工学修士, 早稲田大学

博士(工学), カルフォルニア大学バークレー校　大学院　材料科学専攻

Doctor of Philosophy in Engineering, Department of Materials Science, University of California, Berkeley

HD-LED semiconductor optical and electrical characterization

半導体物性評価

発光ダイオード

有機金属気相成長法

化合物半導体

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電子デバイス、電子機器

ナノテク・材料, 薄膜、表面界面物性

ナノテク・材料, 結晶工学

1994年05月
カルフォルニア大学バークレー校大学院, 材料科学研究科, 電子材料評価, アメリカ合衆国

1985年03月
早稲田大学, 理工学研究科, 金属工学専攻

1983年03月
早稲田大学, 理工学部, 金属工学科

早稲田高等学校

Growth and characterization of n-type Ga2O3 films on sapphire substrates by APMOVPE
Shun Ukita; Takeyoshi Tajiri; Kazuo Uchida
Journal of Crystal Growth, Elsevier BV, 650巻, 掲載ページ 128007-128013, 出版日 2025年01月, 査読付
研究論文（学術雑誌）

Fabrication and characterization of an AlGaN light emitting diode with Al-doped ZnO as a current spreading tunnel junction layer
Shun Ukita; Takeyoshi Tajiri; Kazuo Uchida
AIP Advances, AIP Publishing, 13巻, 9号, 出版日 2023年09月01日, 査読付, We fabricated an AlGaN light emitting diode (LED) with a heavily Al-doped n-type ZnO layer on a p-type contact layer as a tunnel junction (TJ) to improve carrier injection into the LED. We characterized its electrical and optical properties and compared them to those of an AlGaN LED without ZnO. From the I–V characteristic of the LED with ZnO, we observed a threshold voltage of circa 2 V, which could be due to Zener breakdown of the type II heterostructure of n-ZnO/p-GaN as a TJ. From the electroluminescence measurement, we observed a similar emission peak in both AlGaN LEDs at ultraviolet (UV) wavelengths, but a broad emission band around 365 nm in the LED with ZnO. This emission could be originating from ZnO photoexcited by the UV LED emission. The dependence of these peak intensities on input currents shows that there is a monotonic increase in the light emission intensity for the UV LED emission, but a saturation behavior after the threshold voltage for the emission from the ZnO. This saturation behavior is attributed to an overflow of photoexcited electron–hole pairs into p-GaN, strongly suggesting that n-ZnO/p-GaN works as a TJ. Electroluminescence data also show that the presence of the ZnO film facilitates current spreading, which enables device operation at large input currents. Therefore, ZnO can work as a current spreading TJ layer and improve the performance of the AlGaN LED.
研究論文（学術雑誌）

Fabrication and optical characterization of GaN micro-disk cavities undercut by laser-assisted photo-electrochemical etching
T. Tajiri, S. Sosumi, K. Shimoyoshi, and K. Uchida
Japanese Journal of Applied Physics, The Japan Society of Applied Physics, 62/ SC1069巻, 4S号, 掲載ページ 1-5, 出版日 2023年02月14日, 査読付, 国内誌, Abstract

GaN micro-disk cavities undercut by laser-assisted photo-electrochemical (PEC) etching are fabricated and optically characterized. The laser source used in the PEC etching is tuned to be absorbed by the InGaN/GaN superlattice beneath the GaN disk to selectively etch the superlattice. Whispering gallery modes (WGMs) in fabricated GaN micro-disk cavities are evaluated by micro-photoluminescence spectroscopy of light emission from the embedded InGaN quantum wells. Quality factors estimated for the WGMs reach approximately 6700 at blue-violet wavelengths. Detailed analysis suggests that the high-Q WGMs are the fundamental WGMs. These results indicate the high applicability of laser-assisted PEC etching to the fabrication of air-clad GaN micro-cavities.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Mode analysis of GaN two-dimensional photonic crystal nanocavities undercut by photo-electrochemical etching
Takeyoshi Tajiri, Masato Yoshida, Sho Sosumi, Kenshin Shimoyoshi and Kazuo Uchida
Japanese Journal of Applied Physics, The Japan Society of Applied Physics (in press), 0巻, 0号, 掲載ページ 1-17, 出版日 2023年02月09日, 査読付, 国内誌, Abstract

GaN two-dimensional (2D) photonic crystal nanocavities with a single embedded InGaN quantum well are undercut by photo-electrochemical (PEC) etching and optically characterized to investigate the fundamental mode. The PEC etching selectively removes an InGaN-based sacrificial layer to form air-suspended GaN photonic crystal cavity slabs. We investigated the resonant modes of the photonic crystal nanocavities by micro-photoluminescence spectroscopy measurement at room temperature. The wavelengths of the measured resonant peaks and their dependence on the photonic crystal period agreed well with numerical analysis, allowing us to determine the fundamental mode in the measured spectra. The highest quality factor for the fundamental mode reached 3400 at blue wavelengths. This work would contribute to the improvement of GaN 2D photonic crystal nanocavities using PEC etching as well as their applications towards integrated light sources in visible wavelengths.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Deep level characterization improved by Laplace charge transient spectroscopy
Shumpei Koike; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
International Journal of Engineering and Applied Sciences, International Journal of Engineering and Applied Sciences, 5巻, 2号, 掲載ページ 66-69, 出版日 2018年02月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Development of Laser Lift-off Process with a GaN/Al0.7Ga0.3N Strained-Layer Superlattice for Vertical UVC LED Fabrication
David Trung Doan; Shinji Nozaki; Kazuo Uchida
International Journal of Engineering and Applied Sciences, IJEAS, 4巻, 4号, 掲載ページ 51-56, 出版日 2017年04月01日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

ZnO-nanorods: A Possible White LED Phosphor
Sachindra Nath Sarangi; T. Arun; Dinseh K. Ray; Pratap Kumar Sahoo; Shinji Nozaki; Noriyuki Sugiyama; Kazuo Uchida
61ST DAE-SOLID STATE PHYSICS SYMPOSIUM, 1832巻, 掲載ページ 060022-1-060022-3, 出版日 2017年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Growth mechanism of single-crystalline NiO thin films grown by metal organic chemical vapor
Teuku Muhammad Roffi; Shinji Nozaki; Kazuo Uchida
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 451巻, 掲載ページ 57-64, 出版日 2016年10月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

InGaP/GaAs heterojunction photosensor powered by an on-chip GaAs solar cell for energy harvesting
Phuc Hong Than; Kazuo Uchida; Takahiro Makino; Takeshi Oshima; Shinji Nozaki
Japanese Journal of Applied Physics, 55巻, 4S号, 掲載ページ 04ES09-1-04ES09-6, 出版日 2016年03月16日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Effects of Electrical Stress on the InGaP/GaAs Heterojunction Phototransistor
Phuc Hong Than; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 15巻, 4号, 掲載ページ 604-609, 出版日 2015年12月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Effects of electrical stress on the InGaP/GaAs heterojunction phototransistors
Phuc Hong Than; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, IEEE, 15巻, 4号, 掲載ページ 1-6, 出版日 2015年12月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Low-temperature formation of high-quality gate oxide by ultraviolet irradiation on spin-on-glass
R. Usuda; K. Uchida; S. Nozaki
APPLIED PHYSICS LETTERS, 107巻, 18号, 掲載ページ 182903-1-182903-4, 出版日 2015年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Visible-blind ultraviolet photodiode fabricated by UVoxidation of metallic zinc on p-Si
Dongyuan Zhang; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 118巻, 9号, 掲載ページ 094502-1-094502-8, 出版日 2015年09月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Structural, electrical, and optical properties of CoxNi1-xO films grown by metalorganic chemical vapor deposition
Teuku Muhammad Roffi; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 414巻, 掲載ページ 123-129, 出版日 2015年03月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

New Task and Ambient Lighting System with Dual Light Distributions
Kazuo Uchida; Goro Terumichi
2015 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON BUILDING ENERGY EFFICIENCY AND SUSTAINABLE TECHNOLOGIES (ICBEST), ICBEST2015巻, 掲載ページ 1-4, 出版日 2015年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Effects of Electrical Stress and High-Energy Electron Irradiation on the InGaP/GaAs Heterojunction Phototransistor
P. H. Than; K. Uchida; T. Makino; T. Ohshima; S. Nozaki
Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 掲載ページ 1792, 出版日 2015年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

NiO/Si heterostructures formed by UV oxidation of nickel deposited on Si substrates
Dongyuan Zhang; Shinji Nozaki; Kazuo Uchida
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 32巻, 3号, 掲載ページ 0131202-1-0131202-6, 出版日 2014年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

