理学博士, 東京大学

誘電特性

量子ドット

摩擦

新物質設計

ナノエレクトロニクス

ナノテクノロジー

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電気電子材料工学

1972年03月
東京大学, 理学系研究科, 物理学専攻

1967年03月
東京大学, 理学部, 物理学科

2006年06月 - 2008年05月
評議委員, 日本表面科学会, 学協会

2006年06月 - 2007年05月
出版委員, 日本表面科学会, 学協会

2006年04月
評議員, 応用物理学会, 学協会

2004年 - 2004年
会員増強担当理事, 日本表面科学会, 学協会

2002年 - 2004年
評議委員, 日本表面科学会, 学協会

1994年 - 1995年
分科会世話人, 日本物理学会, 学協会

The anisotropy of ac conductivity and dielectric constant of anisotropic conductor-insulator composites
Yuichi Hazama; Jun Nakamura; Akiko Natori
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 45巻, 11号, 掲載ページ 2843-2851, 出版日 2010年06月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Control mechanism of friction by dynamic actuation of nanometer-sized contacts
Hiroyuki Iizuka; Jun Nakamura; Akiko Natori
PHYSICAL REVIEW B, 80巻, 15号, 掲載ページ 155449-1-8, 出版日 2009年10月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Ballistic thermal conductance of electrons in graphene ribbons
Eiji Watanabe; Sho Yamaguchi; Jun Nakamura; Akiko Natori
PHYSICAL REVIEW B, 80巻, 8号, 掲載ページ 085404-1-6, 出版日 2009年08月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Anisotropic half-metallic ground state of Mn atomic wire on GaAs(110)
Motoi Hirayama; Akiko Natori; Jun Nakamura
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 27巻, 4号, 掲載ページ 2062-2065, 出版日 2009年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

In-plane strain effects on dielectric properties of the HfO2 thin film
Sadakazu Wakui; Jun Nakamura; Akiko Natori
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 27巻, 4号, 掲載ページ 2020-2023, 出版日 2009年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Structural and electronic properties of the planar C-skeleton polymers
Jun Nakamura; Nariaki Arimura; Motoi Hirayama; Akiko Natori
APPLIED PHYSICS LETTERS, 94巻, 22号, 掲載ページ 223107-1-3, 出版日 2009年06月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Band-bending effects on scanning tunneling microscope images of subsurface dopants: First-principles calculations
Motoi Hirayama; Jun Nakamura; Akiko Natori
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 105巻, 8号, 掲載ページ -, 出版日 2009年04月
研究論文（学術雑誌）, 英語

Negative donors in bulk Si and Si/SiO2 quantum wells in a magnetic field
Jun-ichi Inoue; Tomo Chiba; Akiko Natori; Jun Nakamura
PHYSICAL REVIEW B, 79巻, 3号, 掲載ページ 035206-1-8, 出版日 2009年01月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Size effects in friction of multiatomic sliding contacts
Masanori Igarashi; Akiko Natori; Jun Nakamura
PHYSICAL REVIEW B, 78巻, 16号, 掲載ページ 165427-1-10, 出版日 2008年10月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Atomic scale dielectric constant near the SiO2/Si(001) interface
Sadakazu Wakui; Jun Nakamura; Akiko Natori
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 26巻, 4号, 掲載ページ 1579-1584, 出版日 2008年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Semiconducting nature of the oxygen-adsorbed graphene sheet
Jun Ito; Jun Nakamura; Akiko Natori
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 103巻, 11号, 掲載ページ 113712, 1-5, 出版日 2008年06月
研究論文（学術雑誌）, 英語

Nagative donors in multivalley semiconductors
J. Inoue; J. Nakamura; A. Natori
Phys. Rev. B, 77巻, 掲載ページ 125213-1 - 125213-5, 出版日 2008年
研究論文（学術雑誌）, 英語

Structural bistability of the oxygen-adsorbed graphene sheet
J. Nakamura; J. Ito; A. Natori
PROCEEDINGS OF THE 17TH INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS/13TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SURFACE SCIENCE/INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOSCIENCE AND TECHNOLOGY, 100巻, 掲載ページ 052019-052022, 出版日 2008年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Ballistic thermal conductance of a graphene sheet
Koichi Saito; Jun Nakamura; Akiko Natori
PHYSICAL REVIEW B, 76巻, 11号, 掲載ページ 115409-1 - 115409-4, 出版日 2007年09月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Simulations of scanning Tunneling Microscopy for B-/P-doped Si(111) surfaces
Motoi Hirayama; Jun Nakamura; Akiko Natori
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 46巻, 8B号, 掲載ページ 5643-5646, 出版日 2007年08月
研究論文（学術雑誌）, 英語

Dielectric properties of the interface between Si and SiO2
Sadakazu Wakui; Jun Nakamura; Akiko Natori
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 46巻, 5B号, 掲載ページ 3261-3264, 出版日 2007年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Mechanism of velocity saturation of atomic friction force and the dynamic superlubricity at torsional resonance
M.Igarashi; J.Nakamura; A.Natori
Jpn.J.Appl.Phys., 46巻, 掲載ページ 5591-5594, 出版日 2007年
研究論文（学術雑誌）, 英語

