 山口浩一; 竹内 淳
    口頭発表（一般）, 日本語, 2005年(平成17年) 秋季第66回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2005年09月
  • 表面交換反応制御法による高密度InAs量子ドットのGaAsSb埋め込み成長
    吉田剛之; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2005年(平成17年) 秋季第66回応用物理学会学術講演会予稿集,
    発表日 2005年09月
  • 自己形成GaAsナノホールを用いたInAs量子ドットダイオードのコンダクタンス測定
    佐藤峻之; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2005年(平成17年) 秋季第66回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2005年09月
  • Spin Relaxation and Antiferromagnetic Coupling in Semiconductor Quantum Dots
    A.Takeuchi; T.Kuroda; K.Yamaguchi; Y.Nakata; N.Yokoyama; T.Takagahara
    口頭発表（招待・特別）, 英語, 12th Int. Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-12), 12th Int. Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-12), New Mexico, USA, 国際会議
    発表日 2005年07月
  • 接場光学顕微鏡によるタイプIIGaSb/GaAs量子ドットイメージング・分光
    松田一成; 金光義彦; 杉本義明; 斎木敏治; 山口浩一; S. Nair
    その他, 日本語, ナノフォトニクス研究会, 慶応大学
    発表日 2005年07月
  • 高均一InAs量子ドットの第1励起準位におけるスピン偏極率緩和時間の温度依存性
    宮田匠悟; 鈴木康太; 濱崎陽介; 大嶽浩隆; 村木信介; 山口浩一; 竹内 淳
    口頭発表（一般）, 日本語, 2005年(平成17年) 春季第52回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2005年03月
  • その場X線回折による成長中断中のInAs量子ドットの構造変化の解析
    海津利行; 高橋正光; 佐藤峻之; 堀田正憲; 山口浩一; 水木純一郎
    口頭発表（一般）, 日本語, 2005年(平成17年) 春季第52回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2005年03月
  • GaSb/GaAs層上への高密度・高均一InAs量子ドットの自己形成 (2)
    太田雅彦; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2005年(平成17年) 春季第52回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2005年03月
  • GaSb/GaAs層上の高密度InAs量子ドットの積層成長
    吉田剛之; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2005年(平成17年) 春季第52回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2005年03月
  • MBEによるInP基板上のGaSb量子ドットの自己形成
    堀田正憲; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2005年(平成17年) 春季第52回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2005年03月
  • GaAsSbバッファ層上のInAs量子ドットの自己配列形成(2)
    菅藤 徹; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2005年(平成17年) 春季第52回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2005年03月
  • 量子ドットの電子スピンの振る舞いと操作：量子情報処理実現に向けて
    竹内淳; 黒田剛正; 山口浩一; 中田義昭; 横山直樹; 高河原俊秀
    口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会「次世代ナノ技術に関する研究専門委員会」第４回研究会 材料デバイスサマーミーティング「量子ナノ構造の作製とデバイス化」,
    発表日 2005年03月
  • Sb/GaAsバッファ層上への高密度InAs量子ドットのMBE成長
    吉田剛之; 太田雅彦; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会「次世代ナノ技術に関する研究専門委員会」第４回研究会 材料デバイスサマーミーティング「量子ナノ構造の作製とデバイス化」
    発表日 2005年03月
  • 高均一InAs量子ドットの励起フォトルミネセンス（PLE）測定
    濱崎陽介; 鈴木康太; 中川裕文; 山口浩一; 竹内 淳
    口頭発表（一般）, 日本語, 2004年(平成16年) 秋季第65回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2004年09月
  • 2重積層InAs量子ドットに結合したGaAsナノホールの自己形成
    佐藤峻之; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2004年(平成16年) 秋季第65回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2004年09月
  • GaAsSbバッファ層上へのInAs量子ドットの自己配列形成
    菅藤 徹; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2004年(平成16年) 秋季第65回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2004年09月
  • GaSb/GaAs層上への高密度InAs量子ドットの自己形成
    太田雅彦; 菅藤 徹; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2004年(平成16年) 秋季第65回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2004年09月
  • 高均一InAs量子ドットのアニール効果(2)
    小林良幸; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2004年(平成16年) 秋季第65回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2004年09月
  • MBEによるInAs量子ドットの自己形成制御
    山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2004年(平成16年) 秋季第65回応用物理学会学術講演会 シンポジウム講演「量子ドットの将来像と実現のためのマイルストーン」,
