工学博士（東京工業大学 1983）, 東京工業大学

工学修士(東京工業大学 1976), 東京工業大学

化合物半導体デバイス

5G/6G 無線通信

マイクロ波ミリ波

軌道角運動量

無線電力伝送

アンテナ

電力増幅器

集積回路

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電子デバイス、電子機器

2017年04月 - 現在
電気通信大学, 名誉教授

2017年04月 - 現在
電気通信大学, 先端ワイヤレスコミュニケーション研究センター, 客員教授

2016年04月 - 2017年03月
電気通信大学, 情報理工学研究科, 研究科長

2015年04月 - 2017年03月
（兼）宇宙科学研究所, 宇宙機応用工学研究系, 客員教授

2001年04月 - 2017年03月
電気通信大学, 情報通信工学専攻, 教授

2014年04月 - 2016年03月
電気通信大学, 情報理工学研究科・情報理工学部, 研究科長・学部長併任

2009年04月 - 2011年03月
電気通信大学, 先端ワイヤレスコミュニケーション研究センター(AWCC), センター長

1999年04月 - 2003年03月
（兼）青山学院大学, 非常勤講師

1999年07月 - 2001年03月
日本電気㈱, システムデバイス基礎研究本部, 主席研究員

1997年07月 - 2000年03月
（兼）電気通信大学, 客員教授

1993年07月 - 1999年06月
日本電気㈱マイクロエレクトロニクス研究所, 超高速デバイス研究部長

1994年04月 - 1995年03月
（兼）東北大学, 電気通信研究所, 非常勤講師

1987年07月01日 - 1993年06月30日
日本電気㈱マイクロエレクトロニクス研究所, 研究課長

1976年04月 - 1987年06月
日本電気㈱中央研究所電子デバイス研究部, 研究員

1974年04月 - 1976年03月
東京工業大学大学院, 理工学研究科, 電子物理工学専攻, 日本国

1970年04月 - 1974年03月
電気通信大学, 電気通信学部, 電波通信学科, 日本国

2019年06月 - 現在
名誉顧問, 電子情報通信学会APMC国内委員会, 学協会

2015年06月 - 現在
顧問, 電子情報通信学会マイクロ波研究専門委員会, 学協会

2005年04月 - 2016年08月
電波利用料技術試験事務・研究開発の評価に関する会合委員, 総務省, 政府

2013年04月 - 2015年03月
APMC2014組織委員, 電子情報通信学会, 学協会

2006年04月 - 2015年03月
電子情報学会ハンドブック委員会幹事長, 電子情報通信学会, 学協会

2011年01月 - 2012年12月
IEEE MTT-S Japan Chapter Chair, IEEE

2009年05月 - 2011年04月
マイクロ波研究専門委員長, 電子情報通信学会, 学協会

2010年06月 - 2010年07月
最先端・次世代研究開発書面審査委員, 日本学術振興会, 政府

1998年01月 - 2006年12月
MTT-S Technology Coordinating Committee Member, IEEE, 学協会

2003年04月 - 2005年03月
APMC国内委員長, 電子情報通信学会, 学協会

2003年01月 - 2003年12月
MTT-S Meeting and Symposia Committee Vice Chair, IEEE, 学協会

1999年01月 - 2003年12月
MTT-S Transnational Committee Chair, IEEE, 学協会

1998年01月 - 2003年12月
MTT-S IMS Technical Program Committee Member, IEEE, 学協会

1998年01月 - 2003年12月
Elected Administrative Committee Member of Microwave Theory and Thechniques Society, IEEE

2002年10月 - 2003年08月
英文論文誌特集号編集委員長(APMC2002特集号）, 電子情報通信学会, 学協会

2000年04月 - 2003年03月
APMC2002プログラム委員長, 電子情報通信学会, 学協会

2000年05月 - 2002年04月
Microwave Research Group Secreary, IEICE

2000年05月 - 2002年04月
APMC2002 Program Committee Chair, IEICE

1999年01月 - 2000年12月
Vice Chair of Transnatinal Committee for Microwave Theory and Thechniques Society, IEEE

1999年10月 - 2000年09月
SSDMサブコミッティ チェア, 応用物理学会, 学協会

1997年01月 - 1999年03月
APMC98実行委員会総務委員長, 電子情報通信学会, 学協会

1995年05月 - 1997年04月
マイクロ波研究専門員会幹事, 電子情報通信学会, 学協会

1996年01月 - 1996年12月
英文論文誌特集号編集委員長, 電子情報通信学会, 学協会

1995年05月 - 1996年04月
Secretary, Microwave Research Group, IEICE

1993年01月 - 1995年12月
MTT-S Microwave and Millimeterwave Integrated Circuit Symposium Steering Committee Member, IEEE, 学協会

1993年01月 - 1995年12月
Treasurer of Microwave Theory and Thechniques Society, Japan Chapter, IEEE

1993年01月 - 1995年12月
Steering Committee Member of Microwave and Millimeterwave Integrated Circuit Symposium, IEEE

1993年05月 - 1995年03月
APMC1994プログラム委員会幹事, 電子情報通信学会, 学協会

1993年01月 - 1993年12月
MWE93TPC委員長, 電子情報通信学会, 学協会

1992年01月 - 1992年12月
英文論文誌特集号編集委員長(ヘテロ接合デバイス特集号）, 電子情報通信学会, 学協会

1989年12月 - 1992年12月
Technical Program Committee Member of Microwave and Millimeterwave Monolithic Circuit Symposium, IEEE

1988年12月 - 1992年12月
MTT-S Microwave and Millimeterwave Integrated Circuit Symposium Technical Program Committee Member, IEEE, 学協会

1987年05月 - 1991年04月
マイクロ波研究専門委員, 電子情報通信学会, 学協会

1989年05月 - 1991年03月
APMC1990プログラム委員会幹事, 電子情報通信学会, 学協会

受賞日 2019年12月
IEEE
For the contribution of paper entitled "Harmonic-Tuned High-Efficiency GaN HEMT Doherty Power Amplifier Based on Two-Power-Level Impedance Optimization
APMC 2019 Prize (Best Paper Award), T.Seshimo;Y.Takayama;R.Ishikawa;K.Honjo
国際学会・会議・シンポジウム等の賞, シンガポール共和国

受賞日 2017年01月
IEEE
Life Fellow, 本城和彦
学会誌・学術雑誌による顕彰, アメリカ合衆国

受賞日 2016年09月
電子情報通信学会
”マイクロ波高効率電力増幅器の統一的設計理論”
招待論文賞, 本城和彦, 高山洋一郎, 石川亮
学会誌・学術雑誌による顕彰, 日本国

受賞日 2012年05月
エレクトロニクス実装学会
”高密度実装回路のモデル化”
論文賞, 井上博文;本城和彦
学会誌・学術雑誌による顕彰, 日本国

受賞日 2008年09月
電子情報通信学会
"マイクロ波半導体回路の高性能化および集積回路化への貢献”
電子情報通信学会フェロー, 本城和彦
学会誌・学術雑誌による顕彰, 日本国

受賞日 2005年03月
電子情報通信学会
"マイクロ波研究専門委員会活動への貢献"
エレクトロニクスソサエティ功労感謝状, 本城和彦
国内学会・会議・シンポジウム等の賞, 日本国

受賞日 2004年06月
米国電気電子学会
"International Volunteer Activities for Microwave Society as an Elected AdCom"
IEEE MTT-S Meritorious Service Award, Kazuhiko Honjo
国際学会・会議・シンポジウム等の賞, アメリカ合衆国

受賞日 2001年12月
武田科学振興財団
"マイクロ波高効率電力増幅器"
武田研究奨励賞優秀賞, 本城和彦
出版社・新聞社・財団等の賞, 日本国

受賞日 1999年09月
電子情報通信学会
”マイクロ波GaAs FET, HBTの研究開発”
エレクトロニクスソサエティ賞, 本城和彦
学会誌・学術雑誌による顕彰, 日本国

受賞日 1997年01月
米国電気電子学会
"For contributions to the development of gallium-arsenide integrated circuits"
IEEE Fellow, Kazuhiko Honjo
学会誌・学術雑誌による顕彰, アメリカ合衆国

受賞日 1989年12月
日本電気株式会社
"プロセス・デバイス解析システム開発・実用化"
顕功賞一級, 本城和彦 他14名
その他の賞, 日本国

受賞日 1988年05月
米国電気電子学会
"X-band Analog frequency divider for PLL: The most significant contribution to microwave society in 1988"（2回目）
IEEE MTT-S Microwave Prize, Mohamad Madihian, Kazuhiko Honjo
国内外の国際的学術賞, アメリカ合衆国

受賞日 1983年06月
米国電気電子学会
"Ultra-Broadband Amplifier :The most significant contribution to microwave society in 1983"
IEEE MTT-S Microwave Prize, Kazuhiko Honjo, Yoichiro Takayama
国内外の国際的学術賞, アメリカ合衆国

受賞日 1980年03月
電子情報通信学会
”マイクロ波高出力内部整合GaAs FETの研究開発”
学術奨励賞, 本城和彦
国内学会・会議・シンポジウム等の賞, 日本国

受賞日 1979年11月
日本電気株式会社
”砒化ガリウム電界効果トランジスタの開発・量産化”
社長特別賞, 本城和彦, 高山洋一郎 他34名
その他の賞, 日本国

Multi-Point OAM Communication by Beamsteering Using Loop Antenna Array Displaced from Focus of Paraboloid
Kanki Kitayama; Akira Saitou; Kazuhiko Honjo; Ryo Ishikawa
Proceedings of the 2023 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC2023),, 出版日 2023年12月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Extension of Transmission Distance via Dielectric-Lens Repeater for OAM Multiplexing Communications
Kaito Uchida; Akira Saitou; Kazuhiko Honjo; Ryo Ishikawa
Proceedings of the 2023 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC2023),, 出版日 2023年12月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

28-GHz-band Loop Antenna Arrays Loaded with Varactor Diodes for OAM Beamsteering
Tsuyoshi Yoshida; Akira Saito; Kazuhiko Honjo; Ryo Ishikawa
Proceedings of the 2023 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC2023),, 出版日 2023年12月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Wide-Dynamic-Range High-Efficiency GaN HEMT Rectifier with Adaptive Gate Bias Controlling Rectifier
Taki Nagata; Jun Yamazaki; Kazuhiko Honjo; Ryo Ishikawa
Proceedings of the 2023 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC2023),, 出版日 2023年12月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Fully Integrated 28-GHz-Band GaN HEMT Outphasing Amplifier Designed by Considering Insertion Loss at Dual-Power-Level Optimization
Taiki Kobayashi; Kazuhiko Honjo; Ryo Ishikawa
Proceedings of the 2023 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC2023),, 出版日 2023年12月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Back-Off Expansion by Outphasing Combination with Simple Power Amplifiers for Quasi-Millimeter Wave Operation
Nao Ashizawa; Kazuhiko Honjo; Ryo Ishikawa
Proceedings of the 2022 Asia Pacific Microwave Conference, 掲載ページ 91-93, 出版日 2022年11月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Optimizations of Curvature of Concave Reflectors and Feed-Point Azimuths of Loop Antennas for Long-Range OAM Communication
Katsuya Ishihara; Akira Saitou; Kazuhiko Honjo; Ryo Ishikawa
Proceedings of the 2022 Asia Pacific Microwave Conference, 掲載ページ 393-395, 出版日 2022年11月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

DC-Feedback-Mode Transistor Rectifier/Voltage-Doubler Diode Rectifier for Negative Gate Biasing to Microwave Power Amplifiers
Taki Nagata; Kazuhiko Honjo; Ryo Ishikawa
Proceedings of the 2022 Asia Pacific Microwave Conference, 掲載ページ 446-448, 出版日 2022年11月, 査読付

DC Voltage Synthesis of 2.45-GHz-Band Sub-mW High-Efficiency Rectifier using Zero-Threshold GaAs HEMTs
Tsuyoshi Yoshida; Kazuhiko Honjo; Ryo Ishikawa
Proceedings of the 2022 Asia Pacific Microwave Conference, 掲載ページ 572-574, 出版日 2022年11月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Pattern synthesis of spatial eigenmodes exploiting spherical conformal array
Akira Saitou; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, IEICE Transactions on Communication, E105-B巻, 10号, 掲載ページ 1231-1239, 出版日 2022年10月01日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

The Outline and the Current Status of the Power Transmission System Development Project for the Realization of the SSPS
Kenji Sasaki; Hirotaka Machida; Koichi Ijichi; Osamu Kashimura; Kosei Ishimura; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo; Yuichiro Ozawa; Koji Tanak
73rd International Astronautical Congress (IAC), Paris, France, IAC-22-C3.2.4巻, 掲載ページ 1-7, 出版日 2022年09月18日, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

A 28-GHz-Band GaN HEMT MMIC Doherty Power Amplifier Designed by Load Resistance Division Adjustment
Ryo Ishikawa; Takuya Seshimo; Yoichiro Takayama; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, Proceedings of the 2021 European Microwave Conference, EuMC2021巻, 掲載ページ 241-244, 出版日 2022年04月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Mode Purity Evaluation for OAM Communication using Integrated Loop Antenna Array
Haruki Kikuchi; Akira Saitou; Wataru Wada; Hiroshi Suzuki; Kazuhiko Honjo; Ryo Ishikawa
Proceedings of the 2021 European Microwave Conference, EuMC2021巻, 掲載ページ 643-646, 出版日 2022年04月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

零しきい値 Si MOSFET を用いた 10 MHz 帯双方向無線給電システム
久米 鳳春,本城 和彦,石川 亮
電子情報通信学会和文論文誌, 電子情報通信学会, J105-C巻, 1号, 掲載ページ 28-36, 出版日 2022年01月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 日本語

A 4.5-GHz-Band Miniature Outphasing GaN HEMT MMIC Power Amplifier
Ryo Ishikawa; Yoichiro Takayama; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, Proceedings of the 2021 Asia Pacific Microwave Conference, APMC2021巻, 掲載ページ 106-108, 出版日 2021年11月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Doherty Amplifier Design Based on Asymmetric Configuration Scheme
Ryo Ishikawa; Yoichiro Takayama; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, IEICE Transactions on Electronics, 104-C巻, 10号, 掲載ページ 496-505, 出版日 2021年10月, 査読付, 招待
研究論文（学術雑誌）, 英語

A Novel GaN/SiC MMIC Gain Switch Using a Resonant Bidirectional FET Amplifier
Hiroshi Mizutani; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, Proceedings of the 2021 European Microwave Conference, EuMC 2021, EuMC2021巻, 掲載ページ 285-288, 出版日 2021年, 査読付, This paper presents a novel gain switch circuit using a resonant bidirectional field-effect transistor (FET) amplifier. The proposed switch circuit can provide insertion gain even at the millimeter-wave frequencies by using a resonant bidirectional FET amplifier. The fundamental operation of a single pole single throw (SPST) FET gain switch is successfully demonstrated as a GaN/SiC microwave monolithic integrated circuit (MMIC), which is a quite essential material to ensure the watt-class RF power handling capability for the transmission signal even at the millimeter-wave frequencies. It shows the insertion gain and isolation of 0.98 dB and 11.2 dB, respectively, at 25 GHz. Input power for 1-dB gain compression, P1dB, is around 6 dBm at 25 GHz. For further improvement of insertion gain and isolation, maximizing transconductance of FET and minimizing feedback capacitance by bias optimization and/or increasing stage number of a bidirectional amplifier are found to be efficient from principle analysis of the presented switch circuit. Furthermore, optimization of gate width and bias voltage improves power handling capability.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

High-Efficiency Asymmetric Doherty Power Amplifier with Spurious Suppression Circuit
Yuki Takagi; Naoki Hasegawa; Yoshichika Ohta; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, Proceedings of the 2020 European Microwave Conference (EuMC2020), 出版日 2021年01月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Input-Power-Synchronous Adaptively Biased Wide-Dynamic-Range High-Efficiency Rectifier with Zero-Threshold GaAs HEMTs
Jun Yamazaki; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, Proceedings of the 2020 European Microwave Conference (EuMC2020), 出版日 2021年01月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Loop Antenna Array System with Simultaneous Operation of OAM Multiplex Communication and Wireless Power Transfer
Wataru Wada; Ryo Ishikawa; Akira Saitou; Hisanosuke Miyake; Haruki Kikuchi; Hiroshi Suzuki; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, Proceedings of the 2020 European Microwave Conference (EuMC2020), 出版日 2021年01月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Investigation of Integration for OAM Communication Using Loop Antenna Array and Analysis of Alignment Tolerance for Practical Use
Haruki Kikuchi; Akira Saitou; Hisanosuke Miyake; Wataru Wada; Hiroshi Suzuki; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, Proceedings of the 2020 European Microwave Conference (EuMC2020), 出版日 2021年01月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

F級電力増幅器における高調波インピーダンス変換器の小型化
齋木研人; 田中愼一; 石川亮; 本城和彦
ラスト(シニア)オーサー, 電子情報通信学会和文論文誌, J104巻, 01号, 出版日 2021年01月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 日本語

A 3.9-GHz-Band Outphasing Power Amplifier with Compact Combiner Based on Dual-Power-Level Design for Wide-Dynamic-Range Operation
Ryoichi Ogasawara; Yoichiro Takayama; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, 2020 IEEE International Microwave Symposium, IMS2020巻, 出版日 2020年08月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Small-signal design consideration for two-dimensional change-over switch GaN MMICs
Hiroshi Mizutani, Ryo Ishikawa, Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, Japanese Journal of Applied Physics, 59巻, SG号, 掲載ページ SGGL07-1-SGGL07-9, 出版日 2020年01月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

A Novel Sub-6-GHz and 28-GHz GaN Switchable Diplexer MMIC for Carrier Aggregation with Massive MIMO Full Duplex Link
Hiroshi Mizutani; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, Proceedings of the 2019 Asia Pacific Microwave Conference, IEEE, 掲載ページ 1429-1431, 出版日 2019年12月, 査読付, This paper presents a novel sub-6-GHz and 28-GHz GaN switchable diplexer microwave monolithic integrated circuit (MMIC) for carrier aggregation (CA) with massive multiple-input multiple-output (MIMO) full-duplex (FD) link, which can mitigate self-interference (SI) in CA operation and can select antenna. The switchable diplexer MMIC is successfully demonstrated by 0.25-mu m GaN foundry process to ensure the high power handling capability in front-ends (FEs). The developed GaN switchable diplexer MMIC indicates the insertion losses of less than 2.0 dB and 2.5 dB at 3.7 Gib, and 4.5 GHz, respectively, with the isolation of more than 21.3 dB at 28.5 GHz. For another bias state, the isolations of more than 31.9 dB and 28.3 dB at 3.7 GHz and 4.5 GHz, respectively, with the insertion loss of 3.0 dB at 28.5 GHz are obtained. A developed GaN sub-6-GHz and 28-GHz switchable diplexer MMIC contributes to highspeed techniques such as CA with massive MIMO FD link for 5G and beyond 5G applications.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Harmonic-Tuned High-Efficiency GaN HEMT Doherty Power Amplifier Based on Two-Power-Level Impedance Optimization
Takuya Seshimo; Yoichiro Takayama; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, Proceedings of the 2019 Asia Pacific Microwave Conference, 出版日 2019年12月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

High Performance OAM Communication Exploiting Port-Azimuth Effect of Loop Antennas
Hiroto Otsuka; Ryohei Yamagishi; Akira Saitou; Hiroshi Suzuki; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, IEICE Transactions on Communication, E102-B巻, 12号, 出版日 2019年12月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

A 2.4 GHz-Band Enhancement-Mode GaAs HEMT Rectifier with 19% RF-to-DC Efficiency for 1 uW Input Power
Ryo Ishikawa; Tsuyoshi Yoshida; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, Proceedings of the 2019 European Microwave Conference (EuMC2019), 出版日 2019年10月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Proposal of a Novel SPDT Switch and Duplexer Dual Function Circuit
Hiroshi Mizutani; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, International Conference on Solid State Devices and Materials, 出版日 2019年09月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Class-F GaN HEMT amplifiers using compact CRLH harmonic tuning stubs designed based on negative order resonance modes
Shinichi TANAKA; Sota KOIZUMI; Ryo ISHIKAWA; Kazuhiko HONJO
ラスト(シニア)オーサー, IEICE Transactions on Electronics, 102-C巻, 10号, 掲載ページ 691-698, 出版日 2019年07月, 査読付, Copyright © 2019 The Institute of Electronics, Extremely compact harmonic tuning circuits for class-F amplifiers are realized using composite right-/left-handed (CRLH) transmission line stubs. The proposed circuits take up only a small fraction of the amplifier circuit area and yet are capable of treating four harmonics up to the 5th with a single stub or double stub configuration. This has become possible by using the negative order resonance modes of the CRLH TL, allowing for flexible and simultaneous control of many harmonics by engineering the dispersion relation of the stub line. The CRLH harmonic tuning stubs for 2-GHz amplifiers were realized using surface mounting chip capacitors, whereas the stub for 4-GHz amplifiers was fabricated based fully on microstrip-line technology. The fabricated 2-GHz and 4-GHz GaN HEMT class-F amplifiers exhibited peak drain efficiency and peak PAE of more than 83% and 74%, respectively.
研究論文（学術雑誌）, 英語

A High-efficiency DC-to-RF/RF-to-DC Conversion Module with Zero-threshold FET for Bidirectional Wireless Power Transfer
Takaharu Kume; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, PIERS 2019, Progress IN Electromsgnetics Research Symposium, 出版日 2019年06月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Anti-interference Circuit Conguration for Concurrent Dual-Band Operation in High-Efficiency GaNHEMT Power Amplier
Haruka Nishizawa; Yoichiro Takayama; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, Progress in Electromagnetics Research (PIER C), PIER C巻, 93号, 掲載ページ 199-209, 出版日 2019年06月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Advanced Mode Unity Using Loop Antennas Proximate to Reflector for Orbital Angular Momentum Communication
Ryohei Yamagishi; Hiroto Otsuka; Ryo Ishikawa; Akira Saitou; Hiroshi Suzuki; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, Proceedings of the 2018 Asia Pacific Microwace Conference, 出版日 2018年11月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

High-Performance Long-Range OAM Communication
Hiroto Otsuka; Ryohei Yamagishi; Ryo Ishikawa; Akira Saitou; Hiroshi Suzuki; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, Proceedings of the 2018 Asia Pacific Microwace Conference, 出版日 2018年11月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

GaN HEMT Darlington Power Amplifier with Independent Biasing for High-Efficiency Low-Distortion Wide-Dynamic-Range Adjustment
Atsushi Kitamura; Yoichiro Takayama; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, Proceedings of the 2018 Asia Pacific Microwace Conference, 出版日 2018年11月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Double Multiplicity Exploiting Orthogonal Polarizations of OAM-Wave for OAM Communication with Loop Arrays
Akira Saitou; Hiroto Otsuka; Ryohei Yamagishi; Ryo Ishikawa; Hiroshi Suzuki; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, Proceedings of the 2018 Asia Pacific Microwace Conference, 出版日 2018年11月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

18GHz-/28GHz-Band Gain-Boosted Feedback Power Amplifiers Using Affordable GaN HEMT MMIC Process
Tsukasa Yasui; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, Proceedings of the 2018 Asia Pacific Microwace Conference, 出版日 2018年11月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

A Novel Reconfigurable GaN Filter MMIC with Active Reflector
Hitoishi Mizutani; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, Proceedings of the 2018 Asia Pacific Microwace Conference, 出版日 2018年11月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

4.5-/4.9-GHz-Band Selective High-Efficiency GaN HEMT Power Amplier by Characteristic Impedance Switching
Kazuki Mashimo; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, IEICE Transactions on Electronics, 101-C巻, 10号, 掲載ページ 751-758, 出版日 2018年10月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Fully Integrated Asymmetric Doherty Amplifier Based on Two-Power-Level Impedance Optimization
Ryo Ishikawa; Yoichiro Takayama; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, Proceedings of the 48th European Microwave Conference (EuMC2018), 掲載ページ 1221-1224, 出版日 2018年09月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

GHz-Band High-Efficiency Rectifier Design Based on MHz-Band
Minato Machida; Ryo Ishikawa; Yoichiro Takayama; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, 2018 IEEE International Microwave Symposium (IMS), Th1B巻, 出版日 2018年06月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Second Harmonic Treatment Technique for Bandwidth Enhancement of GaN HEMT Amplifier with Harmonic Reactive Terminations
Jun Enomoto; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 65巻, 12号, 掲載ページ 4947-4952, 出版日 2017年12月, 査読付, Source and load impedance conditions for the second harmonics have a great influence on the efficiency of amplifiers. The bandwidth of high-efficiency operation is limited, since efficiency is drastically degraded due to a slight change in source-side second harmonic impedance from the optimum point. For this reason, to avoid steep efficiency degradation, a source-side second harmonic impedance control is introduced. In addition, a harmonic treatment network, which reduces the influence on matching-network design, is also described here. A fabricated GaN HEMT amplifier has achieved a maximum power-added efficiency (PAE) of 79% with a saturated output power of 48.0 dBm at 2.02 GHz. The amplifier has also achieved a high-efficiency characteristic of more than 70% PAE in the frequency range from 1.68 to 2.12 GHz.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Improvement of Mode Uniqueness for OAM Communication Using a Loop Array with Reflector Plane
Ryohei Yamagishi; Hiroto Otuka; Akira Saitou; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, Proceedings of the 2017 Asia Pacific Microwave Conference, Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., TH2B3巻, 掲載ページ 1095-1098, 出版日 2017年11月, 査読付, Mode uniqueness in an orbital-angular-momentum (OAM) communication scheme is improved to obtain excellent performance at the 5-GHz band. The mode uniqueness is shown by analysis and numerical calculation to be improved by combining loop antennas and a reflector plane. With 4-element loop antenna arrays, the current isolation that is the index for the mode uniqueness is 18.4 dB, 27.9 dB, and 41.0 dB for distances of 10 mm, 5 mm, and 2 mm between the reflector and the array, respectively. With the arrays for the distance of 5 mm, 4-value multiplexing characteristics for short-range (30 mm) communication were estimated. The simulated and measured transmission isolations are more than 23.6 dB and 19.2 dB, respectively. The measured transmission isolation is improved by 7.2 dB compared with the array without the reflector [4]. For long-range (1 m) communication with paraboloids and the array, the simulated transmission isolation is as large as 30.4 dB, which shows that the improvement of the current isolation by the reflector is also extremely effective for the long-range OAM communication.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Analysis on Doubling Multiplicity for OAM Communication Using Loop Antenna Arrays
Akira Saitou; Hiroto Otsuka; Ryohei Yamagishi; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, Proceedings of the 2017 Asia Pacific Microwave Conference, Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., TH2B3巻, 掲載ページ 1091-1094, 出版日 2017年11月, 査読付, Recovering the original degree of freedom on multiplicity is investigated for orbital angular momentum communication using loop antennas in the 5-GHz band. The induced current is analyzed with generalized Z-matrices, and the orthogonality between antennas of the same radius is analytically shown to be realized by optimizing the relative directions of the ports for the antennas. With four kinds of loop radii, the transmission coefficients among eight antennas are shown by numerical estimation to be suppressed to less than -28.8 dB, where the return losses are better than 25.7 dB. With the analytically obtained port directions, transmission between the 16-element transmitting and receiving arrays was simulated. Simulated transmission isolations were better than 8.2 dB, and those for the antennas of the same radius were better than 11.9 dB. Eight-element transmitting arrays were fabricated, and the measured transmissions between antennas of the same radius were suppressed to less than -22.7 dB, which shows that multiplexing using antennas of the same radius is promising by designing relative port directions.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

High Performance OAM Communication Using Loop Antennas Optimized for Port Azimuths
Hiroto Otsuka; Ryohei Yamagishi; Akira Saitou; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, Proceedings of the 2017 Asia Pacific Microwave Conference, Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., TH2B2巻, 掲載ページ 1087-1090, 出版日 2017年11月, 査読付, High-performance Orbital-Angular-Momentum (OAM) communication using loop antennas is demonstrated at the 5-GHz band, where the interference transmission is suppressed. Induced currents for multiple expansion orders are analyzed with generalized Z-matrices, and optimum combinations for the port azimuths are found for short- and long-range OAM communication. Four-value multiplexing characteristics are estimated by simulation and measurement with loop arrays for port azimuths customized for short-range communication. The simulated and measured transmission isolations were more than 25.4 dB and 23.6 dB, respectively, for the distance of 10 mm between the transmitting and receiving arrays. The measured isolation is as much as 9.2 dB higher than the conventional arrays for identical port azimuths. With paraboloids and arrays optimized for long-range communication, 4-value multiplexing communication characteristics for a long range were estimated. The simulated and measured transmission isolations were more than 16.7 dB and 13.5 dB, respectively, for the distance of 125 cm between the transmitting and receiving arrays.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Linearity Improvement for Single-GaN HEMT Dual-Band Power Amplifier in Concurrent Operation Mode
Alice Maruyama; Yoichiro Takayama; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, Proceedings of the 2017 Asia Pacific Microwave Conference, Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., THP1巻, P8号, 掲載ページ 995-998, 出版日 2017年11月, 査読付, A single-GaN HEMT dual-band power amplifier with a spurious-controlling circuit to improve concurrent amplifying linearity is presented. The behavior of the output power and efficiency characteristics of the dual-band amplifier were analyzed using FET transconductance(gmi), and the effects of cross-modulation in concurrent-mode are shown shown. The fabricated 0.8-/2.2- GHz dual-band GaN HEMT amplifier consisting of dual-frequency-band matching circuits showed a deterioration of power response linearity at low input power levels in dual-band concurrent operation. Stubs for short-circuiting second order intermodulation components were added to the input matching circuit and the deterioration of power response linearity was successfully improved.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

GaN HEMT DC I-V Device Model for Accurate RF Rectifier Simulation
Tsukasa Yasui; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, IEEE Microwave and Wireless Components Letters, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 27巻, 10号, 掲載ページ 930-932, 出版日 2017年10月, 査読付, Recently, various high-efficiency RF rectifiers have been proposed. In this letter, to improve the simulation accuracy of RF active rectifier circuits, a new device model for GaN HEMTs is proposed that improves the reproducibility of I-D-V-DS characteristics in the third-quadrant region (both drain voltage and drain current are negative). Based on measured characteristic data of an actual GaN HEMT, the device parameters for this model have been decided, and the advantage of the new device model has been confirmed.
研究論文（学術雑誌）, 英語

マイクロ波半導体回路研究の黎明期 -立体回路から平面トランジスタ回路へ-
本城和彦; 高山洋一郎
筆頭著者, 電子情報通信学会和文論文誌Ｃ, J100C巻, 10号, 掲載ページ 390-399, 出版日 2017年10月, 査読付, 招待
研究論文（学術雑誌）, 日本語

A Novel Two-Dimensional Changeover GaN MMIC Switch
Hiroshi Mizutani; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
ラスト(シニア)オーサー, 2017 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium(Accepted), 出版日 2017年10月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Analytical and Measured Estimation for 4-value Multiplexing OAM Communication Using Loop Array Antennas
Hiroto Otsuka; Ryohei Yamagishi; Akira Saitou; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 47th European Microwave Conference, Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., EuMC03-5巻, 掲載ページ 54-57, 出版日 2017年10月, 査読付, Characteristics for 4-value multiplexing orbital-Angular-momentum (OAM) communication using loop antennas are estimated both analytically and experimentally in the 5GHz band. Transmission characteristics for short-range OAM communication are analytically estimated with generalised Z-matrices for 4-element loop antenna arrays. The arrays were designed and fabricated on a 0.1-mm-Thick FR-4 substrate. The analytical and measured transmission isolations at a distance of 1cm are more than 17.3dB and 14.4 dB, respectively. For long-range OAM communication, the collimated characteristics of the OAM wave are analytically estimated. Based on the results, the measured characteristics for 4-value multiplexing OAM communication are exhibited. The measured transmission isolation was more than 7.8 dB at a distance of 150 cm.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

4.5-/4.9-GHz-Band Tunable High-Efficiency GaN HEMT Power Amplifier
Kazuki Mashimo; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 47th European Microwave Conference, Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., EuMC22-2巻, 掲載ページ 460-463, 出版日 2017年10月, 査読付, A 4.5-4.9-GHz-band tuneable high-efficiency GaN HEMT power amplifier has been developed to meet the demand for high-speed data-rate wireless communication systems. By applying one-eighth-wavelength, closely spaced, parallel, open-ended stubs to set a short condition at a mid second-order harmonic frequency, and by switching its condition between connected and non-connected states to change the reactance at each fundamental frequency in the amplifier output circuit, a high-efficiency operation band was successfully shifted. As a first step, the connected/non-connected state was created with bonding wires. The fabricated GaN HEMT amplifier exhibited a maximum power-added efficiency of 62% and 66%, a maximum drain efficiency of 66% and 70%, and a saturation output power of 38 dBm at 4.66 and 4.92 GHz, respectively, for each switched condition.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Wide-Band High-Efficiency GaN HEMT Amplifier
Yuki Takagi; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 47th European Microwave Conference, EuMC22-4巻, 掲載ページ 468-471, 出版日 2017年10月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Concurrent Dual-Band Amplifier Design Technique for 5G Wireless Systems
Kazuhiko Honjo; Yoichiro Takayama; Ryo Ishikawa
12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics(Invited), 10-1号, 掲載ページ 85-86, 出版日 2017年08月, 査読付, 招待
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Concurrent Dual-Band Access GaN HEMT MMIC Amplifier Suppressing Inter-Band Interference
Ryo Ishikawa; Yoichiro Takayama; Kazuhiko Honjo
Digest of 2017 IEEE International Microwave Symposium, Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., THIFA02-14号, 掲載ページ 2045-2048, 出版日 2017年06月, 査読付, A concurrent dual-band GaN HEMT MMIC amplifier has been developed for next-generation wireless communication systems. To increase information quantity, a carrier-aggregation technique that uses two or more bands for one information block will be employed at super-high-frequency bands. Efficiency and linearity for general dual-band amplifiers are strongly degraded in concurrent operation due to cross- and inter-modulation distortion between each band. To suppress those, inter-band interference rejection circuits are embedded in the proposed amplifier circuit configuration. Suppression of cross- and inter-modulation distortion was confirmed for a fabricated 4-/8-GHz-band GaN HEMT MMIC amplifier during concurrent operation.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Microwave Characteristics of an Independently Biased 3-stack InGaP/GaAs HBT Configuration
Duy Manh Loung; Ryo Ishikawa; Yoichirou Takayama; Kazuhiko Honjo
IEEE Transactions on Circuits and Systems 1, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 64巻, 5号, 掲載ページ 1140-1151, 出版日 2017年05月, 査読付, This paper investigates various important microwave characteristics of an independently biased 3-stack InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) monolithic microwave integrated circuit (MMIC) chip at both small-signal and large-signal operation. By taking the advantage of the independently biased functionality, bias condition for individual transistor can be adjusted flexibly, resulting in the ability of independent control for both small-signal and large-signal performances. It was found that at small-signal operation stability and isolation characteristics of the proposed configuration can be significantly improved by controlling bias condition of the second-stage and the third-stage transistors while at large-signal operation its linearity and power gain can be improved through controlling the bias condition of the first-stage and the third-stage transistors. To demonstrate the benefits of using such an independently biased configuration, a measured optimum large-signal performance at an operation frequency of 1.6 GHz under an optimum bias condition for the high gain, low distortion were obtained as: PAE = 23.5 %, P-out = 12 dBm; Gain = 32.6 dB at IMD3 = -35 dBc. Moreover, to demonstrate the superior advantage of the proposed configuration, its small-signal and large-signal performance were also compared to that of a single stage common-emitter, a conventional 2-stack, an independently biased 2-stack and a conventional 3-stack configuration. The compared results showed that the independently biased 3-stack is the best candidate among the configurations for various wireless communications applications.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Four-value Multiplexing Orbital Angular Momentum Communication Scheme Using Loop Antenna Arrays
Akira Saitou; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 2016 Asia Pacific Microwave Conference, IEEE, -巻, 出版日 2016年12月, 査読付, A four-value multiplexing orbital angular momentum (OAM) communication scheme is demonstrated using loop antenna arrays. Considering the radiated fields of loop antennas, MIMO communication without signal processing is shown to be realized by controlling the current distribution in a single Fourier expansion coefficient. Through numerical analysis on the current, a single coefficient is shown to be dominant, where the loop perimeter is approximately the integral multiple of the wavelength. For long-range OAM communication, diffraction patterns of the collimated fields with paraboloids are analyzed, and the diffraction is shown to have a greater effect on the higher OAM modes. For short-range communication, fourelement loop antenna arrays are estimated by simulations and measurements. The transmission coefficient between the antennas of the same perimeter is shown to be larger by more than 12 dB than those of a different perimeter for a 1-cm distance. For long-range communication, a collimating configuration is proposed, and the transmission coefficient between the antennas of the same perimeter is shown to be larger by more than 11 dB for a 1-m distance.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

低周波アクティブロード・プル評価に基づくマイクロ波高効率増幅器設計法―トランジスタ内寄生容量の非線形性考慮による高精度化―
陶堯,石川亮; 本城和彦
電子情報通信学会和文論文誌C, J99-C巻, 12号, 掲載ページ 651-658, 出版日 2016年12月, 査読付, 招待
研究論文（学術雑誌）, 日本語

Miniature Design Technique of Stabilized C-Band p-HEMT MMIC Doherty Power Amplifier with Lumped Element Load Modulator
Tsuyoshi Yoshida; Yoichiro Takayama; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Electronics, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, 99-C巻, 10号, 掲載ページ 1130-1139, 出版日 2016年10月, 査読付, A broadband miniature GaAs p-HEMT MMIC Doherty power amplifier (DPA) with a series connected load operating at the C band has been developed. To minimize the circuit size, a lumped-element load modulation circuit without a quarter wavelength transmission line has been introduced to MMIC technology. For both an input and output power divider/combiner circuit, two baluns are used to reduce the length of the phase adjuster circuit without causing instability. An inherent DPA instability problem related with the degenerated sub-harmonic frequency has been analyzed with the S and T parameters of DPA circuit components, resulting in a novel stabilized circuit. The developed stabilized DPA delivered a maximum power added efficiency (PAE) of 49% and a maximum output power of 23.4 dBm. Greater than 40% PAE below a 10-dB input back-off from a saturated output power is obtained for a frequency range of 6.1 to 6.8 GHz.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Experimental Design Method for High-Efficiency Microwave Power Amplifiers Based on a Low-Frequency Active Harmonic Load-Pull Technique
Ryo Ishikawa; Yoichiro Takayama; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Electronics, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, 99-C巻, 10号, 掲載ページ 1147-1155, 出版日 2016年10月, 査読付, A novel experimental design method based on a low-frequency active load-pull technique that includes harmonic tuning has been proposed for high-efficiency microwave power amplifiers. The intrinsic core component of a transistor with a maximum oscillation frequency of more than several tens of gigahertz can be approximately assumed as the nonlinear current source with no frequency dependence at an operation frequency of several gigahertz. In addition, the reactive parasitic elements in a transistor can be omitted at a frequency of much less than 1 GHz. Therefore, the optimum impedance condition including harmonics for obtaining high efficiency in a nonlinear current source can be directly investigated based on a low-frequency active harmonic load-pull technique in the low-frequency region. The optimum load condition at the operation frequency for an external load circuit can be estimated by considering the properties of the reactive parasitic elements and the nonlinear current source. For an InGaAs / GaAs pHEMT, active harmonic load-pull considering up to the fifth-order harmonic frequency was experimentally carried out at the fundamental frequency of 20 MHz. By using the estimated optimum impedance condition for an equivalent nonlinear current source, high-frequency amplifiers were designed and fabricated at the 1.9-GHz, 2.45-GHz, and 5.8-GHz bands. The fabricated amplifiers exhibited maximum drain efficiency values of 79%, 80%, and 74% at 1.9 GHz, 2.47 GHz, and 5.78 GHz, respectively.
研究論文（学術雑誌）, 英語

GaN SPST MMIC Switches Based on HPF/LPF Switching Concept for High Power Applications
Hiroshi Mizutani; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 46th European Microwave Conference, IEEE, 掲載ページ 691-694, 出版日 2016年10月, 査読付, This paper describes the demonstrated GaN SPST MMIC switches based on HPF/LPF switching concept for high power applications. The developed MMIC switches indicate high isolation of more than 80-dB with insertion loss of better than 2 dB below 2.4 GHz. The effective chip size is 1.15 x 1.58 mm(2). The measured P1dB of insertion loss is 31.2-dBm. The isolation varies with respect to the input power from about 80-dB at small signal operation to about 40-dB for large signal input. The possible cause is the change of average FET off capacitance. This MMIC switches with HPF/LPF switching concept promises to provide new switch products having high power handling capability with low cost.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Parallel Combination of High-Efficiency Amplifiers with Spurious Rejection for Concurrent Multiband Operation
Jun Enomoto; Haruka Nishizawa; Ryo Ishikawa; Yoichiro Takayama; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 46th European Microwave Conference, IEEE, 掲載ページ 1075-1078, 出版日 2016年10月, 査読付, An efficient concurrent multiband power amplifier configuration has been proposed for high-data-rate wireless communication systems. Single-band high-efficiency power amplifiers are designed by adding spurious rejection functions which are embedded in input and output fundamental-frequency matching circuits. And those amplifiers are connected in parallel. In this configuration, significant merits exist in comparison with usual dual-band or broadband amplifiers, especially with regard to distortion characteristics. To confirm this, a 4.5-18.5-GHz-band GaN HEMT amplifier was fabricated, and it exhibited maximum drain efficiencies of 64% and 54% and maximum power added efficiencies of 61% and 41% at 4.49GHz and 8.42 GHz, respectively, on a concurrent operation with a highly suppressed near-band spurious level of less than -38 dBc.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

InGaAs MMIC SPST Switch Based on HPF/LPF Switching Concept with Periodic Structure
Hiroshi Mizutani; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 64巻, 09号, 掲載ページ 2863-2870, 出版日 2016年09月, 査読付, This paper presents the analysis of a novel highpass filter/low-pass filter (HPF/LPF) switching concept. Since an HPF/LPF switching concept has a periodic structure, its equivalent circuit is almost the same as an LPF for the ON-state and is the same as an HPF for the OFF-state. The broadband isolation characteristics with low insertion loss can be achieved by designing its cutoff frequency. A three-stage single pole single throw InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistor monolithic microwave integrated circuit switch based on the HPF/LPF switching concept is successfully demonstrated with an insertion loss of less than 1.6 dB and isolation of more than 82 dB below 6 GHz, with a size of 1.1 mm x 1.0 mm. The RF performances are in good agreement with the theoretical calculations. The measured input power of 1-dB insertion loss compression, P1dB, and the measured third-order intercept point, IIP3, are 19 and 27.7 dBm, respectively, at 1.95 GHz. The measured ON-time is 5.5 ns without cable delay. The measured rise time is as fast as 1.4 ns.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Novel Design of Dual-band Reconfigurable Dipole Antenna Using Lumped and Distributed Elements
Shoichi Onodera; Ryo Ishikawa; Akira Saitou; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Communication, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E99-B巻, 07号, 掲載ページ 1550-1557, 出版日 2016年07月, 査読付, A frequency-reconfigurable dipole antenna, whose dual resonant frequencies are independently controlled, is introduced. The antenna's conductor consists of radiating conductors, lumped and distributed elements, and varactors. To design the antenna, current distribution, input impedance, and radiation power including higher-order modes, are analyzed for a narrow-angle sectorial antenna embedded with passive elements. To derive the formulae used, radiation power is analyzed in two ways: using Chu's equivalent circuit and the multipole expansion method. Numerical estimations of electrically small antennas show that dual-band antennas are feasible. The dual resonant frequencies are controlled with the embedded series and shunt inductors. A dual-band antenna is fabricated, and measured input impedances agree well with the calculated data. With the configuration, an electrically small 2.5-/5-GHz dual-band reconfig-urable antenna is designed and fabricated, where the reactance values for the series and shunt inductors are controlled with varactors, each connected in series to the inductors. Varying the voltages applied to the varactors varies the measured upper and lower resonant frequencies between 2.6 and 2.9 GHz and between 5.1 and 5.3 GHz, where the other resonant frequency is kept almost identical. Measured radiation patterns on the H-plane are almost omni-directional for both bands.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Miniaturization of Double Stub Resonators using Lumped-Element Capacitors for MMIC Applications
Shinichi Tanaka; Takao Katayose; Hiroki Nishizawa; Ken'ichi Hosoya; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Electronics, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E99-C巻, 7号, 掲載ページ 830-836, 出版日 2016年07月, 査読付, We present a design method for miniaturizing double stub resonators that are potentially very useful for wide range of applications but have limited usage for MMICs due to their large footprint. The analytical design model, which we introduce in this paper, allows for determining the capacitances needed to achieve the targeted shrinking ratio while maintaining the original loaded-Q before miniaturization. To verify the model, 18-GHz stub resonators that are around 40% of the original sizes were designed and fabricated in GaAs MMIC technology. The effectiveness of the proposed technique is also demonstrated by a 9-GHz low phase-noise oscillator using the miniaturized resonator.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Optimum Load Impedance Estimation for High-Efficiency Microwave Power Amplifier Based on Low-Frequency Active Multi-Harmonic Load-Pull Measurement
Yao Tao; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 2015 Asia Pacific Microwave Conference, IEEE, 出版日 2015年12月, 査読付, An accurate design method for high-efficiency microwave power amplifiers based on a low-frequency active multi-harmonic load-pull measurement has been developed to obtain the optimum load impedance. Nonlinear capacitances as parasitic elements in a transistor are taken into account to improve accuracy of the optimum load impedance estimation in comparison with a previous method in which they are approximated with linear capacitances. A GaN HEMT amplifier designed and fabricated by the proposed method achieved a maximum power added efficiency (PAE) of 74% with 30.5 dBm output power at 2.13 GHz. As a comparison, a GaN HEMT amplifier designed and fabricated by the previous method exhibited maximum PAE of 64% with 31.0 dBm output power at 2.14 GHz, which was degraded than that for the proposed method.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