Nano-scale profile of the dielectric constant near the Si/oxide interface: A first-principles approach
J. Nakamura; S. Wakui; S. Eguchi; R. Yanai; A. Natori
ECS Transactions, 11巻, 6号, 掲載ページ 173-182, 出版日 2007年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

First-principles evaluations of dielectric constants for ultra-thin semiconducting films
Jun Nakamura; Akiko Natori
SURFACE SCIENCE, 600巻, 18号, 掲載ページ 4332-4336, 出版日 2006年09月
研究論文（学術雑誌）, 英語

ac conductivity and dielectric constant of conductor-insulator composites
Tan Benny Murtanto; Satoshi Natori; Jun Nakamura; Akiko Natori
PHYSICAL REVIEW B, 74巻, 11号, 掲載ページ 115206, 1-7, 出版日 2006年09月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Charge correlation and spin coupling in double quantum dots: A quantum diffusion Monte Carlo study
Hyuga Masu; Taichi Yamada; Jun Nakamura; Akiko Natori
PHYSICAL REVIEW B, 74巻, 7号, 掲載ページ 75312, 1-8, 出版日 2006年08月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

First-principles calculations of dielectric constants for ultrathin Sio(2) films
Sadakazu Wakui; Jun Nakamura; Akiko Natori
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 24巻, 4号, 掲載ページ 1992-1996, 出版日 2006年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Dielectric discontinuity at structural boundaries in Si
Jun Nakamura; Akiko Natori
APPLIED PHYSICS LETTERS, 89巻, 5号, 掲載ページ 053118, 出版日 2006年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Dielectric properties of hydrogen-terminated Si(111) ultrathin films
J Nakamura; S Ishihara; A Natori; T Shimizu; K Natori
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 99巻, 5号, 掲載ページ 054309-1-054309-5, 出版日 2006年03月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Structural stabilities and electronic properties for planar Si compounds
M. Hirayama; J. Nakamura; A. Natori
e-Journal of Surf. Sci. and Nanotechnology, 4巻, 掲載ページ 1-6, 出版日 2006年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Charge correlation and spin coupling in double quabtum dots
H.Masu; J.Nakamura; A.Natori
Proceed. of 28th Int. Conf. on the Physics and Semiconductors, 掲載ページ in press, 出版日 2006年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Dielectric discontinuity at a twin boundary in Si(111)
J. Nakamura; A. Natori
Proc. of 28th ICPS, 掲載ページ -, 出版日 2006年
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Double-slip mechanism in atomic-scale friction: Tomlinson model at finite temperatures
J Nakamura; S Wakunami; A Natori
PHYSICAL REVIEW B, 72巻, 23号, 掲載ページ 235415-1-235415-6, 出版日 2005年12月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Electronic and magnetic properties of BNC ribbons
J Nakamura; T Nitta; A Natori
PHYSICAL REVIEW B, 72巻, 20号, 掲載ページ 205429-1 - 205429-5, 出版日 2005年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Structural stability of Si(001) and Ge(001) in external electric fields
J Nakamura; A Natori
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 44巻, 7B号, 掲載ページ 5413-5416, 出版日 2005年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Energy barrier for dimer flipping at the Si(001)-(2x1) surface in external electric fields
J Nakamura; A Natori
PHYSICAL REVIEW B, 71巻, 11号, 掲載ページ 113303-1-113303-4, 出版日 2005年03月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

半導体超薄膜の誘電特性
中村淳; 名取晃子
表面科学, The Surface Science Society of Japan, 26巻, 7号, 掲載ページ 392-397, 出版日 2005年, 査読付, We have explored dielectric properties of ultra-thin Si(111) films using two different evaluation methods based on the first-principles calculations, the internal field (IF) method and the dipole moment (DM) method. As the thickness of the film increases, the dielectric constant evaluated at the innermost region of the film approaches a value near to the experimental bulk dielectric constant at a thickness of only 8 bi-layers. The theoretical value of the electronic dielectric constant for the Si(111) film is 12.85, which is only 6.2% higher than the experimental one. Furthermore, we have shown that the IF method is applicable to microscopic analysis of dielectric properties. The spatial variation in dielectric constant near the surface reveals that depolarized charges at the surface penetrate into the film up to the thickness of 3 bi-layers, resulting in an effective reduction of the dielectric constant near the surface. We have also discussed a microscopic picture of polarization on atomic scale.
研究論文（学術雑誌）, 日本語