High-quality gate oxide formed at 150 °c for flexible electronics
Yasuhiro Iijima; Ryo Usuda; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
Japanese Journal of Applied Physics, 53巻, 8号, 掲載ページ 08LC05-1-08LC05-5, 出版日 2014年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Hydrothermal growth of zinc oxide nanorods and glucose-sensor application
Shinji Nozaki; Sachindra N. Sarangi; Kazuo Uchida; Surendra Sahu
Soft Nanoscience Letters, 3巻, -号, 掲載ページ 23-26, 出版日 2013年12月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Highly p-typed superlattices consist of undoped InAs and carbon-doped GaAs layers
Kazuo Uchida; Heisuke Kanaya; Hiroshi Imanishi; Atushi Koizumi; Shinji Nozaki
Journal of Crystal Growth, 370巻, 掲載ページ 197-199, 出版日 2013年05月01日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Characterization of partially ordered GaInP/GaAs heterointerfaces by the quantum Hall effect
Kazuo Uchida; Kiwamu Satoh; Keita Asano; Atsushi Koizumi; Shinji Nozaki
Journal of Crystal Growth, 370巻, 掲載ページ 136-140, 出版日 2013年05月01日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Selective growth of ZnO nanorods by the hydrothermal technique
Shinji Nozaki; Sachin N Sarangi; Surendra N Sahu; Kazuo Uchida
Advances in Natural Sciences: Nanoscience and Nanotechnology, 4巻, 1号, 掲載ページ 015008, 出版日 2013年03月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

E-1/E-2 traps in 6H-SiC studied with Laplace deep level transient spectroscopy
A. Koizumi; V. P. Markevich; N. Iwamoto; S. Sasaki; T. Ohshima; K. Kojima; T. Kimoto; K. Uchida; S. Nozaki; B. Hamilton; A. R. Peaker
APPLIED PHYSICS LETTERS, 102巻, 3号, 掲載ページ 032104-1 – 032104-4, 出版日 2013年01月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

InGaP/GaAsヘテロ接合フォトトランジスタの温度特性
Phuc Hong THAN; 高木保志; 内田和男; 野崎眞次
電子情報通信学会論文誌 C, 一般社団法人電子情報通信学会, J96-C巻, 9号, 掲載ページ 238-244, 出版日 2013年, 査読付, InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)の温度特性はこれまで多く調べられ,報告されているが,InGaP/GaAsヘテロ接合フォトトランジスタ(HPT)の温度特性についてはほとんど報告例がない.本研究では,白色光に対する光応答の高感度検出への応用を目的に,InGaP/GaAs HPTを作製し,300〜400Kの温度範囲でInGaP/GaAs HPTの電流利得β及び受光感度Sを測定した.その結果,電流利得βは温度とともに減少し,受光感度Sは320Kまで増加するがその後は減少した.これらの実験結果は,HPTの三端子等価回路により説明された.また,HBTにおいて露出した高濃度GaAsベース表面でのキャリヤの再結合を抑制し,電流利得を高めるエミッタレッジパッシベーションのHPTにおける効果も検証した.エミッタレッジパッシベーションは,HPTにおいても全ての測定温度で高い電流利得β及び受光感度Sを維持するのに有効であった.特にエミッタレッジパッシベーションは,HBT以上にHPTの高性能化に貢献することが明らかとなった.
研究論文（学術雑誌）, 日本語

Effect of O2/Ni ratio on structure and surface morphology of atmospheric pressure MOCVD grown NiO thin films
Teuku M. Roffi; Motohiko Nakamura; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
Materials Research Society Symposium Proceedings, Materials Research Society, 1577巻, 掲載ページ 42-47, 出版日 2013年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Fabrication of a p-NiO/n-Si heterojunction diode by UV oxidation of Ni deposited on n-Si
Dongyuan Zhang; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
Materials Research Society Symposium Proceedings, 1494巻, 掲載ページ 305-309, 出版日 2013年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Intense ultraviolet photoluminescence observed at room temperature from NiO nano porous thin films grown by the hydrothermal technique
Sachindra Nath Sarangi; Dongyuan Zhang; Pratap Kumar Sahoo; Kazuo Uchida; Surendra Nath Sahu; Shinji Nozaki
Materials Research Society Symposium Proceedings, 1494巻, 掲載ページ 203-208, 出版日 2013年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Synthesis, properties and applications of germanium nanocrystals
Shinji Nozaki; Hiroshi Ono; Kazuo Uchida; Hiroshi Morisaki
Advances in Nanotechnology, Nova Science Publishers, Inc., 9巻, 掲載ページ 149-156, 出版日 2012年01月01日
論文集(書籍)内論文, 英語

High-quality single crystalline NiO with twin phases grown on sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
Kazuo Uchida; Ken-Ichi Yoshida; Dongyuan Zhang; Atsushi Koizumi; Shinji Nozaki
AIP Advances, 2巻, 4号, 掲載ページ 042154-1-042154-5, 出版日 2012年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Defects in an Electron-Irradiated 6H-SiC Diode Studied by Alpha Particle Induced Charge Transient Spectroscopy: Their Impact on the Degraded Charge Collection Efficiency
N. Iwamoto; A. Koizumi; S. Onoda; T. Makino; T. Ohshima; K. Kojima; S. Koike; K. Uchida; S. Nozaki
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2011, PTS 1 AND 2, 717-720巻, 掲載ページ 267-+, 出版日 2012年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Single-Alpha-Particle-Induced Charge Transient Spectroscopy of the 6H-SiC p(+)n Diode Irradiated With High-Energy Electrons
Naoya Iwamoto; Atsushi Koizumi; Shinobu Onoda; Takahiro Makino; Takeshi Ohshima; Kazutoshi Kojima; Shunpei Koike; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 58巻, 6号, 掲載ページ 3328-3332, 出版日 2011年12月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Transient Analysis of an Extended Drift Region in a 6H-SiC Diode Formed by a Single Alpha Particle Strike and Its Contribution to the Increased Charge Collection
N. Iwamoto; S. Onoda; T. Makino; T. Ohshima; K. Kojima; A. Koizumi; K. Uchida; S. Nozaki
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 58巻, 1号, 掲載ページ 305-313, 出版日 2011年02月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

In situ CBrCl3 etching to control size and density of InAs/GaAs quantum dots
Atsushi Koizumi; Hiroshi Imanishi; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 315巻, 1号, 掲載ページ 106-109, 出版日 2011年01月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Compensation-dependent carrier transport of Al-doped p-type 4H-SiC
Atsushi Koizum; Naoya Iwamoto; Shinobu Onoda; Takeshi Ohshima; Tsunenobu Kimoto; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
Materials Science Forum, 679-680巻, 掲載ページ 201-204, 出版日 2011年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Improvement of high-power-white-LED lamp performance by liquid injection
T. M. Roffi; I. Idris; K. Uchida; S. Nozaki; N. Sugiyama; H. Morisaki; F. X.N. Soelami
Proceedings of the 2011 International Conference on Electrical Engineering and Informatics, ICEEI 2011, IEEE, 掲載ページ 1-6, 出版日 2011年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Comparative Study on Reliability of InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistors with Highly Zn- and C-Doped Base Layers
Atsushi Koizumi; Kazuki Oshitanai; Jaesung Lee; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
RELIABILITY AND MATERIALS ISSUES OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AND ELECTRICAL DEVICES AND MATERIALS, 1195巻, 出版日 2010年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Charge Collection Efficiency of 6H-SiC P+N Diodes Degraded by Low-Energy Electron Irradiation
N. Iwamoto; S. Onoda; T. Ohshima; K. Kojima; A. Koizumi; K. Uchida; S. Nozaki
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2009, PTS 1 AND 2, 645-648巻, 掲載ページ 921-+, 出版日 2010年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Comparative Study on Reliability of InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistors with Highly Zn- and C-Doped Base Layers
Atsushi Koizumi; Kazuki Oshitanai; Jaesung Lee; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
RELIABILITY AND MATERIALS ISSUES OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AND ELECTRICAL DEVICES AND MATERIALS, 1195巻, 掲載ページ 35-42, 出版日 2010年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Compensation-dependent carrier transport of Al-doped p-type 4H-SiC
A. Koizumi; N. Iwamoto; S. Onoda; T. Ohshima; T. Kimoto; K. Uchida; S. Nozaki
Abstract of ECSCRM8th, TP-230巻, 出版日 2010年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Characterization of MOVPE-grown p-InGaAs/n-InP interfaces
Kazuo Uchida; HIdenori Yamato; Yoshikuni Tommioka; Atsushi Koizumi; Shinji Nozaki
Journal of Crystal Growth, 311巻, 16号, 掲載ページ 4011-4015, 出版日 2009年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

High-quality oxide formed by evaporation of SiO nanopowder: Application to MOSFET’s on plastic substrates and GaN epilayers
S. Nozaki; S. Kimura; A. Koizumi; H. Ono; K. Uchida
Materials Science in Semiconductor Processing, 11巻, 掲載ページ 384-389, 出版日 2009年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

High-quality oxide formed by evaporation of SiO nanopowder: Application to MOSFET’s on plastic substrates and GaN epilayers
S. Nozaki; S. Kimura; A. Koizumi; H. Ono; K. Uchida
Materials Science in Semiconductor Processing, 11巻, 掲載ページ 384-389, 出版日 2009年01月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