High Efficiency GaN HEMT Power Amplifier/Rectifier Module Design Using Time Reversal Duality (Invited)
Kazuhiko Honjo; Ryo Ishikawa
2015 IEEE Compound Semiconductor IC Symposim (New Orleans), IEEE, 掲載ページ 227-230, 出版日 2015年10月, 査読付, 招待, A general design theory for high efficiency microwave power amplifiers and rectifiers is presented using the time reversal duality concept. Effective techniques for achieving high efficiency microwave power amplifiers can also be implemented in the design of high efficiency rectifiers. As a design example, a harmonic reactive load type (class-R) GaN-HEMT power amplifier and its time reversed dual rectifier were developed at 5.4GHz. The fabricated amplifier delivered a maximum drain efficiency of 82%, whereas the rectifier presented 78% power efficiency. A DC-DC conversion efficiency of 47% was measured with the pulse-width modulation (PWM) technique for a wide dynamic power range of 90 mW to 860 mW.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Analytical expression of broadband characteristics for wide-angle planar sectorial antennas
Akira Saitou; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
IEEE-APS Topical Conference on Antennas and Propagation in Wireless Communications (Torino), IEEE, 掲載ページ 235-238, 出版日 2015年09月, 査読付, 招待, Analytical expression of the characteristics for wide-angle planar sectorial antennas on a substrate is derived using the mode-expansion method, where higher-order modes for the phi orientation are included. With only eigenfunctions for theta, the mode expansion coefficients and input impedances are numerically estimated, and the broadband characteristics are shown to be realized for wide-angle antennas. Planar sectorial antennas with varied angles were fabricated on a FR-4 substrate, and the measured input impedances and measured radiation patterns agreed fairly well with the numerical data. However, for the wide-angle antenna, the measured radiation patterns at higher frequencies were the patterns for the higher-order mode for phi
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

High-Efficiency DC-to-RF/RF-to-DC Interconversion Switching Module at C-Band
Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 45th European Microwave Conference (Paris), IEEE, 掲載ページ 295-298, 出版日 2015年09月, 査読付, Both high-efficiency DC-to-RF and RF-to-DC conversions have been performed on a module with an impedance switching circuit connected at the gate side of a main GaN HEMT transistor. Here, two circuit configurations for an impedance switching circuit are proposed that use short/capacitance and open/short(inductance) switching circuits. These can be selected and utilised depending on the characteristics of the main transistor. At 5.36 GHz, the fabricated module delivered a maximum DC-to-RF efficiency (drain efficiency) of 76% and a maximum RF-to-DC efficiency of 66%.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

High Isolation MMIC Switch Design Technique Based on Novel High-/Low-Pass Switch Concept
Hiroshi Mizutani; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 45th European Microwave Conference (Paris), IEEE, 掲載ページ 56-59, 出版日 2015年09月, 査読付, This paper describes the proposal of novel high/low-pass RF switch concept. This proposed RF switch concept is completely different from the conventional switch circuits because the broadband perfect reflection occurs in the off-state, which is essential to achieve broadband high isolation characteristics. By changing the gate bias of FETs between two states of high and low voltages, two functions can be switched between high-pass filter and low-pass filter. By utilizing the stopband of high-pass filter below its cut-off frequency, extremely high isolation can be achieved. And also, broadband low insertion loss can be obtained by using the passband below its cut-off frequency of low-pass filter. High isolation of more than 79 dB SPST MMIC switch with less than 1.6 dB insertion loss have been successfully demonstrated below 6 GHz by using this novel switch concept with small chip size of 1.1 mm x 1.0 mm.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

5.8GHz帯可変焦点型ガウシアンビームアレイアンテナの簡素化
井上泰平; 石川亮; 斉藤昭; 本城和彦
電子情報通信学会和文論文誌B, J98-B巻, 09号, 掲載ページ 906-913, 出版日 2015年09月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 日本語

Digital Spatial Modulation using Dual Scatterers Embedded with Switches for Wireless Power Transmission Applications
Kohei Hasegawa; Akira Saitou; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Electronics, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E98-C巻, 7号, 掲載ページ 709-715, 出版日 2015年07月, 査読付, A digital spatial modulation method has been demonstrated for a wireless power transmission system at 5.8 GHz. Interference of electromagnetic waves, which are radiated from the dual scatterers, successfully realizes the spatial modulation. The spatial modulation is performed with a digital modulation manner by controlling capacitances embedded in one of the dual scatterers so that the interference of the scattered waves is appropriately changed. Switch MMICs based on p-HEMT technology was newly developed for the spatial modulation. Measured insertion losses of the switch MMIC are 1.0 dB and 14 dB for on and off states at 5.8 GHz, respectively. The isolation is more than 20 dB. With the switch MMIC, digital spatial modulation characteristics were experimentally demonstrated at 5.8 GHz. One-bit amplitude shift keying (ASK) for 1 MHz signal was realized at 5.8 GHz, and two levels were clearly discriminated. The modulation factor is 36%. In addition, 2-bit ASK signal was detected at 7.1 GHz.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Power Gain Performance Enhancement of Independently Biased HBT Cascode Chip
Duy Manh Luong; Yoichiro Takayama; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Japanese Journal of Applied Physics, 応用物理学会, Vol. 54巻, 04DF11号, 掲載ページ 1-8, 出版日 2015年04月, 査読付, The purpose of this research is to study the power gain performance of an independently biased cascode structure or a new cascode structure (NCS) in comparison to that of a conventional cascode structure (CCS) at 1.9GHz while investigating the bias conditions. We found that the bias collector current (I-c2) of the common-base (CB) or second-stage transistor is the key factor contributing to the power gain difference between a NCS and a CCS. By employing a monolithic microwave integrated circuit (MMIC) InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT), simulation and experimental results show that a NCS with higher I-c2 than that of a CCS can offer better power gain performance but less stability compared with a CCS. On the other hand, although a NCS with lower I-c2 than that of a CCS exhibits worse power gain performance compared with a CCS, it can be more stable than a CCS. All of the above indicate that a NCS can deliver superior radio frequency (RF) performance compared with a CCS by setting the appropriate bias conditions. (C) 2015 The Japan Society of Applied Physics
研究論文（学術雑誌）, 英語

A Miniature Broadband Doherty Power Amplifier With a Series-Connected Load
Shintaro Watanabe; Yoichiro Takayama; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 63巻, 2号, 掲載ページ 572-579, 出版日 2015年02月, 査読付, A microwave Doherty power amplifier (DPA) consists of a carrier amplifier (CA), a peaking amplifier (PA), and an impedance inverting network. In this paper, a novel DPA topology with neither the impedance inverting network nor offset lines is proposed. This topology enables the enhancement of amplifier bandwidth and achieves a more compact amplifier size. To remove the impedance inverting network and to realize high efficiency at large back-off power level, the output-matching network of the CA is designed to realize high performance both at a low signal power level in the off-state of the PA and at the saturated signal power level. A 1.9-GHz series-connected load Doherty power amplifier without an impedance inverting network is designed and fabricated using GaN HEMTs. The amplifier achieves a power-added efficiency (PAE) of 50% under a 6-dB output back-off from a 34-dBm saturated output power with a PAE of 59%. A maximum PAE higher than 44% is obtained over a frequency range of 1.63-1.98 GHz.
研究論文（学術雑誌）, 英語

熱メモリ効果解析のための大信号HEMT モデル用多段はしご型RC 熱回路のパルス応答評価による実験的パラメータ抽出手法
吉田慎悟; 石川亮; 本城和彦
電子情報通信学会和文論文誌C, 電子情報通信学会, J97-C巻, 12号, 掲載ページ 456-462, 出版日 2014年12月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 日本語

マイクロ波電力増幅器の統一的設計理論とその応用 （招待論文）
本城和彦; 高山洋一郎; 石川亮
筆頭著者, 電子情報通信学会和文論文誌C, 電子情報通信学会, J97-C巻, 12号, 掲載ページ 446-455, 出版日 2014年12月, 査読付, 招待, 国内誌
研究論文（学術雑誌）, 日本語

Analytical Characteristic Expression for Dualband Antennas Embedded with Elements inside the Antenna
Akira Saitou; Shoichi Onodera; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 2014 Asia Pacific Microwave Conference, IEICE, IEEE-MTTS, FR1F-1巻, 掲載ページ 971-973, 出版日 2014年11月07日, 査読付, An analytical expression for current distribution, input impedance, and radiation power including higher order modes, is derived for a thin sectorial antenna embedded with lumped and distributed elements. To obtain the formulae, radiation power is analyzed in two ways using Chu's equivalent circuit and the multipole expansion method. By numerical estimation of the formulae for electrically small antennas with the elements, dualband antennas are shown to be realized. The dualband antennas are fabricated, and measured input impedances agree well with the calculated data. Measured radiation patterns are omni-directional in the H-plane and the figure-of-eight in the E-plane for both the bands.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Two Signal Power Level Design for Shunt-Connected Type GaN HEMT Doherty Power Amplifier without a Quarter-Wave Inverter
Yosuke Iguchi; Yoichiro Takayama; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 2014 Asia Pacific Microwave Conference, IEICE, IEEE-MTTS, FR2B-4巻, 掲載ページ 1004-1006, 出版日 2014年11月07日, 査読付, A 1.9-GHz shunt-connected-type GaN HEMT Doherty power amplifier without a quarter-wave inverting network is designed and fabricated by introducing a two-RF-level circuit design procedure. Matching circuits for the carrier and peaking amplifiers are designed to realize optimum efficiency at low-RF (peaking amplifier off) and high-RF (saturated) signal levels. The compact amplifier achieved a maximum power added efficiency (PAE) higher than 50% at the 310-MHz bandwidth. The maximum PAE at an output power above 30 dBm was higher than 50% within the 1.68-1.99 GHz frequency range. A PAE higher than 40% at a 6-dB back-off from input power achieving maximum PAE was obtained over a wide frequency range of 1.67-1.99 GHz.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Efficient Supply Power Control by PWM Technique for Microwave Wireless Power Transfer Systems
Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 2014 Asia Pacific Microwave Conference, IEICE, IEEE-MTTS, FR3C-3巻, 掲載ページ 1101-1103, 出版日 2014年11月07日, 査読付, A pulse-width modulation (PWM) technique has been applied for efficient supply power control in microwave wireless power transfer systems. For this evaluation, a high-efficiency GaN HEMT amplifier and rectifier operating at the 5.4-GHz band have been fabricated, which are used as a DC-to-RF and RF-to-DC converter, respectively. The fabricated amplifier and rectifier delivered a maximum drain efficiency of 82% at 5.43 GHz and a maximum RF-to-DC efficiency of 78% at 5.45 GHz, respectively. In the evaluation of the supply power control, a total system efficiency of more than 47% was maintained for a supply power change from 90 to 860mW by using the PWM technique.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

A 5.8-GHz Reconfigurable Power Divider for Wireless Power Transfer
Yusuke Ohta; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 2014 Asia Pacific Microwave Conference, IEICE, IEEE-MTTS, TH4D-1巻, 掲載ページ 693-695, 出版日 2014年11月06日, 査読付, A Wilkinson-type reconfigurable power divider using varactor diodes has been designed and fabricated at 5.8 GHz. To vary the power-dividing ratio, T-type impedance transformers including varactor diodes were used instead of quarter-wavelength impedance transformers. In addition, a slight adjustment was applied to improve the return loss characteristics. The fabricated power divider exhibited a variation in the power-dividing ratio from -3.5 dB to 3.5 dB with an insertion loss of less than 2.1 dB, return losses of more than 11.0 dB, and an isolation of more than 14.8 dB at 5.8 GHz.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Analysis on Rejection Band for a Practical Broadband Balun using an Asymmetric Coupled-line in Free Space
Daiki Endo; Akira Saitou; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 2014 Asia Pacific Microwave Conference, IEICE, IEEE-MTTS, WE1B-5巻, 掲載ページ 28-30, 出版日 2014年11月05日, 査読付, A practical broadband balun with a higher band-edge frequency for a differential-mode antenna is demonstrated. The practical balun consists of an asymmetric broadside coupled line in free space and via-pads to connect to the antenna or soldering pads on the same surface. The rejection band for the balun with different configurations of the pads is analyzed with mixed-mode S-parameters, and the upper band-edge frequency is shown to increase by using the proposed pad configuration. A balun consisting of a 4-mm-long broadside coupled line and the proposed pads is designed and fabricated. The measured rejection band frequency is 13.4 GHz, and is higher by 2.0 GHz than that with conventional pads. The measured insertion loss is less than 2 dB between 0.41 and 12.3 GHz.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

A 2.1/2.6 GHz Dual-Band High-Efficiency GaN HEMT Amplifier with Harmonic Reactive Terminations
Jun Enomoto; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 44th European Microwave Conference, IEEE, EuMC Conference Proceedings巻, 掲載ページ 544-547, 出版日 2014年10月07日, 査読付, A dual-band high-efficiency GaN HEMT amplifier with harmonic reactive source and load impedances has been developed at the 2.1-GHz and 2.6-GHz bands. Many circuit components are required for this type of amplifier, since many frequencies have to be treated, which induces circuit loss. Here, a design strategy to avoid an efficiency reduction due to circuit loss is introduced. The fabricated dual-band GaN HEMT amplifier has achieved maximum power-added efficiencies (PAEs) of 72% and 61% with 36.7- and 37.1-dBm output powers at 2.13 and 2.6 GHz, respectively.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Comparison of Power Gain Performance between Conventional and Independently Biased HBT Cascode Chips
Luong Duy Manh; Yoichiro Takayama; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014), Applied Physics Society of Japan, PS-6-1号, 掲載ページ 120-121, 出版日 2014年09月10日, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Novel Design of Dual-band Reconfigurable Antennas Using Lumped-Elements and Varactors Located Inside Antenna's Conductor
Shoichi. Onodera; Akira Saitou; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
IEEE-APS Topical Conference on Antennas and Propagation in Wireless Communications (APWC2014), IEEE, 4th Edition巻, 掲載ページ 221-224, 出版日 2014年08月09日, 査読付, 招待, A frequency reconfigurable dualband antenna is demonstrated, where the antenna's conductor consists of a radiating conductor, lumped and distributed elements, and varactors. An analytical expression for current distribution, input impedance, and radiated power is derived by connecting electromagnetic fields inside and outside the antenna's sphere for an electrically small antenna. With the formulae, input impedances are numerically estimated, and dual resonant frequencies are shown to be controlled almost independently by varying the value of a shunt inductor or a series inductor. The reconfigurable antenna is fabricated, where the varied reactances for the inductors are realized with series resonant circuits consisting of an inductor and a varactor. Measured upper and lower resonant frequencies are shown to be controlled by the applied voltage to the varactor between 2.60 and 2.91 GHz, and between 5.10 and 5.32 GHz, where the other resonant frequencies are almost identical.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Novel Frequency Tunable CRLH Antenna for Reconfigurable Wireless Systems
Hiroshi Mizutani; Naoya Watanabe; Tsunehiro Tanaka; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
International Conference on Electromagnetics in Advanced Applications (ICEAA2014), IEEE, 16th Edition巻, 掲載ページ 434-437, 出版日 2014年08月09日, 査読付, This paper presents the novel frequency tunable CRLH-TL (Composite Right/Left-Handed transmission line) using varactor diodes for the reconfigurable wireless systems. Varactor diodes are implemented into the CRLH unit cell as the series capacitor. Proposed frequency tunable CRLH-TL indicates the variable EBG (Electromagnetic Band Gap) bandwidths with respect to the bias voltages. The demonstrated tunable CRLH-TL dominantly shows the broadside far-field radiation patterns for n=-1 resonance and the backward radiation patterns for n=-2 resonance.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Power Gain Improvement for Single-Electron Transistors
Manh Duy Luong; Kazuhiko Honjo
Japanese Journal of Applied Physics, 応用物理学会, Vol. 53巻, 04EJ03号, 掲載ページ 1-5, 出版日 2014年04月, 査読付, In this paper, a novel approach for investigating the single-electron transistors (SET’s) power gain functionality which is one of the most important

features of active devices related with operation speed performance is proposed. Moreover, an evaluating method is also introduced to improve the SET power gain due to the influence of junction thickness. It is found that source junction thickness is the key factor affecting the power gain. This important finding is illustrated by taking into account the physical parameters of a sample fabricated SET. According to proposed model, power gain can be improved by a remarkable amount of 39 dB at frequencies up to THz regime by reducing 1.25nm in source junction thickness.
研究論文（学術雑誌）, 英語

A 2.1/2.6 GHz Dual-Band High-Efficiency GaN HEMT Amplifier with Harmonic Reactive Terminations
Jun Enomoto; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
2014 9TH EUROPEAN MICROWAVE INTEGRATED CIRCUIT CONFERENCE (EUMIC), IEEE, 掲載ページ 544-547, 出版日 2014年, 査読付, A dual-band high-efficiency GaN HEMT amplifier with harmonic reactive source and load impedances has been developed at the 2.1-GHz and 2.6-GHz bands. Many circuit components are required for this type of amplifier, since many frequencies have to be treated, which induces circuit loss. Here, a design strategy to avoid an efficiency reduction due to circuit loss is introduced. The fabricated dual-band GaN HEMT amplifier has achieved maximum power-added efficiencies (PAEs) of 72% and 61% with 36.7- and 37.1- dBm output powers at 2.13 and 2.6 GHz, respectively.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

A High-Efficiency Low-Distortion Cascode Power Amplifier Consisting of Independently Biased InGaP/GaAs HBTs
Yuki Takagi; Yoichiro Takayama; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Electronics, 電子情報通信学会, E97-C巻, 1号, 掲載ページ 58-64, 出版日 2014年01月, 査読付, Microwave power amplifiers with independently biased

InGaP/GaAs HBTs are proposed, and their superior performance is confirmed.Using harmonic balance simulation, the optimal bias conditions for an amplifier with two independently biased InGaP/GaAs HBTs were investigated with the aim of achieving high-efficiency low-distortion performance. A 1.9-GHz-band cascode power amplifier was designed and fabricated. Power efficiencies and third-order intermodulation distortions (IMD3) for the fabricated amplifier were estimated. The collector bias voltage of the first stage transistor mainly affects power-added efficiency (PAE). The base bias current of the first-stage HBT mainly affects IMD3 characteristics, and that of the second-stage HBT mainly affects PAE. The proposed amplifier shows superior per-formance when compared to a conventional

cascode amplifier. The amplifier achieved a maximum PAE of 68.0% with an output power of 14.8 dBm, and IMD3 better than ����35 dBc with a PAE of 25.1%, for a maximum output power of 10.25 dBm at 1.9 GHz. A PAE of more than 60% was achieved from 1.87 to 1.98 GHz.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Frequency Characteristic of Power Efficiency for 10 W/30W-Class 2 GHz Band GaN HEMT Amplifiers with Harmonic Reactive Terminations
Tomohiro Yao; Ryo Ishikawa; Yoichiro Takayama; Kazuhiko Honjo; Hiroyoshi Kikuchi; Takashi Okazaki; Kazuhiro Ueda; Eiichiro Otobe
Proceedings of 2013 Asia Pacific Microwave Conference (APMC2013), P1-21巻, 掲載ページ 745-747, 出版日 2013年11月, 査読付, An increase in amplifier efficiency is generally accompanied by a narrow bandwidth characteristic, especially when used with distributed transmission lines, since higher harmonics have to be treated. The frequency dependence of harmonic reactive terminations using transmission lines has been discussed for a high-efficiency amplifier design. In simulation, the designed amplifiers showed steep efficiency degradation due to a small source-side impedance shift for the second-order harmonic frequency. Therefore, both the source- and load-side circuits have to be optimized simultaneously. Fabricated 10-W and 30-W class GaN HEMT amplifiers including DC bias circuits exhibited a maximum drain efficiency of 81% at 1.98GHz and 77% at 1.95 GHz, respectively. © 2013 IEEE.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Analytical Expression of Linear Antenna’s Characteristics Using Multipole Expansion and Chu’s Equivalent Circuit
Akira Saitou; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 2013 Asia Pacific Microwave Conference (APMC2013), IEEE, F2F-2巻, 掲載ページ 585-587, 出版日 2013年11月, 査読付, Analytical expression including higher-order modes for a linear dipole antenna is derived with the multipole expansion and Chu's equivalent circuits. Current distribution on the antenna's conductor and loss caused by the radiation are consistently combined. Input power at the port is approximated to be guided totally on the conductor up to an effective antenna's radius, and to propagate in free space beyond the radius. The circuit for the power to propagate in free space is expressed by Chu's equivalent circuits for all the TM modes. With the derived formulae, numerical estimations of the current distributions and input impedances are shown up to 3rd-order-mode's resonant frequency. The numerical data are compared with measured data for the antennas with different line widths, and the data are shown to agree well.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

A 1.2-2.0 GHz-band GaAs pHEMT Cascode Power Amplifier MMIC Consisting of Independently Biased Transistors
Satoshi Tasaki; Yoichiro Takayama; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 2013 Asia Pacific Microwave Conference (APMC2013), P1-21巻, 掲載ページ 722-724, 出版日 2013年11月, 査読付, An L-band wideband cascode power amplifier MMIC with independently biased GaAs pHEMTs is developed. This amplifier can independently control distortion and power-efficiency, achieved a power-added efficiency (PAE) above 53% from 1.2 to 2.0 GHz and third-order intermodulation distortion (IMD3) better than -40 dBc with a maximum PAE of 33.3% for a maximum output power of 17.0 dBm, and showed superior performance compared to a conventional cascode amplifier. © 2013 IEEE.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Multi-band Reconfigurable Antennas Embedded with Lumped-Element Passive Components and Varactors
Shoichi Onodera; Ryo Ishikawa; Akira Saitou; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 2013 Asia Pacific Microwave Conference (APMC2013), IEEE, W2D-2巻, 掲載ページ 137-139, 出版日 2013年11月, 査読付, Frequency reconfigurable dual-band antennas with varactor diodes have been demonstrated. An equivalent circuit that takes both coupling with free space and an antenna conductor embedded with lumped-elements into consideration is proposed for the design of reconfigurable antennas. By means of the equivalent circuit, reconfigurable antennas that independently control dual-band resonant frequencies were designed and fabricated with a parallel circuit with an inductor and a varactor. The lower resonant frequency was successfully controlled between 1.60 and 1.91 GHz, and the upper resonant frequency was controlled between 3.32 and 3.71 GHz. Measured gains were more than -9.8 dBi in the lower band, and more than -7.3 dBi in the upper band, respectively. To improve the gain, a reconfigurable antenna with a series circuit of an inductor and a varactor was also fabricated for the lower band. Measured gains have been improved to more than -4 dBi in the lower band.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Reversible High Efficiency Amplifier/Rectifier Circuit for Wireless Power Transmission System
Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 2013 Asia Pacific Microwave Conference (APMC2013), IEEE, W1F-1巻, 掲載ページ 74-76, 出版日 2013年11月, 査読付, A reversible high-efficiency amplifier/rectifier circuit using one transistor has been proposed. For the gate side of the transistor, an input circuit for the amplifier and a gate adjusting circuit for the rectifier are prepared. By switching the circuits, the operation mode is changed. For the drain side of the transistor, a harmonic treatment circuit can be shared by both operations. The harmonic treatment induces high-efficiency operation not only for the amplifier, but also for the rectifier. To verify both operations, a GaAs pHEMT amplifier and a rectifier which varied only the gate-side circuit were designed and fabricated at 5.8 GHz. The fabricated amplifier exhibited a maximum drain efficiency of 71%, and the fabricated rectifier exhibited an RF-to-DC conversion efficiency of 68%.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Microwave Power Transfer Evaluation at 2.45 GHz Using a High-Efficiency GaAs HEMT Amplifier and Rectifier
Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 43rd European Microwave Conference (EuMC2013), IEEE, EuMIC49-4巻, 掲載ページ 916-919, 出版日 2013年10月, 査読付, Microwave power transfer has been evaluated at 2.45GHz by using a high-efficiency InGaAs/GaAs pHEMT amplifier and rectifier. The same type of HEMT and harmonic treatment circuit were used for both the amplifier and the rectifier. Harmonic reactive terminations up to the fifth order were applied to the harmonic treatment circuits to obtain a high-efficiency characteristic. The fabricated amplifier and rectifier delivered a maximum drain efficiency of 78% and a maximum RF-to-DC efficiency of 77% at 2.45 GHz, respectively. In addition, a total DC-to-DC efficiency of 57% for the microwave power transfer via a 0.5-m coaxial cable was obtained by using the fabricated amplifier and rectifier.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Analytical Design Method for a Low-Distortion Microwave InGaP/GaAs HBT Amplifier Based on Transient Thermal Behavior in a GaAs Substrate
Ryo Ishikawa; Junichi Kimura; Kazuhiko Honjo
IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 3巻, 10号, 掲載ページ 1705-1712, 出版日 2013年10月, 査読付, Based on the transient thermal behavior in a GaAs substrate, the distortion caused by the self-heating effect in an InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) has been analytically compensated. The temperature-time variation in a transistor depends on the thermal characteristics of a semiconductor substrate at the base-band range. For a wideband digital modulated signal as input, a multistage thermal resistor-thermal capacitor ladder circuit is used as a model to emulate the thermal characteristics. The distortion analysis is based on Taylor and Volterra series expansion techniques including both electrical and thermal effects. In addition, a compensation condition for the distortion caused by the thermal influence is also successfully derived based on distortion analysis. The validity of the proposed analytical method is shown for an InGaP/GaAs HBT power amplifier operating at 1.95 GHz. The analytical design results are in good agreement with the measured results.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Spatially modulated communication method using dual scatterers embedded with lumped elements for wireless power transmission
Akira Saitou; Kohei Hasegawa; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Communications, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E96-B巻, 10号, 掲載ページ 2425-2430, 出版日 2013年10月, 査読付, A novel spatially modulated communication method, appropriate for wireless power transmission applications at 5.8 GHz, is proposed using dual scatterers embedded with lumped elements. Analytical expression for the received wave in the spatial modulation is derived, and the characteristics are verified with simulation and measurement by varying the embedded capacitor. The maximum measured variation of the received voltage is more than 15 dB and that of the phase is more than 270 degrees at 5.8 GHz. The estimated amplitude modulation factor is more than 70%. Using the data obtained, we estimate the practical received waveforms modulated by the applied voltage to a varactor for the amplitude modulation scheme.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Bi-Directional Wireless Power Transfer Technology for Wireless Sensor/Power Networks
Keito Ota; Hiroshi Mizutani; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
2013 IEEE-APS Topical Conference on Antennas and Propagation in Wireless Communications, IEEE Computer Society, 3rd Edition巻, 掲載ページ 786-789, 出版日 2013年09月, 査読付, This study approaches a new proposal for 'the wireless power networks (WPNs)'. Injecting the wireless ad-hoc networks with newly bi-directional power transfer has the advantage of stabilizing networks operation when a power source happens to broke down. This research putting network at forefront, proves that make a fundamental demonstration for bi-directional wireless power transfer (BD-WPT) system using an electric resonant coupler to an experimental level of WPNs. There is also the fact that, a space modeling deliberates an equivalent circuit of the coupler. WPNs are thought to make a large contribution to stable operation, and consequently making save wireless sensor networks. © 2013 IEEE.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Novel Active CRLH Transmission Lines Incorporating FETs
Hiroshi Mizutani; Keito Ota; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
7th International Congress on Advanced Electromagnetic Materials in Microwaves and Optics, IEEE, 掲載ページ I-41, 出版日 2013年09月, 査読付, In this paper, the novel active composite right/left-handed transmission lines (CRLH-TLs) are presented incorporating FETs for the reconfigurable antennas. The demonstrated CRLH-TL with three FETs has four states with respect to the bias combination of the FETs. The measured characteristics of the developed active CRLH-TL indicate two states of the radiation and the reflection with the bias combination. In the case of the radiation state, the backward radiations are observed from the EM simulation in the left-handed (LH) region. The proposed active CRLH-TLs incorporating FETs provide the reconfigurable characteristics for the leaky wave antenna.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Power Gain Characteristic of Single-Electron Transistors (SETs)
Luong Duy Manh; Kazuhiko Honjo
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013), PS-9-4巻, 掲載ページ 302-303, 出版日 2013年09月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Novel Design Method for Electrically Symmetric High-Q Inductor Fabricated Using Wafer-Level CSP Technology
Yutaka Aoki; Shoichi Shimizu; Kazuhiko Honjo
IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 3巻, 01号, 掲載ページ 31-39, 出版日 2013年01月, 査読付, High-Q spiral inductors are described that are embedded in the wafer-level chip-size package (WLP) and suffer from unfavorable two-port asymmetric characteristics. To solve this problem, a novel clip-type inductor is proposed, where an electrode crossover point in multiturn inductor structures is modified from a conventional mirror symmetric point to a novel electrical symmetric point. These novel clip-type inductors are designed and fabricated using the WLP technology. By means of a developed 4 nH novel clip inductor, a Q factor value difference between the two ports can be significantly reduced to 1.4% from 14.8% at 1.4 GHz. The Q factors of developed inductors are evaluated under both a conventional shortcircuited load condition and an impedance-matched condition. In addition, a novel evaluation method for inductance values for inductors is also described. By using newly derived formulas, inductance values for a fabricated WLP clip-type inductor and a fabricated meander-type inductor are evaluated. This method represents the inherent nature of inductor devices under test including circuit parasitic elements.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Experimental Design Method for GHz-Band High-Efficiency Power Amplifiers Based on MHz-Band Active Harmonics Load-Pull Technique
Ryo Ishikawa; Yoichiro Takayama; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 2012 Asia Pacific Microwave Conference, IEEE, 3B1巻, 06号, 掲載ページ 478-480, 出版日 2012年12月, 査読付, We propose an experimental design method for GHz-band high-efficiency power amplifiers based on a MHz-band active load-pull technique that includes harmonics tuning. By considering reactive parasitic elements in the transistor, an optimum load condition in the GHz-band can be predicted with the MHz-band evaluation method. The active load-pull system is easily constructed by using a commercial arbitrary waveform generator and oscilloscope. Therefore, a load circuit design depending on the specific properties of the transistor can easily be achieved. A load circuit for a 1.9-GHz operation has been experimentally designed based on 20-MHz-band active load-pull measurement.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

A Broadband Doherty Power Amplifier without a Quarter-Wave Impedance Inverting Network
Shintaro Watanabe; Yoichiro Takayama; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 2012 Asia Pacific Microwave Conference, IEEE, 3A1巻, 03号, 掲載ページ 361-363, 出版日 2012年12月, 査読付, A new Doherty power amplifier topology without a quarter-wave impedance inverting network is proposed. This topology enables the enhancement of amplifier bandwidth and achieves a more compact amplifier size. In order to remove an inverting network, the output matching network of the carrier amplifier is designed to realize high performance both at a low-RF level in the off-state of a peaking amplifier and at the RF saturation level. A 1.9-GHz Doherty amplifier without a quarter-wave impedance inverting network was designed and fabricated using GaN HEMTs. A series-connection-type amplifier using an output-combining balun was realized in a lumped-element circuit configuration. The amplifier achieved a power-added efficiency ( PAE) of 51% at an output power of 29 dBm under an 11-dB input back-off from a 34-dBm saturated output power with a power-added efficiency of 59%. A maximum PAE higher than 48% was obtained over a frequency range of 1.67 to 1.97 GHz.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Parameter Extraction of c- and π- modes for Broadband Balun Using an Asymmetric Coupled Line
Akira Saitou; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 2012 Asia Pacific Microwave Conference, IEEE, 2A2巻, 03号, 掲載ページ 22-24, 出版日 2012年12月, 査読付, Miniature broadband 1: 1 baluns for differential mode antennas are exhibited with an asymmetric broadside coupled line in an inhomogeneous medium. To design characteristics of a balun for both the in-band and the rejection band, c-and pi -mode parameters for the coupled lines are extracted by both simulation and measurement. The rejection band of the broadband balun is shown to be caused by the c-mode transmission. With the extracted parameters, optimal line dimensions are obtained for 50 Omega single-mode input and differential-mode output port impedances. Measured fractional bandwidth is as wide as 178% for the 0.2-mm-wide broadside coupled line in a 1-mm-thick multi-layer FR-4 substrate.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Spatially Modulated Communication Method Using Dual Scatterers for Wireless Power Transmission
Kohei Hasegawa; Ryo Ishikawa; Akira Saitou; Kazuhiko Honjo
Proceedings of the 42nd European Microwave Conference, IEEE, EuMIC/EuMC01-4巻, 掲載ページ 587-590, 出版日 2012年10月29日, 査読付, A novel spatially modulated communication method with electrically controlled dual scatterers has been proposed for wireless power transmission systems. Electromagnetic wave interference produced by the scatterers forms the spatial modulation, whose precise mechanism has been successfully formulated using the array factor theory. The scatterers are formed by lumped-element embedded miniature antennas, which are short-circuit terminated. One of those scatterers includes an integrated voltage-controlled varactor for changing the array factor. For a frequency range from 5.5 to 6.2 GHz, a fabricated module exhibits an excellent spatial modulation potential with a dynamic range of 9.6 to 19.9 dB. The spatial modulation experiment was carried out using base-band signals such as sine-waves and square-waves. A measured AM-modulation factor of 60% was achieved.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Ultra High Efficiency Microwave Power Amplifier for Wireless Power Transmission (Invited Paper)
Kazuhiko Honjo; Ryo Ishikawa; Yoichiro Takayama
Proceedings of the 42nd European Microwave Conference, IEEE, APMC-02巻, 掲載ページ 1339-1342, 出版日 2012年10月29日, 査読付, 招待, Realizing ultra-high-efficiency power amplifiers operating at 5.8 GHz is a key issue for wireless power transmission such as space solar-power satellite systems and wireless smart-grid short-distance power supply systems. To achieve ultra-high efficiency, current and voltage waveform control is indispensable to eliminate power dissipations at the harmonic frequencies and to keep a balance between the supplied DC power and the 5.8-GHz output power. This paper reports optimized design techniques, including class-F, inverse class-F, and reactive harmonic load amplifiers. The developed GaN HEMT amplifier delivered a record-high drain efficiency of 90% and a power-added efficiency (PAE) of 79%.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Parasitic-Element Compensation Based on Factorization Method for Microwave Inverse Class-F/Class-F Amplifiers
Osamu Miura; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
IEEE Microwave and Wireless Components Letters, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 22巻, 10号, 掲載ページ 1-3, 出版日 2012年10月, 査読付, A novel parasitic-element compensation design method with a combination of factorization and coefficient comparison for microwave inverse class-F/class-F amplifiers is proposed. This novel method is applicable to all circuit topologies, including L - C parallel and series resonance circuits, and ladder circuits with arbitrary order of the higher harmonic frequencies. The validity of the proposed method has been checked with a fabricated 1.9 GHz inverse class-F GaN-HEMT power amplifier, considering harmonic frequencies up to the fourth order. A drain efficiency of 77% and power added efficiency of 70% were obtained at 1.88 GHz.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Spatial Modulation Module Consisting of a Microstrip Array Antenna and Dual Scatterers for Wireless Power Transmission
Taihei Inoue; Kohei Hasegawa; Akira Saitou; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 2012 International Symposium on Antenna and Propagation, 2E2-3巻, 掲載ページ 459-462, 出版日 2012年10月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Novel Spatial Modulation Method Using Dual Scatterers for Wireless Power Transmission
Akira Saitou; Kohei Hasegawa; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 2012 International Symposium on Antenna and Propagation, 1E3-2巻, 掲載ページ 162-165, 出版日 2012年10月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

5.65-GHz High-Efficiency GaN HEMT Power Amplifier with Harmonics Treatment up to Fourth Order
Masahiro Kamiyama; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
IEEE Microwave and Wireless Components Letters, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 22巻, 6号, 掲載ページ 315-317, 出版日 2012年06月, 査読付, A high-efficiency GaN HEMT power amplifier with harmonics treatment up to the fourth order has been developed at the 5.8 GHz band. The harmonics treatment was applied by considering the influence of feedback and shunt capacitance in the GaN HEMT, to reduce the average power consumption in a GaN HEMT including parasitic elements. The fabricated GaN HEMT amplifier delivered a maximum power-added efficiency of 79% and a maximum drain efficiency of 90% at 5.65 GHz, and the saturated output power was 33.3 dBm. This value represents state-of-the-art C-band performance efficiency.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Miniaturized Broadband Antenna Combining Fractal Patterns and Self-Complementary Structures for UWB Application
Vasil Dimitrov; Akira Saitou; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Communication, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E95-B巻, 05号, 掲載ページ 1844-1847, 出版日 2012年05月, 査読付, Miniaturized broadband antennas combining a fractal pattern and a self-complementary structure are demonstrated for UWB applications. Using four kinds of fractal patterns generated with an octagon initiator, similar to a self-complementary structure, we investigate the effect of the fractal pattern on broadband performance. The lower band-edge frequency of the broad bandwidth is decreased by the reduced constant input impedance, which is controlled by the vacant area size inside the fractal pattern. The reduced constant input impedance is shown to be produced by the extended current distribution flowing along the vacant areas. Given the results, miniaturized broadband antennas, impedance-matched to 5052, are designed and fabricated. The measured return loss was better than 10 dB between 2.95 and 10.7 GHz with a size of 27 x 12.5 mm. The lower band-edge frequency was reduced by 28% compared with the initiator.
研究論文（学術雑誌）, 英語

A Novel High-Frequency Analysis and Modeling for the Printed-Circuit Board Using Enhanced Optimized Segment Extraction Method with Multi-Port S-Parameter
Hirobumi Inoue; Kazuhiko Honjo
International Conference on Electronics Packaging (ICEP-IAAC 2012) Proceedings, 掲載ページ 628-633, 出版日 2012年05月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Extension of EOSE Method to Weak Nonlinear Systems and Its application to InGaP/GaAs HBT MMIC Parallel Tracks
Hirobumi Inoue; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
International Conference on Electronics Packaging (ICEP-IAAC 2012) Proceedings, 掲載ページ 634-638, 出版日 2012年05月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

A High-Efficiency, Low-Distortion GaN HEMT Doherty Power Amplifier with a Series Connected Load
Satoshi Kawai; Yoichiro Takayama; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 60巻, 2号, 掲載ページ 352-360, 出版日 2012年02月, 査読付, A distortion reduction method for a newly developed GaN HEMT Doherty amplifier (DA) with a series-connected load operating at 1.8 GHz is presented. Differing from conventional DAs with shunt-connected loads, the newly developed DA with a series-connected load has high input impedance, resulting in low-loss impedance matching and high-efficiency power combining. A distortion cancellation mechanism and its condition are derived, where odd-order nonlinear factors of transistors are considered, so as to retain inherent distortion cancellation between a peaking amplifier and a carrier amplifier. The validity of the design method is demonstrated using the developed 1.8-GHz GaN HEMT DA with a series-connected load. The third-order intermodulation distortion of the DA is improved by more than 15 dB at output powers from 5 to 20 dBm, compared to the case giving priority to power efficiency. The developed amplifier delivers a power-added efficiency (PAE) of 31% at an output power of 24 dBm, corresponding to 10-dB input backoff from a saturated output power of 31 dBm with a PAE of 58%. The proposed distortion reduction method can also be applied to shunt-connected-load-type amplifiers of other devices.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Spatially Modulated Communication Method Using Dual Scatterers for Wireless Power Transmission
Kohei Hasegawa; Ryo Ishikawa; Akira Saitou; Kazuhiko Honjo
2012 7TH EUROPEAN MICROWAVE INTEGRATED CIRCUITS CONFERENCE (EUMIC), IEEE, 掲載ページ 587-590, 出版日 2012年, 査読付, A novel spatially modulated communication method with electrically controlled dual scatterers has been proposed for wireless power transmission systems. Electromagnetic wave interference produced by the scatterers forms the spatial modulation, whose precise mechanism has been successfully formulated using the array factor theory. The scatterers are formed by lumped-element embedded miniature antennas, which are short-circuit terminated. One of those scatterers includes an integrated voltage-controlled varactor for changing the array factor. For a frequency range from 5.5 to 6.2 GHz, a fabricated module exhibits an excellent spatial modulation potential with a dynamic range of 9.6 to 19.9 dB. The spatial modulation experiment was carried out using base-band signals such as sine-waves and square-waves. A measured AM-modulation factor of 60% was achieved.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Directivity Control by Asymmetrically Fed Dipole Antenna with PIN Diode Switches
Yuuya Hoshino; Akira Saitou; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Communication, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E95-B巻, 01号, 掲載ページ 106-108, 出版日 2012年01月, 査読付, A feed-point-selective, asymmetrically fed dipole antenna has been proposed for multiple-input multiple-output (MIMO) applications. By using PIN diode switches, an asymmetrical antenna feed is realized so as to control antenna directivities. The two basic requirements for MIMO antenna radiation patterns, namely, a decrease in overlap and control in direction, have been achieved. Additionally, to enhance directivities for the antenna with PIN diodes, a reflector has been introduced. The gain toward the reflector decreased by 2 dB, while the gain in the direction of the maximum gain increased by 2 dB. The developed antenna can correspond to a variable power angular spectrum (PAS).
研究論文（学術雑誌）, 英語

Spatial Modulation using Array Factor Control for Smart Grid Wireless Power Transmission
Kohei Hasegawa; Yuuya Hoshino; Ryo Ishikawa; Akira Saitou; Kazuhiko Honjo
Proceedings of Asia Pacific Microwave Conference 2011, IEEE, WE3E-02巻, 掲載ページ 837-840, 出版日 2011年12月, 査読付, A novel spatial modulation method has been proposed for the smart grid wireless power transmission systems. In this method, signals are applied to reflectors placed near antennas of a main power transmission system, and a part of the main beam is modulated by the reflectors, with the minimum influence to the main power beam. The reflector is terminated by a variable impedance device which is controlled by base-band signals. Thus, a directivity including phase shift is modulated. To analyze the system, the array factor theory was used. To demonstrate validity of the proposed method, an experiment using a monopole antenna and a monopole reflector were carried out, where AM modulation index of 6% was observed in a specified direction.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Analytical Design Method for Thermal Memory Effect Compensation Circuit in Microwave Power Amplifiers
Ryo Ishikawa; Junichi Kimura; Kazuhiko Honjo
Proceedings of Asia Pacific Microwave Conference 2011, IEEE, TU5P-27巻, 掲載ページ 315-318, 出版日 2011年12月, 査読付, An analytical design method based on Volterra series including both electrical effects and thermal effects is presented for compensating thermal memory effects in microwave power amplifiers. By using an electrical memory-effect-generation circuit consisting of a multi-stage RC ladder network, the thermal memory effect is directly canceled. Analytical formulas for this canceling condition and circuit parameters have been successfully derived. The validity of the proposed analytical method has been shown for an InGaP/GaAs HBT power amplifier operating at 1.95 GHz. The analytical design results are in good agreement with measured results.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Miniaturized dual-band differential-mode printed antennas embedded with broadband balun
Akira Saitou; Ryo Ishikawa; Yutaka Aoki; Kazuhiko Honjo
Proceedings of Asia Pacific Microwave Conference 2011, IEEE, TH1D-03巻, 掲載ページ 1298-1301, 出版日 2011年12月, 査読付, A miniaturized dual-band differential-mode antenna with a broadband 1: 1 balun is integrated in a 1-mm thick multi-layer PCB substrate. A broadband balun for the 2.5 GHz and 5.2 GHz dual-band, was designed and fabricated with a broadside-coupled line structure. With a proposed deembedding method, mixed-mode S-parameters of the unit balun were extracted with measured data. Simulated and measured return losses were better than 12 dB in the dual-band. With the balun, a miniaturized dual-band antenna embedded with lumped-elements was integrated. The lumped elements were also used for impedance-matching with the balun. The size is 60 % smaller than the half-wave dipole antenna. Measured return loss of the integrated antenna connected to a coaxial cable was 15.3 dB at 2.5 GHz and 24.1 dB at 5.2 GHz. Measured gain was almost omni-directional in both the bands. The maximum gain was -0.5 dBi at 2.5 GHz and 1.1 dBi at 5.2 GHz.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