Ga-As dimer structure for the GaAs(001)-c(4x4) surface
A Ohtake; J Nakamura; N Koguchi; A Natori
SURFACE SCIENCE, 566巻, 掲載ページ 58-62, 出版日 2004年09月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Atomic scale friction of nanoscale clusters
K Ohno; T Nitta; J Nakamura; A Natori
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 22巻, 4号, 掲載ページ 2026-2029, 出版日 2004年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Kinetics in surface reconstructions on GaAs(001)
A Ohtake; P Kocan; J Nakamura; A Natori; N Koguchi
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 92巻, 23号, 掲載ページ 236105-1-236105-4, 出版日 2004年06月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Band discontinuity at ultrathin SiO2/Si(001) interfaces
M. Watarai; J. Nakamura; A. Natori
Phys. Rev. B, 69巻, 掲載ページ 035312-1-035312-6, 出版日 2004年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Surface electromigration of in-covered Si high-index surfaces
K Sakamoto; Y Matsubayashi; M Shimada; T Yamada; A Natori; H Yasunaga
APPLIED SURFACE SCIENCE, 212巻, 掲載ページ 249-254, 出版日 2003年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Dynamics of c(4 x 2) phase-transition in Si(100) surfaces
A Natori; M Osanai; J Nakamura; H Yasunaga
APPLIED SURFACE SCIENCE, 212巻, 掲載ページ 705-710, 出版日 2003年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Structural stability of the Ge/Si(113)-2x2 surface
J. Nakamura; Z. Zhang; K. Sumitomo; H. Omi; A. Natori
Appl. Surf. Sci., 212/213巻, 掲載ページ 724-729, 出版日 2003年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Anisotropy in conductance of a quasi-one dimensional metallic surface state measured by a square micro-four-point probe method
T. Kanagawa; R. Hobara; I. Matsuda; T. Tanikawa; A. Natori; S. Hasegawa
Phys. Rev. Lett., 91巻, 掲載ページ 036805-1-036805-4, 出版日 2003年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

極薄SiO2/Si界面のエネルギー障壁の第一原理計算
M. Watarai; J. Nakamura; A. Natori
表面科学, The Surface Science Society of Japan, 24巻, 9号, 掲載ページ 550-555, 出版日 2003年, 査読付, The energy barrier and penetration depth of a hole are studied for ultrathin SiO₂/Si interfaces. Layer thickness dependence and injected carrier concentration dependence are calculated for the superlattice structure, by using a first-principles pseudo-potential approach based on the density-functional theory. A new method to evaluate the energy barrier is proposed, which is derived from calculation of both the energy band structure and behavior of the Bloch function. The energy barrier for a hole is reduced with a decrease in Si layer thickness by confinement effect and is reduced also with the monolayer thickness of SiO₂. The energy barrier increases by electron injection and decreases by hole injection.
研究論文（学術雑誌）, 日本語

Electronic properties in nano-structures
A. Natori
The School on simulation and modeling physics, 出版日 2002年11月
英語

Photoluminescence of charged magneto-excitons in InAs single quantum dots
A Natori; S Ohnuma; NH Quang
APPLIED SURFACE SCIENCE, 190巻, 1-4号, 掲載ページ 205-211, 出版日 2002年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

In-phase step wandering on vicinal Si(111) surfaces
A Natori; N Suga
APPLIED SURFACE SCIENCE, 190巻, 1-4号, 掲載ページ 96-102, 出版日 2002年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Stuctural stabilityy of the Ge/Si(113)-2x2 surfaces
J. Nakamura; A. Natori; Z. Zhang; K. Sumitomo; H. Omi; T. Ogino
Proc. of 6-th Sympo. Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, 14巻, 掲載ページ 51-54, 出版日 2002年
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Atomic structure of the Ge/Si(113)-(2x2) surface
Z. Zhang; K. Sumitomo; H. Omi; T. Ogino; A. Natori
Phys. Rev. Lett., 88巻, 掲載ページ 256101-1 - 256101-4, 出版日 2002年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Au-Si bonding on Si(111) surfaces
M. Murayama; T. Nakayama; A. Natori
Jpn. J. Appl. Phys., 社団法人応用物理学会, 40巻, 12号, 掲載ページ 6976-6979, 出版日 2002年, 査読付, To investigate the Au–Si bonding feature on Si(111) surfaces, surface energy calculations have been performed for $1 \times 1$- and $\sqrt{3} \times \sqrt{3}$-Au/Si(111) systems by the first-principles method in a local density approximation. It was found that the Au overlayer considerably stabilizes the Si(111) surface. By analyzing the changes in the surface energy and the charge density at various Au positions on the surface, it was shown that the large electronegativity of Au produces covalent-like Au–Si bonds by either terminating dangling bonds of surface Si or inducing the charge transfer from Si–Si to Au–Si bonds, both of which promote surface stabilization and determine the Au overlayer height on Si(111) surfaces.
研究論文（学術雑誌）, 英語

New structure model for the GaAs(001)-c(4x4) surfaces
A. Ohtake; J. Nakamura; S. Tokumoto; N. Koguchi; A. Natori
Phys. Rev. Lett., 89巻, 掲載ページ 206102-1-206102-4, 出版日 2002年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Strain effect on surface melting of Si(111)
A Natori; H Harada; NJ Wu; H Yasunaga
APPLIED SURFACE SCIENCE, 169巻, 掲載ページ 20-24, 出版日 2001年01月
研究論文（学術雑誌）, 英語