InGaP/GaAs HETEROINTERFACES STUDIED BY CROSS-SECTIONAL SCANNING TUNNELING MICROSCOPY AND THEIR IMPACT ON THE DEVICE CHARACTERISTICS
S. Nozaki; A. Koizumi; K. Uchida; H. Ono
PHYSICS, CHEMISTRY AND APPLICATION OF NANOSTRUCTURES, 掲載ページ 18-+, 出版日 2009年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Photoluminescence of Si nanocrystals formed by the photosynthesis
S. Nozaki; C. Y. Chen; S. Kimura; H. Ono; K. Uchida
THIN SOLID FILMS, 517巻, 1号, 掲載ページ 50-54, 出版日 2008年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Growth and optical properties of SnO2 ultra-small nanorods by the novel micelle technique
S. Rath; S. Nozaki; H. Ono; K. Uchida; S. Kojima
Materials Research Society Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1087巻, 掲載ページ 29, 出版日 2008年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Photo-modification and synthesis of semiconductor nanocrystals
S. Nozaki; C. Y. Chen; H. Ono; K. Uchida
SURFACE SCIENCE, 601巻, 13号, 掲載ページ 2549-2554, 出版日 2007年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Yellowish-white photoluminescence from ZnO nanoparticles doped with Al and Li
J. Nayak; S. Kimura; S. Nozaki; H. Ono; K. Uchida
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 42巻, 1-6号, 掲載ページ 438-443, 出版日 2007年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Mechanically strong ultralow-k nanoporous silica made of SiOx nanoparticles
Shinji Nozaki; Hiroshi Ono; Kazuo Uchida
Advanced Metallization Conference 2006 (AMC 2006), 掲載ページ 413-417, 出版日 2007年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Correlation between the base-emitter interface crystalline quality and the current gain in InGaP/GaAs HBTs grown by MOVPE
K. Uchida; A. Kurokawa; F. Yang; Z. Jin; S. Nozaki; H. Morisaki
Jornal of Crystal Growth, 298巻, 掲載ページ 861-866, 出版日 2006年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Selective formation of size-controlled silicon nanocrystals by photosynthesis in SiO nanoparticle thin film
Changyong Chen; Seiji Kimura; Shinji Nozaki; Hiroshi Ono; Kazuo Uchida
IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, 5巻, 6号, 掲載ページ 671-676, 出版日 2006年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Passivation of InP-based HBTs
Z. JIn; K. Uchida; S. Nozaki; W. Prost; F.-J. Tegude
Applied surface science, 252巻, 掲載ページ 7664-7670, 出版日 2006年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Position and size-controlled photosynthesis of silicon nanocrystals in SiO2 films
C. Y. Chen; S. Kimura; S. Sen; S. Nozaki; H. Ono; K. Uchida; H. Morisaki
2006 IEEE CONFERENCE ON EMERGING TECHNOLOGIES - NANOELECTRONICS, 掲載ページ 289-+, 出版日 2006年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Synthesis, properties and applications of germanium nanocrystals
Shinji Nozaki; Hiroshi Ono; Kazuo Uchida; Hiroshi Morisaki
NANO-SCALE MATERIALS: FROM SCIENCE TO TECHNOLOGY, 掲載ページ 35-42, 出版日 2006年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Low-temperature formation of high-quality SiOx thin films by evaporation of SiO nanopowder
S. Nozaki; S. Kimura; H. Ono; K. Uchida
The 13th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (Digest of Technical Papers), 掲載ページ 19-22, 出版日 2006年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Material Issues in high-frequency GaInP/GaAs heterojunction bipolar transistors
Shinji Nozaki; Hiroshi Ono; Kazuo Uchida; Hiroshi Morisaki
Proceedings of the XIII International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, vol. II, 掲載ページ 741-747, 出版日 2005年12月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Self-limited photo-assisted synthesis of silicon nanocrystals
CY Chen; S Kimura; S Seo; S Nozaki; H Ono; K Uchida; H Morisaki
Group-IV Semiconductor Nanostructures, 832巻, 掲載ページ 249-254, 出版日 2005年
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Self-limited photo-assisted synthesis of silicon nanocrystals
CY Chen; S Kimura; S Seo; S Nozaki; H Ono; K Uchida; H Morisaki
Group-IV Semiconductor Nanostructures, 832巻, 掲載ページ 249-254, 出版日 2005年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Low temperature photoluminescence of GaAs/GaInP heterostructures measured under hydrostatic pressure
T Kobayashi; A Nagata; AD Prins; Y Homma; K Uchida; J Nakahara
Physics of Semiconductors, Pts A and B, 772巻, 1号, 掲載ページ 931-932, 出版日 2005年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Excitation and pressure effects on low temperature photoluminescence from GaAs/GaInP heterostructures
A Nagata; T Kobayashi; AD Prins; Y Homma; K Uchida; J Nakahara
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 241巻, 14号, 掲載ページ 3279-3284, 出版日 2004年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Fabrication of nanostructured palladium-doped SiO2 films with variable temperature coefficient of resistivity
T Ichinohe; S Masaki; K Uchida; S Nozaki; H Morisaki
THIN SOLID FILMS, 466巻, 1-2号, 掲載ページ 27-33, 出版日 2004年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Growth and characterization of p-type InGaAs on InP substrates by LP-MOVPE using a new carbon-dopant source, CBrCl3
Kazuo Uchida; Kazuma Takahashi; Shogo Kabe; Shinji Nozaki; Hiroshi Morisaki
Journal of Crystal Growth, 272巻, 掲載ページ 658-663, 出版日 2004年10月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Real-time measurement of rocking curves during MOVPE growth of GaxIn 1− xP/GaAs
S. Bhunia; T. Kawamura; Y. Watanabe; S. Fujikawa; J. Matsui; Y. Kagoshima; Y.Tsusaka; K. Uchida; N. Sugiyama; M. Furiya; S. Nozaki; H Morisaki
Applied surface science, 216巻, 1-4号, 掲載ページ 382-387, 出版日 2003年06月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Heavily carbon doping of GaAs by MOVPE using a newdopant source CBrCl3 and characterization of the epilayers
K. Uchida; S. Bhunia; N. Sugiyama; M. Furiya; M. Katoh; S. Katoh; S. Nozaki; H. Morisaki
J. Crystal Growth, 248巻, 掲載ページ 124-129, 出版日 2003年03月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Metal organic vapor phase epitaxial growth of heavily carbon-doped GaAs using a dopant source of CCl3Br and quantitative analysis of the compensation mechanism in the epilayers
S Bhunia; K Uchida; S Nozaki; N Sugiyama; M Furiya; H Morisaki
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 93巻, 3号, 掲載ページ 1613-1619, 出版日 2003年02月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Photoluminescence Studies of GaAs/partially ordered GaInP quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy
T. Kobayashi; H. Tomoda; A. D. Prins; Y. Homma; K. Uchida; J. Nakahara
Phisica status solidi (b), 235巻, 2号, 掲載ページ 277-281, 出版日 2003年01月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

A photo-oxidation generated low-k dielectric film deposited by reactive evaporation of SiO
JJ Si; Y Show; S Banerjee; H Ono; K Uchida; S Nozaki; H Morisaki
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 60巻, 3-4号, 掲載ページ 313-321, 出版日 2002年04月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Real-time observation of surface morphology of indium phosphide MOVPE growth with using X-ray reflectivity technique
T Kawamura; Y Watanabe; S Fujikawa; S Bhunia; K Uchida; J Matsui; Y Kagoshima; Y Tsusaka
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 237巻, 掲載ページ 398-402, 出版日 2002年04月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Real-time observation of step-flow limited metal organic vapor phase epitaxial growth of InP and their characteristics
S Bhunia; T Kawamura; Y Watanabe; S Fujikawa; K Uchida; S Nozaki; H Morisaki; J Matsui; Y Kagoshima; Y Tsusaka
COMPOUND SEMICONDUCTORS 2001, 170号, 掲載ページ 647-652, 出版日 2002年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Ultralow k nanoporous silica by oxidation of silicon nanoparticles
S Nozaki; H Ono; K Uchida; H Morisaki; N Ito; M Yoshimaru
PROCEEDINGS OF THE IEEE 2002 INTERNATIONAL INTERCONNECT TECHNOLOGY CONFERENCE, 掲載ページ 69-71, 出版日 2002年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Real-time observation of surface morphology at nanometer scale using x-ray specular reflection
T. Kawamura; Y. Watanabe; S. Fujikawa; S. Bhunia; K. Uchida; J. Matsui; Y. Kagoshima; Y. Tsusaka
Surf. Interface Anal., 35巻, 掲載ページ 72-75, 出版日 2002年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Capacitance-Voltage (C-V) hysteresis in the Metal-Oxide-Semiconductor capacitor with Si nanocrystals deposited by the gas evaporation technique
P Mishra; S Nozaki; R Sakura; H Morisaki; H Ono; K Uchida
MATERIALS ISSUES IN NOVEL SI-BASED TECHNOLOGY, 686巻, 掲載ページ 153-158, 出版日 2002年
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Correlation between the dielectric constant and porosity of nanoporous silica thin films deposited by the gas evaporation technique
JJ Si; H Ono; K Uchida; S Nozaki; H Morisaki; N Itoh
APPLIED PHYSICS LETTERS, 79巻, 19号, 掲載ページ 3140-3142, 出版日 2001年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Spectroscopic study of partially ordered semiconductor heterojunction under high pressure and high magnetic field
PY Yu; G Martinez; J Zeman; K Uchida
JOURNAL OF RAMAN SPECTROSCOPY, 32巻, 10号, 掲載ページ 835-839, 出版日 2001年10月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