    発表日 2004年09月
  • GaSb/GaAsタイプⅡ量子ドットにおける２励起子状態
    松田一成; 杉本義明; 斎木敏治; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2004年(平成16年)春季第51回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2004年03月
  • 高均一InAs量子ドットでのフォノンボトルネック現象の観測
    北村崇光; 鈴木康太; 濱崎陽介; 黒田剛正; 山口浩一; 竹内 淳
    口頭発表（一般）, 日本語, 2004年(平成16年) 春季第51回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2004年03月
  • 高均一InAs量子ドットにおけるキャリア緩和機構―ウェッティングレーヤーからのキャリア緩和
    濱崎陽介; 鈴木康太; 北村崇光; 黒田剛正; 高河原俊秀; 山口浩一; 竹内 淳
    口頭発表（一般）, 日本語, 2004年(平成16年) 春季第51回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2004年03月
  • 高均一InAs量子ドットのスピン緩和時間の温度依存性
    村山雅洋; 鈴木康太; 大嶽浩隆; 北村崇光; 黒田剛正; 高河原俊秀; 山口浩一; 竹内 淳
    口頭発表（一般）, 日本語, 2004年(平成16年) 春季第51回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2004年03月
  • 自己制限InAs量子ドットの構造安定性
    岩崎誠樹; 海津利行; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2004年(平成16年) 春季第51回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2004年03月
  • GaSb/GaAs自己形成量子ドットにおける成長中断
    堀田正憲; 岩崎誠樹; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2004年(平成16年) 春季第51回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2004年03月
  • GaAs/GaSb 量子井戸のMBE成長におけるSb-As交換反応のカイネティックモデル解析（２）
    仲井貴紀; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2004年(平成16年) 春季第51回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2004年03月
  • 埋め込みInAs量子ドットに結合したGaAsナノホールの自己形成制御
    佐藤峻之; 金 海燕; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2004年(平成16年) 春季第51回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2004年03月
  • GaSb単分子層上への高密度InAs量子ドットの自己形成
    菅藤 徹; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2004年(平成16年) 春季第51回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2004年03月
  • 高均一InAs量子ドットのアニール効果
    小林良幸; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2004年(平成16年) 春季第51回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2004年03月
  • GaSb/GaAsタイプII量子ドットにおける2励起子状態
    松田一成; 杉本義明; 斎木敏治; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 第14回光物性研究会, 大阪市立大学
    発表日 2003年12月
  • 半導体量子ドットの自己形成制御 －高均一量子ドット, 量子ドット鎖, 量子ドットに結合したナノホール－
    山口浩一
    その他, 日本語, 早稲田大学ナノテクノロジーフォーラム「マイクロ／ナノフォトニクス部会」第２回研究会「半導体量子ドットの高品質作製技術と先端光デバイス応用」,
    発表日 2003年12月
  • (Invited) Self-Formation of InAs Quantum Nanostructures – Uniform Quantum Dots, Quantum-Dot Chains and Nanoholes -
    K.Yamaguchi; T.Kaizu; T.Kanto; Y.Suzuki
    口頭発表（招待・特別）, 英語, 8 th IUMRS Int.Conference on Advanced Materials 2003 (IUMRS-ICAM 2003), 8 th IUMRS Int.Conference on Advanced Materials 2003 (IUMRS-ICAM 2003), 国際会議
    発表日 2003年10月
  • 高均一InAs量子ド ットにおけるキャリア緩和機構2
    北村崇光; 大坪 亮; 村山雅洋; 黒田剛正; 山口浩一; 竹内 淳
    口頭発表（一般）, 日本語, 2003年(平成15年) 秋季第64回応用物理学会学 術講演会予稿集
    発表日 2003年09月
  • 高均一InAs量子ド ットにおけるスピン偏極の観測４－温度依存性
    村山雅洋; 大坪 亮; 北村崇光; 黒田剛正; 山口浩一; 竹内 淳
    口頭発表（一般）, 日本語, 2003年(平成15年) 秋季第64回 応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2003年09月
  • GaAs/GaSb量子井戸成長におけるSb-As交換反応のカイネティックモデル解析
    仲井貴紀; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2003年(平成15年) 秋季第64回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2003年09月
  • 積層InAs量子ドットのファセット形成制御
    鈴木康太; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2003年(平成 15年) 秋季第64回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2003年09月
  • GaAs微傾斜基板上への１次元InAs量子ドット鎖の自己形成
    菅藤 徹; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2003年(平成15年) 秋季第64回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2003年09月
  • ＳＫ量子ドットの初期成長過程