Charged magnetoexcitons in parabolic quantum dots II
A.Natori; S.Ohnuma; N.H.Quang
Jpn. J. Appl. Phys., 40巻, 掲載ページ 1951-1954, 出版日 2001年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Surface electromigration of In on vicinal Si(001)
K Sakamoto; NJ Wu; A Natori; H Yasunaga
APPLIED SURFACE SCIENCE, 169巻, 掲載ページ 480-484, 出版日 2001年01月
研究論文（学術雑誌）, 英語

Surface electromigration of Au ultrathin film on MoS2
NJ Wu; S Shimizu; MT Hermie; K Sakamoto; A Natori; H Yasunaga
APPLIED SURFACE SCIENCE, 169巻, 掲載ページ 485-488, 出版日 2001年01月
研究論文（学術雑誌）, 英語

Electronic Structure of root 3 x root 3-Au/Si(111) surfaces
M.Murayama; T.Nakayama; A.Natori
Surf.Sci., 493巻, 掲載ページ 626-632, 出版日 2001年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Dimer buckling dynamics in the vicinity of missing dimers on Si(111) surfaces
M.Osanai; H.Yasunaga; A.Natori
Surf. Sci., 493巻, 掲載ページ 319-324, 出版日 2001年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Charged magnetoexcitons in parabolic quantum dots
NH Quang; S Ohnuma; A Natori
PHYSICAL REVIEW B, 62巻, 19号, 掲載ページ 12955-12962, 出版日 2000年11月
研究論文（学術雑誌）, 英語

Ordering dynamics of anisotropic missing dimer clusters on Si(001) surfaces
T Kawabe; A Natori
SURFACE SCIENCE, 462巻, 1-3号, 掲載ページ 181-186, 出版日 2000年08月
研究論文（学術雑誌）, 英語

Electronic structures and the charge transfer of Au overlayer on Si（111）surfaces
M.Murayama; T.Nakayama; A.Natori
Appl. Surf. Sci., 159巻, 掲載ページ 45-49, 出版日 2000年06月
研究論文（学術雑誌）, 英語

Novel transition mechanism of surface electromigration induced step structure on vicinal Si(111) surfaces
N.Suga; J.Kinpara; Nan-Jian Wu; H.Yasunaga; A.Natori
Jpn. J. Appl. Phys., 39巻, 掲載ページ 4412-4416, 出版日 2000年
英語

Frustrated nanodomains on O/Cu(100)
Y.Ishimaru; Nan-Jian Wu; H.Yasunaga; A.Natori
Jpn. J. Appl. Phys., 39巻, 掲載ページ 4417-4420, 出版日 2000年
英語

Surface melting of vicinal Si（111）surfaces
A. Natori; H. Harada
Surf. Sci., 438巻, 1-3号, 掲載ページ 162-172, 出版日 1999年09月
研究論文（学術雑誌）, 英語

Stability of anisotropic missing dimer clusters on Si（001） surfaces
A. Natori; T. Kawabe
Surf. Sci., 433巻, 掲載ページ 600-604, 出版日 1999年08月
研究論文（学術雑誌）, 英語

Magnetic-Field Induced Transitions of Many-Electron States in Quantum Dots
A. Natori; D. Nakamura
Jpn. J. Appl. Phys., 38巻, 掲載ページ 380-383, 出版日 1999年
英語

Decay process of a crater/hillock and step structure transformation
A Natori; M Murayama; D Matsumoto; H Yasunaga
SURFACE SCIENCE, 409巻, 2号, 掲載ページ 160-170, 出版日 1998年07月
研究論文（学術雑誌）, 英語

Interface atomic structures in alkali halides heteroepitaxy
A Natori; K Toda; A Tanaka; H Yasunaga
APPLIED SURFACE SCIENCE, 130巻, 掲載ページ 616-622, 出版日 1998年06月
研究論文（学術雑誌）, 英語

Magnetic field effects on anisotropic quantum dots
A. Natori; Y. Sugimoto; M. Fujito
Jpn. J. Appl. Phys., 36巻, 掲載ページ 3960-3963, 出版日 1997年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Capacitance of anisotropic quantum dpts
A. Natori; M. Fujito; H.Yasunaga
Superlattices and Microstructures, 22巻, 掲載ページ 137-142, 出版日 1997年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Many-electron ground states in anisotropic quantum dots
M.Fujito; A.Natori; H.Yasunaga
Physical Review B, 53巻, 15号, 掲載ページ 9952, 出版日 1996年
研究論文（学術雑誌）, 英語

Heteroepitaxy of KCl on KBr Substrates
A,Natori; A.Tanaka; H.Yasunaga
Thin Solid Films, 281-282巻, 掲載ページ 39, 出版日 1996年
研究論文（学術雑誌）, 英語

Atomic Structures of Ag on √3×√3 Ag/Si((]G0003[)) and on 7×7 Si((]G0003[))
A.Natori; M.Murayama; H.Yasunaga
Surface Science, 357-358巻, 掲載ページ 47, 出版日 1996年
研究論文（学術雑誌）, 英語

Atomic structure and atomic dynamics on "1×1" Si(111) at high temperatures
A.Natori; T.Suzuki; H.Yasunaga
Surf. Sci., 367巻, 掲載ページ 56, 出版日 1996年
研究論文（学術雑誌）, 英語