In-situ study of growth mode by reflection of synchrotron x-ray during the metal organic vapor phase epitaxial growth of InP（共著）
S. Bhunia; K. Uchida; S. Nozaki; H. Morisaki; T. Kawamura; Y. Watanabe; S. Fujikawa; J. Matsui; Y. Kagoshima; Y. Tsusaka
International Conference on Crystal Growth - 13 in Conjunction with Vapor Growth and Epitaxy - 11, Kyoto, Japan, July 30 - Aug. 4., ?巻, 出版日 2001年07月
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Raman scattering studies of the ZnSe/GaAs interface
P. Y. Yu; G. Martinez; J. Zeman; K. Uchida
Journal of Raman Spectroscopy, 32巻, 10号, 掲載ページ 852-856, 出版日 2001年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Wurtzite silicon nanocrystals deposited by the cluster-beam evaporation technique
JY Zhang; H Ono; K Uchida; S Nozaki; H Morisaki
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 223巻, 1号, 掲載ページ 41-45, 出版日 2001年01月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

High pressure photoluminescence study of the GaAs/partially ordered GaInP interface
T Kobayashi; K Inoue; AD Prins; K Uchida; J Nakahara
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 223巻, 1号, 掲載ページ 123-128, 出版日 2001年01月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Study on pressure working time and releasing rate for phase transformation of Ge
M Oh-Ishi; S Akiyama; K Uchida; S Nozaki; H Morisaki
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 223巻, 2号, 掲載ページ 391-395, 出版日 2001年01月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

A study of the GaAs/partially ordered GaInP interface
T Kobayashi; K Inoue; AD Prins; K Uchida; J Nakahara
PROCEEDINGS OF THE 25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS I AND II, 87巻, 1号, 掲載ページ 473-474, 出版日 2001年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Formation of Ge nanocrystals passivated with Si by gas evaporation of Si and Ge
J. J. Si; H. Ono; K. Uchida; S. Nozaki; H. Morisaki
638巻, 掲載ページ F14.4.1, 出版日 2000年11月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Influence of short-range ordering on roughness of (AlGa)As interfaces studied with cross-sectional scanning tunneling microscopy
TCG Reusch; M Wenderoth; AJ Heinrich; KJ Engel; N Quaas; K Sauthoff; RG Ulbrich; ER Weber; K Uchida; W Wegscheider
APPLIED PHYSICS LETTERS, 76巻, 26号, 掲載ページ 3882-3884, 出版日 2000年06月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

High-pressure study of deep emission band at GaAs/partially ordered GaInP interface
T Kobayashi; T Ohmae; T Ito; K Uchida; J Nakahara
JOURNAL OF LUMINESCENCE, 87-9巻, 掲載ページ 408-410, 出版日 2000年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

An analysis of temperature dependent piezoelectric Franz–Keldysh effect in AlGaN
Y. T. Hou; K. Teo; L; M.F. Li; K. Uchida; H. Tokunaga; N. Akutsu; K. Matsumoto
Appl. Phys. Lett., 76巻, 8号, 掲載ページ 1033-1035, 出版日 2000年02月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Ultralow KSiO2 thin films with nano-voids by gas-evaporation technique
S Nozaki; S Banerjee; K Uchida; H Ono; H Morisaki
PROCEEDINGS OF THE IEEE 2000 INTERNATIONAL INTERCONNECT TECHNOLOGY CONFERENCE, 掲載ページ 140-142, 出版日 2000年
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Selective excitation and thermal quenching of the yellow luminescence of GaN
JS Colton; PY Yu; KL Teo; ER Weber; P Perlin; Grzegory, I; K Uchida
APPLIED PHYSICS LETTERS, 75巻, 21号, 掲載ページ 3273-3275, 出版日 1999年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

自然超格子を有するGaInP/GaAsヘテロ構造におけるホトルミネッセンス・アップコンバージョンの高圧及び高磁場を用いた研究
内田和男; P. Yu; J. Zeman; G. Martinez; 松本功
電子情報通信学会 論文誌，J82-C-II, 一般社団法人電子情報通信学会, J82-C II巻, 7号, 掲載ページ 392-397, 出版日 1999年07月, 査読付, Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy法で成長した自然超格子を有するGaInPとGaAsで構成されるシングルへテロ構造において観察されたホトルミネッセンスアップコンバージョン(PLU)を高磁場, 静水圧下で評価した. 高磁場による実験より, PLUを示すサンプルはタイプIIのGaInP/GaAsバンド不連続とGaInP中に局在する発光中心を有することが明らかとなった. また一連のサンプルの中でPLUを示さないタイプIのGaInP/GaAsバンド不連続を有するサンプルに1.2GPaの静水圧を加えることでバンド不連続をタイプIIに調整することにより, PLUが観察され, これら結果よりタイプIIバンド不連続がPLU具現化のための条件の一つであることが確認された.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Nanometer size determination of type-II domains in CuPt-ordered GaInP2 with high-pressure magneto-luminescence
J Zeman; S Jullian; G Martinez; PY Yu; K Uchida
EUROPHYSICS LETTERS, 47巻, 2号, 掲載ページ 260-266, 出版日 1999年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Short-range ordering in AlxGa1−xAs grown with metal-organic vapor-phase epitaxy
AJ. Heinrich; M. Wenderoth; KJ. Engel; TCG. Reusch; K. Sauthoff; RG. Ulbrich; ER. Weber; K. Uchida
Phys. Rev B, 59巻, 15号, 掲載ページ 10296-10301, 出版日 1999年04月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Pressure dependence of photoluminescence in GaAs/partially ordered GaInP interface
T Kobayashi; T Ohmae; K Uchida; J Nakahara
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 38巻, 2B号, 掲載ページ 1004-1007, 出版日 1999年02月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Time-resolved photoluminescence study of GaAs ordered GaInP interface under high pressure
T Kobayashi; A Matsui; T Ohmae; K Uchida; J Nakahara
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 211巻, 1号, 掲載ページ 247-253, 出版日 1999年01月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

GaAs/（ordered）GaInP2 Heterostructures under Pressures and High Magnetic Fields
J. Zeman; G. Martinez; P. Y. Yu; S. K. Kwok; K. Uchida
Physica Status Solidi B, 211巻, 1号, 掲載ページ 239-246, 出版日 1999年01月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Temperature dependent of piezoelectric effect in GaN
Y. T. Hou; K. L. Teo; M. F. Li; K. Uchida; H. Tokunaga; N. Akutsu; K.Matsumoto
Appl. Phys. Lett., 76巻, 掲載ページ 1033-1035, 出版日 1999年, 査読付
英語

Piezoelectric Franz-Keldysh effect in a GaN/InGaN/AlGaN multilayer structure
YT Hou; KL Teo; MF Li; K Uchida; H Tokunaga; N Akutsu; K Matsumoto
PHOTONICS TECHNOLOGY INTO THE 21ST CENTURY: SEMICONDUCTORS, MICROSTRUCTURES, AND NANOSTRUCTURES, 3899巻, 掲載ページ 46-53, 出版日 1999年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Folding of X-point phonons and conduction-band valleys in partially CuPt-ordered Ga0.52In0.48P grown on GaAs
SH Kwok; PY Yu; K Uchida
PHYSICAL REVIEW B, 58巻, 20号, 掲載ページ 13395-13398, 出版日 1998年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Optical studies of GaInP(ordered)/GaAs and GaInP(ordered)/GaP/GaAs heterostructures
SH Kwok; PY Yu; J Zeman; S Jullian; G Martinez; K Uchida
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 84巻, 5号, 掲載ページ 2846-2854, 出版日 1998年09月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

An analysis of temperature dependent photoluminescence line shapes in InGaN
KL Teo; JS Colton; PY Yu; ER Weber; MF Li; W Liu; K Uchida; H Tokunaga; N Akutsu; K Matsumoto
APPLIED PHYSICS LETTERS, 73巻, 12号, 掲載ページ 1697-1699, 出版日 1998年09月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