    岩崎誠樹; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2003年(平成15年) 秋季第64回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2003年09月
  • GaSb量子ドットのGaAs埋め込み成長 温度依存性
    岩崎誠樹; 堀田正憲; 仲井貴紀; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2003年(平成15年) 秋季第64回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2003年09月
  • 高密度・高均一InAs量子ドットの積層成長
    海津利行; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2003年(平成 15年) 秋季第64回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2003年09月
  • GaAs埋め込みInAs量子ドットの1.3 μｍ発光
    海津利行; 武田 宙; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2003 年(平成15年) 秋季第64回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2003年09月
  • GaAs表面のGaSb終端化処理制御とその特性
    三浦 健; 仲井貴紀; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2003 年(平成15年) 秋季第64回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2003年09月
  • 高均一量子ドットの成長条件とその物理的起源
    山口浩一
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, 2003年 (平成15年) 秋季第64回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2003年09月
  • Observation of Spin Relaxation, Tunneling, Anti-ferromagnetic coupling and Pauli Blocking in Quantum Dots
    A.Takeuchi; R.Ohtsubo; M.Murayama; K.Kitamura; T.Kuroda; Y.Nakata; N.Yokoyama; K.Yamaguchi
    その他, 英語, The 9th Symposium on the Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors (PASPS-9),
    発表日 2003年06月
  • １次元InAs量子ドット鎖の自己配列（3）
    菅藤 徹; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2003年03月
  • 自己制限InAs量子ドット形成過程のInAs成長条件依存性 (2)
    海津利行; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2003年03月
  • GaAs/GaSb量子ドットの成長温度依存性
    仲井貴紀; 岩崎誠樹; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2003年03月
  • InAs量子ドットに結合したGaAsナノホールの自己形成
    金 海燕; 大坪 亮; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2003年03月
  • 高均一InAs量子ドットの積層成長
    鈴木康太; 大坪 亮; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2003年03月
  • InAs２次元成長層のアニ－ルによる３次元ドット形成 (2)
    岩崎誠樹; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2003年03月
  • Ni探針を用いたスピン偏極STM
    村原大介; 小林良幸; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2003年03月
  • 高均一 InAs量子ドットにおけるスピン偏極の観測2 - GaAs層のキャリアダイナミクス
    藪下智仁; 大坪 亮; 村山雅洋; 北村崇光; 黒田剛正; 山口浩一; 竹内 淳
    口頭発表（一般）, 日本語, 2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2003年03月
  • 高均一InAs量子ドットにおけるエネルギー緩和機構
    北村崇光; 大坪 亮; 村山雅洋; 黒田剛正; 山口浩一; 竹内 淳
    口頭発表（一般）, 日本語, 2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2003年03月
  • 高均一InAs量子ドットにおけるスピン偏極の観測３ーキャリア濃度依存性
    村山雅洋; 大坪 亮; 北村崇光; 黒田剛正; 山口浩一; 竹内 淳
    口頭発表（一般）, 日本語, 2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2003年03月
  • Observation of Spin Pauli Blocking in InAs High-Uniformity Quantum Dots
    M.Murayama; R.Ohtsubo; K.Kitamura; T.Kuroda; K.Yamaguchi; A.Tackeuchi
    口頭発表（一般）, 英語, The 8th Symposium on the Physics and Application of Spin Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-8)
    発表日 2002年12月
  • (Invited) Self Formation of Uniform Quantum Dots and One-Dimensional Quantum-Dot Chains
    Koichi Yamaguchi
    口頭発表（招待・特別）, 英語, Int. Symposium on Nano-Intelligent Materials/System (ISNIMS), 国際会議
    発表日 2002年10月
  • (Invited) Self Size-Limiting Growth of Uniform InAs Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy
    Koichi Yamaguchi; Toshiyuki Kaizu; Ryou Ohtsubo; Seiki Iwasaki
    口頭発表（招待・特別）, 英語, 2002 Int. Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM-2002), 国際会議
    発表日 2002年09月
  • 自己制限InAs量子ドット形成過程のInAs成長条件依存性