Step structure transformation induced by DC on vicinal Si(111)
A. Natori
Jpn. J. Appl. Phys., 33巻, 掲載ページ 3538-3544, 出版日 1994年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Surface diffusion on a stepped surfaces
A. Natori; R. W. Godby
Phys. Rev. B, 47巻, 掲載ページ 15816-15822, 出版日 1993年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Surface-electromigration-induced step structure transition on Si(111) vicinal surfaces
A. Natori
The step structure transition between a regular step and a bunched step on vicinal Si (111) surfaces induced by DC is studied by the kinetic Monte Carlo simulation in a terrace-adatom-step-kink (TASK) model of a vicinal surface. In the TASK model, effective force due to DC is taken into account explicitly on both diffusion process of Si adatoms and capture/emission process at a step edge. In the capture-limited regime, step bunching is induced by stepdown force and a regular step is formed by step-up force, corresponding to the experimental temperature range I. In the diffusion-limited regime, step bunching is induced by step-up force and in-phase wandering is induced on a regular step by step-down force, corresponding to the experimental temperature range II. The relation of the two regimes with "non-transparent" and "transparent" conditions at step edges is discussed., 日本結晶成長学会, 出版日 2002年, 日本結晶成長学会誌, 29巻, 1号, 掲載ページ 44-49, 英語, 査読付, 記事・総説・解説・論説等（その他）, 0385-6275, 110002715521, AN00188386

表面物性工学ハンドブック
小間篤; 青野正和; 石橋幸治; 塚田捷; 常行真司; 長谷川修司; 八木克道; 吉信淳 編
日本語, 共著, 1.7.1 モンテカルロシミュレーション、14.4.1 表面エレクトロマイグレーション(理論）、14.4.3 エレクトロマイグレーションによるステップ再配列（理論）, 丸善, 出版日 2007年

電子材料ハンドブック
木村忠正; 八百隆文; 奥村次徳; 豊田太郎
日本語, 共著, １．４ 固体の伝導寄稿, 朝倉書店, 出版日 2006年

「半導体大辞典」2.3 表面現象
名取晃子
日本語, 共著, 工業調査会, 出版日 2000年

"Advances in the understanding of crystal growth mechanisms" Step structure of Si(111) vicinal surfaces
A.Natori
英語, 共著, North-Holland, 出版日 1997年

表面科学シリーズ２「表面における理論Ｉ」６-１節 モンテカルロ法
名取晃子
日本語, 共著, 丸善, 出版日 1995年

「結晶成長ハンドブック」5.1.3 テラスにおける表面拡散
名取晃子
日本語, 共著, 共立出版, 出版日 1995年

"Metal-semiconductor interfaces" 2.2 Formation of metal-overlayer on semiconductors by surface electromigration
A.Natori; H.Yasunaga
英語, 共著, Ohmsha, 出版日 1995年

電子工学初歩シリーズ「半導体物性」
名取晃子
日本語, 培風館, 出版日 1995年

「電磁気学」第１章 静電界
名取晃子
日本語, 共著, 近代科学社, 出版日 1993年

Half-metallic states of Mn atomic wires on GaAs(110)
M.Hirayama; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, Int. Sympo. on Surface Science and Nanotechnology
発表日 2008年11月

First-principles evaluation of the polytype-dependence of the local dielectric constant for SiC
K.Sato; JY.Iwasaki; S.Wakui; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, Int. Sympo. on Surface Science and Nanotechnology
発表日 2008年11月

Conductivity and dielectric constant of anisotropic CNT/polymer composites
Y.Hazama; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, Int. Sympo. on Surface Science and Nanotechnology
発表日 2008年11月

Dielectric constant of the ultra-thin La2O3 (0001) film
R.Yanai; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, Int. Sympo. on Surface Science and Nanotechnology
発表日 2008年11月

Structural stability and cohesive properties of the oxygen-adsorbed graphene
S.Eguchi; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, Int. Sympo. on Surface Science and Nanotechnology
発表日 2008年11月

GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態と電子状態
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 第２８回表面科学学術講演会
発表日 2008年11月

HfO2超薄膜の誘電特性
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 第２８回表面科学学術講演会
発表日 2008年11月

カーボンナノチューブ分散媒質の異方的電気伝導特性
狭間裕一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 第２８回表面科学学術講演会
発表日 2008年11月

Si(111)-(7x7)表面上の銀クラスター形成過程の計算機シミュレーション
千葉朋; 冷清水裕子; 泉水一鉱; 須藤彰三; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 第２８回表面科学学術講演会
発表日 2008年11月

La2O3(0001)超薄膜の誘電特性
谷内良亮; 涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 第２８回表面科学学術講演会
発表日 2008年11月

酸素吸着グラフェンの積層構造の構造安定性と凝集性質
江口俊輔; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 第２８回表面科学学術講演会
発表日 2008年11月

GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子ワイヤの原子配置とスピン・電子状態
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 第６９回応用物理学会学術講演会
発表日 2008年09月

HfO2超薄膜の局所誘電率プロファイル
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 第６９回応用物理学会学術講演会
発表日 2008年09月