線路間結合を考慮した多ポートＳパラメータを持った拡張ＯＳＥ法によるプリント配線板の高周波特性解析
井上博文; 本城和彦
エレクトロニクス実装学会誌, 14巻, 7号, 掲載ページ 555-565, 出版日 2011年11月, 査読付, Electronic products such as telecommunication systems, computers, and digital consumer electronics have come to require high-speed and high-density packaging. High-frequency electromagnetic field analysis is used for the printed-circuit board design of these products. For the analysis of the GHz-frequency characteristics of antennas, filters, resistors, capacitors, inductors and passive elements in wiring patterns, electromagnetic field analysis has proven to be suitable for the measurement well. However, a printed-circuit board is a large collection of interconnects, and even if a high-end personal computer is used, the analysis takes several days at least. Therefore, before fabrication, albeit is impossible to verify various aspects of the electromagnetic field analysis. Generally, if the analysis time has to be shortened from days to minutes, the subdivision modeling technique is used. In this case, the high-frequency analysis accuracy is unsatisfactory. In this paper we propose instead an accurate electromagnetic field solver for high-frequency characterization as a subdivision modeling technique using an EOSE (Enhanced Optimized Segment Extraction) method with multi-port S-parameter consideration of the coupling between transmission lines, based on the original, OSE (Optimized Segment Extraction) method. We evaluated this EOSE method for analysis time and high-frequency analysis accuracy in a multilayer printed-circuit board with via connections. The analysis time was confirmed to be about 1/6 that of the result analyzed in the whole of the structure. Furthermore, the analytic precision error was within 0.5 dB in the 5-8 GHz range when dividing in the continuous part of the transmission line. From these results, we showed the validity of this proposal technique.
研究論文（学術雑誌）, 日本語

High-Efficiency, Low-Distortion Microwave Cascode Power Amplifier with Independently Biased AlGaN/GaN HEMTs
Ryo Ishikawa; Yoichiro Takayama; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 2011 Korea-Japan Microwave Conference, 掲載ページ 78-81, 出版日 2011年11月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

A predistortion diode linearizer technique with automatic average power bias control for a class-F GaN HEMT power amplifier
Akihiro Ando; Yoichiro Takayama; Tsuyoshi Yoshida; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Electronics, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E94-C巻, 7号, 掲載ページ 1193-1198, 出版日 2011年07月, 査読付, A novel predistortion technique using an automatic average-power bias controlled diode is proposed to compensate the complicated nonlinear characteristics of a microwave class-F power amplifier using an AlGaN/GaN HEMT. The optimum value for diode bias voltage is automatically set according to detected input average RF power level. A high-efficiency 1.9 GHz class-F GaN HEMT power amplifier with the automatic average-power bias control (ABC) diode linearizer achieves an improved third order inter-modulation distortion (IMD3) of better than -45 dBc at a smaller than 6 dB output power back-off from a saturated output power of 27 dBm, without changing drain efficiency. The adjacent channel leakage power ratio (ACPR) for 1.9 GHz W-CDMA signals is below -40 dBc at output power levels of smaller than 20 dBm for the class-F power amplifier.
研究論文（学術雑誌）, 英語

UWB Active Balun Design with Small Group Delay Variation and Improved Return Loss
Kyoung-Pyo Ahn; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Electronics, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E94-C巻, 5号, 掲載ページ 905-908, 出版日 2011年05月, 査読付, Different from distributed baluns, active baluns have group delay variations in the lower bands related to inherent internal capacitances and resistance in transistors. A negative group delay (NGD) circuit is employed as a compensator of group delay variation for an ultrawideband (UWB) active balun. First, three-cell NGD circuit is inserted into a simple active balun circuit for realizing both group delay compensation and return loss improvement. The simulated results show a group delay variation of 4.8 Ps and an input return loss of above 11.5 dB in the UWB band (3.1-10.6 GHz). Then, a pair of one-cell NOD circuits is added to reduce the remaining group delay variation (3.4 Ps in simulation). The circuit with the NOD circuits was fabricated on an InGaP/GaAs HBT MMIC substrate. The measured results achieved a group delay variation of 7.7 Ps, a gain variation of 0.5 dB, an input return loss of greater than 10 dB, and an output return loss of larger than 8.1 dB in the UWB band.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Distributed Class-F/Inverse Class-F Circuit Considering up to Arbitary Harmonics with Parasitics Compensation
Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
2011 IEEE MTT-S Internatinal Microwave Workshop Series on Innovative Wireless Power Transmission, IWPT2-1号, 掲載ページ 29-32, 出版日 2011年05月, 査読付, Class-F and inverse class-F load circuits that can be treated up to arbitrary harmonics have been presented. The class-F and inverse class-F load circuits are designed so that influence of parasitic elements at a transistor is compensated. By using distributed circuit elements, the class-F and inverse class-F amplifier can operate at C-band. The design method mainly for the inverse class-F load circuit is described. Using ideal transmission line model, a designed inverse class-F considering up to the fifth order harmonics exhibits power added efficiency of about 80% in simulation. © 2011 IEEE.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

パッケージ内蔵型高調波処理回路およびこれを用いたマイクロ波逆F級GaN HEMT増幅回路
吉田剛; 石川亮; 本城和彦
電子情報通信学会C論文誌, 一般社団法人電子情報通信学会, J93-C巻, 12号, 掲載ページ 557-564, 出版日 2010年12月, 査読付, マイクロ波帯で使用する高出力トランジスタパッケージには,50Ω系での使用を目的にパッケージ内のトランジスタチップ近傍に小型内部整合回路が設けられている.一方で,高効率動作を実現するF級,逆F級などではトランジスタ近傍で高調波処理を行う必要性がある.そこで,今回,パッケージ内部に内蔵可能である小型の内部高調波処理用回路(IHN:Internal Harmonic treatment Network)の試作及び評価を行った.まず,集中定数受動素子で構成される高調波処理回路をGaAs MMICプロセスを利用して設計・試作し,基本波2GHz帯での四次高調波まで処理したF級,逆F級高調波処理回路の特性を確認した.次に,逆F級について,このIHNをGaN HEMT素子に適用し,基本波ロードプルを行った場合の特性をシミュレーション及び実験で確認し,シミュレーションにおいてPAE70%以上の高効率動作を確認した.一方で,実測では抵抗損失等による効率低下が確認された.そこで,IHNの損失に関する解析を行い,効率への影響を詳細に調べた.
研究論文（学術雑誌）, 日本語

Distortion Reduction of a GaN HEMT Doherty Power Amplifier with a Series Connected Load
Satoshi Kawai; Yoichiro Takayama; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of Asia Pacific Microwave Conference 2010, IEEE, TH1E-02巻, 掲載ページ 658-661, 出版日 2010年12月, 査読付, Doherty introduced two types of concepts for high-efficiency linear amplifiers in 1936. One has a shunt connected load and the other has a series connected load. We fabricated a 1.9 GHz GaN HEMT Doherty power amplifier with a series connected load using baluns. The amplifier realized high power efficiency with a wide dynamic range in comparison with a conventional push-pull amplifier. In this paper, we propose distortion reduction method for the amplifier and achieved reduction of the third-order intermodulation distortion (IMD3) more than 15 dB at the output power from 5 to 20 dBm. The amplifier realized power-added efficiency (PAE) of 31 % at the output power of 24 dBm at 10 dB input backoff from the saturated output power of 31 dBm with PAE of 58 %.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Adaptive control of radiation patterns for monopole antenna with frequency-selective reflector with loading varactor
Yuuya Hoshino; Akira Saitou; Kazuhiko Honjo
Proceedings of Asia Pacific Microwave Conference 2010, IEEE, TH2D-01巻, 掲載ページ 750-753, 出版日 2010年12月, 査読付, An adaptive controllable monopole antenna with a frequency-selective reflector has been developed with a miniature planar structure for MIMO applications. Radiation patterns for the developed antenna could be successfully controlled by a loaded GaAs Shottkey-barrier diode varactor fabricated with a MMIC process. By increasing the capacitance value from 0.23[pF] to 0.43[pF], a measured gain at 2.5[GHz] on the E-plane was controlled to decrease by 2 dB for the direction toward the reflector and to increase by 0.5 dB for the opposite direction.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

A novel design of dual-band antennas with orthogonal radiation patterns for MIMO applic ations
Akira Saitou; Yuuya Hoshino; Yutaka Aoki; Kazuhiko Honjo
Proceedings of Asia Pacific Microwave Conference 2010, IEEE, WE1E-01巻, 掲載ページ 80-83, 出版日 2010年12月, 査読付, Differential-mode dual-band antennas with frequency-selective scattering elements are demonstrated for MIMO applications. The input impedance of the small antenna is shown to be approximated with a cascade circuit of the antenna's conductor and the coupling with the free space. With the results, differential-mode dual-band antennas were designed. Satisfactory return losses and omni-directional radiation patterns were obtained in both 2.5 GHz and 5.5 GHz bands. Using the antennas for both a radiator and a frequency-selective scattering element, pattern orthogonality is shown to be improved with both the simulated array factor and the measured radiation patterns. To obtain better orthogonality, frequency-selective scattering elements dedicated for each band in the shape of a line, an arc, and a parabola were estimated. A dual-band antenna with two scattering elements for the 2.5GHz and 5.5GHz bands exhibited excellent orthogonal patterns in both the bands.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Parasitic Compensation Design Technique for a C-Band GaN HEMT Class-F Amplifier
Kenta Kuroda; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 58巻, 11号, 掲載ページ 2741-2750, 出版日 2010年11月, 査読付, A class-F/inverse class-F load circuit design method that includes parasitic elements such as drain-source capacitance and bonding wire inductance has been developed. For the class-F load circuit design, a reactance function which has zeros at even harmonic frequencies and poles at odd harmonic frequencies is expanded to an LC-ladder circuit including parasitic elements through the use of the second Cauer canonical form. For the inverse class-F load circuit design, the zero points and the poles are exchanged. One stage of the LC-ladder circuit can be approximately replaced to a distributed circuit element for higher frequency operation. The proposed method allows parasitic compensation up to an arbitrary harmonic order by adding zeros and poles. Additionally, if distributed circuit elements are used, the method also compensates frequency dispersive characteristics of microstrip lines.
According to the proposed method, a class-F amplifier using an AlGaN-GaN HEMT has been fabricated at 5.8 GHz. The fabricated class-F amplifier delivered high efficiency characteristics, with a maximum drain efficiency of 79.9%, a maximum power-added efficiency (PAE) of 71.4%, and an output power of up to 33.4 dBm at 5.86 GHz.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Impulse UWB T/R MMIC Modules for Baseband Digital Signals
Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 2010 European Microwave Conference, IEEE, 掲載ページ 1066-1069, 出版日 2010年09月, 査読付, Impulse UWB transmitter/receiver (T/R) MMIC modules have been developed using InGaP/GaAs HBT MMIC technology. The modules consist of an impulse generator, an impulse detector, amplifiers, and self-complementary antennas, all in a differential mode. In these modules, UWB impulse signals with a frequency spectrum of more than 9GHz are directly generated from input baseband digital signals using the impulse generator. The pulse width of the impulse signal passing through the antennas is enlarged by the impulse detector so that commercially available analogue and digital ICs can be used. Using the modules, a 100 Mbps digital signal transfer has been successfully evaluated.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Low Noise Group Delay Equalization Technique for UWB InGaP/GaAs HBT LNA
Kyoung-Pyo Ahn; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
IEEE Microwave and Wireless Components Letters, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 20巻, 7号, 掲載ページ 405-407, 出版日 2010年07月, 査読付, This letter describes an ultra-wideband (UWB) LNA designed with the aim of achieving both flat group delay variation and a low noise characteristic. Negative group delay (NGD) circuits are good candidates for compensating the group delay variation; however, they have inherent resistances that deteriorate the noise figure (NF). Therefore, an NGD circuit is applied to the latter part of a prototype amplifier. Similarly, a noise matching circuit is applied to the group-delay-equalized amplifier with consideration for its effect on the group delay variation. The LNA with an NGD circuit and a noise matching circuit is fabricated on an InGaP/GaAs MMIC substrate. The fabricated LNA achieved a group delay variation of 11.2 ps, a NF of 1.95-3.54 dB, a maximum gain of 12.3 dB, and a gain variation of 1.1 dB in the UWB band (3.1-10.6 GHz).
研究論文（学術雑誌）, 英語

Distortion Compensation for Thermal Memory Effect on InGaP/GaAs HBT Amplifier by Inserting RC-Ladder Circuit in Base Bias Circuit
Ryo Ishikawa; Junichi Kimura; Yukio Takahashi; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Electronics, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E93-C巻, 7号, 掲載ページ 958-964, 出版日 2010年07月, 査読付, An inter-modulation distortion (IMD) compensation method for thermal memory effect using a multistage RC-ladder circuit has been proposed. The IMD caused by the thermal memory effect on an InGaP/GaAs HBT amplifier was compensated for by inserting a multistage RC-ladder circuit in the base bias circuit of the amplifier. Since heat flux owing to self-heating in the transistor can be approximated with a multistage thermal RC-ladder circuit, the canceling of IMD by an additional electrical memory effect generated from the RC-ladder circuit is predicted. The memory effects cause asymmetrical characteristics between upper and lower IMD. The IMD caused by the memory effects is expressed as a vector sum of each origin. By adjusting an electrical reactance characteristic for sub-harmonics affected by the thermal memory effect in the amplifier circuit, the asymmetric characteristic is symmetrized. The parameters of the RC-ladder circuit were estimated so that the adjusted electrical reactance characteristic is reproduced in simulation. A fabricated InGaP/GaAs HBT amplifier with the thermal memory effect compensation circuit exhibited a symmetrized and suppressed IMD characteristics.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Analysis of Millimeter-Wave Amplifier Module with Surface Wave Mode Transmission Line by FDTD Electromagnetic-Semiconductor Device Co-Simulation
Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo; Masayuki Nakajima
Electronics and Communications in Japan, SCRIPTA TECHNICA-JOHN WILEY & SONS, 93巻, 3号, 掲載ページ 8-15, 出版日 2010年03月, 査読付, Direct analysis of a millimeter-wave amplifier module by using FDTD electromagnetic and semiconductor device co-simulation technique is demonstrated. The millimeter-wave amplifier module consists of an HFET and planar dielectric transmission lines (PDTL) for the 60-GHz region. A PDTL with a surface wave transmission mode has a low-loss transmission characteristic in the millimeter-wave region when a low-loss ceramic substrate is used. However, the transmission wave of the PDTL tends to be scattered by irregular structures and impedance mismatching. Furthermore, it is predicted that scattered waves reflected at the edges of the substrate will interfere with incident and transmission waves on the PDTL. Using the co-simulation technique, the influence of the scattering waves is investigated in detail for the amplifier module. (C) 2010 Wiley Periodicals, Inc. Electron Comm Jpn, 93(3): 8-15, 2010; Published online in Wiley InterScience (www.interscience.wiley.com). DOI 10.1002/ecj.10211
研究論文（学術雑誌）, 英語

A GaN HEMT Doherty amplifier with a Series Connected Load
Satoshi Kawai; Yoichiro Takayama; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 2009 Asia Pacific Microwave Conference, IEEE, TU4F巻, 掲載ページ --328, 出版日 2009年12月, 査読付, Doherty introduced two types of concepts for high-efficiency amplifiers in 1936. One involved a shunt connected load and the other involved a series connected load. The first one is well known. We propose a microwave Doherty power amplifier with a series connected load using baluns. A 1.9 GHz GaN HEMT Doherty power amplifier was designed and fabricated. At 24 dBm middle and 31 dBm saturated output powers, the amplifier realized improved power efficiencies of 31% and 56%, respectively, compared to power efficiencies of 15% at 24 dBm output power and 57% at 34 dBm saturated power, respectively, obtained with a reference push-pull amplifier.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

A Predistortion Linearizer for a Class-F GaN HEMT Power Amplifier Using Two Independently Controlled Diodes
Akihiro Ando; Yoichiro Takayama; Tsuyoshi Yoshida; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 2009 Asia Pacific Microwave Conference, IEEE, TU1F巻, 掲載ページ --272, 出版日 2009年12月, 査読付, A novel pre-distortion technique using two independently bias-controlled Schottky diodes is proposed to compensate the complicated nonlinear characteristics of the AlGaN/GaN HEMT microwave class-F amplifier, in which inferior intermodulation distortions are often observed for an output power range of large back-off. The newly developed technique has made it possible to achieve both high drain efficiency and low intermodulation distortion simultaneously. The developed linearizer was fabricated in MMIC form and applied to a one watt AlGaN/GaN HEMT class-F amplifier operating at 1.9 GHz, where harmonic frequencies up to the fifth higher order were controlled. With the diode predistortion linearizer, the third-order intermodulation distortion ratio (IMD3) of the 1.9-GHz class-F GaN HEMT power amplifier was improved over power output from 0 to 18 dBm. The IMD3 was under -40 dBc at output powers lower than 10 dBm. The amplifier had a maximum drain efficiency of 70.6 % at output power of 27 dBm.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Microwave Circuit Design Techniques Interacting Electro-Magnetic Waves, Semiconductor Devices Structures and Thermal Phenomena
Kazuhiko Honjo; Ryo Ishikawa
2009 Microwve Workshop Digest, WS13-1号, 掲載ページ 333-338, 出版日 2009年11月, 招待
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Group Delay Equalization Using Multiple Negative Group Delay Circuits
Kyoung-Pyo Ahn; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of Triangle Symposium on Advanced ICT, 掲載ページ 119-122, 出版日 2009年10月
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Group Delay Equalized MMIC Amplifier for UWB Based on Right/Left-Handed Transmission Line Design Approach
Kenji Murase; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
IET Microwaves, Antennas & Propagation, INST ENGINEERING TECHNOLOGY-IET, 3巻, 6号, 掲載ページ 967-973, 出版日 2009年09月, 査読付, A group delay equalised InGaP/GaAs HBT monolithic microwave integrated circuit (MMIC) amplifier with an active balun for ultra-wideband (UWB) application has been developed. The MMIC consists of a broadband amplifier with an active balun and a group delay equaliser. The group delay equaliser was designed based on a theory using a composite right/left-handed (CRLH) transmission line. Adding a right-handed (RH) transmission line to a CRLH transmission line in parallel, a convex group delay characteristic is realised. Since various UWB components have concave group delay characteristics, the group delay equaliser can compensate a concave group delay characteristic of the amplifier in an operation frequency band. In this paper, dispersion, group delay and impedance characteristics for the proposed CRLH/RH circuit have been theoretically analysed. Moreover, a minimised group delay equaliser circuit on an MMIC has been designed and fabricated based on the proposed CRLH/RH circuit. A fabricated group delay equalised InGaP/GaAs HBT MMIC amplifier with an active balun exhibited an improved group delay characteristic compared with the MMIC amplifier without the group delay equaliser. The standard deviations of group delays for a frequency variation in a gain band were decreased from 12.8 to 5.5 ps at S-21 and decreased from 10.3 to 7.3 ps at S-31.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Synthesis for Negative Group Delay Circuits Using Distributed and Second-Order RC Circuit Configurations
Kyoung-Pyo Ahn; Ryo Ishikawa; Akira Saitou; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Electronics, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E92-C巻, 9号, 掲載ページ 1176-1181, 出版日 2009年09月, 査読付, This paper describes the characteristic of negative group delay (NGD) circuits for various configurations including first-order, distributed, and second-order RC circuit configurations. This study includes locus, magnitude, and phase characteristics of the NGD circuits. The simplest NGD circuit is available using first-order RC or RL configuration. As an example of distributed circuit configuration, it is verified that losses in a distributed line causes NGD characteristic at higher cut-off band of a coupled four-line bandpass filter. Also, novel wideband NGD circuits using second-order RC configuration, instead of conventional RLC configuration, are proposed. Adding a parallel resistor to a parallel-T filter enables NGD characteristic to it. Also, a Wien-Robinson bridge is modified to have NGD characteristic by controlling the voltage division ratio. They are fabricated on MMIC substrate, and their NGD characteristics are verified with measured results. They have larger insertion loss than multi-stage RLC NGD circuits, however they can realize second-order NGD characteristic without practical implementation of inductors.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Differential Output Impulse Generation InGaP/GaAs HBT MMIC for Impulse UWB System
Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of European Microwave Integrated Circuit Conference, IEEE, 掲載ページ 266-269, 出版日 2009年09月, 査読付, An impulse generator InGaP/GaAs HBT MMIC with a differential output port has been developed for an impulse Ultra-Wideband (UWB) system. The MMIC directly provides impulse signals to UWB antennas in a differential mode through input digital signals. The impulse generated by the fabricated MMIC had a spectrum peak at 3.5 GHz. By changing the waveform of the input digital signal from a square wave to a short pulse with a width of 3 ns, the spectrum was expanded to a high frequency region by a second peak which appeared at 8.5 GHz. In addition, the detection circuit for the impulse signal was examined based on a peak hold circuit.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Group Delay Equalized UWB InGaP/GaAs HBT MMIC Amplifier Using Negative Group Delay Circuits
Kyoung-Pyo Ahn; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 57巻, 9号, 掲載ページ 2139-2147, 出版日 2009年09月, 査読付, A negative group delay (NGD) circuit has been employed to equalize a group delay variation in a broadband ultrawideband (UWB) InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) monolithic microwave integrated circuit (MMIC) amplifier. Using the NGD circuit, a part of a salient group delay characteristic in the operation band of broadband amplifiers can be suppressed without an increase of the entire group delay. The MMIC amplifier has a steep group delay increase in the lower frequency region of the full-band UWB band (3.1-10.6 GHz) due to the sum of phase variations near the cutoff frequencies of the HBTs. The NGD circuit has been inserted to reduce this increase of the group delay in the UWB band. By adding a three-cell NGD circuit while considering input and output matching at the input side of the MMIC amplifier, the group delay variation is decreased by 78%. However, gain was also decreased by insertion of the multistage NGD circuit. In an attempt to avoid this decrease in gain, a one-cell NGD circuit was inserted into the feedback loop of the MMIC amplifier, and as a result, we were able to decrease the group delay variation by 79%, with minimal gain deterioration.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Milestones of Microwave and Millimeter-wave Technologies -Helical Progress in Device and Circuit- (Invited Paper)
Kazuhiko Honjo
IEICE Electronic Express, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, 6巻, 11号, 掲載ページ 673-688, 出版日 2009年06月, 査読付, The helical structure of progress in microwave and millimeter-wave technologies, with a focus on active device technology and circuit technology, is overviewed with some examples. The position of, and the possibilities for emerging GaN power devices and Si RF devices are described. In addition, as a new trend for methods in global analysis combining electro-magnetic waves and semiconductor devices, FDTD co-simulation is overviewed with the latest example on a 60 GHz amplifier module. Finally, the circuit technology in which the helical structure strongly dominates is overviewed. As one of endless targets for microwave circuit technology, the latest design technique for high power efficiency microwave circuits is introduced, in which co-simulation of electro-magnetic waves and semiconductor devices are effectively used.
研究論文（学術雑誌）, 英語

A Novel Compensation Technique for Inter-Mudulation Distortion Related to the Thermal Memory Effect
Ryo Ishikawa; Junichi Kimura; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 2009 Korea-Japan Microwave Conference, 掲載ページ 169-172, 出版日 2009年04月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

HBTの群遅延解析と負の群遅延回路を用いたその補償
安炅彪; 石川亮; 島田雅夫; 本城和彦
電子情報通信学会B論文誌, 一般社団法人電子情報通信学会, J92-B巻, 01号, 掲載ページ 11-19, 出版日 2009年01月, 査読付, 本論文では,UWBなど超広帯域無線システムに用いるモジュールの性能評価尺度として重要な群遅延特性の均一化を図るために,小信号等価回路を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)の群遅延解析を行い,新たに提案する抵抗を用いた負の群遅延(NGD : Negative Group Delay)回路を用いて,これを補償する方法を提案している.ダブルエミッタ,トリプルベース構造など種々の電極配置構造を有するHBTに対する群遅延解析の結果,群遅延特性と電流駆動能力には密接な関係があることが分かった.また,解析,シミュレーション,及び測定結果により,群遅延偏差は周波数が上がるほど減少する傾向を示す特徴があることが確認された.この特徴に着目すると,UWBの全帯域(3.1〜10.6GHz)での偏差の大部分を減少できる可能性がある.この目的に適した方法の一つは,抵抗とキャパシタの直列回路にインダクタを並列に接続したNGD回路を用いた補償である.この回路は既存のNGDより損失が増すが,広帯域で反射損が改善できる新たなNGD補償回路である.このNGD補償回路をHBTの入力側に,そして直列共振形のNGD補償回路を出力側に付加した場合,UWBの全帯域(3.1〜10.6GHz)内において,6.4dBの利得犠牲の下に,83%の群遅延抑制効果が確認された.なお,このNGD回路は,群遅延補償に加え,反射損の改善にも効果がある.
研究論文（学術雑誌）, 日本語

マイクロ波電力増幅器の高効率化・低ひずみ化のための基礎とその応用 （招待論文）
高山洋一郎; 本城和彦
電子情報通信学会C論文誌, 一般社団法人電子情報通信学会, J91-C巻, 12号, 掲載ページ 677-689, 出版日 2008年12月, 査読付, 招待, マイクロ波電力増幅器はワイヤレス機器の通信品質,電力消費,小型化などに重要な影響を及ぼすキーデバイスである.トランジスタ電力増幅器の電力効率,ひずみ特性などの高性能化け,トランジスタ自身の高性能化,トランジスタの電流電圧波形を制御する回路動作モード及びこれらのトランジスタ回路の組合せ構成技術により追及されてきた.本論文では,基本的なマイクロ波電力増幅器であるA〜C組動作,代表的な高効率マイクロ波電力増幅器であるF級及び逆F組,組合せ型としてプッシュプル形及び最近注目を集めているドハティ増幅器について,高効率化・低ひずみ化のための基本動作原理,特徴及びその回路設計技術を解説する.
研究論文（学術雑誌）, 日本語

Inverse Class-F AlGaN/GaN HEMT Microwave Amplifier Based on Lumped Element Circuit Synthesis Method
Yasuyuki Abe; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 56巻, 12号, 掲載ページ 2748-2753, 出版日 2008年12月, 査読付, A lumped element design method considering more than third-order higher harmonic frequencies for a microwave AlGaN/GaN HEMT inverse class-F amplifier has been developed. The load circuit consists of a series reactance network having zero impedance at the odd order harmonic frequencies and poles at the even order higher harmonic frequencies as well as a shunt reactance network having zero impedance at the odd order harmonic frequencies. A fabricated AlGaN/GaN HEMT inverse class-F amplifier delivered a power-added efficiency of 76.3% and a drain efficiency of 78.3% at 879 MHz.
研究論文（学術雑誌）, 英語

A High-Efficiency Class-F GaN HEMT Power Amplifier with a Diode Predistortion Linearizer
Akihiro Ando; Yoichiro Takayama; Tsuyoshi Yoshida; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 2008 Asia Pacific Microwave Conference, IEEE, A4巻, 30号, 掲載ページ --818, 出版日 2008年12月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Microwave Wideband Characteristics of Perpendicular Dipole Antennas with Phase Shift Lines
Kazuhiro Aoki; Akira Saitou; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 2008 Asia Pacific Microwave Conference, IEEE, G3巻, 05号, 掲載ページ --2719, 出版日 2008年12月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

InGaP/GaAs HBT MMIC Amplifier with Low Power Consumption and Low Noise Characteristics for Full-Band UWB Receiver Systems
Ryo Ishikawa; Takuya Abe; Kazuhiko Honjo; Masao Shimada
IEICE Transactions on Electronics, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E91-C巻, 11号, 掲載ページ 1828-1831, 出版日 2008年11月, 査読付, A wideband InGaP/GaAs HBT MMIC amplifier with a low noise characteristic has been developed as a full-band UWB receiver. The amplifier was designed by applying a scaling law to a driver amplifier in order to decrease power consumption, including a modification for decreasing a noise figure. A triple base structure for a double-emitter HBT was employed to decrease a base resistance and to decrease a noise figure of the amplifier. A fabricated amplifier provided a 3-dB gain roll-off bandwidth from 1.1 GHz to 10.6 GHz with a 14.1 dB peak power gain. The amplifier exhibited a low power consumption of 15.9 mW and a low noise figure of less than 3.7 dB in the full-band of the UWB.
研究論文（学術雑誌）, 英語

High-Efficiency GaN-HEMT Class-F Amplifier Operating at 5.7 GHz
Kenta Kuroda; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 38th European Microwave Conference (EuMC2008), IEEE, EuMC23-4号, 掲載ページ 440-443, 出版日 2008年10月, 査読付, We report on the design, fabrication, and measurement results of a high-efficiency class-F amplifier using an AlGaN/GaN HEMT at 5.7 GHz. Because of their higher operating voltage, GaN devices are expected to have higher operating efficiency as compared to GaAs devices. The fabricated amplifier using a low-loss resin microstrip substrate validated high efficiency expectations with a maximum drain efficiency of 77.1%, maximum power added efficiency of 68.7%, and output power of up to 34.5 dBm at 5.69 GHz.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

A Novel Inductance Evaluation Method for Clip-Type Inductors and Meander Inductors Under the Impedance Matched Condition
Shoichi Shimizu; Yutaka Aoki; Kazuhiko Honjo
International Conference on Solid State Devices and Materials, P-5-10巻, 掲載ページ -, 出版日 2008年09月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Miniaturized Ultra-Wideband Self-Complementary Antennas Using Shunted Spiral Inductors
Akira Saitou; Yuji Ohhashi; Kazuhiko Honjo; Kouji Takahashi
2008 International Microwave Symposium Digest, IEEE, 掲載ページ 1211-1214, 出版日 2008年06月, 査読付, Miniaturized self-complementary wideband antennas using shunted spiral inductors are demonstrated. With Chu's equivalent circuit, a shunt inductor is shown analytically to reduce the lower band-edge frequency. With practical shunt inductors consisting of lines and spiral inductors, line-length effect on bandwidth is clarified by simulation and measurement. With the optimized spiral inductors, miniaturized 50 Omega impedance-matched self-complementary antennas were designed and fabricated on a low permittivity ( epsilon(r) : 4.6) and low cost FR-4 substrate. Measured return loss less than -8.7 dB between 3.9 GHz and 11.2 GHz was obtained with the antenna of which radius is 10mm. Measured radiation patterns were omni-directional between 3 GHz and 9 GHz.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

FDTD電磁界・半導体デバイス統合解析によるミリ波表面波モード線路増幅モジュールの実動作解析
石川亮; 本城和彦; 中嶋政幸
電気学会論文誌 C, Institute of Electrical Engineers of Japan, 128-C巻, 6号, 掲載ページ 865‐871-871, 出版日 2008年06月, 査読付, Direct analysis for a millimeterwave amplifier module has been demonstrated by using FDTD electromagnetic and semiconductor device co-simulation technique. The millimeterwave amplifier module consists of an HFET and planar dielectric transmission lines (PDTL) at 60-GHz region. The PDTL with a surface wave transmission mode has a low-loss transmission characteristic at millimeterwave region using a low-loss ceramic substrate. However, the transmission wave on the PDTL tends to be scattered by irregular structures and impedance mismatching. Furthermore, it is predicted that reflected scattered waves at edges of the substrate interfere with incident and transmission waves on the PDTL. Using the co-simulation technique influence of the scattering waves was investigated in detail for the amplifier module. © 2008 The Institute of Electrical Engineers of Japan.
研究論文（学術雑誌）, 日本語

Direct Analysis Technique for Long-Finger HBT by Electromagnetic and Device Co-Simulation
Yasuta Shinohara; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 56巻, 4号, 掲載ページ 747-754, 出版日 2008年04月, 査読付, This paper presents a direct-analysis technique for transistors with a long-finger structure. The analysis technique is an incorporated simulation between the finite-difference time-domain electromagnetic (EM) and semiconductor device simulations. The co-simulation method can consider various EM couplings and phase shifts on finger electrodes of transistors. The method was applied for InGaP/GaAs HBTs with various finger lengths to investigate gain degradation characteristics as a function of the finger length. As the first step, circuit simulations were done instead of a semiconductor device simulation using SPICE models of the HBT. Both large- and small-signal equivalent-circuit parameters were extracted by measurements to estimate nonlinear and linear characteristics, respectively. Using the extracted small-signal parameters, the gain degradation was estimated. The co-simulation results showed the same tendency as measurement results. Additionally, it was numerically shown that a resistive loss was mainly affected for the gain degradation from a comparison between gold and lossless electrodes.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Self-Complementary Array Antenna for UWB Applications
Kenji Hiruta; Akira Saitou; Kazuhiko Honjo
Proceedings of the 3rd International Laser, Light-Wave and Microwave Conference (ILLMC2008), IEEE, 掲載ページ 24-TP4-1-473, 出版日 2008年04月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

A Global Design Technique Including the Interactions between Electromagnetic Waves and Semiconductor Devices in Advanced Microwave Circuits (Invited Paper)
Kazuhiko Honjo; Ryo Ishikawa
Proceedings of the 3rd International Laser, Light-Wave and Microwave Conference (ILLMC2008), 24-IT-5巻, 出版日 2008年04月, 査読付, 招待
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Design Considerations on the Minimum Size of Broadband Antennas for UWB Applications
Akira Saitou; Kazuhiro Aoki; Kazuhiko Honjo; Koichi Watanabe
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 56巻, 01号, 掲載ページ pp. 15-21, 出版日 2008年01月, 査読付, The practical realization of Chu's minimum-sized antenna is investigated using self-complementary antennas. Rigorous bandwidth formulas for broadband antennas are derived for broadband antennas based on Chu's fundamental mode equivalent circuit. By comparing input impedances and radiation patterns, the fabricated self-complementary antenna used for Japan's ultra-wideband higher band (7.25-10.25 GHz) is found approximated by the minimum-sized antenna. Using the rigorous bandwidth formulas above, the fabricated antenna is shown to be smaller than the minimum-sized antenna. This breakthrough is achieved by using a more complicated matching circuit for broadband antennas instead of the single-stage inductor used in bandwidth estimation with the Q factor.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Compact Accurate Scalable Model for Millimeter wave InP CPW with Under-Bridge
Gang Liu; Hiroshi Nakano; Kazuhiko Honjo
IEICE Electronic Express, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, 5巻, 2号, 掲載ページ pp. 74-80, 出版日 2008年01月, 査読付, A compact accurate scalable model for CPW on InP with a single under-bridge is successfully established and testified by both measurements and EM simulations up to 50 GHz. Then it helps realize a novel matching network design consisting of only two under-bridges beneath CPW, with the functions of both even mode impedance matching and odd mode suppression.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Global Analysis for a Surface Wave Mode HFET Amplifier Module at 60 GHz by EM-Device Co-Simulation
Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo; Masayuki Nakajima
EuMIC Proceedings, 掲載ページ 180-183, 出版日 2007年10月, 査読付, A global analysis for a millimeter-wave amplifier module with surface wave mode transmission lines has been demonstrated. The analysis method is a co-simulation between an FDTD-based electromagnetic simulator and a semiconductor device simulator. Using this method, it is possible to consider various electromagnetic coupling between transmission lines and active devices with nonlinear characteristics. Furthermore, a semiconductor device simulation is more accurate than an approximation to a large-signal equivalent circuit. The incorporated simulation was demonstrated for a millimeter-wave amplifier module which consists of an HFET and planar dielectric transmission lines (PDTL) at 60-GHz region. The PDTL with a surface wave transmission mode has a low-loss transmission characteristic at millimeter-wave region using a low-loss ceramic substrate. However, the transmission wave on the PDTL tends to be scattered by discontinuity structures and impedance mismatching. Furthermore, it is predicted that reflected scattered waves at edges of the substrate interfere the PDTL and transistors mounted on the PDTL. Using the co-simulation technique, influence of the scattering waves was investigated in detail for the amplifier module. © 2007 EuMA.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Novel Symmetric High Q Inductors Fabricated Using Wafer-Level CSP Technology
Yutaka Aoki; Shoichi Shimizu; Kazuhiko Honjo
EuMIC Proceedings, IEEE, 掲載ページ 339-342, 出版日 2007年10月, 査読付, Wafer level chip-size package (WLP) technology enables fabrications of low-loss high-Q inductors, which suffer from unfavorable two-port asymmetric characteristics. To overcome this problem, a novel clip-type inductor has been proposed, where the electrode crossover points in multi-turn inductor structures is modified from a conventional mirror symmetric point to a novel electrical symmetric point. The novel clip inductors were designed and fabricated using WPL technology. By means of a developed 4-nH novel clip inductor, the Q-factor value difference between the two ports can be significantly reduced to 1.4% from 14.8% at 1.4 GHz. Q-factors of developed inductors have also been evaluated under both a conventional short-circuited load condition and an impedance matched condition.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Accurate Distortion Prediction for Thermal Memory Effect in Power Amplifier Using Multi-Stage Thermal RC-Ladder Network
Yukio Takahashi; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Electronics, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E90-C巻, 9号, 掲載ページ pp. 1658-1663, 出版日 2007年09月, 査読付, Distortion characteristics caused by the thermal memory effect in power amplifiers were accurately predicted using a multi-stage thermal RC-ladder network derived by simplifying the heat diffusion equation. Assuming a steep gradient of heat diffusion near an intrinsic transistor region in a semiconductor substrate, the steady state temperature, as well as the transient thermal response at the transistor region, was estimated. The thermal resistances and thermal capacitances were adjusted to fit a temperature distribution characteristic and a step response characteristic of temperature in the substrate. These thermal characteristics were calculated by thermal FDTD simulation. For an InGaP/GaAs HBT, a step response characteristic for a square-wave voltage signal input was simulated using a large-signal model of the HBT connecting the multi-stage thermal RC-ladder network. The result was verified experimentally. Additionally, for an RF-amplifier using the HBT, the 3rd-order intermodulation distortion caused by the thermal memory effect was simulated and this result was also verified experimentally. From these verifications, a multi-stage thermal RC-ladder network can be used to accurately design super linear microwave power amplifiers and linearizers.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Class-F Microwave Amplifier Desig Using GaAs-HBT and GaN-HEMT (Invited)
Kazuhiko Honjo; Ryo Ishikawa; Tsuyoshi Yoshida; Cong Zheng
International Conference on Solid State Devices and Materials, 掲載ページ 298-299, 出版日 2007年09月, 査読付, 招待
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Finger Length Optimization for AlGaN/GaN HEMT and InGaP/GaAs HBT by Using FDTD Electromagnetic and Device Co-Simulation Technique
Akira Chokki; Yasuta Shinohara; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
International Conference on Solid State Devices and Materials, 2007巻, 掲載ページ 154-155, 出版日 2007年09月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Low Power Consumption and Low Noise InGaP/GaAs HBT MMIC Amplifier for Full-Band UWB Receiver
Ryo Ishikawa; Tatsuya Abe; Masao Shimada; Kazuhiko Honjo
International Conference on Solid State Devices and Materials, 2007巻, 掲載ページ 302-303, 出版日 2007年09月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

A Novel Impedance Matching Network in Millimeterwave InP CPW Circuit
Gang Liu; Hiroshi Nakano; Kazuhiko Honjo
Proceedings of ICBN/ICT Triangle Forum 2007, 掲載ページ -, 出版日 2007年09月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Ultra-Wideband, Differential-Mode Bandpass Filters with Four Coupled Lines Embedded in Self-complementary Antennas
Akira Saitou; Kyoung-Pyo Ahn; Hajime Aoki; Kazuhiko Honjo; Koichi Watanabe
IEICE Transactions on Electronics, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E90-C巻, 7号, 掲載ページ pp. 1524-1532, 出版日 2007年07月, 査読付, A design method for an ultra-wideband bandpass filter (BPF) with four coupled lines has been developed. For demonstration purposes, 50 Omega-matched self-complementary antennas integrated with the ultra-wideband, differential-mode BPF with four coupled lines, a notch filter, and a low-pass filter (LPF) were prepared and tested. An optimized structure for a single-stage, broadside-coupled and edge-coupled four-lines BPF was shown to exhibit up to 170% fractional bandwidth and an impedance transformation ratio of 1.2 with little bandwidth reduction, both analytically and experimentally. Using the optimized structure, 6-stage BPFs were designed to transform the self-complementary antenna's constant input impedance (60 pi epsilon(-1/2)(e)(Omega)) to 50 Omega without degrading bandwidth. In addition, two types of filter variations - a LPF-embedded BPF and a notch filter-embedded BPF - were designed and fabricated. The measured insertion loss of both filter systems was less than 2.6 dB over the ultra-wideband (UWB) band from 3.1 GHz to 10.6 GHz. The filter systems were embedded in the wideband self-complementary antennas to reject unnecessary radiation over the next pass band and 5-GHz wireless LAN band.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Miniaturized Ultra-Wideband Self-Complementary Antennas Using High Permittivity Thick Resin Material
Akira Saitou; Kazuhiro Aoki; Kazuhiko Honjo; Chunhu Quan; Koichi Watanabe
2007 International Microwave Symposium Digest, IEEE, 掲載ページ 1007-1010, 出版日 2007年06月, 査読付, A miniaturized self-complementary antenna for Japanese UWB higher band (7.25GHz-10.25GHz) is demonstrated. Input impedances of four antennas in the size of 30mm, 20mm, 15mm, 10mm each on 1mm and 2mm thick high permittivity (epsilon(r) = 10.2) resin substrates were measured and extracted. With the extracted input impedance, 50 0 matched self-complementary antennas in the size of 10mm were designed and fabricated. The measured return loss was less than -10dB between 5.9GHz and 13.8GHz and the fractional bandwidth was 80%. The fabricated antenna size is almost equivalent with the broadband antenna's minimum size Chu showed ([1]). Measured radiation patterns were almost omni-directional between 6GHz and 12GHz.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Design Consideration of Traveling Wave Single-Pole Multi-Throw MMIC Switch Using Fully Distributed FET
Hiroshi Mizutani; Naotaka Iwata; Yoichiro Takayama; Kazuhiko Honjo
IEEE Transaction on Microwave Theory and Techniques, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 55巻, 04号, 掲載ページ pp. 664-671, 出版日 2007年04月, 査読付, The circuit design considerations for the traveling-wave switch (TWSW) single-pole double-throw (SPDT) monolithic microwave integrated circuit (MMIC) utilizing a fully distributed FET (FD-FET) are presented here for the first time. The normalized length of the impedance transformer for a single-pole multithrow TWSW using the FD-FET is found to be less than a quarter-wavelength at the operating frequency. Unlike the TWSW using lumped FETs, the TWSW with the FD-FET offers the advantage of no design limits regarding such frequency characteristics as bandwidth and group delay. The newly developed SPDT TWSW MMIC using the 400-mu m-gate finger FD-FET delivers broadband characteristics over more than an octave frequency range with highly reliable MMIC technology. The newly developed SPDT MMIC switch provides low insertion loss of less than 2.1 dB and high isolation of over 25.5 dB from 38 to 80 GHz, coupled with the benefit of very small size.
研究論文（学術雑誌）, 英語