The study of piezoelectric effect in wurtzite GaN/InGaN/AlGaN multilayer structures
W Liu; KL Teo; MF Li; SJ Chua; K Uchida; H Tokunaga; N Akutsu; K Matsumoto
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 189巻, 掲載ページ 648-651, 出版日 1998年06月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Phonon-assisted photoliminescence in wurtzite GaN epilayer
W. Liu; M. F. Li; S. J. Xu; Kazuo Uchida; Koh Matsumoto
Semiconductor Science and Technology, 13巻, 掲載ページ 769-772, 出版日 1998年06月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Electron confinement in（Ordered）GaInP2/GaP/GaAs/（Ordered）GaInP2 single quantum well
J. Zeman; G. Martinez; S. H. Kwok; P. Y. Yu; K. Uchida
Physica B249-251, 249巻, 掲載ページ 735-739, 出版日 1998年06月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Ordering in ternary compound semiconductors studied with cross-sectional scanning tunneling microscopy
AJ Heinrich; M Wenderoth; MA Rosentreter; K Engel; MA Schneider; RG Ulbrich; ER Weber; K Uchida
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 66巻, 掲載ページ S959-S962, 出版日 1998年03月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Pressure dependence of photoluminescence in GaAs/ordered GaInP interface
T. Kobayashi; T. Ohmae; K. Uchida; J. Nakahara
Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IEEE, 掲載ページ 389-392, 出版日 1998年
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Investigation of phonon-assisted photoluminescence in wurtzite GaN epilayer
W Liu; MF Li; SJ Xu; K Uchida; K Matsumoto
OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES, 3419巻, 掲載ページ 27-34, 出版日 1998年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

GaN room temperature exciton spectra by photovoltaic measurement
W Liu; MF Li; SJ Chua; YH Zhang; K Uchida
NITRIDE SEMICONDUCTORS, 482巻, 掲載ページ 593-598, 出版日 1998年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

High pressure studies of quantum well emission and deep emission in GaInP（ordered）-GaAs heterostructures
S. Kowk; P. Yu; K. Uchida; T. Arai
HIGH-PRESSURE MATERIALS RESEARCH, 499巻, 掲載ページ 195-200, 出版日 1998年
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

A study of band alignment in GaAs/GaInP（Partially ordered）heterostructureswith high pressure
K. Uchida; P. Yu; J. Zeman; S. Kwon; K. Teo; Z. Su; G. Martinez; T. Arai; K. Matsumoto
HIGH-PRESSURE MATERIALS RESEARCH, 499巻, 掲載ページ 381-392, 出版日 1998年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

High-Pressure Study of Deep Emission Band at GaInP/GaAs Interface
Toshihiko Kobayashi; Kazuya Takashima; Kazuo Uchida
Review of High Pressure Science and Technology/Koatsuryoku No Kagaku To Gijutsu, 7巻, 掲載ページ 715-717, 出版日 1998年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Pressure Dependence of Time-Resolved Photoluminescence in Ordered Ga0.5In0.5P
Naohisa Tsuji; Kazuya Takashima; Toshihiko Kobayashi; Kazuo Uchida; Jun'ichiro Nakahara
Review of High Pressure Science and Technology/Koatsuryoku No Kagaku To Gijutsu, 7巻, 掲載ページ 763-765, 出版日 1998年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Phonon-assisted photoluminescence in wurtzite GaN epilayer
Liu, Wei; Ming Fu Li; ShiJie Xu; Kazuo Uchida; Koh Matsumoto
Proc. SPIE, 3419巻, 掲載ページ 311905, 出版日 1998年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

GaN exciton photovoltaic spectra at room temperature
W Liu; MF Li; SJ Chua; YH Zhang; K Uchida
APPLIED PHYSICS LETTERS, 71巻, 17号, 掲載ページ 2511-2513, 出版日 1997年10月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Band alignments in GaInP/GaP/GaAs/GaP/GaInP quantum wells
SH Kwok; PY Yu; K Uchida; T Arai
APPLIED PHYSICS LETTERS, 71巻, 8号, 掲載ページ 1110-1112, 出版日 1997年08月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Band alignment and photoluminescence up-conversion at the GaAs/(ordered)GaInP2 heterojunction
J Zeman; G Martinez; PY Yu; K Uchida
PHYSICAL REVIEW B, 55巻, 20号, 掲載ページ 13428-13431, 出版日 1997年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

PL spectra of InGaN film grown by MOCVD system with three laminar flow injection reactor
N Akutsu; H Tokunaga; K Uchida; K Matsumoto
REPORT OF RESEARCH CENTER OF ION BEAM TECHNOLOGY, HOSEI UNIVERSITY, SUPPLEMENT NO 15, MARCH 1997, 掲載ページ 77-82, 出版日 1997年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Deep emission band at GaInP/GaAs interface
K Uchida; T Arai; K Matsumoto
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 81巻, 2号, 掲載ページ 771-776, 出版日 1997年01月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

III-V nitrides growth by atmospheric-pressure MOVPE with a three layered flow channel
K Uchida; H Tokunaga; Y Inaishi; N Akutsu; K Matsumoto; T Itoh; T Egawa; T Jimbo; M Umeno
III-V NITRIDES, 449巻, 掲載ページ 129-134, 出版日 1997年
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Time-resolved photoluminescence study of ordered Ga0.5In0.5P under high pressure
T Kobayashi; M Minaki; K Takashima; K Uchida; J Nakahara
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 198巻, 1号, 掲載ページ 49-55, 出版日 1996年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Mechanisms of photoluminescence upconversion at the GaAs/(ordered) GaInP2 interface
ZP Su; KL Teo; PY Yu; K Uchida
SOLID STATE COMMUNICATIONS, 99巻, 12号, 掲載ページ 933-936, 出版日 1996年09月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Magnetic field dependence of up-converted photoluminescence in partially ordered GaInP2/GaAs up to 23 T
J. zeman; G. Martinez; P. Y. Yu; K. Uchdia
掲載ページ 493-496, 出版日 1996年
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Upconversion of near GaAs bandgap photons to GaInP2 emission at the GaAs/(ordered) GaInP2 heterointerface
K. L. Teo; Z. P. Su; P. Y.YU; K. Uchida
掲載ページ 489-492, 出版日 1996年
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

The formation of radiative defects at GaAs/GaInP interface
K Uchida; T Arai; K Matsumoto
OPTOELECTRONIC MATERIALS: ORDERING, COMPOSITION MODULATION, AND SELF-ASSEMBLED STRUCTURES, 417巻, 掲載ページ 319-324, 出版日 1996年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Raman and photoluminescence studies on atmospheric pressure MOVPE grown GaN on sapphire substrates
T. Suski; J. Krueger; C. Kisielowski; E. Weber; K. Uchida; H. Tokunaga; N. Akutsu; K. Matsumoto
20巻, 出版日 1996年
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

COMPARATIVE-STUDY OF PHOTOLUMINESCENCE IN ORDERED AND DISORDERED GAINP ALLOYS UNDER HIGH-PRESSURE
H KOJIMA; H KAYAMA; T KOBAYASHI; K UCHIDA; J NAKAHARA
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 56巻, 3-4号, 掲載ページ 345-348, 出版日 1995年03月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Control of defects in GaAs/GaInP interface grown by MOVPE
T Arai; K Uchida; H Tokunaga; K Matsumoto
ICDS-18 - PROCEEDINGS OF THE 18TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON DEFECTS IN SEMICONDUCTORS, PTS 1-4, 196-巻, 196-201号, 掲載ページ 539-542, 出版日 1995年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Raman spectroscopy study on order disordered Ga0.52In0.48P on GaAs grown by MOVPE
K UCHIDA; PY YU; ER WEBER; N NOTO
SEVENTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, CONFERENCE PROCEEDINGS, 掲載ページ 261-264, 出版日 1995年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

COMPARISON BETWEEN PHOTOLUMINESCENCE AND RAMAN-SCATTERING IN DISORDERED AND ORDERED ALLOYS IN GAINP
K UCHIDA; PY YU; N NOTO; Z LILIENTALWEBER; ER WEBER
PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STATISTICAL MECHANICS ELECTRONIC OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES, 70巻, 3号, 掲載ページ 453-466, 出版日 1994年09月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

ENERGY OF X CONDUCTION BAND MINIMA IN DISORDERED AND ORDERED GaInP2 ALLOYS
K. Uchida; P.Y. YU; N. Noto; E. R. Webe
Proc. of the 22nd ICPS, 掲載ページ 177-180, 出版日 1994年08月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Pressure-induced Γ-X crossover in the conduction band of ordered and disordered Galnp alloys
K. Uchida; P.Y.Yu; N. Noto; E.R.Weber
Appl. Phys. Lett., 64巻, 21号, 掲載ページ 2858-2860, 出版日 1994年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

HYDROSTATIC-PRESSURE DEPENDENCE OF EG-100 MEV PHOTOLUMINESCENCE EMISSIONS IN N-TYPE ALGAAS
K UCHIDA; P SEGUY; H WONG; PL SOUZA; PY YU; ER WEBER; K MATSUMOTO
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOL 32, SUPPLEMENT 32-1, 32巻, 1号, 掲載ページ 246-248, 出版日 1993年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

PHOTOLUMINESCENCE OF DEEP LEVELS INDUCED BY SUP-PPM H2O IN ALGAAS GROWN BY MOVPE
K MATSUMOTO; K UCHIDA
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 115巻, 1-4号, 掲載ページ 484-489, 出版日 1991年12月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

ANISOTROPY IN THE DOPING CHARACTERISTICS OF DIMETHYLCADMIUM IN GAAS GROWN BY MOVPE ON (100) GAAS
K MATSUMOTO; J HIDAKA; K UCHIDA
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 99巻, 1-4号, 掲載ページ 329-332, 出版日 1990年01月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