Si(111)-(7x7)表面上の銀クラスター形成過程の計算機シミュレーション
千葉朋; 冷清水裕子; 岩泉一鉱; 須藤彰三; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 第６９回応用物理学会学術講演会
発表日 2008年09月

La2O3(0001)超薄膜の誘電特性
谷内良亮; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 第６９回応用物理学会学術講演会
発表日 2008年09月

SiC結晶多形の誘電率：第一原理計算による積層構造依存性評価
佐藤耕平; 岩崎雄一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 第６９回応用物理学会学術講演会
発表日 2008年09月

グラフェンリボンのバリスティック熱コンダクタンス
山口翔; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会２００８年秋季大会
発表日 2008年09月

GaAs(110)表面上のGa置換MNワイヤの原子配置とスピン・電子状態
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会２００８年秋季大会
発表日 2008年09月

異方的な超微粒子分散媒質の高周波電気伝導特性
狭間裕一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会２００８年秋季大会
発表日 2008年09月

酸化グラフェン積層物質の構造安定性
江口俊輔; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会２００８年秋季大会
発表日 2008年09月

ナノスケールSiO2/Si界面の局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響
涌井貞一; 谷内良亮; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 特定領域研究「ポストスケール」第２回成果報告会
発表日 2008年08月

ＳｉＯ２／Ｓｉ（００１）界面におけるナノスケール誘電特性の第一原理計算
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 物理学会第６３回年次大会
発表日 2008年03月

ＳｉＯ２薄膜中の欠陥近傍における局所誘電率の異常増大
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 第５５回応用物理学関係連合講演会
発表日 2008年03月

ナノスケールＳｉＯ２／Ｓｉ界面の電子状態と局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 特定領域研究「シリコンナノエレクトロニクスの新展開」第2回成果報告会
発表日 2008年03月

不純物ドープＳｉ（１１１）表面のＳＴＭ像の第一原理計算：ＳＴＭ像の不純物原子種依存性
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会第６３回年次大会
発表日 2008年03月

多谷半導体中のＤ＾－基底状態：磁場効果
井上純一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会第６３回年次大会
発表日 2008年03月

ナノスケールの摩擦機構：ティップサイズ効果
五十嵐正典; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会第６３回年次大会
発表日 2008年03月

不純物ドープＳｉ（１１１）表面のＳＴＭ像の第一原理計算
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 第５５回応用物理学関係連合講演大会
発表日 2008年03月

Dielectric properties of the interface between Si and SiO2
S. Wakui; J. Nakamura; A. Natori
口頭発表（一般）, 英語, 35-th Conf. on the Physics and Semiconductor Interfaces
発表日 2008年01月

Atomic-scale friction of nanometer-sized contacts
M.Igarashi; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, 14th Int. Conf. on Solid Films and Surfaces
発表日 2008年

Anomalous enhancement of the local dielectric constant near defects in SiO2
S.Wakui; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, 14th Int. Conf. on Solid Films and Surfaces
発表日 2008年

Polytype depndence on permittivity of SiC
J.Nakamura; Y.Iwasaki; S.Wakui; A.NAatori
口頭発表（一般）, 英語, 14th Int. Conf. on Solid Films and Surfaces
発表日 2008年

First-principles calculation on STM images for subsurface dopants: tip-induced band-bending and dependence on dopant species
M.Hirayama; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, 14th Int. Conf. on Solid Films and Surfaces
発表日 2008年

ナノスケールＳｉＯ２／Ｓｉ界面の電子状態と局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 特定領域研究「シリコンナノエレクトロニクスの新展開」第３回全体会議,特定領域研究「シリコンナノエレクトロニクスの新展開」第３回全体会議
発表日 2007年12月

ナノスケールＳｉＯ２／Ｓｉ界面の電子状態と局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 特定領域研究「シリコンナノエレクトロニクスの新展開」 第３回全体会議
発表日 2007年12月

Si量子ドットの多電子基底状態
枡日向; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 第２７回表面科学講演大会,第２７回表面科学講演大会
発表日 2007年11月

Mechanism of velocity saturation and lateral resonance in atomic-scale sliding friction
M.Igarashi; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, IVC-17/ICSS-13 and ICN+T 2007
発表日 2007年07月

First-principles calculations on STM images for subsurface dopanats
M.Hirayama; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, IVC-17/ICSS-13 and ICN+T 2007
発表日 2007年07月

Structural bistability of the oxygen-adsorbed graphene sheet
J.Nakamura; J.Ito; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, IVC-17/ICSS-13 and ICN+T 2007
発表日 2007年07月

SiO2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-,ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-
発表日 2007年02月

ac conductivity and dielectric constant of conductor-insulator composites
Y.Koyama; T.B.Murtanto; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, Polytronic 2007,Polytronic 2007
発表日 2007年01月

第一原理計算によるSiO2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会2007年春季大会,日本物理学会2007年春季大会
発表日 2007年

不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会2007年春季大会,日本物理学会2007年春季大会
発表日 2007年

酸素吸着グラフェンの構造双安定性の第一原理計算
伊藤潤; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会2007年春季大会,日本物理学会2007年春季大会
発表日 2007年