    海津利行; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2002年(平成14年) 秋季第63回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2002年09月
  • GaSb/GaAs量子ドットの低成長速度・低Sb圧成長
    岩崎誠樹; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2002年(平成14年) 秋季第63回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2002年09月
  • In表面偏析効果を促進したInAs量子ドットのPL特性
    大坪 亮; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2002年(平成14年) 秋季第63回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2002年09月
  • １次元InAs量子ドット鎖の自己配列（２）
    菅藤 徹; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2002年(平成14年) 秋季第63回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2002年09月
  • 高均一InAs量子ドットにおけるスピン偏極の観測
    村山雅洋; 大坪 亮; 北村崇光; 黒田剛正; 山口浩一; 竹内 淳
    口頭発表（一般）, 日本語, 2002年(平成14年) 秋季第63回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2002年09月
  • 高均一InAs量子ドットによるフォノンボトルネック現象の直接観測
    北村崇光; 大坪 亮; 村山雅洋; 黒田剛正; 山口浩一; 竹内 淳
    口頭発表（一般）, 日本語, 2002年(平成14年) 秋季第63回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2002年09月
  • InAs量子ドットの自己制限過程
    海津利行; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2002年(平成14年)春季第49回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2002年03月
  • InAs２次元成長層のアニ－ルによる３次元ドット形成
    岩崎誠樹; 海津利行; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2002年(平成14年)春季第49回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2002年03月
  • InAs量子ドットのInGaAs/GaAs埋め込み成長
    大坪 亮; 齋藤佳邦; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2002年(平成14年)春季第49回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2002年03月
  • １次元InAs量子ドット鎖の自己配列
    菅藤徹; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2002年(平成14年)春季第49回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2002年03月
  • 光励起GaAs探針を用いたスピン偏極STM
    山口浩一; 三浦 健
    口頭発表（一般）, 日本語, 2001年(平成13年)秋季第62回応用物理学会学術講演会 シンポジウム講演「SPMによるナノ領域のスピン計測」
    発表日 2001年09月
  • 光励起GaAs探針を用いたスピン偏極STM
    山口浩一; 三浦 健
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, 2001年(平成13年)秋季第62回応用物理学会学術講演会 シンポジウム講演「SPMによるナノ領域のスピン計測」
    発表日 2001年09月
  • InAsアイランドサイズの形成サイト依存性
    海津利行; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2001年(平成13年) 秋季第62回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2001年09月
  • InAs量子ドットの埋め込み成長過程(2) –成長温度依存性-
    大坪 亮; 齋藤佳邦; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2001年(平成13年) 秋季第62回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2001年09月
  • InAs量子ドットの埋め込み成長過程(3) –MCシミュレーション-
    齋藤佳邦; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2001年(平成13年)秋季第62回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 2001年09月
  • （Invited）Facet Formation of InAs Quantum Dots grown by Molecular Beam Epitaxy
    T.Kaizu; K.Yamaguchi
    口頭発表（招待・特別）, 英語, 6th Int. Symposium on Advanced Physical Fields, Fabrication of Nanostructures（Mar.6-9, 2001）Tsukuba, 国際会議
    発表日 2001年03月
  • 自己制限InAs量子ドットの形成過程（2）
    海津利行; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2001年（平成13年）春季第48回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2001年03月
  • 自己組織化InAsドットの初期形成過程
    市原 純; 海津利行; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2001年（平成13年）春季第48回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2001年03月
  • 金属および半導体探針を用いた磁性体表面のSTS及びSP-STM
    川越毅; 鈴木義茂; 篠原亮一; 山口浩一
    その他, 日本語, 科研費補助金創成的基礎研究費研究会（表面・界面，異なる対称性の接点の物性）
    発表日 2001年01月
  • GaAs探針を用いたスピン偏極STMの開発
    三浦健; 廣田栄伸; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2001年（平成13年）春季第48回応用物理学関係連合講演会予稿集
    発表日 2001年
  • 自己組織化InAs量子ドットの高均一化―ドットサイズの自己制限効果―
    山口浩一; 海津利行; 祐乗坊邦彦