An Expression of High-Frequency Characteristics on a High-Density Multilayer Wiring Board Using an LC Ladder Network as a Unit Segment
Ryo Ishikawa; Norio Imai; Kazuhiko Honjo
Electronics and Communications in Japan, Part 2, SCRIPTA TECHNICA-JOHN WILEY & SONS, 90巻, 4号, 掲載ページ pp. 18-25, 出版日 2007年04月, 査読付, This paper presents a method of expressing a high-speed signal transmission line connecting the LSIs in a high-density multilayer wiring board in terms of cascaded connections of LC ladder networks. For signal transmission with a fundamental frequency beyond 1 GHz, the signal transmission lines in a multilayer board are treated as distributed transmission lines. However, there exist many scattering elements such as vias for interlayer connection in the multilayer board that disturb the transmission characteristic. Transmission characteristics affected by these elements are analyzed by electromagnetic field simulation in general. However, the simulation requires a lot of simulation time and computer resources. In order to simplify the simulation, the signal line structures in the board are constructed with combinations of several segments. Moreover, each unit segment is expressed in terms of an LC ladder network so that an analysis based on the lumped elements can be carried out within a short time. This paper describes a technique for deriving the L and C values of the ladder equivalent circuits for various unit segments such as passive components and transmission lines. By comparison with the electromagnetic field analysis and measurement, the usefulness of the method is demonstrated. (C) 2007 Wiley Periodicals, Inc.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Novel symmetric high Q inductors fabricated using wafer-level CSP technology
Yutaka Aoki; Shoichi Shimizu; Kazuhiko Honjo
2007 EUROPEAN MICROWAVE INTEGRATED CIRCUITS CONFERENCE, VOLS 1 AND 2, IEEE, 掲載ページ 504-+, 出版日 2007年, 査読付, Wafer level chip-size package (WLP) technology enables fabrications of low-loss high-Q inductors, which suffer from unfavorable two-port asymmetric characteristics. To overcome this problem, a novel clip-type inductor has been proposed, where the electrode crossover points in multi-turn inductor structures is modified from a conventional mirror symmetric point to a novel electrical symmetric point. The novel clip inductors were designed and fabricated using WPL technology. By means of a developed 4-nH novel clip inductor, the Q-factor value difference between the two ports can be significantly reduced to 1.4% from 14.8% at 1.4 GHz. Q-factors of developed inductors have also been evaluated under both a conventional short-circuited load condition and an impedance matched condition.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Global analysis for a surface wave mode BFET amplifier module at 60 GHz by EM-device co-simulation
Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo; Masayuki Nakajima
2007 EUROPEAN MICROWAVE INTEGRATED CIRCUITS CONFERENCE, VOLS 1 AND 2, IEEE, 掲載ページ 559-+, 出版日 2007年, 査読付, A global analysis for a millimeter-wave amplifier module with surface wave mode transmission lines has been demonstrated. The analysis method is a co-simulation between an FDTD-based electromagnetic simulator and a semiconductor device simulator. Using this method, it is possible to consider various electromagnetic coupling between transmission lines and active devices with nonlinear characteristics. Furthermore, a semiconductor device simulation is more accurate than an approximation to a large-signal equivalent circuit. The incorporated simulation was demonstrated for a millimeter-wave amplifier module which consists of an HFET and planar dielectric transmission lines (PDTL) at 60-GHz region. The PDTL with a surface wave transmission mode has a low-loss transmission characteristic at millimeter-wave region using a low-loss ceramic substrate. However, the transmission wave on the PDTL tends to be scattered by discontinuity structures and impedance mismatching. Furthermore, it is predicted that reflected scattered waves at edges of the substrate interfere the PDTL and transistors mounted on the PDTL. Using the co-simulation technique, influence of the scattering waves was investigated in detail for the amplifier module.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

InGaP/GaAs HBT MMIC Amplifier with Active Balun for Ultra-Wideband Self-Complementary Antenna
Itaru Nakagawa; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo; Masao Shimada
IEICE Transactions on Electronics, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E89-C巻, 12号, 掲載ページ pp. 1814-1820, 出版日 2006年12月, 査読付, An InGaP/GaAs HBT MMIC amplifier with an active balun has been developed for ultra-wideband radio systems (UWB). The MMIC was designed to drive a self-complementary antenna with a balanced mode, where an input impedance is 60 pi ohms. The MMIC consists of a common mode negative feed back ultra-wideband amplifier circuit, an active balun circuit, and a high impedance drive circuit. The developed amplifier provides a 3-dB gain roll-off bandwidth from 2.4 GHz to 10.8 GHz with a 14.1-dB linear power gain, and a linear power output up to 3 dBm. The developed amplifier with the active balun provides a 3-dB gain roll-off bandwidth from 2.3 GHz to 8.6 GHz with a 21.3-dB power gain in a balanced mode, and a linear power output up to 0.6 dBm. The measured total group delay is less than 32 psec. Output signals at the balanced output terminals of the MMIC were kept inverted with a steep pulse shape for an impulse input signal of 57-psec pulse width.
研究論文（学術雑誌）, 英語

38-80 GHz SPDT Traveling Wave Switch MMIC Utilizing Fully Distributed FET
Hiroshi Mizutani; Naotaka Iwata; Yoichiro Takayama; Kazuhiko Honjo
2006 Asia Pacific Microwave Conference Proceedings, 1巻, WE1A-1号, 掲載ページ pp. 3-6, 出版日 2006年12月, 査読付, This is the first report of the traveling wave SPDT switch using the fully distributed FET (FD-FET). The broadband characteristics were successfully obtained over more than an octave frequency range from Ka to W bands for the millimeter-wave applications. From 38 to 80 GHz, the low insertion loss of less than 2.1 dB, and the high isolation of better than 25.5 dB, were achieved by using the AlGaAs/InGaAs hetero-junction FET traveling wave switch (TWSW) technology. In the design, the difference between the quasi- and the fully distributed switch circuit has been investigated. Copyright 2006 IEICE.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Long-Finger HBT Analysis Based on Device and EM Co-Simulation Using FDTD Method
Yasuta Shinohara; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
2006 Asia Pacific Microwave Conference Proceedings, 1巻, WE4B-4号, 掲載ページ pp. 291-294, 出版日 2006年12月, 査読付, This paper presents an integrated analysis of a FDTD electromagnetic field simulation and a device simulation applying for HBT's having long-finger structure. The SPICE model extracting device parameter was used instead of physical model. As a result, the FDTD simulation results were the same tendency to measurement results. Additionally the comparison of gold line with lossless line as finger was shown. Copyright 2006 IEICE.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Precise Modeling of Thermal Memory Effect for Power Amplifier Using Multi-Stage Thermal RC-Ladder Network
Yukio Takahashi; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
2006 Asia Pacific Microwave Conference Proceedings, 1巻, WE4B-3号, 掲載ページ pp. 287-290, 出版日 2006年12月, 査読付, A precise modeling method for thermal memory effect has been proposed. The proposed method consists of a multi-stage thermal RC-ladder network, which has been replaced from heat diffusion equation. Different from conventional method, the proposed method is valid for both steady state solutions and transient solutions. As examples, output voltage transient phenomena and 3rd order inter modulation distortion characteristics for InGaP/GaAs HBT amplifiers were simulated and measured. Experimental results support the validity of the proposed method. The model can be used for accurate design for supper linear microwave power amplifiers and linearizers. Copyright 2006 IEICE.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Group Delay Compensation Technique for UWB MMIC Using Composite Right/Left-Handed Circuit
Kenji Murase; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
2006 Asia Pacific Microwave Conference Proceedings, Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 3巻, FR1A-2号, 掲載ページ pp. 1409-1412, 出版日 2006年12月, 査読付, A group delay equalizer consisting of a composite right/left handed (CRLH) circuit in parallel with a right handed (RH) circuit is proposed for UWB RF components. Dispersion characteristics and group delay characteristics for the proposed circuit are described. A group delay compensation circuit was designed for the developed InGaP/GaAs HBT MMIC amplifier with an active balun. It is demonstrated that the measured standard deviations of group delay can be reduced from 16.5 psec in S21 and 12.4 psec in S31 to 4.4 psec in S21 and 7.7 psec in S31, respectively, in a circuit simulation. Copyright 2006 IEICE.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Group Delay Analysis of Differential-Mode Coupled Four Lines Bandpass Filters
Kyoung-Pyo Ahn; Akira Saitou; Kazuhiko Honjo
2006 Asia Pacific Microwave Conference Proceedings, 2巻, THOF-29号, 掲載ページ pp. 1260-1263, 出版日 2006年12月, 査読付, In this paper, the analytic formula of the group delay of one-stage coupled four lines BPF is proposed. The analytic formula agrees well with measured group delay of one-stage BPF, except for at band-edges. In case of multi-stage BPF, the sum of analyzed group delay of each stage is quite agrees with measured result in UWB band(3.1 GHz-10.6 GHz). A 6-stage BPF with impedance transformation from 50 Ω to 172 Ω, the input impedance of the self-complementary antenna, is shown as an example. Copyright 2006 IEICE.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

最適要素抽出法による高速・高密度半導体パッケージモデリング
大島大輔; 井上博文; 古谷充; 境淳; 石川亮; 本城和彦
電子情報通信学会C論文誌, 一般社団法人電子情報通信学会, J89-C巻, 11号, 掲載ページ pp. 826-832, 出版日 2006年11月, 査読付, 本論文では電子機器の高周波性能を実現するために,チップ・パッケージ・ボードなどの実装構造中の電気信号経路を統合的に解析し,不連続部を抽出することで,効率的かつ高精度な分割解析モデルを生成する最適要素抽出法(Optimized Segment Extraction Method, OSE法)を提案する.本提案方法ではBGA (Ball Grid Array)実装構造を(i)チップとパッケージの接続部を含む要素,(ii)パッケージ内伝送路を含む要素,(iii)パッケージとボードとの接続部を含む要素に分割することで従来の分割境界の選び方に比べ解析精度が向上できる.また,構造の一部を等価回路に置き換えた場合についても検討した.(iii)を電磁界モデル,伝送路構造である(i),(ii)を次数の小さな等価回路モデルで表現した本提案モデルと,全体を一つの電磁界モデルとしたリファレンスモデルで高周波精度と解析時間を比較し,高周波精度向上と計算機資源節約の両立が実現できることを示す.
研究論文（学術雑誌）, 日本語

RF HBT oscillators with low-phase noise and high-power performance utilizing (λ/4 ± δ) open-stubs resonator
Ken'ichi Hosoya; Shin'ichi Tanaka; Yasushi Amamiya; Takaki Niwa; Hidenori Shimawaki; Kazuhiko Honjo
IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, 53巻, 8号, 掲載ページ 1670-1682, 出版日 2006年08月, 査読付, This paper presents a new type of transmission-line resonator and its application to RF (microwave and millimeterwave) heterojunction bipolar transistor (HBT) oscillators. The resonator is a parallel combination of two open stubs having length of λ/4 ± δ(δ ≪ λ), where λ is a wavelength at a resonant frequency. The most important feature of this resonator is that the coupling coefficient (βC) can be controlled by changing δ while maintaining unloaded Q-factor (Qu) constant. Choosing a small value of δ allows us to reduce βC or equivalently to increase loaded Q-factor (QL). Since coupling elements such as capacitors or electromagnetic gaps are not needed, βC and QL can be precisely controlled based on mature lithography technology. This feature of the resonator proves useful in reducing phase noise and also in enhancing output power of microwave oscillators. The proposed resonator is applied to 18-GHz and 38-GHz HBT oscillators, leading to the phase noise of -96-dBc/Hz at 100-kHz offset with 10.3-dBm output power (18-GHz oscillator) and - 104-dBc/Hz at 1-MHz offset with 11.9 dBm (38-GHz oscillator). These performances are comparable to or better than state-of-the-art values for GaAs- or InP-based planar-circuit fundamental-frequency oscillators at the same frequency bands. © 2006 IEEE.
研究論文（学術雑誌）, 英語

LC梯子形回路を基本セグメントとした高密度多層配線基板内での高周波伝送特性の表現方法
石川亮; 今井規夫; 本城和彦
電子情報通信学会C論文誌, SCRIPTA TECHNICA-JOHN WILEY & SONS, J89-C巻, 8号, 掲載ページ pp. 538-544, 出版日 2006年08月, 査読付, This paper presents a method of expressing a high-speed signal transmission line connecting the LSIs in a high-density multilayer wiring board in terms of cascaded connections of LC ladder networks. For signal transmission with a fundamental frequency beyond 1 GHz, the signal transmission lines in a multilayer board are treated as distributed transmission lines. However, there exist many scattering elements such as vias for interlayer connection in the multilayer board that disturb the transmission characteristic. Transmission characteristics affected by these elements are analyzed by electromagnetic field simulation in general. However, the simulation requires a lot of simulation time and computer resources. In order to simplify the simulation, the signal line structures in the board are constructed with combinations of several segments. Moreover, each unit segment is expressed in terms of an LC ladder network so that an analysis based on the lumped elements can be carried out within a short time. This paper describes a technique for deriving the L and C values of the ladder equivalent circuits for various unit segments such as passive components and transmission lines. By comparison with the electromagnetic field analysis and measurement, the usefulness of the method is demonstrated. (C) 2007 Wiley Periodicals, Inc.
研究論文（学術雑誌）, 日本語

RF HBT Oscillators with Low-Phase-Noise and High-Power Performance Utilizing a (λ/4±δ) Open-Stub Resonator
K.Hosoya; S.Tanaka; Y.Amamiya; T.Niwa; H.Shimawaki; K.Honjo
IEEE Transactions on Circuits and Systems, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 53巻, 8号, 掲載ページ pp. 1670-1682, 出版日 2006年08月, 査読付, This paper presents a new type of transmission-line resonator and its application to RF (microwave and millimeterwave) heterojunction bipolar transistor (HBT) oscillators. The resonator is a parallel combination of two open stubs having length of lambda/4 +/-delta (delta << lambda), where lambda is a wavelength at a resonant frequency. The most important feature of this resonator is that the coupling coefficient (beta(C)) can be controlled by changing delta while maintaining unloaded Q-factor (Q(u)) constant. Choosing a small value of delta allows us to reduce beta(C) or equivalently to increase loaded Q-factor (Q(L)). Since coupling elements such as capacitors or electromagnetic gaps are not needed, beta(C) and Q(L) can be precisely controlled based on mature lithography technology. This feature of the resonator proves useful in reducing phase noise and also in enhancing output power of microwave oscillators. The proposed resonator is applied to 18-GHz and 38-GHz HBT oscillators, leading to the phase noise of -96-dBc/Hz at 100-kHz offset with 10.3-dBm output power (18-GHz oscillator) and -104-dBc/Hz at 1-MHz offset with 11.9 dBm (38-GHz oscillator). These performances are comparable to or better than state-of-the-art values for GaAs- or InP-based planar-circuit fundamental-frequency oscillators at the same frequency bands.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Vertically Asymmetric Differential-Mode 4 Line BPF Using a Multi-Layer Substrate and Its Group Delay Analysis
Kyoung-Pyo Ahn; Akira Saitou; Kazuhiko Honjo
2006 International Sympsium on Advanced ICT, 掲載ページ 2B-1, 139-144, 出版日 2006年08月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Microwave Class-F InGaP/GaAs HBT Power Amplifier Considering Up to 7th Order Higher Harmonic Frequencies
Masato Seki; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Electronics, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E89-C巻, 7号, 掲載ページ pp. 937-942, 出版日 2006年07月, 査読付, The first realization of a class-F InGaP/GaAs HBT amplifier considering up to 7th-order higher harmonic frequencies, operating at 1.9-GHz band, is described. A total number of open-circuited stubs for higher harmonic frequency treatment is successfully reduced without changing a class-F load circuit condition, using a low-cost and low-loss resin (tan delta = 0.0023) circuit board. In class-F amplifier design at microwave frequency ranges, not only increasing treated orders of higher harmonic frequencies for a class-F load circuit, but also decreasing parasitic capacitances of a transistor is important. Influence of a base-collector capacitance, C-bc, for power added efficiency, PAE, and collector efficiency, eta(c), was investigated by using a two-dimensional device simulator and a harmonic balance simulator. Measured maximum PAE and eta(c) reached 74.2% and 76.6%, respectively, using a fabricated class-F InGaP/GaAs HBT amplifier with collector doping density of 2 x 10(16) cm(-3). In case circuit losses were de-embedded for the experimental results, PAE and eta(c) were estimated as 78.7% and 81.2%, respectively. These are very close to obtainable maximum PAE for the use of the InGaP/GaAs HBT.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Experimental Verification of Lumped Element Circuit Synthesis Method for Class-F Microwave Amplifier Using InGaP/GaAs HBT
Kiyoshi Aikawa; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Electronics, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E88-C巻, 12号, 掲載ページ pp. 2382-2384, 出版日 2005年12月, 査読付, In this letter, the validity of lumped element class-F amplifier circuit design approaches, which were previously proposed by the same authors, has been demonstrated experimentally using microwave InGaP/GaAs HBT. By means of the proposed class-F amplifier design method, more than 4th order higher harmonic frequencies can be taken into account in class-F microwave amplifier design using only lumped ele ement components. In this approach, miniaturization of class-F amplifier circuit has also been realized. A collector efficiency of 71.2% and a power-added efficiency of 69.2% have been measured at an operating fundamental frequency of 1 GHz considering up to the 4th order higher harmonic frequency.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Q-Factor Definition and Evaluation for Spiral Inductors Fabricated Using Wafer Level CSP Technology
Yutaka Aoki; Kazuhiko Honjo
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 53巻, 10号, 掲載ページ pp. 3178-3184, 出版日 2005年10月, 査読付, A novel Q-factor definition and evaluation method are proposed for low-loss high-Q spiral inductors fabricated by using the wafer-level chip-size package (WLP) on silicon substrates, where the copper wiring technology with a polyimide isolation layer is used. In conventional Q-factor evaluation for inductors, a short-circuited load condition is used, where the Q factor is represented by using Y-parameters as Q = Im{1/Y-11}/Re{1/Y-11}. This conventional method provides a Q factor of 20 with 2-5-nH inductance around 3.9 GHz. However, since structures for the spiral inductors are asymmetrical, the short-circuited load condition and short-circuited source condition give different Q values, respectively. The Q-value differences of approximately 100% have often been observed in the WLP. The differences mainly come from differences in loss estimation. In a novel method, a complex conjugate impedance-matching condition is retained both at an input port and an output port of the inductor. The maximum available power gain (G(AMAX)) is introduced to evaluate the energy loss in one cycle. This condition provides a unique insertion loss of passive devices. Thus, the difference of the Q factor depends only on the difference of magnetic and electric energy. The difference of the Q value is reduced.
研究論文（学術雑誌）, 英語

77-GHz MMIC Module Design Techniques for Automotive Radar Applications (Invited Paper)
Yasushi Itoh; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Electronics, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E88-C巻, No.10号, 掲載ページ pp.1939-1946, 出版日 2005年10月, 査読付, 招待, Recent advances in 77-GHz MMIC module design techniques for automotive radar applications are reviewed in this paper. The target of R&D activities is moving front high performance to low cost, mass production, high-yield manufacturing and testing. To meet the stringent requirements, millimeter-wave module design techniques have made significant progress especially in packaging, bonding, and making interface with other modules. In addition, millimeter-wave semiconductor devices and MMICs have made remarkable improvements for low cost and mass production. In this paper, the topics focusing on millimeter-wave semiconductor devices and 77-GHz MMICs are reviewed first. Then the recent R&D results on 77-GHz MMIC module design techniques are introduced, showing the technical trend of packaging, bonding, and making interface with other modules for millimeter-wave, highly-integrated, low-cost MMIC modules. Finally, the existing and future module design issues for automotive radar applications are discussed.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Microwave Class-F InGaP/GaAs HBT Power Amplifier Considering Up to 7th-order Higher Harmonic Frequencies
Masato Seki; Ryo Ishikawa; Kazuhiko Honjo
6th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics(TWHM2005), 掲載ページ 12-13, 出版日 2005年08月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Ultra-Wideband Differential Mode Band Pass Filter Embedded in Self -complementary Antennas
A.Saitou; H.Aoki; N.Satomi; K.Honjo; K.Sato; T.Koyama; K.Watanabe
2005 MTT-S International Microwave Symposium, IEEE, 掲載ページ WE2G-5, pp.717-720-720, 出版日 2005年06月, 査読付, A 50 Omega matched self-complementary antenna integrated with a four coupled-line ultra-wideband differential mode bandpass filter(BPF), a notch filter and a lowpass filter (LPF) is demonstrated. Broadside- and edge-coupled four couple-line BPFs were found to exhibit up to 170% fractional bandwidth and to exhibit impedance trans-formation ratio of 1.2 with little bandwidth reduction. Thus, 6-stage BPFs were utilized concurrently to transform the self-complementary antenna's constant input impedance (60 pi epsilon(e)(-1/2) Omega ) to 50 Omega. In addition, LPFs with the BPF and notch filters with the BPF were designed and fabricated. Measured insertion losses of the total filter systems were less than 2.6dB over the Ultra-wideband(UWB) band(3.1GRz to 10.6GHz). The filters were embedded in wideband self-complementary antennas to reject the radiation over the next passband and the 5GHz wireless LAN band.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Influence on the Image Quality by the Spacer Used for FEDs or Thin CRTs
Kinzo Nonomura; Kazuhiko Honjo
2005 International SID (Society for Information Display) Symposium, 36巻, 1号, 掲載ページ 426-429, 出版日 2005年05月, 査読付, The pillar spacer that is used to prevent the vacuum vessel from being destroyed by atmospheric pressure is indispensable to achieving the thin-type picture display, which uses electron beams, such as FEDs. We investigated the influence that the pillar spacer set up on the fluorescent surface had on image quality by using two types of pillar spacers. The influence of the pillar spacer on image quality was minimized using the estimation of beam landing and beam spot diameter characteristics. Thus, we were able to prove the possibility of realizing high luminance and high definition in large-sized display panels. © 2005 SID.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Microwave-Circuit-Embedded Resin Printed Circuit Board for Short Range Wireless Interfaces
A.Saitou; K.Honjo; K.Sato; T.Koyama; K.Watanabe
IEICE Transactions on Electronics, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E88-C巻, 1号, 掲載ページ pp. 83-88, 出版日 2005年01月, 査読付, Microwave circuits embedded in a multi-layer resin PCB are demonstrated using low loss resin materials. Resin materials for microwave frequencies were compared with conventional FR-4 with respect to dielectric and conductor loss factors, which proved that losses could be reduced drastically with the low loss material and design optimizations. Baluns, switches and BPFs were designed and fabricated to estimate microwave performances. Measured and simulated insertion losses of the circuits for 2.5 GHz band, were 0.3 dB for a switch, 0.4 dB for a balun and 2.0 dB for a 3-stage Chebyshev BPF. An integration of a switch. a BPF and two baluns was successfully implemented in a multi-layer PCB. Insertion losses of the fabricated integrated circuit were less than 3 dB with 0.1 dB additional loss compared with a sum of individual circuit losses. With estimated results of temperature. characteristics and reliability as well as low loss performances, microwave circuits in resin PCBs can be considered as a viable candidate for microwave equipments.
研究論文（学術雑誌）, 英語

集中定数素子のみから構成されたマイクロ波F級増幅器の構成法
相川清志; 本城和彦
電子情報通信学会C論文誌, J87巻, 12号, 掲載ページ pp. 1008-1016, 出版日 2004年12月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 日本語

Theoretical Analysis of Relationship between Resonator Coupling Coefficient and Phase Noise in Microwave Negative Resistance Oscillator
K.Hosoya; S.Tanaka; K.Honjo
IEICE Transactions on Electronics, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E87-C巻, 12号, 掲載ページ pp. 2132-2142, 出版日 2004年12月, 査読付, A new analytical approach which reveals relationships between resonator parameters (unloaded Q-factor, coupling coefficient, and loaded Q-factor) and phase noise in microwave negative-resistance oscillators is presented. On the basis of Kurokawa's theory, this approach derives analytical expressions for the phase noise as a function of the resonator parameters (with particular emphasis on the coupling coefficient). Two types of negative-resistance oscillators-classified according to the manner in which the resonator is used in a circuit-are analyzed. These analyses use realistic circuit configurations and design procedures. The passive network connecting the active device and the resonator, which is shown to have important effects on the above-mentioned relationship, is taken into account. Validity of the new approach is verified through harmonic-balance simulations. The presented analytical approach can provide useful guidelines for choosing the resonator parameters, especially the value of the coupling coefficient, when designing microwave negative-resistance oscillators.
研究論文（学術雑誌）, 英語

A Novel Q-factor Definition for Microwave Passive Element
Yutaka Aoki; Kazuhiko Honjo
7th VLSI Packaging Workshops of Japan, 掲載ページ pp.71-74, 出版日 2004年12月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Improvement in ACLR Asymmetry for W-CDMA InGaP/GaAs HBT Power Amplifier
Koichi Kimura; Masato Seki; Nobuhisa Matsumura; Kazuhiko Honjo
Proceedings of 2004 European Microwave Conference, HORIZON HOUSE PUBLICATIONS LTD, 掲載ページ 527-530, 出版日 2004年10月, 査読付, Asymmetry in Adjacent Channel Leakage power Ratio (ACLR) has been often observed in high power amplifiers for digital wireless communication systems such as W-CDMA. This paper describes a method for reducing the asymmetry by controlling bias circuit impedance at sub harmonies. By shortening both at 4MHz and 8MHz at the bias circuits, an 8.37-dB ACLR asymmetry could be suppressed to a 5.05-dB ACLR asymmetry, where a 10.5-dB 3(rd) order Inter Modulation Distortion (IMD3) asymmetry could also be successfully improved to a 1.8-dB IMD3 asymmetry.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Proposal of microwave class F amplifier circuit using lumped element inductors and capacitors
Kiyoshi Aikawa; Kazuhiko Honjo
International Workshop on Modern Science and Technology 2004(IWMST), 掲載ページ 9-12, 出版日 2004年09月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Practical Realization of Self-Complementary Broadband Antenna on Low-Loss Resin Substrate for UWB applications
A.Saitou; N.Iwaki; K.Honjo; K.Sato; T.Koyama; K.Watanabe
2004 MTT-S Intenational Microwave Symposium Digest, 掲載ページ 1265-1268, 出版日 2004年06月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

ウエハレベルCSP技術による銅配線、絶縁層を利用した低損失インダクタの実現
青木由隆; 上芳夫; 本城和彦
エレクトロニクス実装学会誌, 7巻, 3号, 掲載ページ 247-254, 出版日 2004年05月, 査読付, Low-loss high-Q spiral inductors, which can be applicable to the chip scale packaging (CSP), have been successfully fabricated on silicon substrates using the copper interconnect technology with polyimide isolation layers. In this paper, microwave characteristics for the spiral inductors, related with the size, the number of spiral turns, the isolation layer thickness, the silicon substrate resistivity have been investigated theoretically and experimentally, where the optimized polyimide thickness and the affordable copper inter-connect technology have been developed. A Q factor of 20, has been achieved at 3. 9 GHz with inductance values from 2-5 nH. © 2004, The Japan Institute of Electronics Packaging. All rights reserved.
研究論文（学術雑誌）, 日本語

Recent Advances in Measurement Techniques for Microwave Active Devices and Circuit (Invited Paper)
Yasushi Itoh; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Electronics, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E87-C巻, 5号, 掲載ページ pp. 657-664, 出版日 2004年05月, 査読付, Recent advances in measurement techniques for microwave active devices and circuits are reviewed in this paper. The R&D activities have been devoted aggressively how to characterize nonlinear performance of high power devices and circuits. They are pulsed IN, a variety of load-pull measurements, probing, sampling, and sensing techniques, supported by the recent significant advances in DSP (Digital Signal Processing), RF components, semiconductor devices, etc. The recent advances in vector network analyzers are of our great interest. They are (a) multi-port vector network analyzers for characterizing mixers, differential devices, packaged components, electronic package characterization, and multi-layer transmission lines, and (b) EO (Electro-Optic) modulated vector network analyzers for characterizing electronic performance of EO devices with the aid of EO modulators and photonic probes. In addition, probing, sampling, and sensing techniques have made great progress to directly measure electromagnetic field, time-domain voltage waveform, and temperature in small spot areas. In this paper, some topics related to these measurement techniques are briefly reviewed. Then the existing and future issues for characterization and measurement techniques of microwave active devices and circuits are discussed.
研究論文（学術雑誌）, 英語

マイクロ波CADを用いた高度技術研修-大学における社会人向け研修の新しい方向-
本城和彦
電気通信大学紀要, 電気通信大学, 16巻, 2号, 掲載ページ pp. 169-177, 出版日 2004年01月, 査読付, 近年のマイクロ波CAD/CAEの飛躍的な進歩により、マイクロ波回路はCAD/CAEを用いて設計することが通例になってきている。しかしながらマイクロ波CAD/CAEは使用法が複雑で、ベンダーのセミナーでも企業内教育でも使用法を教えるのが精一杯なのが実状である。一方、マイクロ波回路設計のセミナーは様々な機関で行われているが、講義一辺倒でなかなか身に付かないのが現状である。電気通信大学共同研究センターでは、これらの問題点を解決するためマイクロ波関連基礎理論の講義とマイクロ波CAD実習を組み合わせた高度技術研修を企画実施した。このような研修を企画実施した背景、内容の概要ならびに今後の課題について述べる。

Recent advances in microwave CAD/CAE technology enable us to perform the efficient and accurate microwave circuit and device design. Since the operation manuals for CAD/CAE are usually sophisticated, time-consuming efforts are reqired to learn their operations. Meanwhile, microwave theory itself is also difficult to understand. The purpose of the new seminar is teaching the basic microwave theory and the advance CAD/CAE technology simultaneously with appropriate examples using the microwave CAD. This report describes the purpose and contents of the newly developed seminar in the University of Electro-Comminications
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A Possible Simple Structure for Variable Microwave Inductors and Their Filter Applications
Norio Imai; Kazuhiko Honjo; Akira Saitou
IEICE Transactions on Electronics, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E87-C巻, 1号, 掲載ページ 113-115, 出版日 2004年01月, 査読付, A new concept of changing inductance values has been proposed, where a part of meander inductor is short circuited to reduce effective line length. Microwave characteristics of the short-circuited meander inductors and the meander inductor without the short circuit have been designed and fabricated on resin circuit boards. The reduction of inductance values by 40% has been successfully realized for the microwave frequency range from 0.5 GHz to 5 GHz for both designed and measured results. Using the proposed structure, low pass filters having two different cut-off frequencies have been designed and tested. Measured cut-off frequency changed 3.0 GHz to 4.2 GHz.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Ulra-High Efficiency Power Amplifier Circuit Using High fmax Transistor
Kazuhiko Honjo
2003 Japan-United States Joint Workshop on Space Solar Power System Proceedings, 掲載ページ 31-37, 出版日 2003年07月, 査読付, 招待
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Fundamental Perspective of Future High Power Devices and Amplifiers for Wireless Communication Systems (Invited Paper)
Yasushi Itoh; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Electronics, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E86-C巻, 2号, 掲載ページ 108-119, 出版日 2003年02月, 査読付, 招待, Fundamental perspective of high power devices and amplifiers for use in wireless communication systems are described in this paper. First, high power devices and device modeling techniques are presented, focusing on the emerging device technologies such as wide bandgap devices (GaN, SiC) and SiGe devices. Then the commercially available device, circuit and system simulators fur wireless communication applications ate introduced. Recent active load-pull measurements have made a remarkable progress in fundamental. harmonic, arid envelope frequencies for high efficiency and low distortion designs. In addition, pulsed DC/RF and on wafer load-pull measurements, have also become popular, which are briefly reviewed. Finally the advances in high power amplifier design techniques for achieving high efficiency and low distortion are presented.
研究論文（学術雑誌）, 英語

高ｆmaxマイクロ波トランジスタを用いた高調波処理型超高効率F級増幅回路 (招待論文）
本城和彦; 小林由紀子
電子情報通信学会論文誌C, 一般社団法人電子情報通信学会, J85巻, 11号, 掲載ページ 953-960, 出版日 2002年11月, 査読付, 招待, 近年のHBT,HEMTなどのヘテロ接合トランジスタばかりでなく,GaAsFET,SiMOSFETなどのマイクロ波トランジスタの高性能化は目覚ましく,数十から数百GHzの最大発振周波数F_を有するトランジスタも一般に用いられるようになってきた.このようなトランジスタでは,動作周波数となる基本波の数倍以上の高調波も基本波と同様に波形整形処理をする能力を有しているため,これを増幅器に応用し電力効率を大幅に改善することが現実的な課題となってきた.本論文ではF級増幅器を例にとり,このような高F_を有するトランジスタと,トランジスタ負荷インピーダンスが基本波に影響を与えずに遇数次高調波に対して短絡,奇数時高調波に対して開放となる基本波リアクタンス補償型F級負荷回路を提案し,これにより超高効率増幅動作が可能であることを述べる。
研究論文（学術雑誌）, 日本語

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A Circiut Element Reduction Method for Class-F Ultra-High-Efficiency Amplifiers with Reactance-Compensation Circuits
Yukiko Kobayashi; Kazuhiko Honjo
2002 Asia Pacific Microwave Conference Proceedings, 掲載ページ 385-388, 出版日 2002年11月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

A simple circuit synthesis method for microwave class-F ultra-high-efficiency amplifiers with reactance-compensation circuits
Kazuhiko Honjo
International Journal of Solid-State Electronics, Elsevier Science Ltd, 44巻, 8号, 掲載ページ 1477-1482, 出版日 2000年09月, 査読付, A class-F amplifier circuit by which the transistor load impedance, for even-order higher harmonics, can be kept `zero' and that for odd-order higher harmonics can be kept `open' without affecting the impedance at the fundamental frequency has been developed. This circuit basically consists of transmission lines with lengths equal to a half wavelength and a quarter wavelength at the fundamental frequency where the residual reactance at the fundamental frequency, due to the higher harmonic-frequency circuits, is compensated. Using this circuit, a microwave heterojunction bipolar transistor amplifier was designed using a harmonic-balance simulator. The designed power-added efficiency was more than 90%. The output waveforms, a dynamic load line, and the input/output power response were evaluated.
研究論文（学術雑誌）, 英語

A 500-mW, high-efficiency Si MOS MMIC amplifier for 900 MHz band use
Noriaki Matsuno; Hitoshi Yano; Yasuyuki Suzuki; Toshiro Watanabe; ShigekiTsubaki; Tetsu Toda; Kazuhiko Honjo
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 48巻, 8号, 掲載ページ pp. 1407-1410, 出版日 2000年08月, 査読付, A 500-mW monolithic-microwave integrated-circuit (MMIC) amplifier using a 0.6-mu m Si MOSFET for 900-MHz-band use has been developed. The input matching network, which consists of a spiral inductor and an MOS capacitor, was integrated onto the chip using a low-cost mass-production large-scale-integration process. A new spiral-inductor model, taking into account the dielectric loss and skin effect of the Si substrate, was introduced. We analyzed the stability and gain dependence on the gate structure of the MOSFET and optimized the gate finger length and the loss of the matching network to achieve high gain and stability. The fabricated MMIC amplifier achieved a linear gain of 15.2 dB and an output power of 27.1 dBm,vith a PAE of 60% under a supply voltage of 4.8 V.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Millimeter-wave active integrated antenna array utilizing harmonic injection for an MMIC oscillator with photonic band gap structure
Y. Yasuoka; S. Kawasaki; N. Ohkubo; K. Kikuchi; R. Coccioli; Y. Suzuki; K. Honjo
2000 International Symposium on Antenna Propagation, 掲載ページ 1553-1556, 出版日 2000年08月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

A Ka-band HBT MMIC power amplifier
S. Tanaka; S. Yamanouchi; Y. Amamiya; T. Niwa; K. Hosoya; H. Shimawaki; K. Honjo
2000 MTT-S International Microwave Symposium, IEEE, 掲載ページ 553-556, 出版日 2000年06月, 査読付, This paper reports on the fully matched, HBT MMIC power amplifier operating at the Ka-band with >1W CW output power. At 30 GHz, the power amplifier delivered maximum output power of 1.59 W with peak PAE of 35% and 6.5-dB linear gain. The achieved performance indicates that HBTs are strong candidate as cost-effective MMICs for Ka-band wireless applications.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

A low phase noise 38-GHz HBT MMIC oscillator utilizing a novel transmission line resonator
K. Hosoya; S. Tanaka; Y. Amamiya; T. Niwa; H. Shimawaki; K. Honjo
2000 MTT-S International Microwave Symposium, IEEE, 掲載ページ 47-50, 出版日 2000年06月, 査読付, This paper reports on a low phase noise 38GHz-band HBT MMIC oscillator employing a newly proposed transmission line resonator. The achieved phase noise of -114dBc/Hz at 1MHz offset is believed to be the lowest reported for millimeter-wave oscillators without a dielectric resonator.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

これからのワイヤレスシステムとデバイス技術（招待論文）
本城和彦; 古谷之綱
応用物理, The Japan Society of Applied Physics, 69巻, 2号, 掲載ページ 172-175, 出版日 2000年02月, 査読付, 招待, CDMA方式では,受信信号品質を一定値以上に上げると,誤り訂正符号技術を有効に活用して大幅に伝送誤りを低減することができる.このため画像やデータなどのマルチメディアサービスに適しているが,高周波部品には広いダイナミックレンジと線形性が要求される. FET系デバイスでは,飽和電流以下の信号には優れた線形性を示し,逆に飽和機構を有さないバイポーラデバイスでは過入力に対しても十分に再現できる能力を有する.これらデバイスの超高周波化の現状と施策について述べた.
日本語

HBT Technology for Microwave and Millimeterwave Application
K. Honjo; S. Tanaka; H. Shimawaki
1999 General Assembly URSI, 掲載ページ 667, 出版日 1999年08月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

AlGaAs/GaAs HBT IC for 20-Gb/s optical transmission
Nobuo Nagano; Masaaki Soda; Hiroshi Tezuka; Tetsuyuki Suzaki; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Electronics, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E82-C巻, 3号, 掲載ページ pp.465-474, 出版日 1999年03月, 査読付, This report describes AlGaAs/GaAs HBT ICs for 20-Gb/s optical transmission, the preamplifier and optical modulator driver circuits, and those ICs for 10-Gb/s clock extraction circuits, the rectifier and phase shifter circuits. These ICs were fabricated using our developed hetero guard-ring fully self-aligned HBT (HG-FST) fabrication process. The Pt-Ti-Pt-Au multimetal system was also used as a base ohmic metal to reduce base contact resistance, and a high f(max) of 105 GHz was obtained. Good results in the HBT IC microwave performances were achieved from the on-wafer measurements. The preamplifiers exhibited the broad bandwidth of 20.9 GHz. The optical modulator driver performed a sufficiently large output-voltage swing of 4-VP-P at a 20-Gb/s data rate. The rectifier and the phase shifter circuits achieved good operations at 10-Gb/s. These results suggest that these HBT ICs can be applied to 20-Gb/s optical transmission and 10-Gb/s clock extraction systems.
研究論文（学術雑誌）, 英語

A 40-Gb/s preamplifier using AlGaAs/InGaAs HBT's with regrown base contacts
Yasuyuki Suzuki; Hidenori Shimawaki; Yasushi Amamiya; Nobuo Nagano; Hitoshi Yano; Kazuhiko Honjo
IEEE Journal of Solid-State Circuits, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 34巻, 2号, 掲載ページ 143-147, 出版日 1999年02月, 査読付, A preamplifier for 40-Gb/s optical transmission systems incorporating AlGaAs/InGaAs heterojunction bipolar transistors (HBT's) with p(+) regrown extrinsic base layers is described. The HBT's have a heavily doped regrown p(+)-GaAs layer in the extrinsic base regions and a thin graded InGaAs strained layer for the intrinsic base. Their measured peak f(max) is above 200 GHz, The developed preamplifier provides a bandwidth of 38.4 GHz and a transimpedance gain of 41.1 dB Ohm. Moreover, the frequency response as an optical receiver has a bandwidth of 32 GHz, These characteristics make the preamplifier suitable for use in a 10-Gb/s optical receiver. These results show that AlGaAs/InGaAs HBT's with p(+) regrown extrinsic base layers are very promising for use in 40-Gb/s optical transmission systems.
研究論文（学術雑誌）, 英語

High power-density 35 GHz HBT power amplifiers
S. Tanaka; Y. Amamiya; T. Niwa; H. Shimawaki; K. Honjo
1998 Asia Pacific Microwave Conference, 掲載ページ 559-562, 出版日 1998年12月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Wide-band transimpedance amplifier using AlGaAs/InGaAs pseudomorphic 2-D FET's
Yasuyuki Suzuki; Kazuhiko Honjo
IEEE Journal of Solid-State Circuits, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 33巻, 10号, 掲載ページ pp. 1559-1562, 出版日 1998年10月, 査読付, Monolithic wide-band amplifiers have been demonstrated using AlGaAs/InxGa1-xAs/GaAs pseudomorphic two-dimensional electron-gas held-effect transistors. The amplifiers have yielded an 18.0-GHz bandwidth and a 41.8-dB Omega transimpedance gain with a feedback resistance of 100 Omega. In addition, the dependence of In mole fraction far an InxGa1-xAs channel layer on device and amplifier performance has been also investigated. The g(m) and the f(T) in a device, along with the bandwidth, the gain, and the noise performance in an amplifier, have improved as the In mole fraction is varied from 0 to 0.25.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Development of a Si MOS MMIC power amplifier with loss minimized design
N. Matsuno; H.Yano; Y.Suzuki; T.Watanabe; K.Tanaka; K. Honjo
28th European Microwave Conference, IEEE Computer Society, 1巻, 掲載ページ 144-149, 出版日 1998年10月, 査読付, An MMIC driver amplifier using a 0.6-¿m WSi gate Si MOSFET for 900-MHz-band GSM use has been developed. The input matching network which consists of a spiral inductor and a MOS capacitor was integrated onto the chip using a low-cost, mass-production LSI process. These passive elements were accurately modeled, taking into account the loss due to the Si substrate. We analyzed the loss dependence on both the gate structure of the MOSFET and the matching network topology, and optimized them by using large-signal simulations. The fabricated MMIC amplifier achieved a linear gain of 16.2 dB and an output power of 27.1 dBm with a power-added efficiency of 62% under a supply voltage of 4.8 V. These results agreed well with the simulated results and confirmed the accuracy of the design. © 1998 IEEE.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

50 GHz bandwidth baseband amplifiers using GaAs based HBT's
Yasuyuki Suzuki; Hidenori Shimawaki; Yasushi Amamiya; Nobuo Nagano; Takaki Niwa; Hitoshi Yano; Kazuhiko Honjo
IEEE Journal of Solid-State Circuits, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 33巻, 9号, 掲載ページ 1336-1341, 出版日 1998年09月, 査読付, Baseband amplifiers of 50 GHz, using highperformance AlGaAs/InGaAs HBT's with regrown base contacts, have been demonstrated, The transimpedance amplifier achieved a bandwidth of 50.8 GHz with a gain of 11.6 dB. The transimpedance characteristics were of 49.3-GHz bandwidths with a 43.7-dB Ohm transimpedance gain. The resistive and mirror Darlington feedback amplifiers, respectively, achieved a bandwidth of 54.7 GHz with a gain of 8.2 dB and a bandwidth of more than 60.0 GHz with a gain of 6.3 dB, To date, these are the widest bandwidths reported for lumped-circuit-design amplifiers. These results suggest the great potential of these amplifiers for use in future optical communication, microwave and millimeter-wave applications.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Thermal Behavior Depending on Emitter Finger and Substrate Configurations in Power Heterojunction Bipolar Transistors
Chang-Woo Kim; Norio Goto; Kazuhiko Honjo
IEEE Transactions on Electron Devices, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 45巻, 6号, 掲載ページ 1990-1195, 出版日 1998年06月, 査読付, Analytical and experimental results are used to investigate thermal behavior depending on the emitter-finger area and substrate thickness in multifinger heterojunction bipolar transistors (HBT's), The temperature distribuions along the depth direction of the substrate are obtained from a three-dimensional (3-D) analysis, The calculated results show a 3-D effect which depends upon the emitter finger area. This effect weakens with increasing the emitter-finger area, As the effect weakens, thinning the substrate effectively reduces the junction temerature (thermal resistance). This is verified by the measured results obtained from a simple thermal-resistance measurement.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Power HBTs for Digital Cellular Applications
Hidenori Shimawaki; Nobuyuki Hayama; Norio Goto; Kazuhiko Honjo
The Proceedings of 1998 GaAs MANTECH, CS-MANTECH, 掲載ページ 93-96, 出版日 1998年05月, 査読付, 招待
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Design considerations for millimeter-wave power HBT’s based on gain performance analysis
Shinichi Tanaka; Yasushi Amamiya; Seiichi Murakami; Hidenori Shimawaki; Norio Goto; Yoichiro Takayama; Kazuhiko Honjo
IEEE Transactions on Electron Devices, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 45巻, 1号, 掲載ページ 36-44, 出版日 1998年01月, 査読付, Critical design issues involved in optimizing millimeter-wave power HBT's are described. Gain analysis of common-emitter (CE) and common-base (CB) HBT's is performed using analytical formulas derived based on a practical HBT model, While CB HBT's have superior maximum-gain at very high frequencies, their frequency limit is found to be determined by the carrier transit time delay, Thus, to fully exploit the potential gain in a CB HBT, it is essential to maintain a high f(T) even at high collector voltages. The advantage of using CB HBT's in a multifingered device geometry Is also discussed, Unlike CE HBT's, CB HBT's are capable of maintaining a high gain even if the device size is scaled up by increasing the number of emitter-fingers, Moreover, it is found that reducing the wire parasitic capacitance allows emitter ballasting resistance to be used without affecting the gain, Fabrication of HBT's based on these design considerations led to excellent power performance in a CB unit-cell MBT at 25-26 GHz, featuring output pou er of 740 mW and power-added efficiency of 42%.
研究論文（学術雑誌）, 英語