SiO2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 第54回応用物理学関係連合講演会,第54回応用物理学関係連合講演会
発表日 2007年

Si(111)水素終端表面近傍不純物のSTMシミュレーション：不純物種依存性と探針誘起バンドベンディング
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 第54回応用物理学関係連合講演会,第54回応用物理学関係連合講演会
発表日 2007年

グラフェンのバリスティック熱伝導特性
齋藤浩一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会第６２回年次大会
発表日 2007年

Dielectric properties of the interface between Si and SiO2
S. Wakui; J. Nakamura; A. Natori
口頭発表（一般）, 英語, 5th Int. Sympo. on Control of Semiconductor Interfaces
発表日 2007年

ナノスケールＳｉＯ２／Ｓｉ界面の電子状態と局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 特定領域研究「シリコンナノエレクトロニクスの新展開」第２回全体会議
発表日 2007年

Dielectric discontinuity at a stacking fault in Si(111)
J. Nakamura; A. Natori
口頭発表（一般）, 英語, 33rd Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-33)
発表日 2006年12月

Si(111)双晶境界近傍の局所的誘電率変化
中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会第61回年次大会
発表日 2006年03月

縦型2重量子ドットのスピン結合と磁場制御
枡日向; 山田太一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会第61回年次大会
発表日 2006年03月

第一原理計算による極薄膜Al/Si界面の検討：界面水素終端の影響
清水共; 名取研二; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 第53回応用物理学関係連合講演会
発表日 2006年03月

2次元シリコン化合物の原子構造と電子状態
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会第60回年次大会
発表日 2006年03月

First-principles evaluations of dielectric constants
J. Nakamura; S. Wakui; A. Natori
口頭発表（一般）, 英語, International Workshop on Nano CMOS
発表日 2006年01月

First-principles calcualtion of dielectric constants for ultrathin SiO2 films
S. Wakui; J. Nakamura; A. Natori
口頭発表（一般）, 英語, 33rd Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor interfaces (PCSI-33)
発表日 2006年01月

Dielectric discontinuity at a twin boundarary in Si(111)
J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, ICPS-28
発表日 2006年

Carge correlation and spin coupling in double quantum dots
H.Masu; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, ICPS-28
発表日 2006年

Dielectric properties for ultra-thin films of the polytypes of SiC
J. Nakamura; A. Natori
口頭発表（一般）, 英語, 表面科学会,ISSS-4
発表日 2005年12月

Controlling the spin coupling in double quantum dots
H. Masu; J. Nakamura; A. Natori
口頭発表（一般）, 英語, 表面科学会,ISSS-4
発表日 2005年12月

First-principles calculations of dielectric constants for ultrathin SiO2 films
S. Wakui; J. Nakamura; A. Natori
口頭発表（一般）, 英語, 表面科学会,ISSS-4
発表日 2005年12月

Electronic and magnetic properties of BNC ribbons
T. Nitta; J. Nakamura; A. Natori
口頭発表（一般）, 英語, 表面科学会,4th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4)
発表日 2005年11月

Atomic scale mechanism of friction
S. Wakunami; J. Nakamura; A. Natori
口頭発表（一般）, 英語, 表面科学会,ISSS-4
発表日 2005年11月

Structural stabilities and electronic properties of planar Si Compounds
M. Hirayama; J. Nakamura; A. Natori
口頭発表（一般）, 英語, 表面科学会,ISSS-4
発表日 2005年11月

First-principles calculations on adsorption and diffusion of oxygen atoms on graphen sheets
J. Ito; J. Nakamura; A. Natori
口頭発表（一般）, 英語, 表面科学会,ISSS-4
発表日 2005年11月

First-principles evaluations of dielectric constants for ultra-thin semiconducting films
J. Nakamura; A. Natori
口頭発表（一般）, 英語, 23rd European Conference on Surface Science (ECOSS-23)
発表日 2005年09月

Friction mechanism in atomic-scale
S. Wakunami; J. Nakamura; A. Natori
口頭発表（一般）, 英語, ECOSS-23
発表日 2005年09月

Ga- and As-rich Limit of surface reconstruction on GaAs(001)
A. Ohtake; P. Kocan; K. Seino; W. G. Schmidt; J. Nakamura; A. Natori
口頭発表（一般）, 英語, ECOSS-23
発表日 2005年09月

グラフェンシートの酸素吸着と拡散の第一原理計算
伊藤潤; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会2005年秋季大会
発表日 2005年09月

SiC多形超薄膜の誘電特性
中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会2005年秋季大会
発表日 2005年09月

原子レベルの摩擦機構
湧波信弥; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会2005年秋季大会
発表日 2005年09月

SiO2超薄膜の誘電特性
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会2005年秋季大会
発表日 2005年09月

Spatial variation in dielectric constant at surfaces of hydrogen-terminated ultra-thin Si(111) films
J. Nakamura; A. Natori
口頭発表（一般）, 英語, 8th International Conference on the Structure of Surfaces (ICSOS-8)
発表日 2005年07月