    口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告（レーザ量子エレクトロニクス研究会）
    発表日 2000年06月
  • GaAsおよび強磁性探針を用いたスピン偏極STMの研究
    鈴木義茂; 川越 毅; Walid NABHAN; 山口浩一; 篠原亮一
    その他, 日本語, 科研費補助金創成的基礎研究費研究会（表面・界面―異なる対称性の接点の物性）
    発表日 2000年01月
  • スピン偏極STM用GaAsマイクロ探針における表面準位の効果
    廣田栄伸; 篠原亮一; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2000年（平成12年）春季第47回応用物理学関係連合講演会予稿集, 29p-A-17
    発表日 2000年
  • 自己組織化InAs量子ドットサイズの自己制限効果（2）
    海津利行; 祐乗坊邦彦; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2000年（平成12年）春季第47回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30p-K-8
    発表日 2000年
  • 自己組織化InAs量子ドットの低As圧成長
    祐乗坊邦彦; 海津利行; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2000年（平成12年）春季第47回応用物理学関係連合講演会予稿集, 29a-P8-7
    発表日 2000年
  • 自己組織化InAs量子ドットの１次元配列現象
    川口和寿; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2000年（平成12年）春季第47回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30p-K-9
    発表日 2000年
  • 自己制限InAs量子ドットの形成過程
    海津利行; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2000年（平成12年）秋季第61回応用物理学会学術講演会予稿集，4p-ZR-3
    発表日 2000年
  • 自己組織化InAs量子ドットの低成長速度形成
    祐乗坊邦彦; 海津利行; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2000年（平成12年）秋季第61回応用物理学会学術講演会予稿集，
    発表日 2000年
  • InAs量子ドットの埋め込み成長過程
    斉藤佳邦; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 2000年（平成12年）秋季第61回応用物理学会学術講演会予稿集，
    発表日 2000年
  • GaAs微細加工探針を用いたスピン偏極STMの試みと問題点
    鈴木義茂; 篠原亮一; 山口浩一; W. Nabhan; 佐藤俊彦
    その他, 日本語, 科研費研究会（表面・界面-異なる対称性の接点の物性）
    発表日 1999年01月
  • 円偏光励起GaAs探針の表面準位とスピン偏極信号の関係
    篠原亮一; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 1999年（平成11年）春季第46回応用物理学関係連合講演会予稿集, 29a-H-2
    発表日 1999年
  • 歪InGaAsバッファ層へのInAs量子ドットのMBE選択成長（2）
    平池忠浩; 川口和寿; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 1999年（平成11年）春季第46回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30p-ZL-16
    発表日 1999年
  • 高均一InAs自己形成量子ドットの発光特性
    海津利行; 寺澤博雄; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 1999年（平成11年）春季第46回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30p-ZL-14
    発表日 1999年
  • MBE成長におけるIn表面偏析効果のモンテカルロシミュレーション
    安田佳克; 八木修平; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 1999年（平成11年）秋季第60回応用物理学会学術講演会予稿集, 1a-P2-1
    発表日 1999年
  • 自己組織化InAs量子ドットサイズの自己制限効果
    海津利行; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 1999年（平成11年）秋季第60回応用物理学会学術講演会予稿集, 2p-D-3
    発表日 1999年
  • GaAs微細加工STM探針を用いたGaAsナノ構造の作製
    難波孝善; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 1999年（平成11年）秋季第60回応用物理学会学術講演会予稿集, 3p-D-6
    発表日 1999年
  • （invited）Spin-Polarized Scanning Tunneling Microscope Using Optically Pumped GaAs Microtip
    K. Yamaguchi; R. Shinohara; M. Hashimoto
    口頭発表（招待・特別）, 英語, Int. Workshop on Physics and Technology of Nanostructured, Multicomponent Materials,Ukraine, 国際会議
    発表日 1998年09月
  • 光励起GaAsマイクロ探針を用いたNi薄膜表面のSTM観察
    篠原亮一; 山口浩一; 橋本 満; 鈴木義茂; ワリッド・ナブハン
    口頭発表（一般）, 日本語, 第22回日本応用磁気学会学術講演会，シンポジウム「スピン偏極走査型トンネル顕微鏡」, 20pA-4
    発表日 1998年09月
  • GaAs探針を用いたスピン偏極STMの問題点
    鈴木義茂; ワリッド・ナブハン; 佐藤俊彦; 篠原亮一; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 第22回日本応用磁気学会学術講演会, 20aF-3
    発表日 1998年09月
  • Fabrication of GaAs microtips and its application to spin-sensitive scanning tunneling microscope
    R. Shinohara; K. Yamaguchi
    口頭発表（一般）, 英語, Extended Abstract of the 17th Electronic Materials Symposium, Izunagaoka, J8
    発表日 1998年07月
  • (Invited) Spin-Sensitive Scanning Tunneling Microscope Using GaAs Optically Pumped Tips
    Y.Suzuki; W.Nabhan; K.Yamaguchi; T.Katayama