THE EFFECTS OF GROWTH TEMPERATURE ON THE DIMETHYL-CD DOPING OF GAAS BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY - EVIDENCE OF IMPURITY-INDUCED NUCLEATION OF TWO-DIMENSIONAL CLUSTERS
K MATSUMOTO; J HIDAKA; K UCHIDA
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 65巻, 10号, 掲載ページ 3849-3851, 出版日 1989年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

The effects of growth temperature on the dimethyl-Cd doping of GaAs by MOCVD
K. Matsumoto; J. Hidaka; K. Uchida
J. Appl. Phys., 65巻, 掲載ページ 3849-3851, 出版日 1989年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

MOCVD GROWTH AND CHARACTERIZATION OF GAAS AND GAP GROWN ON SI SUBSTRATES
T SOGA; Y KOHAMA; K UCHIDA; M TAJIMA; T JIMBO; M UMENO
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 93巻, 1-4号, 掲載ページ 499-503, 出版日 1988年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

QUALITY IMPROVEMENT OF METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION GROWN GAP ON SI BY ASH3 PREFLOW
Y KOHAMA; K UCHIDA; T SOGA; T JIMBO; M UMENO
APPLIED PHYSICS LETTERS, 53巻, 10号, 掲載ページ 862-864, 出版日 1988年09月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

High quality Gap growth on Si sudstrates by MOCVD
K. Uchida; Y. Kohama; M. Tajima; T. Soga; T. Jimbo; M. Umeno
116巻, 掲載ページ 319-322, 出版日 1988年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Nano-Scale Materials: From Science to Technology
Shinji Nozaki; Hiroshi Ono; Kazuo Uchida; Hiroshi Morisaki
学術書, 英語, 共著, Nova Science Publishers, Inc., 出版日 2006年, ISBN 1594549109

Spectroscopic Study of the Interface and Band alignment at the GaInP(Partially-ordered)/GaAs Heterojunction using High Pressure and High Magnetic Field. Spontaneous Ordering in Semiconductor Alloys, edited by A. Mascarenhas,
P. Y. Yu; G. Martinez; J. Zeman; K. Uchida
英語, 共著, Kluwer Academic/Plenum Publishers, New York,, 出版日 2002年

Fabrication and optical characterization of GaN microdisk cavities undercut by laser-assisted photo-electrochemical etching
S. Sho; K. Shimoyoshi; K. Uchida; T. Tajiri
口頭発表（一般）, 英語, 2022 International Conference on solid-state devices and materials (SSDM), 国際会議
発表日 2022年09月28日

TEGaと酸素ガスを用いた大気圧MOVPEによるβ-Ga2O3薄膜の結晶成長
浮田 駿; 中村 海太; 田尻 武義; 内田 和男
口頭発表（一般）, 日本語, 第83回応用物理学会 秋季学術講演会, 国内会議
発表日 2022年09月23日

マイクロマニピュレーション法によるGaNスラブ型光ナノ構造の積層
惣角 翔; 吉田 理人; 下吉 賢信; 内田 和男; 田尻 武義
口頭発表（一般）, 日本語, 第83回応用物理学会 秋季学術講演会, 国内会議
発表日 2022年09月22日

二段階光電気化学エッチングによるGaN二次元フォトニック結晶共振器の作製と光学評価
吉田 理人; 惣角 翔; 下吉 賢信; 内田 和男; 田尻 武義
口頭発表（一般）, 日本語, 第83回応用物理学会 秋季学術講演会, 国内会議
発表日 2022年09月21日

トンネル接合形成を目的としたZnO付加によるAlGaN LEDの発光特性への影響
浮田 駿; SUN ZHENG; 田尻 武義; 内田 和男
口頭発表（一般）, 日本語, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 国内会議
発表日 2022年03月24日

レーザアシスト光電気化学エッチングによる GaNマイクロディスク共振器の作製と光学評価
下吉 賢信; 浮田 駿; 内田 和男; 田尻 武義
口頭発表（一般）, 日本語, 第82回 応用物理学会 秋季学術講演会, 国内会議
発表日 2021年09月13日

Fabrication and characterization of AlGaN p-n diode with n-ZnO as a tunnel junction layer
S.Ukita; J. Morimoto; M. Daikoku; S. Zheng; T. Tajiri; K. Uchida
口頭発表（一般）, 英語, 2021 International Conference on solid-state devices and materials (SSDM), 国際会議
発表日 2021年09月08日

Fabrication of deeply undercut GaN micro-disks by selective photo-electrochemical etching of thick InGaN/GaN superlattice
K. Shimoyoshi; S.Ukita; K. Uchida; T. Tajiri
口頭発表（一般）, 英語, 2021 International Conference on solid-state devices and materials (SSDM), 国際会議
発表日 2021年09月08日

厚膜InGaN系犠牲層の光電気化学エッチングによる中空GaNマイクロディスク構造の作製
下吉 賢信; 浮田 駿; 内田 和男; 田尻 武義
口頭発表（一般）, 日本語, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 国内会議
発表日 2021年03月17日

p型コンタクト層にn-ZnO層を接合したAlGaN系pnダイオードのEL特性評価
孫 錚; 王 新磊; 森元 諄; 田尻 武義; 内田 和男
ポスター発表, 日本語, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 国内会議
発表日 2021年03月16日

正孔注入促進に向けたp-AlGaN/n-ZnOトンネル接合のバンド構造解析
浮田 駿; 田尻 武義; 内田 和男
ポスター発表, 日本語, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 国内会議
発表日 2021年03月16日

紫波長帯にフォトニックバンドギャップを有する窒化ガリウム二次元フォトニック結晶スラブの設計
下吉 賢信; 浮田 駿; 内田 和男; 田尻 武義
口頭発表（一般）, 日本語, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 国内会議
発表日 2020年09月11日

p型コンタクト層にn-ZnOトンネル層を有するAlGaN系pnダイオードの作製及び電気的評価
孫 錚; 森元 諄; 大黒 将也; 田尻 武義; 内田 和男
口頭発表（一般）, 日本語, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 国内会議
発表日 2020年09月10日

InGaP/GaAs heterointerfaces studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy and their impact on the device characteristics
S. Nozaki; A. Koizumi; K. Uchida; H. Ono
口頭発表（一般）, 英語, Proceedings of the International Conference Nanomeeting-2009: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures, World Scientific, Singapore, ed. V. E. Borisenko, S. V. Gaponenko and V. S. Gurin
発表日 2009年

水熱法によるZnOナノロッドの作製
粕谷仁一; 野崎眞次; 内田和男; 小野 洋
口頭発表（一般）, 日本語
発表日 2007年03月

酸化銅ナノロッドの太陽電池への応用
崎野晃滋; 野崎眞次; 内田和男; 小野 洋
口頭発表（一般）, 日本語
発表日 2007年03月

InP/InGaAs HBTデバイスに向けたp型InGaAs層の作製及び、TCADによる評価
芋川 直; 内田和男; 野崎眞次; 小野 洋
口頭発表（一般）, 日本語
発表日 2007年03月

SiO nanopowder with metastable Si-Si networks
C. Y. Chen; S. Kimura; S. Nozaki; K. Uchida; H. Ono
口頭発表（一般）, 英語, 電気通信大学・東京農工大学21世紀COEプログラム
発表日 2006年12月

Mechanically strong ultralow-k nanoporous silica made of SiOx nanoparticles
Shinji Nozaki; Hiroshi Ono; Kazuo Uchida
口頭発表（一般）, 日本語, 電気通信大学・東京農工大学21世紀COEプログラム
発表日 2006年12月

Bi添加SiOによるワイドギャップ半導体の作製
宮田浩正; 木村誠二; 野崎眞次; 内田和男; 小野 洋
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会
発表日 2006年11月

Ni酸化物の物性評価とp-GaNオーミックコンタクトへの応用
斉藤貴夫; 内田和男; 野崎眞次; 小野 洋
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会
発表日 2006年11月

Mechanically strong ultralow-k nanoporous silica made of SiOx nanoparticles
Shinji Nozaki; Hiroshi Ono; Kazuo Uchida
口頭発表（一般）, 英語, IEEE
発表日 2006年10月

走査型トンネル顕微鏡によるGaInP/GaAsへテロ界面の粗さ解析
大塚史之; 渡邊明広; 野崎真次; 内田和男; 小野 洋
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会
発表日 2006年09月

Mechanically strong ultralow-k nanoporous silica made of SiOx nanoparticles
Shinji Nozaki; Hiroshi Ono; Kazuo Uchida
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会
発表日 2006年09月

Yellowish-white photoluminescence from ZnO nanoparticles
J. Nayak; S. Nozaki; H. Ono; K. Uchida
口頭発表（一般）, 英語, E-MRS
発表日 2006年05月

自然超格子を有するInGaP/GaAs HBTへテロ接合界面におけるバンド不連続の研究
触澤宣晶; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次; 森崎 弘
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会
発表日 2006年03月