High fmax AlGaAs/InGaAs HBT’s and their application in millimeter-wave ranges (Invited Paper)
K. Honjo; H. Shimawaki; S. Tanaka; Y. Suzuki
The Proceedings of 1997 Asia Pacific Microwave Conference, CITY UNIVERSITY HONG KONG, 掲載ページ 733-736, 出版日 1997年12月, 査読付, 招待, AlGaAs/InGaAs HBTs with selectively-regrown extrinsic base regions have been developed. This HBT structure successfully decreases base resistances try 1/4, compapared to the conventional HBT structures. Maximum oscillation frequency of the HBT is 280 GHz. The newly developed HBTs have opened up applications in millimeter wave ranges. A 26-GHz 3.6-W power amplifier and a DC-60 GHz ultra broad band amplifier were developed by using this new technology.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

50-GHz bandwidth base-band amplifier using GaAs-based HBTs
Y. Suzuki; H. Shimawaki; Y. Amamiya; N. Nagano; T. Niwa; H. Yano; K. Honjo
19th GaAs IC Symposium, I E E E, 掲載ページ 143-146, 出版日 1997年10月, 査読付, Base-band amplifiers have been demonstrated using AlGaAs/InGaAs HBTs with regrown base contacts. The transimpedance amplifier achieved a bandwidth of 49.3 GHz and a transimpedance gain of 43.7 dB Omega. The Darlington feedback amplifier achieved a bandwidth of 54.7 GHz and a gain of 8.2 dB. These are the widest bandwidths yet reported for lumped-circuit-design amplifiers. These performances suggest the great potential of these amplifiers for use in future optical communication and millimeter-wave applications.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Large signal analysis of power MOSFETs and its application to device design
Noriaki Matsuno; Hitoshi Yano; Yasuyuki Suzuki; Toshiaki Inoue; Testu Toda; Yasushi Kose; Yoichiro Takayama; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E80-C巻, 6号, 掲載ページ 734-739, 出版日 1997年06月, 査読付, This paper describes novel techniques far analyzing power MOSFETs. Since the gate width of power MOSFETs is much larger than that of power MESFETs or HJFETs, an appropriate device design to suppress matching circuit losses is needed. These losses and the intrinsic device characteristics are analyzed employing the proposed techniques. which are based on large-signal simulations. Also, new formulas describing the dependence of saturated output power on gate width are derived to perform loss-minimized design. These techniques are applied to the design of power MOSFETs far GSM cellular telephones. As a result, an output power of 35.5 dBm with a power-added efficiency of 55% and a power gain of 10.5 dB at 900 MHz have been achieved.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Common base HBTs for Ka-band application
Shinichi Tanaka; Yasushi Amamiya; Shiichi Murakami; Hidenori Shimawaki; Norio Goto; Kazuhiko Honjo
Digest of Topical Symposium on Millimeter Wave, IEEE, 掲載ページ 27-30, 出版日 1997年06月, 査読付, It has been commonly accepted that common-base (CB) HBTs are more suitable for millimeter-wave power amplifier than common-emitter HBTs due to their superior gain. However, the essential gain behavior of CB HBTs is not well understood in detail, and thus the factors limiting their mm-wave performance are not yet clarified. In this work, basic design guidelines of CB HBTs are presented based on a detailed gain performance analysis. In particular, we stress the importance of improving the f(T) at high collector voltages and reducing the feedback component of wire parasitic capacitance. The analysis is in good agreement with the measured RF performance of the fabricated HBTs.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

High-linearity and small chip AlGaAs/GaAs power HBT’s for L-band personal digital cellular application
Chang-Woo Kim; Nobuyuki Hayama; Norio Goto; Kazuhiko Honjo
IEEE Electron Device Lett., IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 18巻, 4号, 掲載ページ pp. 147-149, 出版日 1997年04月, 査読付, A high-linearity AlGaAs/GaGs power heterojunction bipolar transistor (HBT) is developed for personal digital cellular phones, For compact chip layout, thermal design was considered, To improve power performance, proton implantation, optimum alloy condition for collector electrodes, and multiple via holes were used, A 2400-mu m(2)-emitter-area HBT fabricated on a 0.5x0.67 mm(2) substrate exhibits adjacent channel leakage powers below -53 dBc for 0.95- and 1.5-GHz pi/4-shifted QPSK modulated input signals at a low collector-emitter voltage of 3.4 V. The HBT produces a 31.7-dBm output power, 50% power-added efficiency, and 15-dB linear power gain at 0.95 GHz, and produced a 31.3-dBm output power, 52% power-added efficiency, and 11.5-dB linear power gain at 1.5 GHz. These results were achieved on about one-fifth of the substrate area of conventional GaAs FET's.
研究論文（学術雑誌）, 英語

High-efficiency, small-chip AlGaAs/GaAs power HBTs for low-voltage digital cellular phones
N Hayama; CW Kim; H Takahashi; N Goto; K Honjo
1997 IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM DIGEST, VOLS I-III, I E E E, 掲載ページ 1307-1310, 出版日 1997年, 査読付, A 61% power added efficiency (PAE), high linearity AlGaAs/GaAs power HBT with a very small chip size of 0.58X0.77 mm for use in personal digital cellular phones (PDC) is described, The device layout is optimized to reduce thermal resistance while maintaining a compact chip size. This power HBT, which has 60 fingers of 2X30 mu m emitter, exhibited 31.4 dBm output power and 61% power added efficiency with -51.7 dBc adjacent channel leakage power at a 50 kHz offset frequency under 1.5 GHz pi/4-shifted QPSK modulation when operated at a low collector-emitter voltage of 3.4 V. These results satisfy Japan's PDC standard in a chip area that is less than 20% of that needed for a conventional GaAs power MESFET.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

High efficiency high linearity power AlGaAs/GaAs HBTs for digital cellular phones
N.Hayama; C.W.Kim; H.Takahashi; N.Goto; K. Honjo
NEC Research and Development, NEC CORPORATION, 38巻, 38号, 掲載ページ 10-16, 出版日 1997年01月, This paper describes the design considerations, fabrication process and performance of a newly-developed power AIGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) for personal digital cellular phones. The HBT was fabricated by a hetero-guardring fully self-alignment process technique using only twelve masks. The fabricated HBT exhibited excellent turn on voltage deviation of 31 mV on a 3 inch wafer under practical bias conditions. A 2 x 20 mu m(2) x 60 emitters HBT power amplifier operating at a low collector voltage of 3.4 V, achieved a power added efficiency higher than 50% with adjacent channel leakage power below -53 dBc at 50 kHz offset band for 0.95 and 1.5 GHz pi/4-shifted QPSK modulated signal at a CW-output power level around 31.5 dBm. These results have satisfied Japanese Personal Digital Cellular Phones (PDC) standard in a chip area less than 20% of conventional GaAs power MESFETs. These results indicate that the developed HBT is highly suitable for low-cost and small-size personal digital cellular pourer module application operated at a low DC: supply voltage.
研究論文（大学，研究機関等紀要）, 英語

Recent advance of millimeter wave technology in Japan
Tsukasa Yoneyama; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Commun, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E79-B巻, 12号, 掲載ページ pp. 1729-1740, 出版日 1996年12月, 査読付, In order to highlight a rapid progress attained in the field of millimeter waves in Japan, this paper describes several key topics including transistors, integrated circuits, planar antennas, millimeter wave photonics, and others.
研究論文（学術雑誌）, 英語

A 3.6-W 26 GHz band AlGaAs/GaAs HBT power amplifier
S.Murakami; S.Tanaka; H. Shimawaki; N.Goto; K.Honjo; Y.Ishida
1999 GaAs IC Symposium, I E E E, 掲載ページ 99-102, 出版日 1996年11月, 査読付, A 3.6-watt 26-GHz band AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) power amplifier is described. The amplifier is composed of two common-base (CB) HBT chips, and achieves a output power of 3.63 W (35.6 dBm), power-added efficiency (PAE) of 21.2 % and associated gain of 6.2 dB with a 1-dB bandwidth between 25.5 and 26.5 GHz. As far as we know, the output power obtained in this work is more than twice that obtained in other works in these frequency bands.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Trial Manufacture of 26GHz Band Solid State Power Amplfier (SSPA) Module
M.Yajima; Y.Hisada; Y.Ishida; Y.Saito; K.Yamamoto; S.Murakami; S.Tanaka; N.Goto; K.Honjo
1996 Workshop on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (EDMO’96), I E E E, 掲載ページ 172-175, 出版日 1996年11月, 査読付, In this paper, we describe the results of trial manufacture of 26GHz band Solid State Power Amplifier (SSPA) Module. This Module is composed of two common-base (CB) HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) chips whose f(max) is over 200GHz with high power density by using selective regrowth of base contact layer.
It has achieved output power of 3.2W (35.1dBm), power-added efficiency (PAE) of 13.3%. Its gain is 4.7dB because of unbalance between cells, so PAE is small: but high output power, PAE and gain can be achieved by using better balanced HBT chips which NEC has developing.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Lateral p+/p regrown base contact applied to AlGaAs/InGaAs HBTs with extremely thin base layer
Y.Amamiya; H.Shimawaki; N.Furuhata; M.Mamada; N.Goto; K.Honjo
1996 Device Research Conference, I E E E, 掲載ページ 38-39, 出版日 1996年06月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

High power high efficiency cell design for 26GHz HBT power amplifier
S.Tanaka; S.Murakami; Y.Amamiya; H.Shimawaki; N.Furuhata; N.Goto; K.Honjo; K. Yamamoto
1996 MTT-S, Int. Microwave Symp. Digest, I E E E, 掲載ページ 843-846, 出版日 1996年06月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

3-V operation power AlGaAs/GaAs HBT's for digital cellular phones
C-W Kim; Nobuyuki Hayama; Hideki Takahashi; Yosuke Miyoshi; Norio Goto; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Electronics, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, 79-C巻, 5号, 掲載ページ 617-622, 出版日 1996年05月, 査読付, AlGaAs/GaAs power HBTs for digital cellular phones have been developed. A three-dimensional thermal analysis taking the local-temperature dependence of the collector current into account was applied to the thermal design of the HBTs. The HBTs were fabricated using the hetero-guardring fully self-aligned transistor technique. The HBT with 2 x 20 mu m(2) x 60 emitters produced a 31.7 dBm CW-output power and 46 % power-added efficiency with an adjacent channel leakage power of -49 dBc at the +/- 50 kHz offset bands for a 948 MHz pi/4-shifted QPSK modulated signal at a low collector-emitter voltage of 3 V. Through comparison with the conventional GaAs power FETs, it has been shown that AlGaAs/GaAs power HBTs have a great advantage in reducing the chip size.
研究論文（学術雑誌）, 英語

An HBT Preamplifier for 40-Gb/s optical transmission systems
Y Suzuki; H Shimawaki; Y Amamiya; K Fukuchi; N Nagano; H Yano; K Honjo
GAAS IC SYMPOSIUM - 18TH ANNUAL, TECHNICAL DIGEST 1996, I E E E, 掲載ページ 203-206, 出版日 1996年, 査読付, A preamplifier for 40-Gb/s optical transmission systems has been constructed using AlGaAs/InGaAs HBTs with p(+) regrown extrinsic base layers. This preamplifier achieved a bandwidth of 34.6GHz and a transimpedance gain of 41.6dB Omega. This is the widest bandwidth in a preamplifier ever reported. These characteristics are suitable for use in a 40Gb/s optical receiver. The results indicate that AlGaAs/InGaAs HBTs with p(+) regrown extrinsic base layers are very promising for production of 40Gb/s optical transmission systems.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

L-band and Ka band power HBT
K.Honjo; S.Tanaka; C.W.Kim; N.Goto; Y.Amamiya; H.Shimawaki; N.Hayama
MTT-S Int. Microwave Symp. Workshop, 掲載ページ -, 出版日 1995年12月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

High fmax AlGaAs/InGaAs and AlGaAs /GaAs HBT's with p+/p regrown
Hidenori Shimawaki; Yasushi Amamiya; Naoki Furuhata; Kazuhiko Honjo
IEEE Transactions on Electron Devices, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 42巻, 10号, 掲載ページ pp. 1735-1744, 出版日 1995年10月, 査読付, The present paper describes a new approach to fabricating high-performance HBT's with low base resistance. Their base contact resistance is reduced by using MOMBE selective growth in the extrinsic base region-a key process in the fabrication of high-f(max) AlGaAs/InGaAs and AlGaAs/GaAs HBT's. A p(+)/p regrown base structure, which consists of a 40-nm-thick graded InGaAs strained layer and a heavily C-doped regrown contact layer, is used for the AlGaAs/InGaAs HBT's to reduce both their base transit time and base resistance, while preventing aluminum oxide incorporation at the regrowth interface. An h(fe) of 93, an f(T) of 102 GHz, and an f(max) of 224 GHz are achieved for a 1.6-mu m x 4.6-mu m HBT, together with reduced base push-out effects and improved reliability, AlGaAs/GaAs HBT's with an 80-nm-thick uniform base layer that have high f(max) values ranging from 140-216 GHz are also fabricated using the selective growth technique, These results confirm the high potential of the proposed HBT's, especially for microwave and millimeter-wave applications.
研究論文（学術雑誌）, 英語

High power AlGaAs/GaAs HBTs for Ka-band operation
C.W.Kim; S.Tanaka; Y.Amamiya; N.Furuhata; H.Shimawaki; Y.Miyoshi; N.Goto; K.Honjo
1995 GaAs IC Symp, I E E E, 掲載ページ 159-162, 出版日 1995年10月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

3V-operation power HBT for digital mobile communication application
C.W.Kim; N.Hayama; H.Takahashi; N.Goto; K.Honjo
1995 Asia Pacific Microwave Conference, 掲載ページ 14-17, 出版日 1995年10月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Applications of HBTs
Kazuhiko Honjo
International Journal of Solid-State Electronics, PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, 38巻, 9号, 掲載ページ pp. 1569-1573, 出版日 1995年09月, 査読付, Recent advances in heterojunction bipolar transistor (HBT) technology enable trial uses in some systems utilizing advantages of HBTs such as high power handling capability, high current drive capability, low 1/f noise characteristics, with high frequency and high speed performance. This paper describes methods of improving HBT performance that will accelerate HBTs to be applied in a variety of different areas.
研究論文（学術雑誌）, 英語

AlGaAs/GaAs HBT with InGaAs etch stop layer
Y.Miyoshi; S.Tanaka; N.Goto; K.Honjo
Proceeding of 22nd Int.Symp. on Compound Semiconductor, IOP PUBLISHING LTD, 145巻, 掲載ページ 661-666, 出版日 1995年08月29日, 査読付, We report the first fabrication of AlGaAs/GaAs HBTs using InGaAs layer as dry-etching stopper. Various HBTs with different location of the etch-stop layer were fabricated to examine the influence of emitter-periphery guardring thickness on surface recombination. We show that it is vital to control the thickness to optimum 50 nm by selective etching technique, when the emitter periphery recombination current can be effectively reduced. We also discuss the current suppression effect caused by charge accumulation in the InGaAs quantum well. Simulation suggests that the undesirable side-effects can be minimized by appropriate epitaxial layer design.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Two-dimensional analysis of surface recombination at the extrinsic base surface under various conditions in AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors
Chang-Woo Kim; Norio Goto; Kazuhiko Honjo
International Journal of Solid-State Electronics, PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, 38巻, 3号, 掲載ページ pp. 633-639, 出版日 1995年03月, 査読付, In order to investigate surface effects, under improved surface conditions at the extrinsic base surface, on the current characteristics in AlGaAs/GaAs HBTs, two-dimensional numerical simulations have been performed. The surface conditions at the extrinsic base surface have been realistically assumed to be determined by the magnitude of the surface recombination velocity, which is evaluated by the surface density and carrier capture cross section of the introduced surface states. From the simulated results, it is found that surface recombination at the extrinsic base surface occurs in a potential well which results from Fermi-level pinning. When the surface recombination velocity is low, the potential well either forms or does not, based on the surface density of the introduced deep states. However, current gain degrades significantly when the potential well is formed at the extrinsic base surface. Concurrently, the effects of ionized surface states on current gain degradation are investigated.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Microwave and millimeterwave high eficiency power HBT
Norio Goto; Hidenori Shimawaki; Yasushi Amamiya; Naoki Furuhata; Chang-Woo Kim; Shinichi Tanaka; Kazuhiko Honjo
NEC Research and Development, NEC CORPORATION, 36巻, 36号, 掲載ページ pp. 139-145, 出版日 1995年01月, This paper describes AlGaAs/InGaAs and AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) technologies applicable to power amplifiers for microwave and millimeter-wave frequencies. The performance of the power amplifier is characterized using power added efficiency, which is the function of maximum available gain cutoff frequency (f(max)), and collector efficiency. HBT device structure having p(+)/p regrown extrinsic base, compositionally graded intrinsic base, and hetero guard ring composed of depleted AlGaAs, are shown as technologies to improve f(max). Novel class F matching circuit including harmonic trapping, are also shown as a technology to increase collector efficiency. RF power performances of 25.6 dBm (365 mW) saturation power and 23% power added efficiency were obtained at 25.2 GHz.
研究論文（大学，研究機関等紀要）, 英語

Thermal analysis of AlGaAs/GaAs power HBTs using developed model of temperature dependant collector current
Chang-Woo Kim; Norio Goto; Kazuhiko Honjo
1994 Asia Pacific Microwave Conference, 3巻, 掲載ページ 881-884, 出版日 1994年12月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

A 20Gb/s AlGaAs/GaAs HBT pre-amplifier IC with on chip spiral inductor peaking
H.Tezuka; N.Nagano; M.Soda; T.Suzaki; K.Honjo
1994 Asia Pacific Microwave Conference, 掲載ページ pp.1021-1024, 出版日 1994年12月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Micro-wave/millimeter wave power HBT with regrown extrinsic base layer
Y.Amamiya; C.W.Kim; N.Goto; S.Tanaka; N.Furuhata; H.Shimawaki; K. Honjo
1994 Int. Electron Device Meeting, I E E E, 掲載ページ 199-202, 出版日 1994年12月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Applications of HBTs (Invited Paper)
Kazuhiko Honjo
Proceedings of IEEE Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, 掲載ページ 6-8, 出版日 1994年08月, 査読付, 招待
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Microwave and millimeter wave HBT development in Japan (Invited Paper)
Kazuhiko Honjo
Proceedings of 1994 European Microwave Conference, 掲載ページ 208-219, 出版日 1994年08月, 査読付, 招待
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Advanced HBT Technology for Ka-Band Space Communication
Norio Goto; Kazuhiko Honjo; Hidenori Shimawaki; Yasushi Amamiya; Tadahiko Sugiura; Kaizo Yamamoto; Toshiyuki Fukuda; Yasumasa Hisada; Ryuji Temino
19th International Symposium on Space Technology and Science, ISTS94巻, i-10号, 掲載ページ 1-3, 出版日 1994年05月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Millimeter wave heterojunction bipolar transistors ( Invited Paper)
Kazuhiko Honjo
Proceedings of US-JAPAN Workshop on Submillimeter-Wave Technology for Diagnostic Applications for Large Plasma Devices, 掲載ページ 1-20, 出版日 1994年03月, 招待
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Submicron-square emitter AlGaAs/GaAs HBT's with AlGaAs hetero guardring
Yosuke Ueda; Nobuyuki Hayama; Kazuhiko Honjo
IEEE Electron Device Lett., IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 15巻, 2号, 掲載ページ 66-68, 出版日 1994年02月, 査読付, Successful operation of submicron-square emitter AlGaAs/GaAs HBT's is demonstrated for the first time by using a fully mesa-structure-type emitter-base junction-area definition method with an AlGaAs hetero-guardring. The hetero-guardring reduces surface recombination current at the emitter-mesa edge to 1.4 muA/ mum. This is 1/10 of that for devices without the guardring. Here, dc gains of 20, 26, and 40 are achieved for 0.5 mum x 0.5 mum, 0.7 mum x 0.7 mum, and 0.9 mum x 0.9 mum emitter HBT's, respectively. An f(T) of 40 GHz, and an f(max) of 30 GHz are obtained for 0.9 mum x 0.9 mum at a J(C) of 1.0 x 10(5) A/cm2.
研究論文（学術雑誌）, 英語

MONOLITHIC ULTRA-BROAD-BAND TRANSIMPEDANCE AMPLIFIERS USING ALGAAS/GAAS HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS
N NAGANO; T SUZAKI; M SODA; K KASAHARA; T TAKEUCHI; K HONJO
IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 42巻, 1号, 掲載ページ 2-10, 出版日 1994年01月, 査読付, Monolithic ultra-broadband transimpedance amplifiers are developed using AlGaAs/GaAs HBT's. To realize good amplifier performances, two factors are mentioned, those are an affordable HBT fabrication process using self-aligned method and an optimized circuit design considering large signal operations. The developed HBT fabrication process achieves excellent uniformity in DC characteristics. And an effect on amplifier microwave performances, derived from the discrete device uniformity, is estimated. Amplifier circuit configurations are designed by harmonic balance simulation using the extracted large signal device parameters. The fabricated amplifier exhibits a DC to 13.4-GHz bandwidth with an 18.1-dB gain. Fairly good uniformity is also achieved for the amplifier microwave performances. An optical receiver module is constructed mounting the developed HBT amplifier and InGaAs p-i-n photodiode chips. The optical receiver module provides a 9.4-GHz bandwidth and an optical receiver sensitivity of -15.7 dBm at 10-Gb/s data rate.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Monolithic ultra-broad-band transimpedance amplifier using AlGaAs/GaAs HBT's
Nobuo Nagano; Tetsuyuki Suzaki; Masaaki Soda; Kensuke Kasahara; Tsuyoshi Takeuchi; Kazuhiko Honjo
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 42巻, 1号, 掲載ページ pp. 2-10, 出版日 1994年01月, 査読付, Monolithic ultra-broadband transimpedance am- plifiers are developed using AIGaAs/GaAs HBT's. To realize good amplifier performances, two factors are mentioned, those are an affordable HBT fabrication process using self-aligned method and an optimized circuit design considering large signal operations. The developed HBT fabrication process achieves excellent uniformity in DC characteristics. And an effect on amplifier microwave performances, derived from the discrete device uniformity, is estimated. Amplifier circuit configurations are designed by harmonic balance simulation using the extracted large signal device parameters. The fabricated amplifier exhibits a DC to 13.4-GHz bandwidth with an 18.1-dB gain. Fairly good uniformity is also achieved for the amplifier microwave performances. An optical receiver module is constructed mounting the developed HBT amplifier and InGaAs p-i-n photodiode chips. The optical receiver module provides a 9.4-GHz bandwidth and an optical receiver sensitivity of -15.7 dBm at 10-Gb/s data rate. © 1994 IEEE
研究論文（学術雑誌）, 英語

Application of AlGaAs/GaAs HBT's to power devices for digital radio communication
Norio Goto; Nobuyuki Hayama; Hideki Takahashi; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Electronics, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E76-C巻, 9号, 掲載ページ pp. 1367-1372, 出版日 1993年09月, 査読付, This paper describes the performance of AlGaAs/GaAs HBT's developed for power applications. Their applicability to power amplifiers used in digital mobile radio communications is examined through measurement and numerical simulation, considering both power capability and linearity. Power HBT's with carbon-doped base layers showed DC current gains over 90. A linear gain of 19.2 dB, a maximum output RF power of 32.5 dBm, and a power added efficiency of 56 percent were obtained at 950 MHz. Numerical simulations showed that the power efficiency of HBT amplifiers could be improved by using harmonic trap circuits. Intermodulation measurements showed that third-order distortions were at most -21 dBc level at the 1-dB gain compression point. RF spectrum simulations using pi/4 shift QPSK modulation showed that side-band spectrum generation was less than -45 dBc level at points 50 kHz off of the carrier frequency. These properties indicate that the power handling capabilities and linearity of HBT amplifiers offer promising potentials for digital mobile radio communications.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Analysis on stability of C-doped AlGaAs/GaAs HBTs
Yasushi Amamiya; Hidenori Shimawaki; Kazuhiko Honjo
1993 International Conference on Solid State Devices and Materials, 掲載ページ 1059-1061, 出版日 1993年08月
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Heterojunction Bipolar Transistors for millimeter wave and ultra-high speed digital applications (Invited Paper)
Kazuhiko Honjo
Proceedings of the ARO Workshops on Dual Use Millimeter Wave Technology, 掲載ページ 3-9, 出版日 1993年08月, 招待
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Characteristics of current induced degradation in Be doped HBT base in GaAs and InP
Shin'ichi Tanaka; Hidenori Shimawaki; Kensuke Kasahara; Kazuhiko Honjo
IEEE Transactions on Electron Devices, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 40巻, 7号, 掲載ページ pp. 1194-1201, 出版日 1993年07月, 査読付, The changes in the device characteristics under high-bias conditions are investigated for InAlAs/InGaAs and AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBT's) with heavily Be-doped base layers. While the collector current turn-on voltage shift in AlGaAs/GaAs HBT's has been well-studied, we focus on the base current and 1/f noise characteristics. It is shown that the ideality factor of the surface recombination base current provides information on the Be movement accompanying the degradation. For stress current densities up to 1.5 x 10(5) A/cm2, the Be movement in the InAlAs/InGaAs HBT's is estimated to be no more than a small fraction of the 5-nm setback layer. The 1/f noise measurements highlight the effect of current stressing on the surface recombination in the HBT's. A characteristic spectral shape is found in the noise spectra for the current-stressed AlGaAs/GaAs HBT, possibly originating from the degradation-induced carrier traps. Although both HBT's have similar electronic properties, these results illustrate the striking difference in their stress current behaviors.
研究論文（学術雑誌）, 英語

AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor ICs for optical transmission systems
Nobuo Nagano; Tetsuyuki Suzaki; Masaaki Soda; Kensuke Kasahara; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Electron, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E76-C巻, 6号, 掲載ページ 883-890, 出版日 1993年06月, 査読付, AlGaAs/GaAs HBT ICs for high bit-rate optical transmission systems, such as preamplifier, D-F/F, differential amplifier, and laser driver, have been newly developed using the hetero guard-ring fully self-aligned HBT (HG-FST) fabrication process. In this process, the emitter mesa is ECR-RIBE dry etched using a thick emitter-metal system of WSi and Ti-Pt-Au as etching mask, and a hetero guard-ring composed of a depleted AlGaAs layer is fabricated on p+ GaAs extrinsic base regions. This process results in highly uniform HBT characteristics. The preamplifier IC exhibits a DC to 18.5-GHz transimpedance bandwidth with a transimpedance gain of 49 dBOMEGA. The rise time and fall time for the D-F/F IC are 30 and 23 ps, respectively. The laser driver IC has a 40-mA(p-p) output current swing. The differential amplifier exhibits a DC to 12.1-GHz bandwidth with a 14.2-dB power gain.
研究論文（学術雑誌）, 英語

High-fmax AlGaAs/InGaAs HBT fabriated with MOMBE selective grown in extrinsic base region
H.Simawaki; N.Furuhata; Y.Amamiya; K.Honjo
1993 Device Research Conference, IEEE Trans. ED vol.40巻, No.11号, 掲載ページ 2124-2124, 出版日 1993年06月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

A precise method for determining HBT large signal parameters using noise parameters and S parameters
Jun'ichi Shimizu; Nobuyuki Hayama; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Electronics, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E76-1巻, 1号, 掲載ページ 159-162, 出版日 1993年01月, 査読付, A precise method for determining AlGaAs/GaAs HBT large-signal circuit parameters is presented. In this method, the parameters are extracted from noise parameters and small-signal S-parameters measured under various bias conditions. The measured noise parameters are fitted to the calculated noise parameters derived from an approximation of Hawkins' equations applied to the macroscopic equivalent circuit. The small-signal S-parameters help to determine the large-signal circuit parameters. The derived large-signal parameters were used to design an HBT oscillator. The simulated results using these parameters were in good agreement with the fabricated device performance.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Stress current behavior of InAlAs/ InGaAs and AlGaAs/GaAs HBT with polyimide passivation
Shin'ichi Tanaka; Kensuke Kasahara; Hidenori Shimawaki; Kazuhiko Honjo
IEEE Electron. Device Lett., IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, EDL-13巻, 9号, 掲載ページ 560-563, 出版日 1992年11月, 査読付, InAlAs/InGaAs and AlGaAs/GaAs HBT's, with heavily Be-doped base layers, have been fabricated and their reliability under excessive forward current tested. To understand the HBT material difference, a common process based on a polyimide planarization process is applied to the fabrication. While short-term degradation induced by stress current is observed for AlGaAs/GaAs HBT's (G-HBT's), InAlAs/InGaAs HBT's (I-HBT's) are stable up to a current density of 1.5 x 10(5) A/cm2 indicating the absence of substantial Be diffusion. An analysis of base current has shown a striking contrast between the HBT's in terms of the stressing effect on the surface recombination along emitter junction periphery.
研究論文（学術雑誌）, 英語

A 1-K ECL gate array implemented with fully self-aligned AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors
Nobuyuki Hayama; Yuzuru Tomonoh; Hideki Takahashi; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Electronics, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E75-C巻, 10号, 掲載ページ 1121-1126, 出版日 1992年10月, 査読付, This paper describes the design considerations, fabrication process and performance of the newly developed 1-K ECL gate array implemented with fully self-aligned AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs). This gate array consists of 960 three-input OR/NOR ECL basic gates. It contains about 7,600 transistors in a chip area 8.15-mm x 8.45-mm. The basic (FI=FO=1, wiring length L=0-mm) and loaded (FI=F0=3,L=1-mm) gates exhibit delay times of 33-ps and 82-ps, respectively, with 8.5-mW/gate power dissipation. From the measured values, fan-in, fan-out and wiring delay times of 9-ps/FI, 7-ps/FO and 17-ps/mm are estimated, respectively. These results are in good agreement with the designed results obtained using "SPICE" simulation.
研究論文（学術雑誌）, 英語

1/f noise reduction in self-aligned HBT with AlGaAs surface passivation
Nobuyuki Hayama; Kazuhiko Honjo
IEEE Transactions on Electron Devices, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 39巻, 9号, 掲載ページ 2180-2182, 出版日 1992年09月, 査読付, It is demonstrated that drastic improvement is achieved in base current noise for AlGaAs-passivated fully self-aligned AlGaAs/GaAs HBT, due to extrinsic base recombination current reduction. The base current 1/f noise was over 17 dB lower than that for an non-AlGaAs-passivated HBT, and comparable to that for an AlInAs/InGaAs HBT under a low collector density.
研究論文（学術雑誌）, 英語

AlGaAs/GaAs HBTs with heavily C-doped extrinsic base layers selectively grown by MOMBE
Hidenori Shimawaki; Naoki Furuhata; Yasushi Amamiya; Kazuhiko Honjo
Int. Symp. on GaAs and related compounds, Institute of Physics Conference Series Number 129, 129巻, 掲載ページ 693-698, 出版日 1992年09月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

A new determination method for HBT large signal parameters using bias dependent noise parameters and S parameters
N.Hayama; J.Shimizu; K.Honjo
Proceedings of 1992 Asia Pacific Microwave Conference, 掲載ページ 539-542, 出版日 1992年08月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor ICs for optical transmission system
N.Nagano; T.Suzaki; M.Soda; K.Kasahara; K.Honjo
1992 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, 掲載ページ 576-578, 出版日 1992年08月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Hetero-gurdring fully self-aligned HBT for microwave and high-speed digital applications
Kazuhiko Honjo; Nobuyuki Hayama; Nobuo Nagano; Hideki Takahashi; Shin'ichi Tanaka; Hidenori Shimawaki
NEC Research and Development, NEC CORPORATION, 33巻, 33号, 掲載ページ 324-334, 出版日 1992年07月, 査読付, Typical features and suitable application fields for HBTs (Heterojunction Bipolar Transistors) are demonstrated by using an active device application radar chart. To enhance the typical features, AlGaAs/GaAs Hetero-Guardring Fully Self-Aligned HBT (HG-FST) has been newly developed. By introducing the Hetero-Guardring layer, composed of depleted AlGaAs, at emitter periphery, an emitter size effect on current gain has been significantly reduced, and 1/f noise has been improved by 17 dB compared with conventional AlGaAs/GaAs HBT. DC and RF yield could also be improved. As suitable applications of HG-FST, a low phase noise 22 GHz MMIC (Monolithic Microwave IC) oscillator, ultrahigh-speed fiber optical communication ICs such as a transimpedance amplifier, a D-type flip-flop, an LD driver circuit, and a general-purpose 1K gate array LSI exhibiting 82 psec propagation delay time under FI = F0 = 3, l = 1 mm condition have been developed.
研究論文（大学，研究機関等紀要）, 英語

Large parameter modeling for HBT and its application to 22 GHz oscillator
Nobuyuki Hayama; Jun-ichi Shimizu; Kazuhiko Honjo
IEICE Transactions on Electronics, IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG, E75-C巻, 6号, 掲載ページ 683-688, 出版日 1992年06月, 査読付, Design consideration, fabrication process, and performance of a fully monolithic 22 GHz-band oscillator implemented using a self-aligned AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) are described. For optimization of the oscillator circuit parameters, large-signal circuit model parameters extracted from bias dependent small-signal S-parameters have been used to maximumize an output power. The developed oscillator employs a 1.5 x 10-mu-m2 emitter AlGaAs/GaAs HBT fabricated by using a dual sidewall self-aligned process. The fabricated oscillator has exhibited an output power of 6.2 dBm at 22.16 GHz with a collector efficiency of 9.5%, and phase noise of -78 dBc/Hz at 100 kHz off-carrier under free-running condition. These results were in good agreement with the large-signal designed results obtained using harmonic balance simulator.
研究論文（学術雑誌）, 英語

10Gbit/s optical receiver module using AlGaAs/GaAs HBT preamplifier IC
Masaaki Soda; Nobuo Nagano; Tsuyoshi Takeuchi; T.Saito; Tetsuyuki Suzaki; Kazuhiko Honjo; Sadao Fujita
Electron. Lett, IEE-INST ELEC ENG, 28巻, 3号, 掲載ページ pp. 336-337, 出版日 1992年01月, 査読付, A high speed receiver module has been developed for 10 Gbit/s optical transmission systems. To achieve a wideband module, a 12.7 GHz bandwidth AlGaAs/GaAs HBT preamplifier IC and an impedance matched package were used. The receiver sensitivity at 10 Gbit/s is - 15.7 dBm, and is -30.3 dBm with an optical preamplifier.
研究論文（学術雑誌）, 英語

HBT IC technology and application in Japan (Invited Paper)
M.Hirayama; K. Honjo; M. Obara; N. Yokoyama
1991 GaAs IC Symposium, 掲載ページ 3-6, 出版日 1991年10月, 査読付, 招待
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Fully monolithic 22 GHz-band AlGaAs/GaAs HBT oscillator
Nobuyuki Hayama; Jun-ichi Shimizu; Kazuhiko Honjo
Electron. Lett., IEE-INST ELEC ENG, 27巻, 20号, 掲載ページ 1862-1863, 出版日 1991年09月, 査読付, The large signal design and performance is described for the fully monolithic 22 GHz-band oscillator implemented using a selfaligned AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor. The developed oscillator has exhibited an output power of 6.2 dBm at 22.16 GHz with a collector efficiency of 9.5%, and phase noise of -78 dBc/Hz at 100 kHz off-carrier under free-running conditions. These results were in good agreement with the designed results obtained using a harmonic balance simulator.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Ohmic contacts to p-GaAs with p+/p regrown structures formed by MOMBE
Hidenori Shimawaki; Naoki Furuhata; Kazuhiko Honjo
Journal of Applied Physics, AMER INST PHYSICS, 69巻, 11号, 掲載ページ pp. 7939-7941, 出版日 1991年06月, 査読付, Excellent ohmic contacts to p-GaAs are fabricated using selective growth by metalorganic molecular beam epitaxy. Specific contact resistance of about 5 X 10(-8) OMEGA-cm2 is achieved, without any heat treatment, at AuMn/Au and Ti/Pt/Au metal contacts, formed on p+-GaAs layers heavily carbon-doped to 4.4 X 10(20) cm-3. Regrown contacts with planar and lateral p+/p structures are fabricated to clarify interface contact resistivities. A fairly low value of 7.1 X 10(-8) OMEGA-cm2 is established, using an equivalent circuit model, for the lateral contacts to thin p-GaAs layers, reasonably independent of its thicknesses in the range of 9.5-95 nm. These results, in addition to excellent growth selectivity, have confirmed prospects for practical use.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Monolithic ultra-broadband trans-impedance amplifiers using ALGaAs/GaAs HBTs
N.Nagano; T.Suzaki; A.Okamoto; K.Honjo
1991 IEEE MTT-S Int. Microwave Symp., 掲載ページ 255-258, 出版日 1991年06月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Emitter size effect on current gain in fully self-aligned HBT with AlGaAs passivation layer
Nobuyuki Hayama; Kazuhiko Honjo
IEEE Electron Device Lett., IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 11巻, 9号, 掲載ページ pp. 88-390, 出版日 1990年09月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

1/f noise reduction for microwave HBT with AlGaAs surface passivation layer
N.Hayama; S.Tanaka; K.Honjo
Proceedings of 1990 Asia Pacific Microwave Conference, 掲載ページ 1039-1042, 出版日 1990年09月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Low frequency noise performance of self-aligned InAlAs/InGaAs HBTs
Shin'ichi Tanaka; Nobuyuki Hayama; Akio Furukawa; Toshio Baba; Masashi Mizuta; Kazuhiko Honjo
Electronics Lett., IEE-INST ELEC ENG, 26巻, 18号, 掲載ページ pp. 1439-1441, 出版日 1990年08月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

A low noise microwave oscillator employing a self-aligned HBT
Mohamad Madihian; Nobuyuki Hayama; Steve LeSage; Kazuhiko Honjo
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 37巻, 11号, 掲載ページ pp. 1811-1814, 出版日 1989年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Extention of high fT bais region for InAlAs/InGaAs HBT
S.Tanaka; A.Furukawa; M.Baba; M.Mizuta; M.Madihian; K.Honjo
1989 Cornell Conference Digest, I E E E, ELECTRON DEVICES SOC & RELIABILITY GROUP, 掲載ページ 175-184, 出版日 1989年08月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Application of AlGaAs/GaAs HBTs to high speed CML logic family
Mohamad Madihian; Shin-ichi Tanaka; Nobuyuki Hayama; Akihiko Okamoto; Kazuhiko Honjo
IEEE Transactions on Electron Devices, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, ED-34巻, 4号, 掲載ページ pp. 625-631, 出版日 1989年04月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Fully self- aligned AlGaAs /GaAs HBTs for high speed IC application
Nobuyuki Hayama; Mohamad Madihian; Akihiko Okamoto; Hideo Toyoshima; Kazuhiko Honjo
IEEE Transactions on Electron Devices, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, ED-35巻, 11号, 掲載ページ pp. 1771-1777, 出版日 1988年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

A 20-28 GHz AlGaAs/GaAs HBT monolithic oscillator
M.Madihian; H.Shimawaki; K.Honjo
IEEE 1988 GaAs IC Symp, 掲載ページ 113-116, 出版日 1988年11月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Self-aligned AlInAs/GaInAs HBTs for digital IC Applications
Shin'ichi Tanaka; Akio Furukawa; Toshio Baba; Kuni'ichi Ohta; Mohammad Madihian; Kazuhiko Honjo
Electron. Lett, IEE-INST ELEC ENG, 24巻, 24号, 掲載ページ pp. 872-873, 出版日 1988年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Low noise Ku-band AlGaAs/GaAs HBT oscillator
N.Hayama; S.LeSage; M.Madihian; K.Honjo
Digest of 1988 MTT-S Int.Microwave Symp., 掲載ページ 679-682, 出版日 1988年05月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

A 15.6 GHz HBT microstrip oscillator
Steve LeSage; Mohamad Madihian; Nobuyuki Hayama; Kazuhiko Honjo
Electron. Lett, IEE-INST ELEC ENG, 24巻, 4号, 掲載ページ pp. 230-231, 出版日 1988年02月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Systematic design approach for AlGaAs/GaAs HBT using two-dimensional device simulator and circuit simulator
Kazuhiko Honjo; Mohammad Madihian; Shigetaka Kumashiro
Electronics and Communications in Japan (Part II: Electronics), 71巻, 4号, 掲載ページ 72-80, 出版日 1988年, 査読付, A systematic design method for HBT's is described which is based on a two‐dimensional device simulator and a circuit simulator. The validity of this method has been studied by applying it to an AlGaAs/GaAs HBT with a base electrode sandwiched by two emitter electrodes. This structure has a performance better than that of a conventional structure. It is found that the designed values agree well with the measured results for hFE, CBE, CBC and fT. It is shown that the design accuracy of fT and CBE can be improved if the hot electron effect is introduced in the device simulator. A large signal modeling method is proposed by the circuit simulator SPICE‐F' which is modified so that the collector‐emitter offset voltage characteristic to the HBT can be expressed. By way of this new method, the bias dependence of equivalent circuit parameters of the HBT, such as fmax, fT, CBE and CBC, can be computed with good correlation with the experimental data. Copyright © 1988 Wiley Periodicals, Inc., A Wiley Company
研究論文（学術雑誌）, 英語

A novel fully self-aligned closely spaced electrode HBT for SSI logic family
M.Madihian; S.Tanaka; N.Hayama; A.Okamoto; K.Honjo
1987 GaAs IC Symp., 掲載ページ 113-116, 出版日 1987年11月, 査読付, The design consideration, fabrication process, and performances of small-scale integrated (SSI) logic circuits implemented using recently developed self-aligned AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) are presented. The logic circuits include an inverter, OR/NOR, NAND/OR, exclusive-OR/NOR, and flip-flops constructed using current-mode logic (CML) gates. Each IC consumes about 30 mW of dc power for a successful operation with a chip yield higher than 50%. Preliminary experimental results with input frequencies higher than 1 GHz indicate capability of these circuits for GHz class operation. SPICE-F simulation shows potential for proper operation with clock/input frequencies exceeding 4 GHz.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

The design, fabrication and characteristics of a novel electrode structure self-aligned HBT with fT of 45 GHz
Mohamad Madihian; Kazuhiko Honjo; Hideo Toyoshima; Shigetaka Kumashiro
IEEE Transactions on Electron Devices, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, ED-34巻, 7号, 掲載ページ pp. 1419-1428, 出版日 1987年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

２次元デバイスシミュレータおよび回路シミュレータを用いたAlGaAs/GaAs HBTの設計
本城和彦; Mohamad Madihian; 熊代成孝
電子情報通信学会論文誌Ｄ, 電子情報通信学会, J70-C巻, 5号, 掲載ページ pp. 750-757, 出版日 1987年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 日本語

Sub-micrometer fully self-aligned AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor
Nobuyuki Hayama; Akihiko Okamoto; Mohamad Madihian; Kazuhiko Honjo
IEEE Electron Device Lett, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, EDL-8巻, 8号, 掲載ページ pp. 246-248, 出版日 1987年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Novel process for emitter-base-collector self-aligned heterojunction bipolar transistor using a pattern inversion method
Shin'ichi Tanaka; Mohamad Madihian; Hideo Toyoshima; Nobuyuki Hayama; Kazuhiko Honjo
Electron. Lett, IEE-INST ELEC ENG, 23巻, 11号, 掲載ページ pp. 562-563, 出版日 1987年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Fabrication and modelling of a novel self-aligned AlGaAs/GaAs HBT with a fT of 45 GHz
M.Madihian; K.Honjo; H.Toyoshima; S.Kumashiro
1986 Int. Electron Device Meeting, 掲載ページ 270-273, 出版日 1986年12月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