    口頭発表（招待・特別）, 英語, 3rd Int. Symposium on Metallic Multilayers, 3rd Int. Symposium on Metallic Multilayers, Vancouver, 国際会議
    発表日 1998年06月
  • 円偏光励起GaAsマイクロ探針を用いたNi表面のSTM観察（3）
    篠原亮一; 飯銅 剛; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 1998年（平成10年）秋季第59回応用物理学会学術講演会予稿集
    発表日 1998年
  • 歪制御InGaAsバッファ層へのInAsドットのMBE選択成長
    平池忠浩; 川口和寿; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 1998年（平成10年）秋季第59回応用物理学術講演会予稿集
    発表日 1998年
  • 歪InGaAsスピン偏極電子源の作製
    飯銅 剛; 篠原亮一; 山口浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 1998年（平成10年）秋季第59回応用物理学術講演会予稿集
    発表日 1998年
  • (Invited) Selective Epitaxial Growth of AlGaAs by MOCVD Using Dialkylmetalchloride
    K.Yamaguchi; K.Okamoto
    口頭発表（招待・特別）, 英語, 2nd Int. Meeting on Advanced Processing and characterization Technologies (APCT-2), 2nd Int. Meeting on Advanced Processing and characterization Technologies (APCT-2), Florida, USA, 国際会議
    発表日 1991年05月

担当経験のある科目_授業

  • 先端技術開発特論
    2022年03月 - 現在
    The University of Electro-Communications
  • エンジニアリングデザイン2
    2014年04月 - 2016年03月
    The University of Electro-Communications
  • エンジニアリングデザイン1
    2014年04月 - 2016年03月
    The University of Electro-Communications
  • 物理学概論第二
    2010年04月 - 2014年03月
    The University of Electro-Communications
  • 特別講義
    2006年04月 - 2007年03月
    東京工芸大学
  • 量子電子工学
    2004年04月 - 2005年03月
    東京工業高等専門学校
  • 総合イノベーテイブコミュニケーションデザイン１
    The University of Electro-Communications
  • 総合イノベーテイブコミュニケーションデザイン１
    電気通信大学
  • イノベイティブ総合コミュニケーションデザイン２
    The University of Electro-Communications
  • イノベイティブ総合コミュニケーションデザイン２
    電気通信大学
  • イノベイティブ総合コミュニケーションデザイン１
    The University of Electro-Communications
  • イノベイティブ総合コミュニケーションデザイン１
    電気通信大学
  • 光電子材料学
    The University of Electro-Communications
  • 光電子材料学
    電気通信大学
  • 波動と光
    The University of Electro-Communications
  • 波動と光
    電気通信大学
  • イノベイティブ総合コミュニケーションデザイン2
    The University of Electro-Communications
  • イノベイティブ総合コミュニケーションデザイン2
    電気通信大学
  • 光デバイス工学基礎
    The University of Electro-Communications
  • 光デバイス工学基礎
    電気通信大学
  • イノベイティブ総合コミュニケーションデザイン1
    The University of Electro-Communications
  • イノベイティブ総合コミュニケーションデザイン1
    電気通信大学
  • 物理学概論第二
    電気通信大学
  • 無機材料・計測化学特論Ⅰ
    名古屋大学大学院
  • 無機材料・計測化学特論Ⅰ
    名古屋大学大学院

所属学協会

  • 応用物理学会
  • 電子情報通信学会
  • 日本結晶成長学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

  • Ⅲ-Ⅴ族半導体量子ドットネットワーク構造の創製と量子デバイスへの応用
    山口浩一
    研究期間 2022年04月01日 - 2025年03月31日
  • ナノ液滴成長法によるSiO2/Si基板上へのInGaN量子ドットの自己形成
    研究期間 2017年04月 - 2020年03月
  • 高性能・高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発 革新的新構造太陽電池の開発 超高効率・低コストⅢーⅤ化合物太陽光電池モジュールの研究開発(高密度量子ドット成長技術）
    山口浩一
    (研)新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO), 政府系研究プロジェクト
    研究期間 2015年07月21日 - 2020年02月29日
  • ポストシリコン超高効率太陽電池の研究開発（自己組織化量子ドット）
    山口浩一
    NEDO, 受託研究
    研究期間 2008年 - 2015年02月28日
  • 高密度・高均一量子ﾄﾞｯﾄの作製技術を用いた次世代量子ドットレーザーの試作開発
    山口 浩一
    JST, 知的活用促進ﾊｲｳｪｲ｣大学特許価値向上支援, 研究代表者
    研究期間 2011年 - 2012年
  • シリコン基板上への有機薄膜/半導体量子ドットの作製とその高効率太陽電池への応用
    研究期間 2008年 - 2010年
  • 高密度量子ドット成長技術の研究
    山口浩一
    富士通研究所, 共同研究
    研究期間 2008年 - 2008年
  • 高密度量子ドット成長技術の研究
    山口浩一
    （株）富士通研究所
    研究期間 2007年 - 2007年
  • 高密度量子ドット成長技術の研究
    山口浩一
    （株）富士通研究所, 共同研究
    研究期間 2006年 - 2006年
  • 高密度量子ドット成長技術の研究
    山口浩一
    （株）富士通研究所, 共同研究
    研究期間 2005年 - 2005年
  • 高均一半導体量子ドットへのスピン偏極電子の注入と制御
    山口浩一
    文部科学省, 基盤研究（C)（２）
    研究期間 2002年 - 2005年
  • 高密度量子ドット成長技術の研究
    山口浩一
    （株）富士通研究所, 共同研究