表面プラズモン効果を用いたラマン分光法による低密度のGe超微粒子の分析
寺田 力; セン・ソマディティヤ; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次; 森崎 弘
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会
発表日 2006年03月

InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ特性への表面再結合の影響
黒川愛里; 金 智; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次; 森崎 弘
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会
発表日 2006年01月

バラスト抵抗用Ni微粒子混合誘電体薄膜の作製と評価
横山 彩; 野崎眞次; 内田和男; 小野 洋; 森崎 弘
口頭発表（一般）, 日本語
発表日 2005年11月

BiドープSiOx導電膜の特性評価
牛田賢志; 木村誠二; 森崎 弘; 野崎眞次; 内田和男; 小野 洋
口頭発表（一般）, 日本語
発表日 2005年11月

NiO薄膜を用いたp-GaNオーミックコンタクトに関する研究
内藤寛人; 斉藤貴夫; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次; 森崎 弘
口頭発表（一般）, 日本語
発表日 2005年11月

バラスト抵抗用Ni微粒子混合Si3N4薄膜の作製と評価
横山 彩; 野崎眞次; 内田和男; 小野 洋; 森崎 弘
口頭発表（一般）, 日本語, 電気学会
発表日 2005年10月

走査型トンネル顕微鏡によるGaInP氏前兆格子構造の観察
平川長規; 大塚史之; 野崎真次; 小野 洋; 内田和男; 森崎 弘
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会
発表日 2005年09月

ナノポーラスシリカLow-k膜の低温熱処理と膜機械強度
倪 威; 小野 洋; 内田和男; 野崎真次; 森崎 弘
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会
発表日 2005年09月

階段状ドーピングプロファイルによるバラクターダイオードの高性能化
中島誠幸; 内田和男; 野崎眞次; 森崎 弘
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会2005年総合大会エレクトロニクスソサイエティ
発表日 2005年03月

Pdナノクリスタル含有SiO2の大気中及び低真空中SPM観察
平川長規; 野崎眞次; 小野 洋; 内田和男; 森崎 弘
口頭発表（一般）, 日本語, 第52回応用物理学関係連合講演会
発表日 2005年03月

Self-limiting photo-assisted synthesis of silicon nanocrystals
C. Y. Chen; S. Kimura; S. Sen; S. Nozaki; H. Ono; K. Uchida; H. Morisaki
口頭発表（一般）, 英語, 東京農工大学・電気通信大学21世紀COEプログラム合同シンポジウム予稿集「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」
発表日 2004年12月

Self-limiting photo-assited synthesis of silicon nanocrystals
C. Y. Chen; S. Kimura; S .Sen; S. Nozaki; H. Ono; K. Uchida; H. Morisaki
口頭発表（一般）, 英語, Materias Research Society Fall Meeting
発表日 2004年12月

金属酸化物透明電極を用いた白色LEDの高機能化に関する研究
伊藤 純; 内田 和男; 野崎 眞次; 森崎 弘; 長岡 亜季則; 内藤 寛人
口頭発表（一般）, 日本語, 日本光学会年次学術講演会
発表日 2004年11月

ITO薄膜における深さ方向の構造についての光学的研究
長岡 亜季則; 野崎 眞次; 内田 和男; 森崎 弘; 伊藤 純; 内藤 寛人
口頭発表（一般）, 日本語, 薄膜材料デバイス研究会、アブストラクト集
発表日 2004年11月

超高真空走査型トンネル顕微鏡によるInGaP/GaAs超格子断面の観察
郡司 貢; 平川 長規; 千葉 綾子; 小野 洋; 内田 和男; 野崎 眞次; 森崎 弘
口頭発表（一般）, 日本語, 日本結晶学会年会、講演要旨集
発表日 2004年11月

ナノ構造分散系としての金属ドープガラス薄膜の電気伝導とデバイス応用（共著）
椛木 弘美; 一戸 隆久; 野崎 眞次; 森崎 弘; 正木 進
口頭発表（一般）, 日本語, 薄膜材料デバイス研究会アブストラクト集
発表日 2004年11月

CBrCL3をドーパント源としたp-InGaAsのMOVPE成長
加部正吾; 触澤宣晶; 小野洋; 内田和男; 野崎真次; 森崎弘
口頭発表（一般）, 日本語, 第６５回応用物理学会学術講演会講演予稿集
発表日 2004年09月

紫外線照射による高品位SiOx膜の作成
越川智朗; 木村誠二; 小野洋; 内田和男; 野崎真次; 森崎弘
口頭発表（一般）, 日本語, 第６５回応用物理学会学術講演会講演予稿集
発表日 2004年09月

Ge超微粒子フローティングゲートMOSキャパシタの作製と電気的特性
杉本武; 寺田力; Somaditya Sen; 小野洋; 内田和男; 野崎真次; 森崎弘
口頭発表（一般）, 日本語, 第６５回応用物理学会学術講演会講演予講集
発表日 2004年09月

超音速ジェットノズルによるシリコン超微粒子浮遊ゲートMOSキャパシターの作製
野村政人; 野崎真次; 小野 洋; 内田和男; 森崎 弘
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会分科会シリコンテクノロジーNo.46「量子サイズシリコン系素子－新機能と応用―」特集号
発表日 2002年11月

ダブルヘテロGaAs/GaInP HBTのDC特性変化
降矢美保; 高橋一真; 浜 俊彦; 小野 洋; 内田和男; 野崎真次; 森崎 弘; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 第63回応用物理学会学術講演会予稿集、新潟大学五十嵐キャンパス
発表日 2002年09月

超高真空断面走査型トンネル顕微鏡によるGaInP/GaAsヘテロ界面原子像の観察
茶圓 聡; 郡司 貢; 小野 洋; 内田和男; 野崎真次; 森崎 弘
口頭発表（一般）, 日本語, 第63回応用物理学会学術講演会予稿集、新潟大学五十嵐キャンパス
発表日 2002年09月

Si超微粒子熱酸化によるナノポーラスシリカ膜の作製(共著)
安富大祐; 木原尚志; 小野 洋; 内田和男; 野崎真次; 森崎 弘; 吉丸正樹
その他, 日本語, 電気通信大学共同研究センター第7回共同研究成果発表会
発表日 2002年05月

アンジュレーター放射光によるMOVPEのin situ評価(IV)-GaInP/GaAs成長のリアルタイム制御-
S.Bhunia; 川村朋晃; 藤川誠司; 渡辺義夫; 内田和男; 杉山智之; 降矢美保; 野崎眞次; 森崎弘; 松井純爾; 篭島靖; 津坂佳幸
口頭発表（一般）, 日本語, 第49回応用物理学関係連合講演会、29p-ZQ-7,2002年3月29日、東海大学湘南キャンパス。
発表日 2002年03月

"固相Siナノクラスターによる半導体メモリー"（共著）
野崎真次; 佐倉 竜太; Puspashree Mishra; 内田和男; 森崎 弘
口頭発表（招待・特別）, 日本語, ナノ・インテリジェント材料シンポジウム、未踏科学技術協会・インテリジェント材料フォーラム主催、平成１３年１１月１３日、東京青学会館 （招待講演）
発表日 2001年11月

SiO_2_超微粒子薄膜のLow-k応用
木原尚志; 安富大祐; 内田和男; 小野 洋; 野崎真次; 森崎 弘
口頭発表（一般）, 日本語, 第60回半導体・集積回路技術シンポジウム，電気化学会電子材料委員会主催，平成13年6月6-7日，大阪国際交流センター
発表日 2001年06月

超高真空断面走査形トンネル顕微鏡による半導体へテロ界面GaInP/GaAsの観察
三保基陽; 茶圓 聡; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次; 森崎 弘
口頭発表（一般）, 日本語, 第48回応用物理学関係連合講演会，30a-ZX-8，2001年3月30日，明治大学
発表日 2001年03月

銅フタロシアニン／シリコンヘテロ接合ダイオードの特性
小野 洋; 岩本卓三; 内田和男; 野崎眞次; 伊藤進夫; 森崎 弘
口頭発表（一般）, 日本語, 第48回応用物理学関係連合講演会，29a-ZG-11，2001年3月29日，明治大学
発表日 2001年03月

MOVPE成長GaInP材料物性とGaInP/GaAs HBT DC特性に関する報告
池上隆幸; 杉山智之; 降矢美保; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次; 森崎 弘
口頭発表（一般）, 日本語, 第48回応用物理学関係連合講演会，28p-YC-9，2001年3月28日，明治大学
発表日 2001年03月

水素終端したSi（111）2x1劈開面のSTSによる評価
西方 誠; 三保基陽; NS. McAlpine; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次; 森崎 弘
口頭発表（一般）, 日本語, 第47回応用物理学関係連合講演会，青山学院大学，30p-YH-10，2000年3月30日
発表日 2000年03月

全反射X線を用いたSiO2多孔質膜の誘電率測定
木原尚志; 舟崎秀夫; 伊藤進夫; S. Banerjee; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次; 森崎 弘
口頭発表（一般）, 日本語, 第47回応用物理学関係連合講演会，青山学院大学，29p-YA-7，2000年3月29日
発表日 2000年03月