GaAs monolithic IC's for an X-band PLL-stabilized local source
Mohamad Madihian; Kazuhiko Honjo
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, MTT-34巻, 6号, 掲載ページ pp. 707-713, 出版日 1986年06月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Novel design approach for X-band GaAs monolithic analog 1/4 frequency divider
Kazuhiko Honjo; Mohamad Madihian
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, MTT-34巻, 4号, 掲載ページ pp. 436-441, 出版日 1986年04月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

X-band low-noise GaAs monolithic frequency converter
Kazuhiko Honjo; Yasuhiro Hosono; Tadahiko Sugiura
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, MTT-33巻, 11号, 掲載ページ pp. 1231-1235, 出版日 1985年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

11GHz band GaAs monolithic VCO with 1/4 analog frequency divider
M.Madihian; K.Honjo
1985 GaAs IC Symp, 掲載ページ 133-136, 出版日 1985年11月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

12-GHz band GaAs dual gate MESFET monolithic mixer
Tadahiko Sugiura; Kazuhiko Honjo; Tsutomu Tsuji
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, MTT-33巻, 2号, 掲載ページ pp. 105-110, 出版日 1985年02月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

X-band low-noise GaAs monolithic frequency converter
K.Honjo; Y.Hosono; T.Sugiura
1984 GaAs IC Symp, 掲載ページ 177-180, 出版日 1984年10月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

On temperature characteristics for a GaAs monolithic broadband amplifier having resistive load
Kazuhiko Honjo
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, MTT-32巻, 5号, 掲載ページ pp. 552-553, 出版日 1984年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

12-GHz band low noise GaAs monolithic amplifiers
Tadahiko Sugiura; Hitoshi Itoh; Tsutomu Tsuji; Kazuhiko Honjo
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, PENTON PUBL INC, MTT-31巻, 12号, 掲載ページ pp. 1083-1088, 出版日 1983年12月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

12-GHz-band GaAs dual gate MESFET monolithic mixers
T.Sugiura; K.Honjo; T.Tsuji
1983 GaAs IC Symp., 掲載ページ 3-6, 出版日 1983年10月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

GaAsアナログIC
杉浦禎彦; 野口務; 本城和彦
NEC技報, 日本電気, 36巻, 8号, 掲載ページ pp. 124-127, 出版日 1983年08月, 査読付
日本語

12 GHz band low noise GaAs monolithic amplifiers
H.Itoh; T.Sugiura; T.Tsuji; K.Honjo; Y.Takayama
1983 Microwave and Millimeter wave Monolithic Circuit Symp, 掲載ページ 54-55, 出版日 1983年06月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Low-noise, low-power dissipation GaAs monolithic broadband amplifier
Kazuhiko Honjo; Tadahiko Sugiura; Tsutomu Tsuji; Toshiharu Ozawa
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, MTT-31巻, 5号, 掲載ページ pp. 412-417, 出版日 1983年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Microwave broadband GaAs monolithic amplifier
Kazuhiko Honjo; Tadahiko Sugiura
IEICE Transactions on Electronics, E-66巻, 5号, 掲載ページ pp. 298-304, 出版日 1983年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

12-GHZ-BAND LOW-NOISE GAAS MONOLITHIC AMPLIFIERS
T SUGIURA; H ITOH; T TSUJI; K HONJO
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 30巻, 12号, 掲載ページ 1861-1866, 出版日 1983年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

12-GHZ-BAND LOW-NOISE GAAS MONOLITHIC AMPLIFIERS
T SUGIURA; H ITOH; T TSUJI; K HONJO
IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 31巻, 12号, 掲載ページ 1083-1088, 出版日 1983年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Low-noise low-power-dissipation GaAs monolithic broadband amplifier
K.Honjo; T.Sugiura; T.Tsuji; T.Ozawa
IEEE 1982 GaAs IC Symp., 掲載ページ 87-90, 出版日 1982年11月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Ultra broadband GaAs monolithic amplifier
Kazuhiko Honjo; Tadahiko Sugiura; Hitoshi Itoh
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, also in IEEE Trans. ED, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, MTT-30 (ED-29)巻, 7号, 掲載ページ pp. 1027-1033 (pp. 1123-1129)-1033, 出版日 1982年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

ULTRA-BROAD-BAND GAAS MONOLITHIC AMPLIFIER
K HONJO; T SUGIURA; H ITOH
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 29巻, 7号, 掲載ページ 1123-1129, 出版日 1982年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Ultra broad-band GaAs monolithic amplifier
Kazuhiko Honjo; Tadahiko Sugiura; Hitoshi Itoh
Electron. Lett, IEE-INST ELEC ENG, 17巻, 24号, 掲載ページ pp. 927-928, 出版日 1981年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Ultrabroad-band GaAs monolithic amplifier
K.Honjo; T.Sugiura; H.Itoh; Y.Takayama; K. Ayaki
IEEE 1981 GaAs IC Symp., IEE-INST ELEC ENG, 17巻, 24号, 掲載ページ 43-928, 出版日 1981年10月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

GaAs FET ultra-broadband amplifier for Gbit/s data rate system
Kazuhiko Honjo; Yoichiro Takayama
IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, MTT-29巻, 7号, 掲載ページ pp. 629-636, 出版日 1981年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

A 25-W 5-GHz GaAs FET amplifier for a microwave landing system
Kazuhiko Honjo; Yoichiro Takayama
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, MTT-29巻, 6号, 掲載ページ pp. 579-582, 出版日 1981年06月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

A 6 GHz 25W GaAs MESFET with an experimentally optimized pattern
A. Higashisaka; K.Honjo; Y.Takayama; F.Hasegawa
1980 MTT-S Int. Microwave Symp., 掲載ページ 9-11, 出版日 1980年05月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

A 25W 29dB gain GaAs FET amplifier for MLS
Y.Takayama; K.Honjo
1980 MTT-S Int. Microwave Symposium, 掲載ページ 496-498, 出版日 1980年05月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

15W internally matched GaAs FETs and 20 W amplifier operating at 6 GHz
Kazuhiko Honjo; Takashi Furutsuka; Asamitsu Higashisaka; Fumio Hasegawa; Yoichiro Takayama
NEC Research and Development, NEC CORPORATION, 56号, 掲載ページ pp. 157-162, 出版日 1980年01月, 査読付
研究論文（大学，研究機関等紀要）, 英語

Nonlinearity and Intermodulation Distortion in Microwave-Power GaAs-FET Amplifiers
Yoichiro Takayama; Kazuhiko Honjo
NEC Research and Development, 55号, 掲載ページ 29-36, 出版日 1979年10月, 査読付
研究論文（大学，研究機関等紀要）, 英語

15W Internally Matched Power GaAs FET and 20W Amplifier Operating at 6 GHz
Kazuhiko Honjo; Yoichiro Takayama; Takashi Furutsuka; Asamitsu Higashisaka; Fumio Hasegawa
1979 IEEE MTT-S International Microwave Symp., 掲載ページ 289-292, 出版日 1979年05月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Broad-band internal matching of microwave power GaAs FET's
Kazuhiko Honjo; Yoichiro Takayama; Asamitsu Higashisaka
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, MTT-27巻, 1号, 掲載ページ pp. 3-8, 出版日 1979年01月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

GaAs Power MESFET with a Simplified Recees Structure
F.Hasegawa; Y.Takayama; A.Higashisaka; T. Furutsuka; K.Honjo
1978 International Solid State Circuits Conference, 掲載ページ 118-119, 出版日 1978年02月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Internally matched microwave broadband linear power MESFET
Y.Takayama; K.Honjo; A.Higashisaka; F.Hasegawa
1977 Int. Solid State Circuit Conference, 掲載ページ 166-167, 出版日 1977年02月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

線形周波数変動もつマイクロ波固体発振器への注入同期現象 (Study on injection locking phenomena in microwave solid-state oscillator having linear frequency variation)
本城和彦; 荻田陽一郎; 古川静二郎; Kazuhiko Honjo; Yoichiro Ogita; Seijiro Furukawa
電子情報通信学会論文誌 ( Also in Electronics and Communications in Japan ), J59-B巻, 8号, 掲載ページ pp. 431-436, 出版日 1976年08月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 日本語

注入同期型TRAPATT増幅器の同期現象 (Locking characteristics of injection-locking type TRAPATT amplifiers)
荻田陽一郎; 古川静二郎; 本城和彦; Yoichiro Ogita; Seijiro furukawa; Kazuhiko Honjo
電子情報通信学会論文誌 ( Also in Electronics and Communications in Japan ), J59-B巻, 6号, 掲載ページ pp. 333-340, 出版日 1976年06月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 日本語

マイクロ波増幅器の基礎（基本原理から最新の話題まで）
本城 和彦
出版日 2017年12月, Microwave Workshops and Exhibition, MWE2017巻, FR1A-1号, 掲載ページ 1-10, 日本語, 招待, 記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）

モバイル機器における高精度設計技術 (基調講演）
本城和彦
筆頭著者, 出版日 2014年02月, 第59回エレクトロニクス実装学会教育セミナー, 日本語, 招待, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）

マイクロ波高効率電力増幅と高効率整流 (招待講演）
本城和彦; 石川 亮
出版日 2013年11月, Microwave Workshops and Exhibitions (MWE2013), 日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）

マイクロ波ドハティ電力増幅器の回路構成 (招待講演）
高山洋一郎; 本城和彦
出版日 2013年11月, Microwave Workshops and Exhibitions (MWE2013), 日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）

メタマテリアルとマイクロ波アクティブデバイスへの可能性 (特集 家電製品の軽薄短小化,メモリ記録容量の大幅増など もしも「メタマテリアル」が実現したら)
本城 和彦
筆頭著者, 技術情報協会, 出版日 2012年12月, Material stage, 12巻, 9号, 掲載ページ 18-20, 日本語, 1346-3926, 40019516048

特設記事 マイクロ波帯で高効率と低歪みを両立できる!F級/逆F級やドハティ増幅の原理と実際 最新RFパワー・アンプの回路/システム/テクノロジ
本城 和彦
筆頭著者, CQ出版, 出版日 2010年11月, RFワールド, 12号, 掲載ページ 70-82,5, 日本語, 40017377187, AA12296395

マイクロ波増幅器の基礎 (招待講演）
本城和彦
出版日 2008年11月, 電子情報通信学会 MWE2008, 日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）

ワイヤレスデバイス・回路・モジュール技術 : 特集号によせて
本城 和彦; 橋本 修
出版日 2008年06月01日, 電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society, 128巻, 6号, 掲載ページ 819-819, 日本語, 0385-4221, 10021132488, AN10065950

マイクロ波増幅器の高効率・低ひずみ化
本城和彦
マイクロ波増幅器の高効率化・低ひずみ化を実現するためのポイントを,半導体材料・デバイス,回路技術の視点で解説した.半導体デバイスとしては高電圧動作が可能なGaNは回路損を誘発しにくく高効率化に有利であることを述べた.また高効率な増幅器を実現するためにはトランジスタ出力端子の瞬時電流波形と瞬時電圧波形を制御することが重要であり,このために時間領域からのアプローチと周波数領域からのアプローチの二つがあることを解説している.更に,高調波・分数調波を制御することは増幅器の高効率化,低ひずみ化にとって重要であることを述べた., 一般社団法人電子情報通信学会, 出版日 2007年04月, 電子情報通信学会誌, 90巻, 4号, 掲載ページ 263-269, 日本語, 査読付, 招待, 記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）, 0913-5693, 110006272317, AN1001339X

電力増幅器の基礎と動向 (招待講演）
本城和彦
筆頭著者, 出版日 2006年12月, APMC2006基礎講座, 日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）

マイクロ波工学の超高速・高密度実装技術への展開 (招待講演）
本城和彦; 石川亮
出版日 2006年03月, Proceedings of Japan Institute of Electronics Packaging, 日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）

発振用能動素子とその雑音
本城和彦
一般社団法人電子情報通信学会, 出版日 2006年02月, 電子情報通信学会誌, Vol. 89巻, 2号, 掲載ページ 167-172, 日本語, 査読付, 招待, 記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）, 0913-5693, 110004665260, AN1001339X

電力増幅器設計の基礎 (招待講演）
本城和彦
出版日 2004年11月, 2004 Microwave Workshops and Exhibition, 日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）

JISSO技術を電気的にとらえる
伊藤康之; 本城和彦; 相川正義
"Jisso"とは日本語の実装(ジッソウ)という言葉がそのまま英語になったものであり,「広範囲な高密度実装技術」を意味する言葉として世界中で用いられつつある.Jisso技術はこれまで材料や機械的な側面からとらえられることが多かったが,今回は電気的な側面,特に高速・高周波の観点からJisso技術の現状の課題を明らかにするとともに,将来のJisso技術について展望する., 一般社団法人電子情報通信学会, 出版日 2004年11月, 電子情報通信学会誌, 87巻, 11号, 掲載ページ pp. 912-918, 日本語, 査読付, 招待, 記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）, 0913-5693, 110003231989, AN1001339X

Special lssue on Microwave and Millimeter Wave Technology
HONJO Kazuhiko
一般社団法人電子情報通信学会, 出版日 2003年08月01日, IEICE transactions on electronics, 86巻, 8号, 掲載ページ 1399-1399, 英語, 0916-8524, 110003214676, AA10826283

Special Issue on Low-Distortion, High-Power, High-Efficiency Active Device and Circuit Technology
HONJO Kazuhiko
一般社団法人電子情報通信学会, 出版日 2002年12月01日, IEICE transactions on electronics, 85巻, 12号, 掲載ページ 1949-1949, 英語, 0916-8524, 110003214436, AA10826283

特集発行にあたって
本城 和彦
一般社団法人電子情報通信学会, 出版日 2002年11月01日, 電子情報通信学会誌, 85巻, 11号, 掲載ページ 783-783, 日本語, 0913-5693, 110003228780, AN1001339X

2001年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告
本城 和彦; 徳満 恒雄; 末松 憲治; 細谷 健一; 宮崎 守泰; 穴田 哲夫; 李 可人; 新井 宏之
米国Phoenix市において開催された2001年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム(IMS2001)の概要ならびに注目された発表論文を紹介する。, 一般社団法人電子情報通信学会, 出版日 2001年09月07日, 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 101巻, 295号, 掲載ページ 47-55, 日本語, 0913-5685, 110003201418, AN10012954

小特集発行にあたって
本城 和彦
一般社団法人電子情報通信学会, 出版日 2001年08月01日, 電子情報通信学会誌, 84巻, 8号, 掲載ページ 551-551, 日本語, 0913-5693, 110003230860, AN1001339X

A Perspective of Microwave Activities in Region 10
Kazuhiko Honjo
出版日 2001年06月, IEEE Microwave Magagine, 2巻, 2号, 掲載ページ 96-102, 英語, 査読付, 招待, 記事・総説・解説・論説等（その他）

マイクロ波化合物半導体デバイスの研究開発 (招待講演）
本城和彦
出版日 1999年09月, 1999 IEICE Society Conference, 日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）

HBTの基礎 (招待講演）
本城和彦
出版日 1998年09月, 平成10年度電子情報通信学ソサエテイ大会, 日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）

ミリ波デバイス技術 (招待講演）
本城和彦
出版日 1998年03月, 平成10年度電子情報通信学会総合全国大会, 日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）

マイクロ波研究における弁証法的創造思考の実践
本城 和彦
マイクロ波研究における弁証法的創造思考の有効性に関して、超広帯域増幅器、アナログ1/4周波数分周器の開発を例にとり検証した。価値の測定は上位・下位概念軸、尺度軸、対立軸の直交する3軸を用いて行われることを示し、実験結果、解析結果は常に上位概念での説明を試みることが重要であることを述べる。さらに弁証法を当たり前の思考方法から工学的に有効な思考方法に転換するためには、対立軸の設定が最も重要であることを述べる。この対立軸には異応用領域、異技術領域、利害得失などがあり、基礎から応用までの学問体系の徹底理解、現状技術での限界性能の解析定量的把握などをクリアーして後はじめて有効に設定できる。, 一般社団法人電子情報通信学会, 出版日 1997年12月19日, 電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波, 97巻, 463号, 掲載ページ 31-36, 日本語, 110003189291, AN10013185

HBTの基礎 (招待講演）
本城和彦
出版日 1997年12月, 1997 Microwave Workshops & Exhibition(MWE1997,T2-2,pp.394-402), 日本語, 招待, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）

マイクロ波ミリ波デバイス
本城和彦
出版日 1997年07月, 電子情報通信学会誌, 80巻, 7号, 掲載ページ 697-703, 日本語, 査読付, 招待, 記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）

Microwave and Millimeterwave High-power Devices
HONJO Kazuhiko
The main purpose for organizing this special issue is accelerating the research and development of microwave and millimeterwave high-power devices from descrete devices to modules, measurement techniques view points. This issue contains an invited paper describing high efficiency operation of microwave power amplifiers, twelve contributed papers covering design techniques for high power, low-distortion amplifiers and modules utilizing GaAs FET's, heterojunction FET's, HBT's, and SiMOS FET's. We believe that these papers stimulate the future research and development activities. The editorial committee members and a guest editor would like to thank all the authors for submitting their papers to this issue, and reviewers for thier cooperation., 一般社団法人電子情報通信学会, 出版日 1997年06月25日, IEICE transactions on electronics, 80巻, 6号, 掲載ページ 725-725, 英語, 0916-8524, 110003211259, AA10826283

マイクロ波非線形回路技術 (招待講演）
本城和彦
出版日 1995年12月, 1995 Microwave Workshops ＆ Exihibition（MWE95, pp.65-74), 掲載ページ 65-74, 日本語, 招待, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）, 10006484570

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ (招待講演）
本城和彦
出版日 1994年03月, Riken Forum, 日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）

ミリ波応用が可能なトランジスタとは?--HEMTは低雑音増幅に,HBTは低位相雑音発振に (要素技術も整ってきたよみがえる"ミリ波"と産業応用<特集>) -- (デバイス編)
本城 和彦
オーム社, 出版日 1993年03月, エレクトロニクス, 38巻, 3号, 掲載ページ p49-51, 日本語, 0421-3513, 40000267026, AN00025075

超高周波へテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）の現状と技術課題 (招待講演）
本城和彦
出版日 1991年09月, Combined Meeting for Electrical, Electronics and Applied Physics Societies, 日本語, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）

デジタルICの現状と課題―HBT― (招待講演）
本城和彦
出版日 1988年10月, 電気情報関連連合大会(17-6,3,pp.65-68), 日本語, 招待, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）

GaAs IC (新世代LSIと新しいニ-ズ<特集>)
本城 和彦
筆頭著者, オーム社, 出版日 1988年01月, エレクトロニクス, 33巻, 1号, 掲載ページ p39-44, 日本語, 0421-3513, 40000265783, AN00025075

GaAsモノリシックIC (招待講演）
本城和彦; 高山洋一郎
筆頭著者, 出版日 1985年09月, 昭和60年電子情報関連学会連合大会(20-2,3,pp.116-119), 日本語, 招待, 研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）

12 GHZ-BAND LOW-NOISE GAAS MONOLITHIC AMPLIFIERS
H ITOH; T SUGIURA; T TSUJI; K HONJO; Y TAKAYAMA
HORIZON HOUSE-MICROWAVE, 出版日 1983年, MICROWAVE JOURNAL, 26巻, 5号, 掲載ページ 51-51, 英語, 研究発表ペーパー・要旨（国際会議）, 0192-6225, WOS:A1983QU59000006

宇宙太陽発電
本城和彦
日本語, 共著, 送電用電力増幅器, オーム社, 出版日 2012年07月

メタマテリアルⅡ
本城和彦
日本語, 共著, 第18章 マイクロ波アクティブデバイス, シーエムシー出版, 出版日 2012年05月

ワイヤレス給電技術の最前線
篠原真毅監修; 本城和彦他
日本語, 共著, 3.2 半導体マイクロ波増幅回路, シーエムシー出版, 出版日 2011年12月

高周波半導体の基板技術とデバイス応用
佐野芳明; 奥村次徳編; 本城和彦他
日本語, 共著, 展望 高周波利用のゆくえ、デバイスの位置づけ, シーエムシー出版, 出版日 2011年07月

MEMS/NEMS工学全集
桑野博喜監修; 本城和彦
日本語, 共著, 第3節-2 マイクロ波工学, ㈱テクノシステム, 出版日 2009年04月

最新マイクロ波帯トランジスタ回路の基礎と設計
小西良弘; 本城和彦
日本語, 監修, 第3章ミクサ,第4章高出力増幅器,第5章広帯域増幅器,第6章発振器, ケイラボ出版, 出版日 2008年11月

薄膜ハンドブック（第2版）
委員会編; 本城和彦
日本語, 共著, 第2章3.2 HBT, オーム社, 出版日 2008年03月

高周波半導体デバイス・回路の新展開
佐野芳明; 奥村次徳編; 本城和彦他
日本語, 共著, 展望；高周波のゆくえ、デバイスの位置づけ, シーエムシー出版, 出版日 2006年11月

RF半導体回路・モジュール技術とシステム応用
小西良弘; 本城和彦
日本語, 監修, Chapters 3 Mixers, Chapter 4 High Power Amplifiers, Chapter 5 Broad Band Amplifiers, Chapter 6 Oscillators, ケイラボ出版, 出版日 2005年01月

化学便覧 応用化学編 第６版 （Ⅴ-1-4) 化合物半導体
日本化学会編; 本城和彦他
日本語, 共著, Chapter5-1-4 Compound Semiconductor, 社団法人日本化学会（丸善株式会社）, 出版日 2003年05月

２１世紀版薄膜作製応用ハンドブック （ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）
権田俊一編; 本城和彦他
日本語, 共著, ヘテロ接合バイポーラトランジスタ, ㈱エヌティーエス, 出版日 2003年04月

集積回路と応用
小西良弘; 城和彦
日本語, 編者(編著者), 日刊工業新聞社, 出版日 2002年06月

超高周波エレクトロニクス入門
本城和彦
日本語, 単著, 日刊工業新聞社 単行本, 出版日 1999年09月

電子情報通信ハンドブック
電子情報通信学会編; 本城和彦
日本語, 共著, オーム社, 出版日 1998年11月

ミリ波技術の基礎と応用
大畑恵一; 丸橋健一; 井上隆; 本城和彦
日本語, 共著, ミリ波技術の基礎と応用編集員会編 [リアライズ社]第１部第３章, 出版日 1998年07月

薄膜作製応用ハンドブック
権田俊一編; 本城和彦
日本語, 共著, 第4編第1章第2節2, エヌテｲーエス, 出版日 1997年11月

微波通訊半導体電路
本城和彦著; 呂学士中国語訳
単著, 全華科技図書股分有限公司, 出版日 1997年03月

マイクロ波半導体回路
本城和彦
日本語, 単著, 日刊工業新聞社 単行本, 出版日 1993年09月

応用電磁波工学
山下栄吉編; 本城和彦
日本語, 共著, 第5章, 近代科学社 単行本, 出版日 1992年05月

Microwave Integrated Circuits
Kazuhiko Honjo; Hiroyo Ogawa; Yoshihiro Konishi
英語, 共著, Chapter 5, Marcel Dekker ( New York ), 出版日 1991年08月

化合物デバイスハンドブック
伊藤良一監修; 本城和彦
日本語, 共著, 第４章 GaAsFET回路の設計と製作, サイエンスフォーラム 単行本, 出版日 1986年09月

Monolithic Microwave Integrated Circuits Edited by Robert A. Pucel
Kazuhiko Honjo; Yoichiro Takayama; Tadahiko Sugiura; Hitoshi Ito; Tsutomu Tsuji
分担執筆, pp.160-165, 175-178, 297-304, IEEE Press, 出版日 1985年

Development of microwave GaAs MESFETs for low noise and high power applications
A.Higashisaka; K.Ohata; K. Honjo
英語, 共著, Semiconductor Device Technologies'79, 出版日 1981年09月

挿入損失を考慮した2電力レベル設計による28 GHz帯GaN HEMTアウトフェージング増幅器MMICの試作
小林大輝; 本城和彦; 石川 亮
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告 MW2023-189
発表日 2024年03月01日

ドレインバイアス調整による分布型増幅器の効率性能改善に関する一検討
岩崎健斗; 本城和彦; 石川 亮
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会 技術研究報告 MW2023-174, MW2023-174
発表日 2024年03月01日

ゲートバイアス制御用整流器を用いた広ダイナミックレンジ高効率GaN HEMT整流器システムに関する研究
長田多喜; 山崎 純; 本城和彦; 石川 亮
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告（2023-11-MW）
発表日 2023年11月16日

パラボロイドとループアンテナアレイを用いたビームステアリングによる一対多OAM多重通信の検討
北山観行; 斉藤 昭; 本城和彦; 石川 亮
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告（2023-11-MW）
発表日 2023年11月16日

誘電体レンズ中継器を用いたOAM多重通信の通信距離拡張
内田海斗; 斉藤 昭; 本城和彦; 石川 亮
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告（2023-11-MW）
発表日 2023年11月16日

OAMビームフォーミング用ダイオード装荷28GHｚ帯ループアンテナアレイの基礎検討
吉田剛; 斉藤昭; 本城和彦; 石川亮
口頭発表（一般）, 日本語, 2023年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会
発表日 2023年09月14日

誘電体レンズ中継によるループアンテナアレイOAM多重通信の通信距離拡張
内田海斗; 斉藤昭; 石原克弥; 本城和彦; 石川亮
口頭発表（一般）, 日本語, 2023年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会
発表日 2023年09月14日

ゲートバイアス制御用整流器による高効率GaN HEMT整流器の広ダイナミックレンジ化
長田多喜; 山崎純; 本城和彦; 石川亮
口頭発表（一般）, 日本語, 2023年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会
発表日 2023年09月14日

28GHz帯GaNHEMTアウトフェージング増幅器MMICの損失考慮設計
小林大輝; 本城和彦; 石川亮
口頭発表（一般）, 日本語, 2023年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会
発表日 2023年09月12日

3入力電力レベル最適化設計による3.7GHz帯GaN HEMT ドハティ増幅器
山本薫臣; 本城和彦; 石川亮
口頭発表（一般）, 日本語, 2023 電子情報通信学会総合大会
発表日 2023年03月07日

高次モードを利用したOAM多重通信用準ミリ波ループアンテナアレイ
石原克弥; 斉藤昭; 本城和彦; 石川亮
口頭発表（一般）, 日本語, 2023 電子情報通信学会総合大会
発表日 2023年03月07日

遠距離OAM多重通信のビームステアリングの研究
北山観行; 斉藤昭; 石原克弥; 内田海斗; 本城和彦; 石川亮
口頭発表（一般）, 日本語, 2023 電子情報通信学会総合大会
発表日 2023年03月07日

3入力電力レベル最適化設計による3.7 GHz GaN HEMT ドハティ増幅器のバックオフ性能改善に関する研究
山本薫臣; 本城和彦; 高山洋一郎; 石川亮
口頭発表（一般）, 日本語, 2023年 電子情報通信学会 技術研究報告
発表日 2023年03月03日

［招待講演］産業競争力の源泉としてのマイクロ波半導体・回路
本城和彦
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告, 招待
発表日 2023年01月27日

ループアンテナアレイ遠距離OAM多重通信システムにおける凹面反射鏡および給電点方位の最適化
石原克弥; 斎藤昭; 本城和彦; 石川亮
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告
発表日 2022年12月15日

マイクロ波電力増幅器への負ゲートバイアス印加用直流帰還型ゼロ閾値GaAs HEMT整流器および倍電圧ダイオード整流器
長田多喜; 本城和彦; 石川亮
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告
発表日 2022年11月15日

ゼロしきい値 GaAs HEMT を使用したワイヤレス電力伝送用サブmW動作 2.45 GHz 帯高効率整流器の直流電圧合成法
吉田剛; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告
発表日 2022年11月15日

準ミリ波帯50Ω設計電力増幅器を使用したアウトフェージング動作による出力バックオフ性能改善の一検討
芦沢直; 本城和彦; 石川亮
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告
発表日 2022年11月15日

50Ω設計増幅器を用いた準ミリ波帯アウトフェージング動作に関する一検討
芦沢直; 本城和彦; 石川亮
口頭発表（一般）, 日本語, 2022年電子情報通信学会エレクトロ二クスソサイエティ大会
発表日 2022年09月06日

小型出力合成回路を用いた4.5 GHz帯GaN HEMTアウトフェージング増幅器MMIC
石川亮; 高山洋一郎; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告
発表日 2022年06月09日

無線電力伝送応用に向けた DC/RF 変換用高効率・高利得多段増幅器
石川 亮; 本城 和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2022年 電子情報通信学会総合大会
発表日 2022年03月17日

マルチ高調波処理スタブをインピーダンス変換回路に用いた高効率非対称ドハティ増幅器
吉田剛; 本城 和彦; 石川 亮
口頭発表（一般）, 日本語, 2022年 電子情報通信学会総合大会
発表日 2022年03月17日

ゼロしきい値 GaAs HEMT を用いた 920 MHz 及び 2.45 GHz 帯 サブ mW 高効率整流器
吉田剛; 本城 和彦; 石川 亮
口頭発表（一般）, 日本語, 2022年 電子情報通信学会総合大会
発表日 2022年03月17日

誘導ゲート駆動 FET を用いるゼロ閾値電圧ダイオード
椙江 陽人; 田中 愼一; 石川 亮; 本城 和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2022年 電子情報通信学会総合大会
発表日 2022年03月16日

整流動作用大信号等価回路モデルを用いた 広ダイナミックレンジ動作向け高効率GaN HEMT整流器設計
山崎純; 本城 和彦; 石川 亮
口頭発表（一般）, 日本語, 2022年 電子情報通信学会総合大会
発表日 2022年03月16日

増幅器の負ゲートバイアス供給用ゼロ閾値 GaAs HEMT 整流器
長田多喜; 本城 和彦; 石川 亮
口頭発表（一般）, 日本語, 2022年 電子情報通信学会総合大会
発表日 2022年03月16日

多モードOAM波集束用反射鏡の曲率最適化に関する一検討
石原 克弥; 斉藤 昭; 菊池 晴貴; 和田 渉; 本城 和彦; 石川 亮
口頭発表（一般）, 日本語, 2022年 電子情報通信学会総合大会
発表日 2022年03月15日

2電力レベル設計28GHz帯GaN HEMTドハティー増幅器MMIC
石川亮; 高山洋一郎; 本城和彦
日本語, 電子情報通信学会技術研究報告
発表日 2022年01月27日

θ/φ方向電流を有する球面アレイの生成する電磁界の固有モード展開
斉藤昭; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2021年電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集
発表日 2021年09月16日

集中定数素子4.5 GHz帯GaN HEMT MMICアウトフェージング増幅器
石川亮; 高山洋一郎; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2021年電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集
発表日 2021年09月15日

OAM通信用集積ループアンテナアレイのバラン整合による性能改善
菊池晴貴; 斉藤昭; 和田渉; 鈴木博; 本城和彦; 石川亮
口頭発表（一般）, 日本語, 2021年電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集
発表日 2021年09月15日

２電力レベル設計準ミリ波帯GaN HEMT MMIC ドハティー増幅器
石川亮; 瀬下拓也; 髙山洋一郎; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2021年03月10日

容量装荷スパイラル反射板を用いたループアンテナアレイによるOAM多重通信・無線電力伝送の通信特性改善
和田渉; 石川亮; 斉藤昭; 三宅久之助; 菊池晴貴; 鈴木博; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2021年03月10日

円形ループアンテナアレイを用いるOAM多重通信の固有モード伝送の評価
菊池晴貴; 斉藤昭; 三宅久之助; 和田渉; 鈴木博; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2021年03月10日

2電力レベル設計28GHz帯GaN HEMTドハティー増幅器MMIC
石川亮; 瀬下拓也; 髙山洋一郎; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告
発表日 2021年01月27日

OAM通信用 ループアンテナを直接平衡励振する直列接続型高調波処理 GaN HEMTドハティ増幅器の検討
中田 将大; 高山 洋一郎; 石川 亮; 本城 和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会マイクロ波研究会
発表日 2020年07月17日

OAM多重通信に用いるループアンテナアレイの集積化の検討
菊池晴貴; 斉藤昭; 三宅久之助; 和田渉; 鈴木博; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2020年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2020年03月18日

ループアンテナを用いたOAM多重通信における抵抗装荷による干渉波抑制
三宅久之助; 斉藤昭; 鈴木博; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2020年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2020年03月18日

900 MHz/4.5 GHz 帯2×2 次元切替スイッチの開発
石井岳人; 中丸靖崇; 水谷浩; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2020年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2020年03月18日

3.9GHz帯小型合成回路によるアウトフェージング増幅器
小笠原遼一; 高山 洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2020年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2020年03月18日

円形ループアンテナアレイの端子方位制御による通過アイソレーション改善
斉藤昭; 三宅久之助; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2020年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2020年03月18日

T型スタブを用いた低スプリアス・高効率非対称ドハティ増幅器
高木裕貴; 長谷川直輝; 太田喜元; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2020年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2020年03月18日

OAM多重通信と無線電力伝送を同時に実現する共用ループアンテナ
和田渉; 石川亮; 斉藤昭; 三宅久之助; 菊池晴貴; 鈴木博; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2020年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2020年03月18日

ゼロ閾値GaAs HEMT を用いた広ダイナミックレンジ整流器
山崎純; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2020年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2020年03月18日

SSPS用高効率マイクロ波増幅器と整流器の設計理論
本城和彦
口頭発表（基調）, 日本語, 第５回宇宙太陽発電シンポジウム, 招待
発表日 2019年11月21日
開催期間 2019年11月21日- 2019年11月22日

円形ループアンテナを用いたOAM通信における抵抗設置による干渉波抑制
三宅久之助; 斉藤昭; 鈴木博; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告, 国内会議
発表日 2019年11月14日

高調波処理を含めた二入力電力レベル最適化による高効率GaNHEMTドハティ増幅器
瀬下拓也; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告, 国内会議
発表日 2019年11月14日

スプリアス抑圧回路とインピーダンス変換回路にＴ型スタブを用いた高効率ドハティ増幅器
高木裕貴; 長谷川直輝; 太田喜元; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告, 国内会議
発表日 2019年11月14日

低しきい値エンハンスメント型GaAs HEMTを用いたゲートスイッチング方式微小電力整流器
吉田剛; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告, 国内会議
発表日 2019年11月

円形ループアンテナアレイに平面波が入射した場合の受信電流の解析
斉藤昭; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2019年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2019年03月22日

ループアンテナを用いたOAM多重通信方式における給電ケーブルの影響の解析
三宅久之助; 斉藤昭; 大塚啓人; 山岸遼平; 鈴木博; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2019年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2019年03月22日

OAM波を生成するループアンテナと円形アレーアンテナの関係
鈴木博; 斉藤昭; 本城和彦; 石川亮
口頭発表（一般）, 日本語, 2019年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2019年03月22日

エンハンスメント型 GaAs HEMT 微小電力整流器
吉田剛; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2019年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2019年03月22日

10MHz帯零しきい値トランジスタ増幅・整流器
久米鳳春; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2019年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2019年03月22日

四分の一波長インピーダンス変換器を用いない高調波処理GaN HEMT 高効率ドハティ増幅器
瀬下拓也; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2019年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2019年03月22日

バックオフ/飽和 両領域最適化設計GaN HEMT MMIC 非対称ドハティー増幅器
石川亮; 高山洋一郎; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2019年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2019年03月22日

異なる飽和出力電力のGaN HEMTを用いた非対称高効率ドハティ増幅器
高木裕貴; 長谷川直輝; 太田喜元; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2019年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2019年03月22日

Chireix 増幅器の高効率動作範囲を拡大する手法の提案
安井吏; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2019年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2019年03月22日

第5世代移動通信システム実現に向けたマルチバンド高周波アナログ無線部構成技術の研究開発
山尾泰; 本城和彦; 石川亮; 高山洋一郎; 斉藤昭
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告, 国内会議
発表日 2019年03月08日

零しきい値Si MOSトランジスタを用いた零ゲートバイアス10MHz帯増幅・整流器
久米鳳春; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告, 国内会議
発表日 2019年03月07日

円形アレーおよびループアンテナで生成されるOAM波のベクトルポテンシャル解析
鈴木博; 斉藤昭; 本城和彦; 石川亮
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告, 国内会議
発表日 2019年03月07日

高調波インピーダンス変成器の小型化およびそのF級増幅器への応用
齋木研人; 田中慎一; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告, 国内会議
発表日 2018年11月15日

ループアンテナアレイを用いたOAM-MIMO通信の評価
大塚啓人; 山岸遼平; 斉藤昭; 鈴木博; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告, 電子情報通信学会, 国内会議
発表日 2018年11月15日

円形ループアレイを用いたOAM通信における反射板近接化によるモード単一性の向上
山岸遼平; 大塚啓人; 斉藤昭; 鈴木博; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告, 電子情報通信学会, 国内会議
発表日 2018年11月15日

GaN HEMTダーリントン電力増幅器の個別バイアス調整による高効率・低ひずみ化
北村淳; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告, 電子情報通信学会, 国内会議
発表日 2018年10月18日

18GHz帯/28GHz帯GaN HEMT電力増幅器MMICの試作と特性評価
安井吏; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2018 電子情報通信学会ソサイエティ大会, 国内会議
発表日 2018年09月14日

OAM通信用ループアンテナの放射電磁界が放出する軌道角運動量の解析
斉藤昭; 大塚啓人; 山岸遼平; 鈴木博; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2018 電子情報通信学会ソサイエティ大会, 国内会議
発表日 2018年09月14日

ループアンテナの直交偏波を活用した8チャンネル多重近距離OAM通信の実測評価
三宅久之助; 斉藤昭; 大塚啓人; 山岸遼平; 鈴木博; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2018 電子情報通信学会ソサイエティ大会, 国内会議
発表日 2018年09月11日

12GHz帯OAM通信用ループアンテナアレイにおける遠距離通信評価
大塚啓人; 山岸遼平; 斉藤昭; 鈴木博; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2018 電子情報通信学会ソサイエティ大会, 国内会議
発表日 2018年09月11日

円形ループアンテナアレイを用いたOAM通信における反射板近接化の効果
山岸遼平; 大塚啓人; 斉藤昭; 鈴木博; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2018 電子情報通信学会ソサイエティ大会, 国内会議
発表日 2018年09月11日

多機能SPDTデバイスの提案
水谷浩; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2018 電子情報通信学会ソサイエティ大会, 国内会議
発表日 2018年09月11日

多機能SPDTデバイスの実証
中丸靖崇; 水谷浩; 瀬下拓也; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2018 電子情報通信学会ソサイエティ大会, 国内会議
発表日 2018年09月11日

GaN HEMTを用いたマイクロ波高効率電力増幅器の設計理論と試作例
本城 和彦
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 2018年度WiPoT第一回シンポジウム, 招待, 国内会議
発表日 2018年07月24日

高調波リアクティブ終端型11GHz 帯 GaN HEMT 高効率電力増幅器
小川智史; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2018 年 電子情報通信学会総合大会, 国内会議
発表日 2018年03月21日

高効率低ひずみ独立バイアス型ダーリントンGaN HEMT増幅器
北村淳; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2018 年 電子情報通信学会総合大会, 国内会議
発表日 2018年03月21日

OAM通信用ループアンテナアレイにおける通過アイソレーションとEVMの関係
大塚啓人; 山岸遼平; 斉藤昭; 鈴木博; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2018 年 電子情報通信学会総合大会, 国内会議
発表日 2018年03月20日

アンテナ内2端子ループアレイを用いたOAM 通信における多重度倍増の検討
斉藤昭; 大塚啓人; 山岸遼平; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2018年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2018年03月20日

OAM通信用ループアレイの端子方位制御による干渉波抑制効果の解析
大塚啓人; 山岸遼平; 斉藤昭; 石川亮; 本城 和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告, 国内会議
発表日 2017年11月10日

円形ループアレイを用いたOAM 通信における反射板におけるモード単一性の向上
山岸遼平; 大塚啓人; 斉藤昭; 石川亮; 本城 和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告, 国内会議
発表日 2017年11月10日

FETドレーン・ゲート帰還容量のマイクロ波電力増幅特性への影響
高山洋一郎; 本城和彦; 石川亮
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告, 国内会議
発表日 2017年11月09日

マルチ高調波処理回路を用いた低SHF帯広帯域GaN HEMT高効率電力増幅器
高木裕貴; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告, 国内会議
発表日 2017年11月09日

2増幅回路結合構成コンカレトデュアルバドGaNHEMT増幅器の効率特性改善
西沢永; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告, 国内会議
発表日 2017年11月09日

4.5/8.5GHz帯コンカレントデュアルバンド高効率GaN HEMT電力増幅器
西沢永; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2017年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 国内会議
発表日 2017年09月13日

4.5/8.5GHz帯コンカレントデュアルバンド高効率GaN HEMT電力増幅器
西沢永; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2017年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 国内会議
発表日 2017年09月12日

OAM通信用ループアレイアンテナの端子角度制御による干渉波抑制効果
大塚啓人; 山岸遼平; 斉藤昭; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2017年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 国内会議
発表日 2017年09月12日

ループアンテナアレイを用いたOAM 通信における多重度倍増の検討
斉藤昭; 大塚啓人; 山岸遼平; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2017年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 国内会議
発表日 2017年09月12日

反射板付きループアレイアンテナを用いたOAM 通信におけるモード単一性の向上
山岸遼平; 大塚啓人; 斉藤昭; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2017年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 国内会議
発表日 2017年09月12日

Study on Compact Bidirectional DC-DC Converter Consisting of100-MHz High-Efficiency Amplifier and Rectifier
Shogo MIZOGUCHI; Kazuhiko HONJO; Ryo ISHIKAWA
口頭発表（一般）, 英語, 2017 Thailand-Japan Microwave Conference
発表日 2017年06月

8.5 GHz-Band GaN HEMT High-Efficiency Power Amplifier with Harmonic Reactive Termination
Haruka NISHIZAWA; Yoichiro TAKAYAMA; Ryo ISHIKAWA; Kazuhiko HONJO
口頭発表（一般）, 英語, 2017 Thailand-Japan Microwave Conference
発表日 2017年06月

Study on 900 MHz Band Class-F GaAs HEMT Rectifier with Wide Dynamic Range Operation
Misako FUJIMAKI; Ryo ISHIKAWA; Kazuhiko HONJO
口頭発表（一般）, 英語, 2017 Thailand-Japan Microwave Conference
発表日 2017年06月

4/8GHz帯コンカレント動作GaN HEMT MMIC増幅器
石川亮; 高山洋一郎; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2017年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2017年03月23日

導体パターンのみを用いたCRLH線路スタブ高調波処理回路による4GHz帯F級GaN HEMT増幅器
小泉聡太; 田中慎一; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2017年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2017年03月23日

高効率トランジスタ整流器のインピーダンス最適化に関する一検討
町田港; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2017年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2017年03月23日

4.5/4.9GHz帯域可変型GaN HEMT高効率増幅器の基礎検討
眞下和樹; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2017年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2017年03月23日

帯域切替型リコンフィギュラブルＲＦスイッチ回路の提案
水谷浩; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2017年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2017年03月23日

ループアンテナアレイを用いた遠距離ＯＡＭ通信の実測評価
大塚啓人; 山岸遼平; 斉藤昭; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2017年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2017年03月23日

円形ループアンテナの磁気量子数放射モード単一化の解析
斉藤昭; 大塚啓人; 山岸遼平; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2017年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2017年03月23日

CRLH線路におけるユニットセルの放射特性
瀬下拓也; 中丸靖崇; 水谷浩; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2017年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2017年03月23日

Ｔ型スタブを用いた複数高調波処理によるデュアルバンド高効率GaN HEMT電力増幅器
高木裕貴; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2017年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2017年03月23日

円形ループアレイアンテナを用いた遠距離OAM通信における反射板による影響評価
山岸遼平; 大塚啓人; 斉藤昭; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2017年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2017年03月23日

電圧帰還対を用いた二段広帯域負帰還増幅器の設計と試作評価
大塚啓人; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 電子情報通信学会マイクロ波研究会, 招待, 国内会議
発表日 2017年03月02日

2個のトランジスタによる電流帰還対を用いた広帯域増幅器
丸山有彗; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 電子情報通信学会マイクロ波研究会, 招待, 国内会議
発表日 2017年03月02日