    研究期間 2004年 - 2004年
  • 高均一半導体量子ドットへのスピン偏極電子の注入と制御
    研究期間 2002年 - 2004年
  • C4vおよびC3v型微細加工探針の作製およびスピン偏極STM探針の供給とその特性の決定
    山口浩一
    オングストロームテクノロジー研究機構, 受託研究
    研究期間 2001年 - 2002年
  • C4vおよびC3v型微細加工探針の作製および光応答測定
    山口浩一
    オングストロームテクノロジー研究機構, 受託研究
    研究期間 2000年 - 2001年
  • 光励起GaAsマイクロ探針を用いた新しいスピン偏極走査型トンネル顕微鏡の開発
    山口浩一
    文部省, 科学研究費 奨励研究（A)
    研究期間 1999年 - 2001年
  • 光励起GaAsマイクロ探針を用いたスピン偏極走査型トンネル顕微鏡の開発
    山口浩一
    財団法人風戸研究奨励会, 研究助成
    研究期間 1999年 - 2000年
  • C4vおよびC3v型微細加工探針の作製
    山口浩一
    オングストロームテクノロジー研究機構, 受託研究
    研究期間 1999年 - 2000年
  • 光励起GaAs探針を用いたスピン偏極走査型トンネル顕微鏡の開発
    山口浩一
    文部省, 科学研究費 奨励研究（A)
    研究期間 1997年 - 1999年
  • Spin-polarized scanning tunneling microscopy using optically pumped GaAs microtip
    山口浩一
    吉田科学技術財団, 国際研究集会派遣
    研究期間 1998年 - 1998年
  • Self-limited stripe width in the selective metalorganic chemical vapor deposition growth of GaAs
    山口浩一
    C&C振興財団, 海外渡航助成
    研究期間 1996年 - 1996年
  • 屈折率グレーティングによる基本波の回折を利用した位相整合波長変換に関する研究
    小笠原 長篤; 李 可人; 山口 浩一; 岡田 佳子; 岡本 孝太郎
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 電気通信大学, 一般研究(C), 本研究では、光第2高調波発生(SHG)のための位相整合法として媒質の屈折率および光学非線形性を第2高調波第1波長を周期として変調した構造を利用する新しい方式を提案し、解析および実験の両面から検討した。 基本波および高調波の屈折率グレーティングによる回折を考慮した解析の結果、新周期構造においては、湾曲分散位相整合、基本波振幅変調疑似位相整合、定在波疑似位相整合の複数の新しい原理の位相整合が達成されることが明らかになった。複数の位相整合の同時達成と共振器による基本波パワーの増大を組み合わせると超小型で高効率のSHG素子を実現することができる。III-V族半導体のなかで比較的広いバンドギャップを持ち青緑色域において低損失であるCaP/AIP積層膜により新周期構造を形成し、これを誘電体多層膜ないしGaP/AIP積層膜による分布ブラッグ反射鏡で構成された共振器中に配置したSHG素子では赤外半導体レーザの出力光を基本波として実用レベル(ミリワットオーダー)の可視高調波出力が得られることが示された。 新周期構造における位相整合SHGを実証するための実験を行った。分子線エピタキシーにより成長したGaAs/AlAs 8周期構造の試料に、YAGレーザ光(波長:1.064μm)の基本波として、45°の入射角でs偏光として入射し、発生する高調波のp偏光成分を測定した。基本波波長は固定したまま、試料内の膜厚不均一を利用して効率の周期依存性を測定した結果、高調波1波長周期において反射型SHGのピークが観測され、位相整合の実現が確認された。, 06650050
    研究期間 1994年 - 1995年
  • GaAs微細加工層の走査型トンネル顕微鏡用探針への応用
    山口浩一
    服部報公会, 工学奨励研究援助
    研究期間 1994年 - 1995年
  • GaAsマイクロ探針の作製とスピン偏極走査型トンネル顕微鏡への応用
    山口浩一
    村田学術振興財団, 研究助成
    研究期間 1994年 - 1995年
  • 窒素ラジカルビーム源の開発と窒素系Ⅲ-Ⅴ族半導体薄膜の結晶成長
    山口浩一
    文部省, 科学研究費 奨励研究（A)
    研究期間 1993年 - 1994年
  • 電子ビーム励起高出力エキシマレーザによる大面積半導体薄膜のアニール
    岡本 孝太郎; 山口 浩一
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 電気通信大学, 一般研究(C), 平成4年度から6年度の3年間の研究成果の概要を以下に示す。 1.本研究の真空蒸着法により作製したα-Si:Hは、従来の低真空化学気相堆積法により作製した膜に比べ膜中の水素含有量が少なく(SIMS測定の結果)、またレーザーアニール時における水素の突沸による膜の損傷の少ない良質な膜であることが分った。 2.試作した多面鏡反射板ホモジナイザーを用い、レーザ照射面内でのエネルギー均一化を計ることができ、均一な結晶化が行われることが明らかになった。 3.アニールによるグレインサイズはas-grown Si薄膜の膜厚に依存し、Si薄膜が溶融深さよりも薄い場合には、結晶化速度が遅くなることが明らかになった(SEM観察の結果)。これは主に膜中でのエネルギー蓄積量が膜厚により変化するためであり、膜厚が薄い場合は熱エネルギーの蓄積により膜全体が溶解温度に達しやすくなり、結晶化速度が遅く、熱平衡が持続されやすい状態となるためであると説明される(シュミレーションの結果)。 4.レーザーアニール時に基板加熱することで熱平衡状態の持続を促進し、グレインサイズを拡大化させることができ、アニールの均一性の向上が可能となった。 5.レーザーパワーについては最適値があり、特に高い出力の場合はSi薄膜表面にヒルロックが発生しやすくなることが分った。 以上本研究では主に真空蒸着法によるα-Si薄膜の作製、多面鏡ホモジナイザーによるアニールの均一化、アニール時の基板加熱効果について検討し、グレインサイズが大きく、かつ比較的大面積について均一性の高い良好なレーザーアニール技術を確立することができた。, 04650263
    研究期間 1992年 - 1994年
  • 半導体レーザにおける超高速非線形光学現象に関する基礎研究
    小笠原 長篤; 山口 浩一; 岡本 孝太郎
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 電気通信大学, 重点領域研究, 本研究は,半導体レーザ自体が示す非線形光学特性の物理を探究し,その応用について検討することを目的としている。 1.ツインストライプ型半導体レーザの作製とその発振特性:非線形光学特性測定用試料を自作する目的でリッジ型ツインストライプレーザを作製し,この型のレーザの特徴であるビーム偏向特性を確認した。 2.半導体レーザにおける内部第2高調波発生:自作したツインストライプレーザにおける内部第2高調波発生を測定した。劈開端面から出射する高調波はレーザ出力10mWに対し数十pW程度であった。内部第2高調波発生の高効率化のための一策として,高非線形性材料と低非線形性材料とを積層した擬似位,相整合表面発光型非線形導波路を半導体レーザ中に作りつける方法について検討した。GaAs(高非線形性)/In_<0.49>Al_<0.51>P(低非線形性)の積層導波路では,半導体レーザ(波長〜1μm)の通常の駆動条件下で得られる基本波パワーによって数十μWの高調波パワーが得られることが判明した。ミリワットレベルの高調波出力を得る可能性について引き続き検討する予定である。 3.半導体レーザにおける4光波混合効果:半導体レーザにおける3次の光学非線形性の起源を解明し直接変調周波数の突極的上限を明らかにするために,スペクトルホールバーニングとキャリアヒーティングの双方を考慮した密度行列新理論により非縮退4光波混合効果の解析を行った。両者の寄与は質的に異なる離調特性を持ち,従って,非縮退4光波混合効果の測定は非線形性の起源及び直接変調周波数の上限の解明のために有効な手段であることが明らかになった。4光波混合効果の測定を開始し現在までに離調10GHzまでの範囲の測定に成功した。今後,超10GHzの測定を行いその結果を理論と比較することによって,非線形性の起源解明を行う予定である。, 04228206