新低誘電材料としての酸化Si超微粒子膜の作製と評価
舟崎秀夫; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次; 森崎 弘
口頭発表（一般）, 日本語, 第47回応用物理学関係連合講演会，青山学院大学，29p-YA-7，2000年3月29日
発表日 2000年03月

低誘電絶縁材料としてのSi酸化物超微粒子の作製と評価（1）
道又重臣; 小澤宏之; 舟崎秀夫; 佐藤井一; 小野 洋; 内田和男; 野崎真次; 森崎 弘
口頭発表（一般）, 日本語, 第46回応用物理学関係連合講演会講演予稿集，30pZQ9/II，1999.3.30
発表日 1999年03月

トリメチルアミンを用いた高周波プラズマCVD法によるGaNの作製
島袋淳一; 池上隆幸; 内田和男; 野崎真次; 森崎 弘
口頭発表（一般）, 日本語, 第46回応用物理学関係連合講演会講演予稿集，28pX1/III，1999.3.28
発表日 1999年03月

固体クラスターの粒子サイズ効果による電子・光機能
野崎真次; 内田和男; 小野 洋; 森崎 弘
口頭発表（一般）, 日本語, ナノスペースラボ・シンポジウム '99
発表日 1999年01月

A study of band alignment in GaAs/GaInP（Partially ordered）heterostructureswith high pressure
K. Uchida; P. Yu; J. Zeman; S. Kwon; K. Teo; Z. Su; G. Martinez; T. Arai; K. Matsumoto
口頭発表（招待・特別）, 英語, Mat. Res. Soc. Symp, High-Pressure Materials Reseach., Proc. of Mat. Res. Soc. Symp, High-Pressure Materials Reseach. ed. by R.Wentzcovitch, R. Hemley, W. Nellis and P. Yu, Boston, Dec. 1997，499, Boston, US, 国際会議
発表日 1997年12月

Innovative Comprehensive Communications Design 1
The University of Electro-Communications

イノベイティブ総合コミュニケーションデザイン1
電気通信大学

Mechanics
The University of Electro-Communications

力学
電気通信大学

Fundamental Electronics
The University of Electro-Communications

基礎電子工学
電気通信大学

基礎科学実験A
電気通信大学

基礎科学実験A
電気通信大学

固体照明工学特論
電気通信大学

大学院技術英語
The University of Electro-Communications

応用数学
電気通信大学

半導体工学（その他コース）
電気通信大学

半導体工学（電子コース）
The University of Electro-Communications

半導体工学（その他コース）
The University of Electro-Communications

半導体工学（その他コース）
電気通信大学

半導体工学（電子コース）
電気通信大学

半導体工学（電子コース）
電気通信大学

固体照明工学特論
The University of Electro-Communications

固体照明工学特論
電気通信大学

大学院技術英語
電気通信大学

大学院技術英語
電気通信大学

応用数学
The University of Electro-Communications

応用数学
電気通信大学

応用物理学会

米国物理学会

米国材料研究学会

ゲルマニウムナノ結晶の秩序化によるナノクリスタルメモリーの作製
野崎 眞次; 内田 和男
日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 電気通信大学, 基盤研究(B), 本研究では、海外共同研究者であるDr.Berbezierとともに集束イオンビーム(FIB)でGaのイオン注入により形成された欠陥の多い部分にのみ選択的にGeが成長することを利用したGeナノ結晶の成長位置の制御およびGeとSiの4%近くの格子不整合による歪みを利用したGeナノ結晶サイズの自己制御を試みた。堆積するGeナノ結晶の位置を決定するために、FIBで形成したシリコン表面の欠陥分布を利用した選択成長を行ったが、FIBで注入したGa残留を除去するために行った熱処理により欠陥分布が不明瞭となり、FIBでイオンを注入したところのみにGeナノ結晶を成長したり、Geナノ結晶層を単層化することは困難であった。そこで、SiO_2をマスクとした選択成長とFIBによる欠陥分布による選択成長の相乗効果を狙ったところGeナノ結晶を整然と並べることに成功した。しかし、Geナノ結晶サイズは、数十nmと大きく、密度もせいぜい10^<10>cm^<-2>オーダーで、ナノクリスタルメモリーのフローティングゲートとして応用するには、更なる改善が望まれた。 一方、電通大では、これまで行ってきた超音速ジェットノズル付ガス中蒸発法により数nmのGeナノ結晶を作製し、それをフローティングゲートのメモリーノードとして利用することを検討した。この方法で堆積したナノ結晶は、何層にも重なりあい、堆積時間を短くすると単層にはなるものの密度が非常に低いものであった。そこで、SiO_2上でGeナノ結晶がある程度重なり合った2から3層程度のものを熱処理することにより、単層化することを見出した。これは、Geナノ結晶同士の結合は弱いが、Geナノ結晶と下地のSiO_2の結合は強いことに着目して、熱処理で、重なり合ったナノ結晶を脱離させSiO_2上のナノ結晶のみを残すという方法である。この奇抜な発想により、単層化した10^<12>cm^<-2>オーダーの高密度のGeナノ結晶をSiO_2上に配列することに成功した。 単層化したGeナノ結晶をフローティングゲートとしたMOSキャパシターを作製し、そのC-V特性より、ナノ結晶への電子注入によるフラットバンド電圧のシフトを確認した。, 14350183
研究期間 2002年 - 2004年

ナノ構造半導体デバイスに関する教育・研究交流
森崎 弘; 小野 洋; 野崎 真次; 内田 和男
日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 電気通信大学, 基盤研究(B), 本研究では、グリフィス大学のHamson教授(現工学部長)と我々のグループの間で、お互いの大学の研究施設を有効に利用しながら大学院生、教官の参画する、半導体ナノ構造材料・デバイスに関する教育・研究を進めることを目的としている。教育面での交流としては、グリフィス大学大学院学生のJoshua Combes氏を2度にわたって招聘し、電気通信大学において、半導体位置センサー(PSD)の設計に従事してもらった。研究面での交流としては、両大学の研究者が毎年相互に訪問しあって、それぞれの大学の半導体プロセス設備を相補的に使用してナノ構造半導体デバイスの開発に取組んだ。その結果、グリフィス大学のグループが要求するPosition Sensitive Devicesについては、その抵抗体に粒状金属薄膜が使用可能であることが見い出された。また、フォトディテクターにはMOVPE法によるGaInP/GaAsデバイスが有効であることが明らかになった。半導体ナノ構造については、ナノ構造化による相転移を詳しく調べた。その結果、従来見い出されたGeの相転移に加えて、Siでもナノ構造化することによって,通常のダイヤモンド構造ではなく、Wutzite構造をとることを見い出した。Geについては、バルクのGe結晶に10GPa程度までの超高圧を加えて高圧相を発生させ、その安定性を調べた。クラスタービーム蒸発法によって堆積されたGeナノ構造膜は、光酸化によってさらにその粒径を小さく且つ均一にそろえることができる。その結果、室温においてもクーロンブロッケード効果が観測できることを見出した。単電子デバイスの実現の可能性について,グリフィス大学のグループと検討を加えている段階である。, 11695042
研究期間 1999年 - 2001年

酸化シリコンナノポーラス薄膜の低誘電率材料への応用
内田 和男; 小野 洋
日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 電気通信大学, 基盤研究(C), ガス中蒸発法を用いて低誘電率材料への応用が期待されるSiOx超微粒子薄膜の作製及びその評価を行った。結果として、SiOx超微粒子薄膜の電気容量測定より求めた誘電率は平均で2以下を示した。また全反射X線を用いたこれらサンプルの多孔質度はおよそ90%以上であり、これはサンプルの90%が空孔で形成されていることを示すものであった。またこのような高多孔質材料に不可避な水分の吸着がFTIR測定で確認され、この水分を除去することによりさらに誘電率値を低下させることが可能であることが解った。この水吸着を防止する方法として、HMDS(Hexamethyldisilan)を塗布し疎水処理を施す実験も行った。HMDSの塗布により膜のSi-OH結合は減り、as depo.の膜と比べ更に低いk値が得られた(作製圧力0.5Torrでk=1.4)。asdepo.の膜を真空中で350℃に昇温して測定したk値は膜に吸収された水分の影響が無いために更に低い値を示した(作製圧力0.5Torrでk=1.3)。一方、Arガス中で作製しその後に酸素雰囲気で酸化した膜は基板付近ではSiO_2までは酸化は進んでいないものの、それより表面寄りではほぼSiO_2まで酸化されていた。この膜に含まれるSi-OH結合は少なく大気中においても、HMDSの塗布を行うことなく非常に低いk値を得ることができた(作製圧力0.5Torrでk=1.4)。 本研究によって得られた膜は、材料自体はSiO_2であるため、高温安定性に優れ、絶縁劣化に強いこと、そして従来の酸化膜の集積化方法を大きく変更することがない、安価であるという大きな利点を持っている。, 11650317
研究期間 1999年 - 2000年