円形ループアンテナを用いた4値多重軌道角運動量通信方式
斉藤昭; 大塚啓人; 山岸遼平; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会アンテナ伝搬研究会, 国内会議
発表日 2017年02月16日

900MHz帯GaAs HEMT F級整流器の広ダイナミックレンジ化に関する研究
藤牧美咲子; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会マイクロ波研究会, 国内会議
発表日 2016年12月16日

RF整流器のシミュレーション再現性を考慮したGaN HEMT大信号デバイスモデルの提案
安井吏; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会マイクロ波研究会, 国内会議
発表日 2016年12月16日

単一GaNHEMTを用いたデュアルバンド電力増幅器における２周波同時増幅時の大信号特性の検討及び線形性改善
丸山有彗; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 国内会議
発表日 2016年12月15日

２高調波短絡用T型スタブによるリアクティブ終端付加回路を用いたGaNHEMT高効率電力増幅器
高木裕貴; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会マイクロ波研究会, 国内会議
発表日 2016年12月15日

２増幅回路結合構成コンカレントデュアルバンド電力増幅器
西沢永; 榎本純; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会マイクロ波研究会, 国内会議
発表日 2016年12月15日

磁気量子数単一モードを放射するループアンテナアレイを用いたOAM通信の解析
斉藤昭; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2016年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 国内会議
発表日 2016年09月23日

ループアンテナアレイを用いたOAM通信のシミュレーションならびに実測評価
大塚啓人; 斉藤昭; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2016年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 国内会議
発表日 2016年09月23日

第3象限領域でのVDS-ID特性の再現性を改善した GaN HEMTデバイスモデルの提案
安井吏; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2016年電子情報通信学会サイエティ大会, 国内会議
発表日 2016年09月21日

HPF\LPF切替型RFスイッチの大信号特性
水谷浩; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2016年電子情報通信学会サイエティ大会, 国内会議
発表日 2016年09月21日

バラクタダイオードを用いたアクティブCRLH線路におけるユニットセルのSパラメータ解析
瀬下拓也; 中丸靖崇; 水谷浩; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2016年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 国内会議
発表日 2016年09月21日

高効率個別増幅構成コンカレントデュアルバンド増幅器
榎本純; 西沢永; 石川亮; 高山洋一郎; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2016年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 国内会議
発表日 2016年09月20日

CRLH線路スタブF級高調波処理回路を用いたGaN HEMT増幅器
小泉聡太; 田中 愼一; 石川亮; 本城 和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2016年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 国内会議
発表日 2016年09月20日

単一GaN HEMTを用いたデュアルバンド電力増幅器における2波同時増幅動作時の線形性改善
丸山有彗; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2016年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 国内会議
発表日 2016年09月20日

5G 実現に向けたマルチバンド・マルチアクセス多層セル構成におけるシステム間連携技術
市川泰史; 浅野弘明; 森広芳文; 奥村幸彦; 市川武男; 溝口匡人; 馬庭透; 山尾泰; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2016年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2016年03月15日

２高調波同時短絡スタブによるリアクティブ終端負荷回路を用いたGaN HEMT高効率電力増幅器
高木裕貴; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2016年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2016年03月15日

2増幅回路構成コンカレントデュアルバンド増幅器結合用分波回路
西沢永; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2016年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2016年03月15日

900MHz帯GaAs HEMT F級整流器の広ダイナミックレンジ化に関する基礎検討
藤牧美咲子; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2016年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2016年03月15日

高次モードを考慮した平面扇型アンテナの広帯域特性の解析
金龍; 斉藤昭; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告，マイクロ波研究会（MW2015-135）, 国内会議
発表日 2015年12月17日

低周波アクティブ高調波ロード・プルを利用した高効率マイクロ波電力増幅器の最適負荷インピーダンス推定の高精度化
陶堯,石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告(MW2015-136)，マイクロ波研究会, 国内会議
発表日 2015年12月17日

マイクロ波無線電力伝送用増幅・整流切り替えモジュールの試作・評価
石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告，マイクロ波研究会（MW2015-129）, 国内会議
発表日 2015年11月19日

寄生非線型容量を考慮した低周波トランジスタ真性部特性抽出による高効率マイクロ波増幅器設計
陶堯; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2015年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会, 電子情報通信学会, 国内会議
発表日 2015年09月09日

高調波処理を含む入出力整合回路の周波数特性を考慮した高効率GaNHEMT電力増幅器の広帯域設計
榎本純; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2015年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会, 電子情報通信学会, 国内会議
発表日 2015年09月09日

フィルタ特性の可変が行える周期構造を有する新しい高アイソレーションRFスイッチ回路の提案
水谷浩; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告，マイクロ波研究会, 国内会議
発表日 2015年06月25日

高出力GaNHEMT素子を用いた高電力効率増幅器/整流器の設計・試作およびその評価
森大介; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告,マイクロ波研究会（MW2015-27), 電子情報通信学会, 国内会議
発表日 2015年05月28日

ワイドアングル平面扇型アンテナの広帯域特性に関する解析
斉藤昭; 金龍; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告,マイクロ波研究会（MW2015-26), 国内会議
発表日 2015年05月28日

マイクロ波無線電力伝送用増幅・整流器のパルス幅変調電力制御に関する実験的検証
石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告,マイクロ波研究会（MW2015-6), 電子情報通信学会, 国内会議
発表日 2015年04月16日

マイクロ波超高効率電力増幅・整流回路の共用化によるスマートワイヤレスモジュール
本城和彦; 石川亮
シンポジウム・ワークショップパネル（指名）, 日本語, 2015年電子情報通信学会総合全国大会, 招待, 電子情報通信学会, 国内会議
発表日 2015年03月11日

高電力GaN HEMT可変移相器MMIC
石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2015年電子情報通信学会総合全国大会, 電子情報通信学会, 国内会議
発表日 2015年03月11日

平面扇型広帯域アンテナ特性の導体を挟む角度の依存性
金龍; 斉藤昭; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2015年電子情報通信学会総合全国大会, 電子情報通信学会, 国内会議
発表日 2015年03月11日

ワイドアングル平面扇型アンテナが有する広帯域特性の解析
斉藤昭; 小野寺祥一; 金龍; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2015年電子情報通信学会総合全国大会, 電子情報通信学会, 国内会議
発表日 2015年03月11日

5.8 GHzウィルキンソン型電力可変不等分配器の試作・評価
大田雄介; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告,マイクロ波研究会, 電子情報通信学会, 東京, 国内会議
発表日 2014年12月

デュアルバンド高調波リアクティブ終端処理高効率GaN HEMT電力増幅器
榎本純; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告,マイクロ波研究会, 電子情報通信学会, 東京, 国内会議
発表日 2014年12月

インピーダンス反転回路を用いない広帯域高効率C帯GaAs p-HEMTドハティ増幅器MMIC
吉田剛; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告,マイクロ波研究会, 電子情報通信学会, 秋田, 国内会議
発表日 2014年10月23日

集中定数素子内蔵2周波アンテナの解析的検討
小野寺祥一; 石川亮; 斉藤昭; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2014 電子情報通信学会ソサイエティ大会, 電子情報通信学会, 徳島, 国内会議
発表日 2014年09月25日

GaN 素子対応MHz 帯高調波アクティブロードプルによる高効率増幅器設計
石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2014 電子情報通信学会ソサイエティ大会, 電子情報通信学会, 徳島, 国内会議
発表日 2014年09月23日

デュアルバンド高調波リアクティブ終端処理高効率GaN HEMT電力増幅器の設計及び試作
榎本純; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2014 電子情報通信学会ソサイエティ大会, 電子情報通信学会, 徳島, 国内会議
発表日 2014年09月23日

小型広帯域高効率C 帯GaAs pHEMT MMIC ドハティ増幅器
吉田 剛; 高山 洋一郎; 石川 亮; 本城 和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2014 電子情報通信学会ソサイエティ大会, 電子情報通信学会, 徳島, 国内会議
発表日 2014年09月23日

可変焦点無線電力伝送システム用5.8 GHz ウィルキンソン型電力可変不等分配器の基礎検討
大田雄介; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2014 電子情報通信学会ソサイエティ大会, 電子情報通信学会, 徳島, 国内会議
発表日 2014年09月23日

無線電力伝送用高効率GaN HEMT 整流器
石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2014年電子情報通信学会総合全国大会, 電子情報通信学会, 新潟, 国内会議
発表日 2014年03月20日

扇型線状アンテナ放射パターンの多極展開を用いたモード推移の解析
斉藤 昭; 石川; 亮; 本城 和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2014年電子情報通信学会総合全国大会, 電子情報通信学会, 新潟, 国内会議
発表日 2014年03月20日

パルス応答特性を用いたGaN HEMT 大信号モデル用多段はしご型RC 熱等価回路の抽出手法
吉田慎悟; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2014年電子情報通信学会総合全国大会, 電子情報通信学会, 新潟, 国内会議
発表日 2014年03月18日

Power Gain Characteristic of Independently Biased HBT Cascode Chip
Duy Manh LUONG; Yoichiro TAKAYAMA; Ryo ISHIKAWA; Kazuhiko HONJO
口頭発表（一般）, 英語, 2014年電子情報通信学会総合全国大会, 電子情報通信学会, 新潟, 国内会議
発表日 2014年03月18日

無線電力・情報伝送システムの高効率電力可変制御に関する一検討
森 大介; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2014年電子情報通信学会総合全国大会, 電子情報通信学会, 新潟, 国内会議
発表日 2014年03月18日

四分の一波長反転回路を用いないドハティ増幅器の基本モデル
高山洋一郎; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2014年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2014年03月18日

λ/4 インバータを用いない直列型C帯GaAs pHEMT MMICドハティ増幅器
吉田剛; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2014年電子情報通信学会総合全国大会, 電子情報通信学会, 新潟, 国内会議
発表日 2014年03月18日

2.0-2.8 GHz 帯高効率独立バイアス形GaAs pHEMT カスコード電力増幅器
田崎悟史; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2014年電子情報通信学会総合全国大会, 電子情報通信学会, 新潟, 国内会議
発表日 2014年03月18日

高調波処理リアクティブ終端型2GHz 帯30W 級高効率GaN HEMT 増幅器の試作と周波数特性の考察
矢尾知博; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2014年電子情報通信学会総合全国大会, 電子情報通信学会, 新潟, 国内会議
発表日 2014年03月18日

非対称結合線路を用いた広帯域バランの研究
遠藤大貴; 斉藤昭; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2014年電子情報通信学会総合全国大会, 電子情報通信学会, 新潟, 国内会議
発表日 2014年03月18日

5.8 GHz 帯可変焦点型ガウシアンビームアレイアンテナ
井上泰平; 斉藤昭; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2014年電子情報通信学会総合全国大会, 電子情報通信学会, 新潟, 国内会議
発表日 2014年03月18日

マイクロ波増幅・整流共用モジュールと電力効率特性 (招待講演）
本城和彦; 石川亮
口頭発表（招待・特別）, 日本語, マイクロ波エネルギー伝送ワークショップ ～DC/RF→RF/DCの総合効率は90%を超えるか～, マイクロ波エネルギー伝送ワークショップ IEEE MTT-S Kansai Chapter
発表日 2014年01月

GaN HEMT大信号モデル用多段はしご型RC熱等価回路の実験的抽出手法
吉田慎悟; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告(MW2013-156）,マイクロ波研究会
発表日 2013年12月

高調波リアクティブ終端による2GHz帯高効率GaN HEMT電力増幅器およびその周波数特性に関する考察
矢尾知博; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告(MW2013-172）,マイクロ波研究会
発表日 2013年12月

λ/4インバーターを用いない小型・広帯域並列負荷形 GaN HEMT ドハティ電力増幅器
井口洋輔; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告(MW2013-173）,マイクロ波研究会
発表日 2013年12月

バラクタと集中定数素子を内蔵したリコンフィギャラブル2周波アンテナ
小野寺祥一; 石川亮; 斉藤昭; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告(MW2013-168）,マイクロ波研究会
発表日 2013年12月

非対称結合線路を用いた広帯域バランの研究
遠藤大貴; 斉藤昭; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告(MW2013-155)
発表日 2013年12月

マイクロ波無線電力伝送用高効率トランジスタRF-DC相互変換回路
石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 信学会技術研究報告,マイクロ波研究会
発表日 2013年10月

2帯域を独立に制御できるリコンフィギャラブル2周波アンテナ
小野寺祥一; 石川亮; 斉藤昭; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2013 電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2013年09月

多重極展開を用いた高次モードを含む擬似線状アンテナ特性解析の基礎検討
斉藤 昭; 石川 亮; 本城 和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2013 電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2013年09月

FETスイッチでアレイーファクタを変調した空間変調デジタル通信方式
長谷川光平; 石川亮; 斉藤昭; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2013年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2013年03月

無線電力伝送用高効率増幅・整流一体化モジュール開発に関する一検討
石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2013年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2013年03月

高調波リアクティブ終端処理2.1GHz 帯高効率GaN HEMT 増幅器
矢尾知博; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2013年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2013年03月

独立バイアス形1.2-2.0 GHz帯GaAs pHEMT カスコード電力増幅器MMIC
田崎悟史; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2013年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2013年03月

集中定数素子内蔵多周波リコンフィギャラブルアンテナの基礎検討
小野寺祥一; 斉藤昭; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2013年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2013年03月

λ/4インバーターを用いない小型・広帯域並列負荷形GaN HEMTドハティ電力増幅器
井口洋輔; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2013年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2013年03月

MHz帯アクティブロードプル評価に基づくトランジスタ高効率動作のための最適高調波負荷特性推定
石川 亮; 高山 洋一郎; 本城 和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電気学会電子デバイス研究会,電子デバイス研究会
発表日 2013年03月

〔特別講演〕2012年ヨーロッパマイクロ波会議出席報告
河合邦浩; 本城和彦; ポカレル・ラメッシュ; 黒木太司; 陳春平; 鴨田浩和
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告,マイクロ波研究会
発表日 2013年03月

独立バイアス形 1.2-2.0 GHz帯 GaAs pHEMT カスコード電力増幅器MMIC
田崎悟史; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告,マイクロ波研究会
発表日 2012年12月

MHz帯高調波アクティブ・ロードプルシステムを用いたGHz帯高調波処理高効率電力増幅器の設計手法
石川亮; 高山洋一郎; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告,マイクロ波研究会
発表日 2012年11月

一般化した出力結合条件による小型・広帯域マイクロ波ドハティ増幅器構成の提案
高山洋一郎; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告,マイクロ波研究会
発表日 2012年11月

FETスイッチ内蔵の散乱体を用いた空間変調方式の検討
長谷川光平; 石川亮; 斉藤昭; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告,マイクロ波研究会
発表日 2012年11月

四分の一波長インピーダンス変換回路を用いない広帯域ドハティ電力増幅器の設計及び試作
渡邉真太朗; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告,マイクロ波研究会
発表日 2012年10月

InGaP/GaAs HBTを用いた高効率低ひずみ独立バイアス形カスコード電力増幅器
高木裕貴; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告,マイクロ波研究会
発表日 2012年10月

マイクロストリップアレイアンテナと二散乱体を用いた5.8GHz帯無線電力伝送用空間変調モジュール
井上泰平; 長谷川光平; 斉藤昭; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告,マイクロ波研究会
発表日 2012年10月

1.9GHz 帯独立バイアス形InGaP/GaAs HBT カスコード電力増幅器MMIC
高木裕貴; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2012年09月

MHz帯高調波アクティブロードプル評価によるGHz帯高効率増幅器設計
石川亮; 高山洋一郎; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 国内会議
発表日 2012年09月

一般化した出力結合条件のマイクロ波ドハティ増幅器の提案
高山洋一郎; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 国内会議
発表日 2012年09月

中空配置非対称結合線路の広帯域バラン特性に関する回路論的解析
斉藤昭; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 国内会議
発表日 2012年09月

マイクロストリップアレイアンテナと二散乱体を用いた5.8GHz 帯無線電力伝送用空間変調モジュール
井上泰平; 長谷川光平; 斉藤昭; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2012年09月

バラクタ装荷2散乱体を用いた空間変調方式の変調速度に関する基礎検討
長谷川光平; 石川亮; 斉藤昭; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2012年09月

四分の一波長インピーダンス変換回路を用いないGaN HEMTドハティ電力増幅器の設計及び試作
渡邉真太朗; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 国内会議
発表日 2012年09月

櫛形キャパシタを装荷した小型ダブルスタブ共振器のMMIC応用
片寄孝雄; 田中愼一; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 国内会議
発表日 2012年09月

因数分解比較法による寄生成分補償型集中定数逆Ｆ級GaN HEMT 電力増幅器の設計と実験的検証
三浦理; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2012年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2012年03月

バラクタを用いた2散乱体による空間変調の実験的検証
長谷川光平; 斉藤昭; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2012年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2012年03月

2散乱体を用いた空間変調無線伝送方式の検討
斉藤昭; 長谷川光平; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2012年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2012年03月

四分の一波長インピーダンス変換回路を用いないドハティ増幅器の提案
高山洋一郎; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2012年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2012年03月

最新の非線形高効率マイクロ波電力増幅器設計における線形回路網理論の重要性 (招待講演）
本城和彦
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 第22期第2回公開研究会「紙と鉛筆で考えるアナログ回路」, URSI-C委員会 第22期第2回公開研究会
発表日 2012年02月

RCはしご型熱メモリ効果補償回路を適用したHBT増幅器のひずみ解析およびその補償回路パラメータの決定法
石川亮; 木村淳一; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告,マイクロ波研究会
発表日 2011年11月

高効率低ひずみ独立バイアス形カスコードGaN HEMT 電力増幅器
石川亮; 高山洋一郎; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告,マイクロ波研究会
発表日 2011年11月

InGaP/GaAs HBTを用いた独立バイアス形カスコード電力増幅器MMIC
高木裕貴; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告,電子情報通信学会マイクロ波研究会
発表日 2011年10月

マイクロ波ワイヤレス電力伝送のサイドローブを利用した 情報伝送システムの基礎研究
長谷川光平; 星野有哉; 石川亮; 斉藤昭; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告,電子情報通信学会マイクロ波研究会
発表日 2011年10月

４次までの高調波位相制御を行ったＣ帯高効率電力増幅器の実験的検証
神山仁宏; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告,電子情報通信学会マイクロ波研究会
発表日 2011年10月

高調波処理によるマイクロ波電力増幅器の高効率化および低ひずみ化(招待講演）
本城和彦; 石川亮; 高山洋一郎
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告,電子情報通信学会無線電力伝送研究会, 招待
発表日 2011年10月

高調波位相制御によるC帯高効率GaN HEMT電力増幅器の実現
神山 仁宏; 石川 亮; 本城 和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2011年09月

高効率低ひずみ独立バイアス形カスコード GaN HEMT 増幅器
石川亮; 高山洋一郎; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2011年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2011年09月

HBT 増幅器用 RC はしご型熱メモリ効果補償回路の解析的パラメータ決定法
石川亮; 木村淳一; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2011年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2011年09月

アレーファクタ制御空間変調無線伝送方式の変調指数に関する検討
長谷川光平; 星野有哉; 石川亮; 斉藤昭; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2011年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2011年09月

Miniaturized Broadband Fractal Antenna Combined with Self-Complementary Principle for UWB Applications
Vasil DIMITROV; Akira SAITOU; Kazuhiko HONJO
口頭発表（一般）, 英語, 2011年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2011年09月

空間変調無線伝送方式における変調指数向上の検討
斉藤昭; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2011年09月

空間変調無線伝送方式の基礎検討
星野有哉; 石川亮; 斉藤昭; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2011年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2011年03月

トランジスタ寄生成分を補償可能とするF・逆F 負荷回路構成法の提案
三浦理; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2011年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2011年03月

周波数選択性反射体を用いた２周波アンテナ放射パターン制御の基礎検討
岩國辰彦; 斉藤昭; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2011年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2011年03月

集中定数素子を用いて軸比を制御した小型クロスダイポール円偏波アンテナ
斉藤昭; 村山勇気; 青木由隆; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2011年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2011年03月

独立バイアス形InGaP/GaAs HBTカスコード電力増幅回路の実験的検討
高木祐貴; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2011年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2011年03月

A Technology Perspective on Active Microwave Circuits (Keynote Address)
Kazuhiko Honjo
口頭発表（基調）, 英語, 2010 Asia Pacific Microwave Conference, 2010 Asia Pacific Microwave Conference (IEICE, IEEE), Yokohama, Japan, 国際会議
発表日 2010年12月

インパルスUWB用送受信MMICの開発
石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電気学会電子回路研究会
発表日 2010年11月

マイクロ波無線電力送電用高効率GaN-HEMTＦ級電力増幅器の基本技術 (招待講演）
本城和彦; 石川亮; 高山洋一郎
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 第13回太陽光発電（SPS)シンポジウム, 太陽光発電研究会 第13回SPSシンポジウム
発表日 2010年10月

不平衡型２周波アンテナ技術を用いた携帯電話向けアンテナの基礎検討
青木由隆; 八木茂; 斉藤昭; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2010年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2010年09月

給電点切り替え型非対称給電ダイポールアンテナによる指向性制御
星野有哉; 斉藤昭; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2010年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2010年09月

独立バイアス形カスコード増幅回路の実験的検証
石川亮; 高山洋一郎; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2010年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2010年09月

独立バイアス形カスコード電力増幅器の三次相互変調ひずみ解析
高山洋一郎; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2010年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2010年09月

5.8 GHz 小型F 級負荷回路付加GaN HEMT の評価
石川亮; 神山仁宏; 黒田健太; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2010年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2010年09月

直列接続負荷型GaN HEMTドハティ電力増幅器のひずみ低減手法の提案
河合慧; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告,電子情報通信学会マイクロ波研究会
発表日 2010年09月

周波数選択型反射体に装荷したバラクタよるアンテナの放射パターン適応制御
星野有哉; 斉藤昭; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告,電子情報通信学会マイクロ波研究会
発表日 2010年09月

負性群遅延回路によるUWB用アクティブバランの高性能化
安炅彪; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2010年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2010年03月

自動バイアス制御型ダイオードリニアライザによるF級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償
安藤晃洋; 高山洋一郎; 吉田剛; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2010年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2010年03月

バラクタ装荷反射体によるモノポールアンテナの指向性適応制御
星野 有哉; 斉藤; 昭P; 本城 和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2010年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2010年03月

UWB-IR用差動インパルス信号検出ＭＭＩＣの試作・評価
石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2010年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2010年03月

直列接続型GaN HEMT ドハティ電力増幅器のひずみ特性改善
河合慧; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2010年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2010年03月

寄生成分補償された5.8GHz帯F級高効率増幅器
黒田健太; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2010年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2010年03月

MIMO用差動２周波アンテナの放射パターン直交性改善の基礎検討
斉藤昭; 青木由隆; 星野有哉; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2010年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2010年03月

内部高調波処理回路を備えたマイクロ波高出力GaN HEMT
吉田剛; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2010年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2010年03月

自動バイアス制御ダイオードリニアライザを用いたF級GaN HEMT電力増幅器のひずみ改善
安藤晃洋; 高山洋一郎; 吉田剛; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電気学会電子デバイス研究会,電気学会電子デバイス研究会
発表日 2010年03月

寄生成分を考慮した高次F級負荷回路設計法の提案とGaNHEMT への適用
黒田健太; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電気学会電子デバイス研究会,電気学会電子デバイス研究会
発表日 2010年03月

独立バイアス形カスコード電力増幅器及びその高効率･低ひずみ設計
高山洋一郎; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告 (MW2009-84),マイクロ波研究会
発表日 2009年09月

直列接続負荷形GaN HEMTマイクロ波ドハティ電力増幅器の設計・試作
河合慧; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告 (MW2009-85),マイクロ波研究会
発表日 2009年09月

MIMO用2周波アンテナの放射パターン直交性改善の基礎検討
斉藤昭; 星野有哉; 青木由隆; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告(MW2009-77),マイクロ波研究会
発表日 2009年09月

独立バイアス形カスコード電力増幅器 及びその高効率・低ひずみ設計
高山洋一郎; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2009年09月

EBG の可変無損失負荷による指向性変化の基礎検討
星野有哉; 斉藤昭; 青木由隆; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2009年09月

バイアス独立制御型２ダイオードリニアライザによるF級GaN HEMT 電力増幅器のひずみ補償
安藤晃洋; 高山洋一郎; 吉田剛; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2009年09月

GaN HEMT を用いた直列接続負荷形マイクロ波ドハティ増幅器
河合慧; 高山洋一郎; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2009年09月

低雑音特性を考慮したUWB用HBT MMIC増幅器の群遅延補償
安炅彪; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2009年09月

HBT分布増幅器の群遅延特性に関する解析
石川亮; 安炅彪; 島田雅夫; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2009年09月

マイクロ波電力増幅器における熱メモリ効果３次相互変調ひずみの補償法の提案と実験的検証
木村淳一; 石川亮; 高橋幸夫; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告,マイクロ波研究会
発表日 2009年06月

RC回路構成を用いた負の群遅延回路
安炅彪; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2009年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2009年03月

負の群遅延回路を用いたUWB用HBT MMIC増幅器の群遅延補償
安炅彪; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2009年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2009年03月

UWB用インパルス発生MMICおよび原信号復元回路
石川亮; 呉潤錫; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2009年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2009年03月

熱メモリ効果に起因したHBT電力増幅器IMD3の補償に関する実験的検証
木村淳一; 石川亮; 高橋幸夫; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2009年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2009年03月

ＰＢＧを用いたＭＩＭＯ用２周波アンテナのアイソレーション改善の基礎検討
斉藤 昭; 小沢章太郎; 本城和彦; 高橋孝司
口頭発表（一般）, 日本語, 2009年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2009年03月

電磁界・半導体・熱・回路シミュレーションの統合化の現状と展望
本城和彦; 石川亮
口頭発表（招待・特別）, 日本語, Proceedings of 2009 IEICE General Conference, 2009年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2009年03月

UWB用広帯域増幅器の群遅延特性と負の群遅延回路を用いたその補償
安炅彪; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電気学会電子デバイス研究会,電気学会電子デバイス研究会
発表日 2009年03月

ダイオードリニアライザによる高効率F級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償
安藤晃洋; 高山洋一郎; 吉田剛; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告,電子情報通信学会マイクロ波・電子デバイス合同研究会
発表日 2009年01月

トランジスタ発振器の二端子発振回路解析
高山洋一郎; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2008年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2008年09月

４次までの高調波処理を施した集中定数化GaN HEMT逆Ｆ級増幅器
石川亮; 阿部泰行; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2008年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2008年09月

ダイオードリニアライザによる高効率F級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償
安藤晃洋; 高山洋一郎; 吉田剛; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2008年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2008年09月

トラップコイルを用いたデュアルバンドフィルムアンテナの検討
八木茂; 青木由隆; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2008年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2008年09月

UWB用MMIC増幅器の大信号差動モード評価
石川亮; 本城和彦; 井上博文
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会シリコンアナログRF研究会
発表日 2008年09月

インピーダンス整合状態におけるインダクタの新しいインダクタンス値評価法
清水翔一; 青木由隆; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会シリコンアナログRF研究会, 電子情報通信学会
発表日 2008年09月

GaN HEMTを用いた5.8 GHz帯F級増幅器の設計・試作
黒田健太; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術報告(MW)
発表日 2008年08月

集中定数素子高調波処理回路を用いたマイクロ波逆Ｆ級GaN HEMT増幅器
石川亮; 阿部泰行; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告,マイクロ波研究会
発表日 2008年08月

GaNHEMTを用いたSSPS用5.8GHz帯F級高効率増幅器
石川亮; 黒田健太; 本城和彦; 津田邦男; 久田 安正
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術報告(宇宙太陽発電時限研究会)
発表日 2008年07月

直列接続負荷形マイクロ波ドハティ電力増幅器
高山洋一郎; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告(MW2008-9), 電子情報通信学会
発表日 2008年04月

低比誘電率ＰＣＢを用いたＵＷＢ用誘導性結合コムライン帯域通過フィルタ
趙川東; 斉藤昭; 本城和彦; 高橋孝司
口頭発表（一般）, 日本語, 2008年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2008年03月

入出力端子整合状態におけるインダクタのインダクタンス値評価法
清水翔一; 青木由隆; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2008年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2008年03月

位相線路付き直交ダイポール型平面アンテナの広帯域特性
青木一浩; 斉藤昭; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2008年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2008年03月

超広帯域自己補対アレーアンテナの基礎検討
蛭田謙二; 斉藤昭; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2008年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2008年03月

シャントスパイラルインダクタを用いた最小のＵＷＢ用自己補対アンテナ
大橋祐二; 斉藤昭; 本城和彦; 高橋孝司
口頭発表（一般）, 日本語, 2008年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2008年03月

直列接続負荷形マイクロ波ドハティ増幅器
高山洋一郎; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2008年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2008年03月

低周波インピーダンス特性制御によるHBT 電力増幅器の熱メモリ効果IMD3の非対称性補償
高橋幸夫; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2008年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2008年03月

多段RC 熱等価回路のマルチセルHBT 適用と相互変調ひずみ評価
菅信朗; 高橋幸夫; 石川亮; 高山洋一郎; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2008年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2008年03月

GaN HEMT を用いた5.8 GHz 帯F 級高効率増幅器
黒田健太; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2008年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2008年03月

Equivalent Circuit for InP CPW with Under-Bridge up to 50 GHz
Gang Liu; Hiroshi Nakano; Kazuhiko Honjo
口頭発表（一般）, 英語, 2007 IEICE Society Conference
発表日 2007年09月

２層ビア接続構造による単一動作モードメアンダラインアンテナの高効率化
水谷良太; 斉藤昭; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2007年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2007年09月

対称な特性をもつWLPクリップ型インダクタ
清水翔一; 青木由隆; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告(MW2007-96), 国内会議
発表日 2007年09月

UWB用超低消費電力InGaP/GaAs HBT MMIC 増幅器
安部卓哉; 島田雅夫; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2007年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2007年03月

高誘電率基板を用いたＵＷＢ用自己補対アンテナの小型化
青木一浩; 斉藤昭; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2007年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2007年03月

対称な特性を有するWLPクリップ型インダクタとQ値の評価法
青木由隆; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2007年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2007年03月

FDTD・デバイス統合解析を用いたGaN HEMTのフィンガー長設計手法
一寸木瑛; 篠原康太; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2007年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2007年03月

電磁界解析・半導体デバイス解析連動による能動モジュール実動作解析
石川亮; 本城和彦; 中嶋政幸
口頭発表（一般）, 日本語, 2007年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2007年03月

任意次数まで処理可能な逆F級増幅器用高調波処理回路の提案
石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2007年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2007年03月

右手/左手系複合回路を用いたUWB用群遅延補償MMICの実験的検証
村瀬健治; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2007年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2007年03月

低損失液晶ポリマー上に作製したループ付広帯域自己補対アンテナの特性
斉藤昭; 本城和彦; 全春虎; 片桐史朗; 岡本敏
口頭発表（一般）, 日本語, 2007年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2007年03月

ＷＬＰクリップ型インダクタのマイクロ波特性の対称化
清水翔一; 青木由隆; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2007年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2007年03月

1.9GHz帯GaNHEMT F級増幅器の試作
鄭聡; 吉田剛; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2007年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2007年03月

高誘電率樹脂基板上に作製した小型自己補対アンテナの特性
斉藤昭; 青木一浩; 本城和彦; 全春虎; 渡部貢市
口頭発表（一般）, 日本語, 電気学会電子デバイス研究会
発表日 2007年03月

電磁界・半導体共シミュレーションによる表面波モード線路増幅モジュールの動作解析
石川亮; 本城和彦; 中嶋政幸
口頭発表（一般）, 日本語, 電気学会電子デバイス研究会
発表日 2007年03月

SSPS用GaN半導体デバイスの試作結果
高田賢治; 津田邦男; 石川亮; 本城和彦; 久田安正
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術報告(SPS研究会)
発表日 2007年03月

無線回路内蔵プリント基板
斉藤昭; 趙川東; 本城和彦; 全春虎; 渡部貢市
口頭発表（一般）, 日本語, 平成18年度第4回JIEP超高速高周波エレクトロニクス研究会
発表日 2007年02月

FDTD法を用いた電磁界・半導体共シミュレーションによる長フィンガーHBTの解析および実験的検証
篠原康太; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告(マイクロ波研究会)
発表日 2006年09月

右手/左手系複合回路を用いたUWB用MMIC増幅器の群遅延補償
村瀬健治; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告(マイクロ波研究会)
発表日 2006年09月

電力増幅器における自己発熱現象およびそれに伴う歪み発生の多段RC熱等価回路によるモデル化
高橋幸夫; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告(マイクロ波研究会)
発表日 2006年09月

急峻な遮断特性を有する差動フィルタを内蔵したＵＷＢ用自己補対アンテナ
斉藤昭; 安炅彪; 本城和彦; 渡部貢市
口頭発表（一般）, 日本語, 2006年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2006年03月

高誘電率多層プリント基板上に構成したブロードサイド結合小型コムライン帯域通過フィルタ
趙川東; 斉藤昭; 本城和彦; 渡部貢市
口頭発表（一般）, 日本語, 2006年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2006年03月

右手／左手系複合回路を利用したUWB用デバイス群遅延補償の一検討
村瀬健治; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2006年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2006年03月

FDTD法を用いた長フィンガーHBT構造の動作解析
篠原康太; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2006年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2006年03月

多段ＣＲ熱等価回路による高出力HBTの相互変調歪解析
高橋幸夫; 石川亮; 木村功一; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2006年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2006年03月

逆傾斜へテロ接合コレクタ構造によるHBTコレクタ容量の線形化と３次相互変調歪みの最小化条件の導出
鄭聡; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電気学会電子デバイス研究会
発表日 2006年03月

BGAパッケージにおけるGHz高速信号解析方法の提案
井上博文; 大島大輔; 堺淳; 古谷充; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 第20回エレクトロニクス実装学会講演大会
発表日 2006年03月

ブロードサイド４結合線路を用いた超広帯域バンドパスフィルタ
青木元; 斉藤昭; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告(マイクロ波研究会)
発表日 2005年12月

チップ・パッケージ・ボード統合設計におけるOSE法の提案
井上博文; 大島大輔; 古谷充; 境淳; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2005年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2005年09月

高密度実装におけるOSE法簡易高精度モデリングおよびその応用
石川亮; 本城和彦; 今井規夫; 井上博文
口頭発表（一般）, 日本語, 2005電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2005年09月

OSE法を用いた不連続部を有する高速・高密度半導体パッケージの簡易等価回路モデリング
井上博文; 大島大輔; 古谷充; 境淳; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2005年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2005年09月

OSE法による高密度配線基板内のビア・線路間容量が伝送特性へ与える影響
石川亮; 本城和彦; 今井規夫; 井上博文
口頭発表（一般）, 日本語, 2005年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2005年09月

UWB用アクティブバラン付MMIC増幅器、フィルタ、自己補対アンテナの群遅延特性
安炅彪; 斉藤昭; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2005年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2005年09月

UWB自己補対アンテナ駆動用アクティブバラン付超広帯域InGaP/ GaAs HBT-MMIC増幅器
中川到; 島田雅夫; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2005年電子情報通信学会ソサイエティ大会
発表日 2005年09月

アクティブバランを付加したＵＷＢ自己補対アンテナ駆動用InGaP/GaAs HBT増幅器
中川到; 島田雅夫; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告(マイクロ波研究会)
発表日 2005年09月

逆傾斜へテロ接合コレクタ構造によるHBTの３次相互変調ひずみ特性の改善
鄭聡; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2005年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2005年03月

InGaP/GaAs HBT F級増幅器の処理高調波次数と効率の関係
関正人; 石川亮; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2005年電子情報通信学会総合全国大会
発表日 2005年03月

差動信号４結合線路デュープレクサを用いた２周波共用アンテナ
里見伸明; 斎藤昭; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2005年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2005年03月

UWBアンテナ用平衡モード結合４線路バンドパスフィルタ
青木元; 里見伸明; 斎藤昭; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2005年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2005年03月

FED, Thin-CRTの針状スペーサによる画質への影響について
野々村欽造; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2005年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2005年03月

高密度実装を電気的にとらえる
伊藤康之; 本城和彦; 相川正義
口頭発表（一般）, 日本語, 2005年電子情報通信学会総合全国大会, 国内会議
発表日 2005年03月

高調波・分数調波制御による高周波デバイス動作の最適化 (招待講演）
本城和彦
口頭発表（招待・特別）, 日本語, IEICE 3rd Research Meeting on Silicon Analog RF Circuit, 第３回電子情報通信学会シリコンアナログRF研究会
発表日 2005年01月

Wireless Devices and Circuit Technology Considering High Power Efficiency, Low Distortion, and Ultra Wideband(Keynote Address)
Kazuhiko Honjo
口頭発表（基調）, 英語, 2004 Microwave and Millimeterwave Workshop, 2004 Microwave and Millimeterwave Workshop(IEEE MTT/AP Korea Chapter), Seoul, Korea, 国際会議
発表日 2004年10月

W-CDMA用InGaP/GaAsHBT電力増幅器のバイアス回路周波数特性とACLR非対称性の関係
木村功一; 松村暢久; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告(MW2004-124)
発表日 2004年09月

入出力整合状態におけるマイクロ波受動素子のQの定義
青木由隆; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 2004年電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集
発表日 2004年09月

UWB用平衡モード４結合線路帯域通過フィルターの基礎検討
斎藤昭; 青木元; 里見信明; 本城和彦; 佐藤謙一; 小山とよこ; 渡部貢一
口頭発表（一般）, 日本語, 2004年電子情報通信学会ソサイエティ大会論文集
発表日 2004年09月

1.9GHz帯F級HBT電力増幅器の実験的検討
関正人; 小林由紀子; 石井寛子; 本城和彦
その他, 日本語, 第６回YRP移動体通信産学官交流シンポジウム2004
発表日 2004年07月

低損失樹脂基板上に作製されたUWB用擬似自己補対アンテナの特性
斎藤昭; 岩木孝憲; 本城和彦
その他, 日本語, 第６回YRP移動体通信産学官交流シンポジウム2004
発表日 2004年07月

高周波デバイスの回路技術
本城和彦
その他, 日本語, 化合物半導体・次世代ITサロン報告書
発表日 2004年04月

1.9GHz帯F級HBT増幅回路の実験的検討
関正人; 小林由紀子; 石井寛子; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会2004年総合全国大会
発表日 2004年03月

W-CDMA用InGaP/GaAs HBT電力増幅器のACLR非対称性の改善
木村功一; 松村暢久; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会2004年総合全国大会
発表日 2004年03月

完全集中定数化F級増幅回路の提案
相川清志; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会2004年総合全国大会
発表日 2004年03月

樹脂プリント基板上の作製したUWB用自己補対アンテナ小型化の基本検討
斎藤昭; 岩木孝憲; 本城和彦; 佐藤謙一; 小山とよこ; 渡部貢市
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会2004年総合全国大会
発表日 2004年03月

平衡モードインピーダンス整合回路を備えた小型UWBアンテナの特性
岩木孝憲; 斎藤昭; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会2004年総合全国大会
発表日 2004年03月

低損失樹脂基板を用いたUWB用擬似自己補対アンテナの特性
斎藤昭; 岩木孝憲; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電気学会電子デバイス研究会資料
発表日 2004年03月

完全集中定数化F級増幅回路の提案
相川清志; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告(マイクロ波研究会)
発表日 2004年01月

F級増幅回路の３次相互変調ひずみの解析
関正人; 河合秋絵; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告(マイクロ波研究会)
発表日 2003年09月

樹脂プリント基板を用いた可変帯域フィルタの基本検討
今井規夫; 本城和彦; 斉藤昭
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告(MW2003-138)
発表日 2003年09月

デバイスシミュレータを用いたマイクロ波結合多線路回路の設計
斉藤昭; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会第８回マイクロ波シミュレータワークショップ
発表日 2003年09月

デバイスシミュレータを用いたマイクロ波結合多線路回路の設計 (招待講演）
斉藤昭; 本城和彦
口頭発表（招待・特別）, 日本語, IEICE 8th Microwave Simulator Workshop, 招待, 電子情報通信学会第８回マイクロ波シミュレータワークショップ, 国内会議
発表日 2003年09月

マイクロ波CADを用いた高度技術研修（大学における社会人向け研修の新しい方向） (招待講演）
本城和彦
口頭発表（招待・特別）, 日本語, IEICE 8th Microwave Simulator Workshop, 電子情報通信学会第８回マイクロ波シミュレータワークショップ
発表日 2003年09月

マイクロ波受動素子内蔵樹脂プリント基板の高周波温度特性および信頼性
小滝修身; 斉藤昭; 佐藤謙一; 小山とよこ; 渡部貢市; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会2003年エレクトロニクスソサイエティ大会講演論文集
発表日 2003年09月

Ulra-High Efficiency Power Amplifier Circuit Using High fmax Transistor (Invited)
Kazuhiko Honjo
口頭発表（招待・特別）, 英語, 2003 Japan-United States Joint Workshop on Space Solar Power System, 2003 Japan-United States Joint Workshop on Space Solar Power System, 国際会議
発表日 2003年07月

マイクロ波F級増幅器の３次相互変調歪み発生メカニズムの検討
河合秋絵; 関正人; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会2003年総合大会講演論文集, 国内会議
発表日 2003年03月

マイクロ波受動部品内蔵樹脂プリント基板
斎藤昭; 佐藤謙一; 小山とよこ; 渡部貢市; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会２００３年総合大会講演論文集
発表日 2003年03月

樹脂プリント基板を用いた可変帯域フィルタの基本検討
今井規夫; 本城和彦; 斎藤昭
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会2003年総合大会講演論文集
発表日 2003年03月

大学におけるマイクロ波半導体回路教育（プロセス・デバイス・回路・システムの統合化へのアプローチ） (招待講演）
本城和彦; 内田和男; 野崎眞次; 森崎弘; 中嶋信生
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 2002 IEICE Society Conference, ２００２年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会講演論文集
発表日 2002年09月

ダブルへテロGaAs/GaInP HBTのDC特性変化
降矢美穂; 高橋一真; 浜俊彦; 小野洋; 内田和男; 野崎眞次; 森崎弘; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 第６３回応用物理学会学術講演会予稿集
発表日 2002年09月

CADを用いたマイクロ波半導体回路設計「その２」
本城和彦
その他, 日本語, 電気通信大学共同研究センター高度技術研修テキスト
発表日 2002年09月

CADを用いたマイクロ波半導体回路設計「その１」
本城和彦
その他, 日本語, 電気通信大学共同研究センター高度技術研修テキスト
発表日 2002年09月

アレイアンテナの基本特性と制御回路の現状
本城和彦
その他, 日本語, 超電導応用基盤技術動向調査委員会第３小委員会報告「超電導の大電力・高周波応用
発表日 2002年05月

超高速化合物デバイスとその応用 (招待講演）
本城和彦
口頭発表（招待・特別）, 日本語, Electron Device Research Meeting, IEEJ, 電気学会電子デバイス研究会資料
発表日 2002年03月

基本波リアクタンス補償型F級負荷回路の回路素子数削減
小林由紀子; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会総合全国大会講演論文集, 国内会議
発表日 2002年03月

RF集積回路の高効率化
本城和彦
その他, 日本語, 超低電力動作集積システム 調査研究報告書Ⅱ 電子情報技術産業協会
発表日 2002年03月

ミリ波へテロ接合トランジスタの高性能化と超高効率回路への応用 (招待講演）
本城和彦
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 電子情報通信学会マイクロ波ミリ波フォトニクス研究会, 電子情報通信学会マイクロ波ミリ波フォトニクス研究会資料
発表日 2001年11月

2001年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告
本城和彦; 徳満恒雄; 末松憲治; 細谷健一; 宮崎守泰; 穴田哲夫; 李可人; 新井宏之
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 信学技報 電子デバイス/マイクロ波合同研究会, 国内会議
発表日 2001年09月

S-C帯信号源
本城和彦
その他, 日本語, 超電導応用基盤技術動向調査委員会第３小委員会報告「超電導の大電力・高周波応用」, 超電導応用基盤技術動向調査委員会第３小委員会
発表日 2001年05月

HBTを用いたKa帯MMIC高出力増幅器
山之内慎吾; 田中愼一; 天宮泰; 丹羽隆樹; 山崎仁; 細谷健一; 嶋脇秀徳; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成１２年度電子情報通信学会総合全国大会講演論文集, 国内会議
発表日 2000年03月

λ／4±δ長先端開放スタブ共振器を用いた低位相雑音38GHｚ帯HBTMMIC発振器
細谷健一; 田中愼一; 天宮泰; 丹羽隆樹; 間々田正行; 嶋脇秀徳; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成１２年度電子情報通信学会総合全国大会講演論文集
発表日 2000年03月