    研究期間 1992年 - 1992年
  • クロライド系有機金属を用いた再蒸発促進効果によるAlGaAsのステップフロー成長
    山口浩一
    文部省, 科学研究費 奨励研究（A)
    研究期間 1991年 - 1992年
  • 半導体レ-ザにおける超高速非線形光学現象に関する基礎研究
    小笠原 長篤; 山口 浩一; 川井 義雄; 岡本 孝太郎
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 電気通信大学, 重点領域研究, 1.目的 光学利得の非線形性は半導体レ-ザの直接変調周波数の究極的上限を決定するとともに,レ-ザや進行波型増幅器における非縮退4光波混合効果をもたらす。しかしながら,非線形利得の物理的起源は必ずしも明確になっていない。本研究では,非線形利得の起源解明を目的とし,その有力候補であるスペクトルホ-ルバ-ニングとキャリアヒ-ティングの両者を考慮した理論を構築し,進行波型増幅器における非縮退4光波混合効果の解析を行うと共に実験的険討を行った。 2.理論の構築 半導体レ-ザ-における非線形光学現象を理解するためには,光と相互作用する電子系の挙動の正確な記述が肝要である。特に,半導体中の非平衝電子系は,バン内電子数の変化を伴うナノ秒のバンド問緩和((1))と電子数を保存するサブピコ秒のバンド内緩和((2))を示す。さらに,レ-ザ中のキャリア温度は格子への熱緩和((3))のレ-トが有限であるために格子温度とは異なっている。4光波混合効果や,縦モ-ド間の競合など周波数の異なる複数の光波が存在する場合には,光強度のビ-トによってキャリアの脈動が誘起される。本研究では,時定数と性格を異にする上記3つの緩和過程を考慮することにより,(1)キァリア密度脈動,(2)レ-ザ遷移準位の占有数の脈動,(3)キャリア温度脈動の3種の脈動の統一的記述に初めて成功した。キャリアの脈動は光波の一つと結合して他の光波の周波数に分極を生じ,これが4光波混合効界やモ-ド間結合を引き起こす。 3.非縮退4光波混合効果 スペクトルホ-ルバ-ニングとキャリアヒ-ティングの双方を考慮した上記新理論により4光波混合効果の解析を行った。両者の寄与は質的に異なる離調特性を持ち,従って,非縮退4光波混合の測定は非線形利得の起源解明及び直接変調周波数の上限を知るために有効な手段であることが明らかになった。, 03244204
    研究期間 1991年 - 1991年
  • クロライド系有機金属による化合物半導体の選択成長に関する研究
    山口浩一
    財団法人安藤研究所, 第４回安藤博記念学術奨励賞 研究助成金
    研究期間 1991年 - 1991年
  • クロライド系有機金属によるAlGaAs/GaAsの横方向成長と面発光レーザへの応用
    山口浩一
    カシオ科学振興財団, 研究助成
    研究期間 1990年 - 1991年
  • クロライド系有機金属によるAlGaAsの選択エピタキシャル成長と光素子への応用
    山口浩一
    文部省, 科学研究費 奨励研究（A）
    研究期間 1990年 - 1991年
  • クロライド系有機金属によるAlGaAsの選択エピタキシャル成長と光素子への応用
    山口浩一
    池谷科学技術振興財団, 研究助成
    研究期間 1989年 - 1990年
  • 有機金属化学気相成長法によるAlGaAsの横方向成長と面発光素子への応用
    山口浩一
    文部省, 科学研究費 奨励研究（A)
    研究期間 1989年 - 1990年
  • AlGaAs/GaAsヘテロ接合のショットキー構造フォトルミネッセンス測定
    山口浩一
    服部報公会, 研究助成
    研究期間 1987年 - 1988年

産業財産権

  • 量子ドットシート、これを用いた光電子デバイス、及び量子ドットシートの作製方法
    特許権, 特願2018-122024, 出願日: 2018年06月27日, 7109062, 発行日: 2022年07月21日
  • 半導体光素子、及び半導体光素子の製造方法
    特許権, 山口 浩一, 宇野 江, 特願2020-112077, 出願日: 2020年06月29日, 国立大学法人電気通信大学 , フィガロ技研株式会社
  • 量子ドットの形成方法および太陽電池
    特許権, 特願2013-034949, 出願日: 2013年02月25日, 特開2013-211535, 公開日: 2013年10月10日, 特許第6115938号, 発行日: 2017年03月31日
  • 太陽電池およびその製造方法
    特許権, 特願2012-183287, 出願日: 2012年08月22日, 特開2014-41913, 公開日: 2014年03月06日
  • 量子ドットの形成方法
    特許権, 特願2004-262638, 出願日: 2004年09月09日, 特開2006-080293, 公開日: 2006年03月23日, 特許第4825965号, 発行日: 2011年09月22日
  • 量子半導体装置およびその製造方法
    特許権, 特願2004-244210, 出願日: 2004年08月24日, 特開2006-066463, 公開日: 2006年03月09日, 特許第4500963号, 発行日: 2010年04月30日
  • 量子半導体デバイスおよびその製造方法
    特許権, 山口浩一, 築地伸和, 特願2006-238045, 出願日: 2006年09月01日, 特開2008-60475, 公開日: 2008年03月13日

メディア報道

  • シリコン基板上に高密度・高均一の III-V 族半導体量子ナノワイヤーを作製
    電気通信大学（ニュースリリース）, インターネットメディア
    公開日 2023年11月
  • 世界最高密度の量子ドットを導入した半導体レーザを開発
    日刊工業新聞、電気通信大学（ニュースリリース）, 新聞・雑誌
    公開日 2022年04月
  • Refining the quantum dot laser
    Compound Semiconductor magzine, その他
    公開日 2021年12月
  • Making InAs dots on silicon substrates
    Compound Semiconductor magzine, その他
    公開日 2018年09月
  • 高密度・均一粒径量子ドット作製 中間バンド型太陽電池 実用化に道
    日刊工業新聞, 新聞・雑誌
    公開日 2014年02月
  • ニッケル磁気構造 分解能５ナノメートルで観察
    日刊工業新聞, 新聞・雑誌
    公開日 2002年08月
  • １次元鎖状に量子ドット配列
    日刊工業新聞, 新聞・雑誌
    公開日 2002年07月