Electronic and magnetic properties of BNC ribbons
T. Nitta; J. Nakamura; A. Natori
口頭発表（一般）, 英語, ICSOS-8
発表日 2005年07月

Two types of surface atomic structures for As-rich GaAs(001)-c(4x4)
A. Ohtake; P. KOcan; J. Nakamura; A. Natori; N. Koguchi
口頭発表（一般）, 英語, ICSOS-8
発表日 2005年07月

Friction in atomic scale
S. Wakunami; J. Nakamura; A. Natori
口頭発表（一般）, 英語, 13th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techiniques (STM05)
発表日 2005年07月

第一原理計算を用いた誘電率評価方法の開発とその超薄膜への応用
中村淳; 涌井貞一; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, シンポジウム「来るべきナノCMOS時代に向けての挑戦とその課題」
発表日 2005年04月

第一原理計算による超薄膜Al/Si(001)界面の検討：Si面方位依存性
清水共; 名取研二; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 第52回応用物理学関係連合講演会
発表日 2005年03月

BNリボンの磁性II
新田敏浩; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会第60回年次大会
発表日 2005年03月

Dielectric properties of ultra-thin SiC films
J. Nakamura; H. Ozawa; A. Natori
口頭発表（一般）, 英語, 32rd Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-32)
発表日 2005年01月

Structural stability for Si(001) and Ge(001) in external electric fields
J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, The 12th Int. Colloquim on Scanning Probe Microscopy (ICSPM-12)
発表日 2004年

Energy barrier for dimer flipping at the Si(001)-2x1 surface in external electrostatic fields
J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, 27th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (ICSPS-27)
発表日 2004年

Dielectric properties of ultra-thin films
J.Nakamura; S.Ishihara; H.Ozawa; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, ICPS-27
発表日 2004年

Atomic scale friction mechanism
S.Wakunami; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, 16th Int. Vacuum Congress (IVC-16)
発表日 2004年

Energy barrier for dimer flipping at Si(001)-2x1 in external electric fields
J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, IVC-16
発表日 2004年

Si/SiO2のバンドオフセットの第一原理計算
渡会雅敏; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 第２２回表面科学講演大会
発表日 2002年11月

Electronic properties in nano-structures
A. Natori
その他, 英語, The School on simulation and modeling physics
発表日 2002年11月

SiO2超薄膜のトンネル特性
渡会雅敏; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会２００２年秋季大会
発表日 2002年09月

２重量子ドットの多粒子状態
瀬下裕也; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会２００２年秋季大会
発表日 2002年09月

Dynamics of c(4x2) phase-transition in Si(100) surafces
M. Osanai; A. Natori; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 11th Int. Conf. on Solid Films and Surfaces
発表日 2002年07月

Structural stability of the Ge/Si(113)-2x2 surface
J. Nakamura; A. Natori; Z. Zhang; K. Sumitomo; H. Omi; T. Ogino
その他, 英語, 第5回成長表面・界面の動的挙動と原子スケールシミュレーション研究会
発表日 2002年03月

Ge/Si(113)-2x2の再構成表面構造
住友弘二; Z. Zhang; 中村淳; 尾身博雄; 名取晃子; 荻野俊郎
口頭発表（一般）, 日本語, 第49回応用物理学関係連合講演会
発表日 2002年03月

不均一表面層の2端子間2次元電流分布
名取晃子; 伊藤哲朗; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会第57回年次大会
発表日 2002年03月

Si(100)面のダイマーバックリングダイナミクス
長内理尚; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会 第57回年次大会
発表日 2002年03月

Ｓｉ／ＳｉＯ２のバンドオフセットの第一原理計算
渡会雅敏; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 第８回「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会
発表日 2002年

２重量子ドットのスピン結合制御
瀬下裕也; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会第５８回年次大会
発表日 2002年

Atomic structure of Ge/Si(113)-2x2 reconstruction
Z. Zhang; K. Sumitomo; J. Nakamura; H. Omi; A. Natori; T. Ogino
口頭発表（一般）, 英語, 9-th Int. Colloq. Scanning Probe Microscopy and Asian SPM(4)
発表日 2001年12月

Ge/Si(113)-2x2表面の構造安定性
中村淳; Z. Zhang; 住友弘二; 尾身博雄; 荻野俊郎; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会2001年秋季大会
発表日 2001年09月

Dimer buckling dynamics in the vicinity of missing dimers on Si(100) surfaces
M. Osanai; A. Natori
口頭発表（一般）, 英語, 13-th Int. Conf. Crystal Growth/11-th Int. Conf. Vapor Growth and Epitaxy
発表日 2001年07月

In-phase step wandering on vicinal Si(111) surfaces
A. Natori; N. Suga
口頭発表（一般）, 英語, 8-th Int. Conf. Formation of Semiconductor Interfaces
発表日 2001年06月

Photouminescence of charged magneto-excitons in InAs single quantum dots
A. Natori; S. Ohnuma; N. H. Quang
口頭発表（一般）, 英語, 8-th Int. Conf. Formation of Semiconductor Interfaces
発表日 2001年06月

日本表面科学会

応用物理学会

日本物理学会