MMIC発振器を用いた小型アクテイブ集積アンテナアレイ
安岡芳久; 加藤; 川崎繁男; 鈴木康之; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成１２年度電子情報通信学会総合全国大会講演論文集, 国内会議
発表日 2000年03月

MMIC発振器を用いたセラミック基板上のアクティブ集積アンテナアレイ
安岡芳久; 川崎繁男; 鈴木康之; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技報, 国内会議
発表日 1999年09月

HBT Technology for Microwave and Millimeterwave Application (Invited)
Kazuhiko Honjo; Shinichi Tanaka; Hidenori Shimawaki
口頭発表（招待・特別）, 英語, 1999 General Assembly URSI, 1999 General Assembly URSI, 国際会議
発表日 1999年08月

強結合法を用いた23GHz帯アクテｲブ集積アンテナアレイの試作
早田和樹; 安岡芳久; 中田裕之; 大久保直樹; 川崎繁男; 鈴木康之; 本城和彦; 金近正之; 平田圭一
口頭発表（一般）, 日本語, 平成11年度電子情報通信学会総合大会, 電子情報通信学会, 国内会議
発表日 1999年03月

CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHz帯アクティブ集積アンテナの試作
早田和樹; 安岡芳久; 中田裕之; 清田春信; 川崎繁男; 鈴木康之; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告, 国内会議
発表日 1999年02月

900MHｚ帯高効率SiMOSMMICパワーアンプ
松野典朗; 矢野仁之; 鈴木康之; 椿; 戸田鉄; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学技術報告, 国内会議
発表日 1999年01月

GaAs-based HBT technology for millimeter wave (Invited)
Kazuhiko Honjo
口頭発表（招待・特別）, 英語, The 3rd RIEC International Symposium on Novel Techniques and applications of millimeter-waves, The 3rd RIEC International Symposium on Novel Techniques and applications of millimeter-waves, Sendai, Japan, 国際会議
発表日 1998年12月

部分整合回路付きHBTチップを用いたKa帯高出力増幅器
田中愼一; 天宮泰; 丹羽隆樹; 間々田正行; 嶋脇秀徳; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成10年度電子情報通信学ソサエテイ大会講演論文集, 電子情報通信学会, 国内会議
発表日 1998年09月

携帯電話用Si PowerMOSFETの歪み特性の検討
平山知央; 松野典朗; 鈴木康之; 渡辺寿郎; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成10年度電子情報通信学会総合全国大会講演論文集, 国内会議
発表日 1998年03月

Siデバイスのマイクロ波応用における課題
松野典朗; 鈴木康之; 矢野仁之; 平山知央; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電気学会電子デバイス研究会, 国内会議
発表日 1998年03月

900MHｚ帯POWER MOSFETの大信号シミュレーション
松野典朗; 矢野仁之; 鈴木康之; 井上壽明; 戸田鉄; 小瀬; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会電子デバイス・マイクロ波・集積回路合同研究会資料, 電子情報通信学会, 国内会議
発表日 1998年01月

Issue on Si Power devices in view of microwave circuit technology (Invited)
鈴木; 松野; 矢野; 平山; 本城
口頭発表（招待・特別）, 英語, 1997 Microwave Workshops & Exhibition(MWE97,Digest/PS1-3, 273-280), 招待, 1997 Microwave Workshops & Exhibition, 国内会議
発表日 1997年12月

マイクロ波研究における弁証法的創造思考の実践 (招待講演）
本城和彦
口頭発表（招待・特別）, 日本語, IEICE Microwave Reserch Group Meeting, 電子情報通信学会 技術研究報告
発表日 1997年12月

Power MOSFETの高効率化の検討
平山知央; 矢野仁之; 近松聖; 松野典朗; 鈴木康之; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成９年度秋期応用物理学会学術講演会, 電子情報通信学会, 国内会議
発表日 1997年10月

隣接チャネル漏洩電力の解析
松野典朗; 矢野仁; 鈴木康之; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成8年度電子情報通信学会ソサエテｲ大会講演論文集, 国内会議
発表日 1997年09月

35GHｚ帯１W高出力HBT増幅器
田中愼一; 天宮泰; 村上誠一; 間々田正行; 嶋脇秀徳; 後藤典夫; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成９年度電子情報通信学会ソサエテｲ大会講演論文集, 国内会議
発表日 1997年09月

Power MOSFETの相互変調歪み特性における電源回路の影響
松野典朗; 矢野仁之; 鈴木康之; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術報告(マイクロ波研究会), 国内会議
発表日 1997年09月

61％付加電力効率を有するデジタル携帯電話用高出力AlGaAs/GaAsHBT
羽山信幸; 金昌祐; 高橋秀樹; 後藤典夫; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成９年度電子情報通信学会総合全国大会講演論文集, 国内会議
発表日 1997年03月

Power MOSFETの相互変調歪み特性における電源回路の影響
松野典朗; 矢野仁; 鈴木康之; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成９年度電子情報通信学会総合全国大会講演論文集, 国内会議
発表日 1997年03月

CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHｚ帯アクテｲブ集積アンテナの試作
早田和樹; 安岡芳久; 中田裕之; 大久保直樹; 清田春信; 川崎繁男; 鈴木康之; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会マイクロ波研究会
発表日 1997年02月

高ｆmaxGaAs系HBTとアナログ／マイクロ波応用
本城和彦
その他, 日本語, 電気学会超高速デバイス調査専門委員会, 電気学会
発表日 1996年11月

高ｆmaxGaAs系HBTとアナログ／マイクロ波応用 (招待講演）
本城和彦
口頭発表（招待・特別）, 日本語, IEEJ Ultra-High Speed Device Group Meeting, 電気学会超高速デバイス調査専門委員会
発表日 1996年11月

0.5μmゲート長HJFETを用いた2.4GHz帯PLLIC
矢野仁之; 松野典朗; 鈴木康之; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成８年度電子情報通信学会ソサエテｲ大会講演論文集
発表日 1996年09月

900MHｚ帯POWER MOSFETの大信号シミュレーション
松野典朗; 矢野仁之; 鈴木康之; 本城和彦; 井上壽明; 戸田鉄; 小瀬泰
口頭発表（一般）, 日本語, 平成８年度電子情報通信学会ソサエテｲ大会講演論文集
発表日 1996年09月

40Gbps光伝送用HBTプリアンプ
鈴木康之; 嶋脇秀徳; 天宮泰; 永野暢雄; 矢野仁之; 後藤典夫; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会マイクロ波研究会
発表日 1996年07月

高出力高効率K帯HBT
田中愼一; 村上誠一; 天宮泰; 嶋脇秀徳; 間々田正行; 後藤典夫; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術報告(マイクロ波研究会)
発表日 1996年06月

42％付加電力効率を有する26GHｚ帯パワーHBT
田中愼一; 村上誠一; 天宮泰; 嶋脇秀徳; 間々田正行; 後藤典夫; 本城和彦; 石田; 斎藤; 山本
口頭発表（一般）, 日本語, 平成８年度電子情報通信学会総合大会講演論文集
発表日 1996年03月

デジタル携帯電話用高効率・高線形・高出力AlGaAs/GaAs HBT
金昌祐; 羽山信幸; 高橋秀樹; 後藤典夫; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成８年度電子情報通信学会総合大会講演論文集
発表日 1996年03月

94GHz帯HBTMMIC増幅器
嶋脇秀徳; 村上誠一; 天宮泰; 田中愼一; 間々田正行; 後藤典夫; 本城和彦; 近藤秀敏; 松村; 堂園茂
口頭発表（一般）, 日本語, 平成８年度電子情報通信学会総合大会講演論文集, 国内会議
発表日 1996年03月

40Gbps光伝送用HBTプリアンプ
鈴木康之; 嶋脇秀徳; 天宮泰; 永野暢雄; 矢野仁之; 後藤典夫; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成８年度電子情報通信学会総合大会講演論文集
発表日 1996年03月

再成長外部ベース層を有するミリ波高出力HBTのベースコンタクトの検討
天宮泰; 嶋脇秀徳; 金昌祐; 田中愼一; 村上誠一; 古畑直規; 間々田正行; 後藤典夫; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会電子デバイス／マイクロ波合同研究会
発表日 1996年01月

L-band and Ka band power HBT (Invited)
K.Honjo; S.Tanaka; C.W.Kim; N.Goto; Y.Amamiya; H.Shimawaki; N.Hayama
口頭発表（招待・特別）, 英語, IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Workshop, IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Workshop, 国際会議
発表日 1995年12月

高出力Siバイポーラトランジスタにおける歪み解析
鈴木康之; 後藤典夫; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成7年度電子情報通信学会ソサエテｲ大会講演論文集
発表日 1995年09月

P＋＋再成長外部ベースを有するマイクロ波ミリ波高出力HBT
田中愼一; 金昌祐; 天宮泰; 嶋脇秀徳; 三好陽介; 古畑直規; 後藤典夫; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成７年度電子情報通信学会ソサエテｲ大会講演論文集
発表日 1995年09月

P+再成長外部ベースを有するHBTプリアンプ
永野暢雄; 天宮泰; 嶋脇秀徳; 鈴木康之; 手塚宏; 洲崎哲行; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成７年度電子情報通信学会ソサエテｲ大会講演論文集
発表日 1995年09月

ラテラル型へテロ再成長ベースコンタクトを有する高ｆｍａｘ AlGaAs／InGaAs HBT
天宮泰; 嶋脇秀徳; 古畑直規; 間々田正行; 後藤典夫; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成７年度秋季応用物理学会学術講演会予稿集
発表日 1995年08月

赤外放射温度計によるAlGaAs／GaAs高出力HBTの表面温度分布測定
三好陽介; 金昌祐; 羽山信幸; 田中愼一; 後藤典夫; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成７年度秋季応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会
発表日 1995年08月

マイクロ波ミリ波帯高出力へテロ接合バイポーラトランジスタ
後藤典夫; 田中愼一; 金昌祐; 天宮泰; 嶋脇秀徳; 三好陽介; 古畑直規; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電気学会電子デバイス研究会
発表日 1995年08月

移動体通信用パワーHBTの熱解析と電力特性
金昌祐; 三好陽介; 高橋秀樹; 羽山信幸; 後藤典夫; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会信学技報(マイクロ波研究会)
発表日 1995年07月

InGaAsエッチング停止層を用いたAlGaAs／GaAsHBTの検討
三好陽介; 田中愼一; 後藤典夫; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成７年度春季応用物理学関係連合講演会予稿集
発表日 1995年03月

再成長外部ベース層を有するマイクロ波ミリ波帯パワーHBT
天宮泰; 金昌祐; 後藤典夫; 田中愼一; 古畑直規; 間々田; 嶋脇秀徳; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会マイクロ波電子デバイス合同研究会
発表日 1995年01月

AlGaAs/GaAsHBT20Gbps光通信用IC
永野暢雄; 早田征明; 手塚宏; 洲崎哲行; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会マイクロ波電子デバイス合同研究会
発表日 1995年01月

InGaAsエッチング停止層によるHBTエミッタメサの高精度形成
三好陽介; 田中愼一; 嶋脇秀徳; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成６年度秋季応用物理学会学術講演会予稿集
発表日 1994年09月

P+－P再成長外部ベースを有するAlGaAs／GaAsHBTの高出力動作時の安定性
天宮泰; 後藤典夫; 田中愼一; 古畑直規; 間々田; 金昌祐; 嶋脇秀徳; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成６年度秋季応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会
発表日 1994年09月

スパイラルコイルを用いた20GbpsHBTプリアンプIC
手塚宏; 永野暢雄; 早田征明; 洲崎哲行; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成６年度電子情報通信学会秋季大会講演論文集
発表日 1994年09月

HBTによる10Gbpsクロック抽出用IC
早田征明; 永野暢雄; 手塚宏; 洲崎哲行; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成６年度電子情報通信学会秋季大会講演論文集
発表日 1994年09月

25GHｚ帯HBT高出力増幅回路の検討
金昌祐; 後藤典夫; 天宮泰; 田中愼一; 嶋脇秀徳; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成６年度電子情報通信学会秋季大会講演論文集
発表日 1994年09月

AlGaAs／GaAsHBT20Gbps変調器駆動回路
永野暢雄; 手塚宏; 洲崎哲行; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成６年度電子情報通信学会秋季大会講演論文集エレクトロニクス(2)
発表日 1994年09月

P+－GaAs選択再成長と空乏化AlGaAsパッシベイションによるGaAs系HBTの高性能化
本城和彦; 嶋脇秀徳; 天宮泰; 羽山信幸; 三好陽介
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会春季全国大会
発表日 1994年03月

P+－GaAs選択再成長と空乏化AlGaAsパッシベイションによるGaAs系HBTの高性能化 (招待講演）
本城; 嶋脇; 天宮; 羽山; 三好
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 1994年電子情報通信学会総合全国大会(SC6-5), 電子情報通信学会春季全国大会、SC6-5，1994年３月26日, 国内会議
発表日 1994年03月

パワーHBTにおける熱特性の解析
金昌祐; 後藤典夫; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成６年度春季応用物理学関係連合講演会予稿集
発表日 1994年03月

fmax224GHz外部ベース選択成長AlGaAs／InGaAsHBT
嶋脇秀徳; 天宮泰; 古畑直規; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成５年度秋季応用物理学会学術講演会予稿集
発表日 1993年09月

AlGaAs/GaAsHBTの移動体通信用ﾊﾟﾜｰ素子への応用
後藤典夫; 羽山信幸; 高橋秀樹; 嶋脇秀徳; 天宮泰; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会春季大会
発表日 1993年03月

AlGaAs/GaAsHBTにおける外部ベース表面準位による電流利得への影響のシミュレーション
金昌祐; 後藤典夫; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成5年度春季応用物理学関係連合講演会予稿集
発表日 1993年03月

ヘテロガードリングを有するサブミクロン平方AlGaAs/GaAsHBT
上田陽介; 羽山信幸; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成５年度春季応用物理学関係連合講演会予稿集
発表日 1993年03月

CドープAlGaAs／GaAsHBTの通電時の安定性評価
天宮泰; 嶋脇秀徳; 羽山信幸; 後藤典夫; 高橋秀樹; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成５年度春季応用物理学関係連合講演会予稿集
発表日 1993年03月

APMC92, 5th Australian Symposium on Millimeter ans Sub-millimeter Waves, およびURSI参加報告
粟井; 上綱; 小林; 堤; 二川; 本城; 水野; 安元
その他, 日本語, 電子情報通信学会マイクロ波研究会資料
発表日 1993年02月

MOMBE高濃度Cドープ外部ベース層を有するAlGaAs/GaAsHBT
嶋脇秀徳; 天宮泰; 古畑直規; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会電子デバイス研資
発表日 1993年01月

Beドープベース層を有するInGaAs系およびAlGaAs系HBTの特性変動評価
田中愼一; 笠原健資; 嶋脇秀徳; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成４年度秋季応用物理学会学術講演会
発表日 1992年09月

BeドープAlGaAs/GaAs HBTにおける通電劣化の解析
嶋脇秀徳; 天宮泰; 永野暢雄; 田中愼一; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成４年度秋季応用物理学会学術講演会
発表日 1992年09月

再結合コレクタ電流密度依存性を考慮したHBTの電流増幅率解析法
嶋脇秀徳; 天宮泰; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成４年度秋季応用物理学会学術講演会
発表日 1992年09月

P++/P+再成長コンタクトを有する外部ベース選択成長HBT
嶋脇秀徳; 天宮泰; 古畑直規; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成４年度秋季応用物理学会学術講演会
発表日 1992年09月

AlGaAs/GaAsHBT光通信用IC
永野暢雄; 州崎哲行; 早田征明; 笠原健資; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 1992 電子情報通信学会秋季大会講演論文集
発表日 1992年09月

HBT's for microwave and high speed digital Applications(Invited Paper)
Kazuhiko Honjo; Nobuyuki Hayama; Nobuo Nagano
口頭発表（招待・特別）, 英語, 5th Australian Symposium on Millimeter and Sub-millimeter Wave, 5th Australian Symposium on Millimeter and Sub-millimeter Wave, Adelaide, Australia, 国際会議
発表日 1992年08月

HBTプリアンプICを用いた高速光受信モジュール
早田征明; 永野暢雄; 竹内; 斎藤; 洲崎哲行; 藤田定男; 本城和彦; 鹿田實
口頭発表（一般）, 日本語, 平成３年度電子情報通信学会秋季全国大会講演論文集, 国内会議
発表日 1991年09月

22GHz帯モノリシックAlGaAs／GaAsHBT発振器
羽山信幸; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成３年度電子情報通信学会秋季全国大会講演論文集, 国内会議
発表日 1991年09月

AlGaAs/GaAsHBT１Kゲートアレイ
羽山信幸; 高橋秀樹; 友納譲; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成３年度電子情報通信学会秋季全国大会, 国内会議
発表日 1991年09月

Microwave and millimeter wave transistor (Invited)
Kazuhiko Honjo
口頭発表（招待・特別）, 英語, 1991 Asia Pacific Microwave Technology and Education Workshop, 1991 Asia Pacific Microwave Technology and Education Workshop, Taiwan, 国際会議
発表日 1991年09月

AlGaAs/GaAsHBTモノリシック超広帯域増幅器
永野暢雄; 州崎哲行; 嶋脇秀徳; 岡本明彦; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成３年度電子情報通信学会春季全国大会講演論文集, 国内会議
発表日 1991年03月

外部ベース選択成長技術によるHBTのベース抵抗低減
嶋脇秀徳; 古畑直規; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会電子デバイス研資
発表日 1991年01月

AlGaAs/GaAsHBTモノリシック超広帯域増幅器
永野暢雄; 州崎哲行; 嶋脇秀徳; 岡本明彦; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会電子デバイス研資
発表日 1991年01月

AlGaAs保護層付きAlGaAs/GaAsHBTの低周波雑音特性
羽山信幸; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会秋季大会講演論文集
発表日 1990年10月

MOMBEを用いた外部ベース選択成長HBTの基礎的検討
嶋脇秀徳; 古畑直規; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 平成２年度秋季応用物理学会学術講演会
発表日 1990年09月

AlInAs/InGaAs HBTの電流利得のエミッタサイズ効果
田中愼一; 古川昭雄; 馬場寿夫; 本城和彦; 水田正志
口頭発表（一般）, 日本語, 平成２年春季応用物理学会学術講演会
発表日 1990年03月

AlGaAs保護層を有する完全セルフアラインAlGaAs/GaAsHBT
羽山信幸; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 信学会電子デバイス研資(マイクロ波研究会合同)
発表日 1990年01月

AlInAs/InGaAs HBTにおける高ｆTバイアス領域の制御の検討
田中愼一; 古川昭雄; 馬場寿夫; モハマド・マデイヒアン; 本城和彦; 水田正志
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会応用電子物性分科会
発表日 1989年07月

化合物HBTの高速化および回路応用
本城和彦
公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等, 日本語, 大阪大学半導体物性等研究会, 大阪大学, 国内会議
発表日 1989年06月

Circuit Applications of Self-Aligned HBTs (Invited paper)
Kazuhiko Honjo
口頭発表（招待・特別）, 英語, 13th Workshop on Compound Semiconductor Devices and ICs, IEEE, Cabourg, France, 国際会議
発表日 1989年05月

AlInAs/InGaAs HBTの電子輸送と高周波特性
田中愼一; 古川昭雄; 馬場寿夫; モハマド・マデイヒアン; 本城和彦; 水田正志
口頭発表（一般）, 日本語, 平成元年春季応用物理学会学術講演会
発表日 1989年04月

AlGaAs/GaAsセルフアラインHBTを用いた20－28GHｚ帯モノリシック発振器
モハマド・マデイヒアン; 嶋脇秀徳; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 信学会電子デバイス研資,IEICE Microwave Research Group Meeting
発表日 1989年01月

四元混晶InAlGaAsを用いたHBTの結晶設計とセルフアライン微細素子加工
田中愼一; 古川昭雄; 馬場寿夫; 太田邦一; モハマド・マデイヒアン; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和63年度秋季応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会
発表日 1988年10月

K-Ka帯AlGaAs/GaAsHBTモノリシック発振器
モハマド・マデイヒアン; 嶋脇秀徳; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会秋季全国大会講演論文集, 応用物理学会
発表日 1988年09月

セルフアラインAlGaAs/GaAsHBTを用いた高速MUX、DMUXの設計
友納譲; 高野勇; モハマド・マデイヒアン; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会秋季全国大会講演論文集, 電子情報通信学会
発表日 1988年09月

CML構成高速完全セルフアラインAlGaAs/GaAsIC
羽山信幸; モハマド・マデイヒアン; 豊島秀雄; 高橋秀樹; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和63年度春季総合全国大会講演論文集, 電子情報通信学会
発表日 1988年03月

低位相雑音Ku帯AlGaAs/GaAsHBT発振器
モハマド・マデイヒアン; スティーブ・レセージ; 羽山信幸; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和63年度春季総合全国大会講演論文集, 電子情報通信学会
発表日 1988年03月

Ku帯AlGaAs/GaAsHBT発振器
モハマド・マデイヒアン; スティーブ・レセージ; 羽山信幸; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 信学会電子デバイス研資
発表日 1988年01月

高速完全セルフアラインAlGaAs/GaAs ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
羽山信幸; モハマド・マデイヒアン; 岡本明彦; 豊島秀雄; 高橋秀樹; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 信学会電子デバイス研資
発表日 1988年01月

セルフアラインAlGaAs/GaAs HBTを用いたロジックファミリの設計試作
モハマド・マデイヒアン; 田中愼一; 羽山信幸; 岡本明彦; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和62年度電子情報通信学会半導体材料部門全国大会講演論文集, 電子情報通信学会
発表日 1987年11月

高速AlGaAs/GaAs HBT SSI ロジックファミリ
モハマド・マデイヒアン; 田中愼一; 羽山信幸; 岡本明彦; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 信学会電子デバイス研資
発表日 1987年11月

高速完全セルフアラインAlGaAs/GaAsHBTの試作
羽山信幸; モハマド・マデイヒアン; 岡本明彦; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和62年度秋季応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会
発表日 1987年10月

パターン反転法によるセルフアラインAlGaAs/GaAs HBTの試作
田中愼一; モハマド・マデイヒアン; 豊島秀雄; 羽山信幸; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和62年度秋季応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会
発表日 1987年10月

サブミクロン完全セルフアラインAlGaAs/GaAsHBTプロセス
羽山信幸; 岡本明彦; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和62年度春季応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会
発表日 1987年03月

サブミクロン完全セルフアラインAlGaAs/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ
羽山信幸; モハマド・マデイヒアン; 岡本明彦; 町田; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 信学会電子デバイス研資, 電子情報通信学会
発表日 1987年01月

ｆT＝45GHz AlGaAs/GaAsセルフアラインHBTの設計、試作およびモデリング
モハマド・マデイヒアン; 本城和彦; 豊島秀雄; 熊代成孝
口頭発表（一般）, 日本語, 信学会電子デバイス研資
発表日 1986年11月

２次元デバイスシミュレータを用いた自己整合AlGaAs／GaAs HBTの設計
本城和彦; モハマド・マデイヒアン; 熊代成孝
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和61年度信学会光電波部門全国大会講演論文集, 電子情報通信学会
発表日 1986年09月

マイクロ波AlGaAs／GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ発振器
モハマド・マデイヒアン; 羽山信幸; 本城和彦; 豊島秀雄
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和61年度信学会総合全国大会講演論文集, 電子情報通信学会
発表日 1986年03月

マイクロ波AlGaAs/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ
羽山信幸; 本城和彦; モハマド・マデイヒアン; 豊島秀雄; 草飼良江
口頭発表（一般）, 日本語, 信学会半導体トランジスタ研資
発表日 1986年01月

AlGaAs／GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタの試作
羽山信幸; 本城和彦; モハマド・マデイヒアン; 草飼良江; 豊島秀雄
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和60年度信学会半導体材料部門全国大会講演論文集, 電子情報通信学会
発表日 1985年11月

4GHz帯AlGaAs／GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ増幅器
モハマド・マデイヒアン; 本城和彦; 草飼良江
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和60年度信学会半導体材料部門全国大会講演論文集, 電子情報通信学会
発表日 1985年11月

11GHz帯GaAsモノリシックアナログ１／４分周器
本城和彦; モハマド・マデイヒアン; 草飼良江
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和60年度信学会半導体材料部門全国大会講演論文集, 電子情報通信学会
発表日 1985年11月

11GHz帯GaAsモノリシック電圧制御発振器
モハマド・マデイヒアン; 本城和彦; 草飼良江
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和60年度信学会半導体材料部門全国大会講演論文集, 電子情報通信学会
発表日 1985年11月

11GHz帯GaAsモノリシックアナログ１／４分周器
本城和彦; モハマド・マデイヒアン; 草飼良江
口頭発表（一般）, 日本語, 信学会電子デバイス研資, 電子情報通信学会
発表日 1985年07月

11GHz帯GaAsモノリシック電圧制御発振器
モハマド・マデイヒアン; 本城和彦; 草飼良江
口頭発表（一般）, 日本語, 信学会電子デバイス研資, 電子情報通信学会
発表日 1985年07月

X帯低雑音GaAsモノリシック周波数コンバータ
本城和彦; 細野泰宏; 杉浦禎彦
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和59年度光電波部門全国大会講演論文集, 電子情報通信学会
発表日 1984年10月

X帯GaAsモノリシック低雑音３段増幅器
本城和彦; 細野泰宏; 杉浦禎彦
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和59年度光電波部門全国大会講演論文集, 電子情報通信学会
発表日 1984年10月

帯低雑音GaAsモノリシック周波数コンバータ
本城和彦; 細野泰宏; 杉浦禎彦
口頭発表（一般）, 日本語, 信学会マイクロ波研資, 電子情報通信学会
発表日 1984年09月

12GHz帯GaAsデユアルゲートMESFETモノリシックミキサ
杉浦禎彦; 本城和彦; 辻力
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和58年度信学会半導体材料部門全国大会講演論文集, 電子情報通信学会
発表日 1983年09月

12GHz帯GaAsデユアルゲートMESFETモノリシックミキサ
杉浦禎彦; 本城和彦; 辻力
口頭発表（一般）, 日本語, 信学会マイクロ波研資
発表日 1983年07月

12GHz帯低雑音GaAsモノリシック増幅器
杉浦禎彦; 伊藤仁; 辻力; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和58年度信学会総合全国大会講演論文集, 電子情報通信学会
発表日 1983年04月

抵抗負荷型GaAsモノリシック広帯域増幅器の温度特性
本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 信学会総合全国大会, 電子情報通信学会
発表日 1983年04月

イオン注入技術を用いた12GHz帯GaAsモノリシック低雑音増幅器
伊藤仁; 杉浦禎彦; 本城和彦; 辻力; 小沢敏晴
口頭発表（一般）, 日本語, 信学会半トラ研資, 電子情報通信学会
発表日 1983年01月

100MHz－8.5GHｚ帯GaAsモノリシック増幅器
本城和彦; 杉浦禎彦
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和57年度信学会光電波部門全国大会講演論文集, 電子情報通信学会, 国内会議
発表日 1982年08月

イオン注入技術を用いた低消費電力低雑音GaAsモノリシック増幅器
本城和彦; 杉浦禎彦; 小沢敏晴; 辻力
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和57年度信学会光電波部門全国大会講演論文集, 電子情報通信学会
発表日 1982年08月

イオン注入技術を用いた短電極間構造低雑音GaAsMESFET
伊藤仁; 辻力; 本城和彦; 杉浦禎彦
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和57年度信学会光電波部門全国大会講演論文集, 電子情報通信学会
発表日 1982年08月

100MHz－8.5GHｚGaAsモノリシック増幅器
本城和彦; 杉浦禎彦
口頭発表（一般）, 日本語, 信学会マイクロ波研資, 国内会議
発表日 1982年07月

イオン注入技術を用いた低消費電力GaAsモノリシック広帯域増幅器
本城和彦; 杉浦禎彦; 小沢敏晴; 辻力
口頭発表（一般）, 日本語, 信学会マイクロ波研資、MW82－15、pp.79－86、, 国内会議
発表日 1982年05月

MMIC用集中定数素子の設計法とX帯増幅器の試作
伊藤仁; 杉浦禎彦; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和57年度信学会総合全国大会講演論文集, 電子情報通信学会, 国内会議
発表日 1982年03月

超広帯域GaAsモノリシック増幅器
本城和彦; 杉浦禎彦; 伊藤仁
口頭発表（一般）, 日本語, 信学会半導体材料部門全国大会講演論文集, 電子情報通信学会, 国内会議
発表日 1981年10月

超広帯域GaAsモノリシック増幅器
本城和彦; 杉浦禎彦; 伊藤仁
口頭発表（一般）, 日本語, 信学会マイクロ波研資, 国内会議
発表日 1981年07月

超広帯域GaAsFET増幅器
本城和彦; 高山洋一郎
口頭発表（一般）, 日本語, 信学会マイクロ波研資, 国内会議
発表日 1980年10月

700kHz－６GHz GaAsFET増幅器
本城和彦; 高山洋一郎
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和55年度信学会光電波部門全国大会講演論文集, 電子情報通信学会, 国内会議
発表日 1980年09月

MLS用5GHz帯25WGaAsFET増幅器
本城和彦; 高山洋一郎; 小野寺源一
口頭発表（一般）, 日本語, 信学会マイクロ波研資, 国内会議
発表日 1980年07月

内部整合技術によるマイクロ波GaAsFETの高出力・広帯域化
本城和彦; 高山洋一郎; 東坂浅光
口頭発表（一般）, 日本語, 信学会マイクロ波研資, 国内会議
発表日 1980年01月

５GHz帯15W内部整合化GaAsFETおよび20W増幅器
本城和彦; 高山洋一郎
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和54年度信学会半導体材料部門全国大会講演論文集, 電子情報通信学会
発表日 1979年10月

６GHｚ帯高出力GaAsFETの内部整合化 －２５W出力ー
本城和彦; 高山洋一郎; 東坂浅光
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和５４年度電子通信学会半導体材料部門全国大会講演論文集, 電子情報通信学会, 国内会議
発表日 1979年10月

リセス構造高耐圧高出力GaAsFET
東坂浅光; 古塚岐; 本城和彦; 高山洋一郎; 長谷川文夫
口頭発表（一般）, 日本語, 信学会半トラ研資／マイクロ波研資, 国内会議
発表日 1979年01月

６GHz帯15W内部整合化GaAsFETならびに20W増幅器
本城和彦; 高山洋一郎; 古塚岐; 東坂浅光
口頭発表（一般）, 日本語, 信学会マイクロ波研資
発表日 1979年01月

6GHz帯高出力GaAsFET広帯域内部整合
本城和彦; 高山洋一郎; 長谷川文夫
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和53信学会総合全国大会講演論文集, 電子情報通信学会
発表日 1978年03月

簡単なリセス構造による高耐圧高出力GaAsFET
古塚岐; 本城和彦; 東坂浅光; 高山洋一郎; 長谷川文夫
口頭発表（一般）, 日本語, 信学会半トラ研資, 電子情報通信学会, 国内会議
発表日 1978年01月

Cバンド高出力GaAsFETの広帯域内部整合
本城和彦; 高山洋一郎; 東坂浅光
口頭発表（一般）, 日本語, 信学会マイクロ波研究会資料
発表日 1977年07月

Cバンド高出力GaAsFETの内部整合化
高山洋一郎; 本城和彦; 小川忠幸; 東坂浅光; 長谷川文夫
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和５２年度電子通信学会総合全国大会講演論文集, 電子情報通信学会
発表日 1977年03月

線形周波数変動のある発振器への注入同期現象
本城和彦; 古川静二郎; 荻田陽一郎
口頭発表（一般）, 日本語, 昭和５１年度電子通信学会全国大会講演論文集, 電子情報通信学会
発表日 1976年03月

注入同期型TRAPATT増幅器に関する研究
古川静二郎; 荻田陽一郎; 本城和彦
口頭発表（一般）, 日本語, 電子通信学会マイクロ波波研究会資料, 電子情報通信学会
発表日 1974年08月

伝送回路論
2010年04月 - 2016年09月
電気通信大学

集積回路学
2005年04月 - 2016年09月
電気通信大学

集積回路設計特論
2004年04月 - 2016年09月
電気通信大学大学院

Advanced Topics on LSI Design
2004年04月 - 2016年09月
The University of Electro-Communications

電子回路学
2011年04月 - 2014年09月
電気通信大学

総合コミュニケ―ション科学
2009年 - 2012年
電気通信大学

回路システム学
2002年 - 2012年
電気通信大学

電気回路学
2005年
電気通信大学

伝送工学特論
2001年04月 - 2003年09月
電気通信大学大学院

半導体工学特論
1999年04月 - 2002年03月
青山学院大学大学院

1980年 - 現在
IEEE

1974年 - 現在
電子情報通信学会

パーソナルエリア高速大容量無線通信・無線電力伝送モジュールの研究開発
石川亮
総務省, 先進的電波有効利用型研究開発
研究期間 2019年06月 - 2021年03月

メタマテリアル技術を用いたリコンフィギュラブルＲＦスイッチの開発
水谷浩
文部科学省, 科学研究費補助金（基盤研究Ｃ）
研究期間 2017年04月 - 2020年03月

ループアンテナアレイを用いた軌道角運動量超多重通信方式の研究
石川亮
総務省, 電波有効利用促進型研究開発
研究期間 2017年06月 - 2019年03月

第５世代移動通信システム実現にむけた研究開発 マルチバンド・マルチアクセス無線機構成技術（技術課題ウ-２）
山尾 泰
総務省, 電波資源開拓のための研究開発
研究期間 2015年09月 - 2019年03月

アレイ化カスコード線形ドハティ増幅器
本城 和彦
文部科学省, 科学研究費補助金(基盤研究(B)), 電気通信大学, 基盤研究(B), 研究代表者
研究期間 2014年 - 2016年

スマートデバイスモジュールを用いた双方向ワイヤレス電力・情報同時伝送システム の研究開発
本城 和彦
総務省, 戦略的情報通信研究開発推進制度(SCOPE), 研究代表者
研究期間 2013年08月 - 2015年03月

ワイヤレスICTスマートグリッドネットワークの研究開発
本城 和彦
総務省, 戦略的情報通信研究開発推進制度(SCOPE), 研究代表者
研究期間 2010年08月 - 2013年03月

単電子トランジスタのマイクロ波モデリング
本城 和彦; 石川 亮
文部科学省, 科学研究費補助金(基盤研究(C)), 電気通信大学, 基盤研究(C), 研究代表者, SETは単電子トランジスタと呼ばれるようにその名称にトランスファーレジスターを語源とするトランジスタという用語が含まれている。このトランスファーレジスター機能を最大限発揮させ、これまでＳＥＴにおいては十分議論されてこなかった電力利得と帯域に関して詳細な検討を行った。今年度は、SETの解析モデルとして内田らより提案されている電流モデル式をベースとし、この式をゲート電圧、およびドレーン電圧で編微分して得られる量をとトランスコンダクタンスおよび出力コンダクタンスと定義し高周波等価回路を導出した。この等価回路の入力端子に信号源を接続し、出力端子に負荷インピーダンスを接続したとき、入力電力を電源の有能電力で定義し、整合負荷における消費電力を出力電力と定義する。このときの出力電力と入力電力の比、すなわち有能電力利得を、ＳＥＴを構成するする上で必要な二個のトンネル接合と一個の接合容量の回路パラメータを用いて計算を行った。この結果ソース側のトンネル接合を実現可能な範囲である９０ＭΩ低下させると電力利得を４０ｄＢ改善できることが分かった。一方ドレーン側のトンネル接合は高抵抗化による電力利得向上効果と相互コンダクタンス低下による電力利得低減効果が互いの打ち消しあい、最適設計しても電力利得に大きな改善が見られないことが分かった。トンネル接合の構造とトンネル抵抗およびトンネル容量の関係も導出し、本研究で得られた電力利得計算手法とリンクさせることができるようになった。
研究期間 2011年 - 2013年

高効率・低ひずみ超高周波カスコード電力増幅器に関する研究
高山 洋一郎; 本城 和彦; 石川 亮; 本城 和彦
文部科学省, 科学研究費補助金(基盤研究(C)), 電気通信大学, 基盤研究(C), 連携研究者, 超高周波電力増幅器の高利得高出力化の回路手法として注目されているカスコード回路について,従来構成に比べて設計の自由度を拡げることにより電力効率の向上及びひずみ低減が期待できる独立バイアス形カスコード電力増幅器を提案して,GaNHEMT,InGaP/GaAsHBT及びGaAspHEMTMMICによる各提案回路構成の2GHz帯増幅器を設計製作し,従来構成のカスコード増幅器に比べて電力効率及びひずみ特性の優れた増幅器を実現した., 22560321
研究期間 2010年 - 2012年

先進安全自動車構想を実現するワイヤレスネットワーク技術の研究
中嶋 信生; 唐沢 好男; 本城 和彦; 山尾 泰; 藤井 威生
文部科学省, 科学研究費補助金(基盤研究(A)), 電気通信大学, 基盤研究(A), 連携研究者, 自動車事故防止を目的として,高信頼な車車間情報通信,高精度測位,危険の表示方法等の研究開発を行った.具体的にはMIMO+アダプティブ複号化,路側無線機中継,車の置かれた状況に応じたルーティング手法等の適用により,車車間通信の高信頼化を図ると共に,電波干渉の強い車車間通信に耐える低歪・高能率な無線回路を開発した.衝突防止に向けた車対人の相対測位ならびに歩行者の高精度電波測位では, 2. 4 GHzの周波数で推定誤差1m以下を達成した.ウェアラブル型の常時即時認識可能なドライバー用情報表示機器を実現した., 20246066
研究期間 2008年 - 2011年

近距離無線用アンテナ及び無線回路内蔵プリント基板の開発
斉藤 昭
経済産業省, 戦略的基盤技術高度化支援事業
研究期間 2006年04月 - 2010年03月

超高感度広波長域量子細線フォトディテクタアレイの開発
小倉睦郎
総務省, 戦略的情報通信研究開発促進制度(SCOPE)
研究期間 2004年10月 - 2009年03月

電磁界を考慮した半導体デバイス解析による郡遅延特性の改善
本城 和彦; 石川 亮
文部科学省, 科学研究費補助金(基盤研究(C)), 電気通信大学, 基盤研究(C), 研究代表者, 群遅延特性の均一化はUWB(3.1〜10.6GHz帯)など超広帯域無線システムの実現において重要な課題である。そこでまず、群遅延解析を行うため電磁界を考慮した半導体デバイス解析を、FDTD法をベースにした電磁界・半導体同時シミュレーションおよび実験に基づいて行った。開発した手法の有効性を確認するため、表面波導波路の一種であるPDTL線路とHEMT素子が実装された60GHz帯増幅器モジュールの解析を行い、解析結果と実験結果が良く一致することを確認した。そこで、長ゲートフィンガー構造のInGaP/GaAs HBTならびにAlGaN/GaN HEMTに対する電磁界・半導体同時シミュレーションを実施し、この結果と実験結果を比較した。これにより、高精度で電磁界・半導体同時解析を行うことができ、群遅延を含めて能動素子のマイクロ波ミリ波諸特性が精度良く解析できることが実証された。さらに、集中定数型回路ならびに分布定数形回路の有する群遅延特性を把握し、群遅延特性に優れる完全分布定数形回路によりミリ波帯スイッチMMICを実現した。また平面自己補対アンテナの最小寸法と超広帯域特性との関係を明らかにした。これらの知見を総合し、UWB用自己補対アンテナを駆動するアクティブバラン付きInGaP/GaAs HBT超広帯域MMIC増幅器ならびに群遅延補償器を設計試作し、良好な群遅延補償特性を得た。なおこの群遅延補償器は右手・左手混成系回路と右手系回路の並列接続回路から実現されている。, 18560329
研究期間 2006年 - 2007年

無線動作機能を内蔵回路で形成するプリント配線板の開発
斉藤昭
経済産業省, 地域新生コンソーシアム研究開発事業
研究期間 2004年06月 - 2006年03月

高調波処理型超高効率増幅回路の3次相互変調歪発生のメカニズムの理論的・実験的解明
本城 和彦
文部科学省, 科学研究費補助金(基盤研究(C)), 電気通信大学, 基盤研究(C), 研究代表者, 原理的には無限次までの高調波を処理できる分布定数線路を用いたF級増幅器とその回路素子数削減法を提案し、これを用いて7次高調波処理までを行うF級増幅器の試作を行った。F級増幅器は、負荷インピーダンスを偶数次高調波に対しては短絡、奇数次高調波に関しては開放とすることにより、トランジスタ出力端での電力損失を抑える回路であるが、マイクロ波の周波数帯域ではトランジスタ内部に寄生インダクタンスや寄生容量(特にベース-コレクタ間容量(Cbc))が介在するために、トランジスタ出力端子において短絡・開放条件を満たすことは難しい。このために、高調波の処理次数を上げても付加電力効率(PAE)の上昇に直ちに結びつかない。そのために、Cbcの影響少なくしたときの、処理する高調波次数とPAEの関係を調べ、F級動作時の効率改善にはCbcを減らすことが重要であることを示した。また、トランジスタのパッケージ実装の問題点を示し、ベアチップ実装を行うことにより寄生成分の緩和に努めた。基板の損失が増幅器の効率に大きく関与してくることを実験的に示し、実験においてPAEで74.2%、コレクタ効率(ηc)で76.6%の特性が得られ、実験結果から回略損失を除去した際にPAEで78.7%、ηcで81.2%が得られた。この値は2GHz帯における高効率増幅器のベンチマークである。無損失理想線路を用いたシミュレーション結果はPAEで81.5%、ηcで84.3%であるので、このHBTを用いたときの理論最大効率に近い結果が得られた。HBTを用いたF級増幅器のひずみ特性は帰還容量であるCbcが存在する昨年報告したFETの歪み特性と異なる。これを解明するためHBT増幅器の非線形伝達関数を導出し、HBTではCbcの存在のため、3次相互変調歪みを構成する複数の原因の異なるベクトル成分の間で、自己補償が起こっていることを明らかにした。自己補償が起こっている場合、歪みを発生する要因の一つを取り除くと自己補償がくずれかえって歪みが大きくなる。このことを実験と理論により確認した。なおFETを増幅素子として用いたF級増幅器では、HBTのような自己補償が起こりにくく、F級回路などで高調波処理することにより歪みの要因を一つづつ取り除くと、これに応じて3次歪み特性が良くなる。, 15560292
研究期間 2003年 - 2004年

電力伝送装置
特許権, 石川亮, 本城和彦, 高山洋一郎, 特願2013-126169, 出願日: 2013年06月14日, Japanese Patent 6218272号, 発行日: 2017年10月06日

トランジスタ最適負荷測定装置およびトランジスタ最適負荷測定方法
特許権, 石川亮, 高山洋一郎, 本城和彦, 特願2012-187060, 出願日: 2012年08月27日, Japanese Patent 6069956, 発行日: 2017年01月13日

高効率電力増幅器
特許権, 神山仁宏, 石川亮, 本城和彦, 特願2013-531380, 出願日: 2013年08月29日, Japanese Patent 5979559, 発行日: 2016年08月05日

ドハティ増幅回路
特許権, 高山洋一郎, 本城和彦, 特願2012-048448, 出願日: 2012年03月05日, 特開2013-187553, 公開日: 2013年09月19日, Japanese Patent 5924730, 発行日: 2016年04月28日

High Efficiency Power Amplifier
特許権, Masahiro Kamiyama, Ryo Ishikawa, Kazuhuiko Honjo, PCT/JP2012/071909, 出願日: 2012年08月29日, US2014/0225671A1, 公表日: 2014年08月14日, US Patent US9257948B2, 発行日: 2016年02月09日

放大器電路
特許権, 本城和彦, 高山洋一郎, 石川亮, 特願2009-130472, 出願日: 2009年06月11日, Chinese Patent CN102006019 B, 発行日: 2015年07月29日

Antenna
特許権, Yutaka Aoki, Akira Saitou, Kazuhiko Honjo, 13/819,711, 出願日: 2011年08月30日, WO2012/029793, 公開日: 2012年03月08日, US Patent US9093757B2, 発行日: 2015年07月28日

無線通信システム及び無線送信機
特許権, 本城和彦, 斉藤昭, 特願2010-241533, 出願日: 2010年10月27日, 電気通信大学, 特開2012-095155, 公開日: 2012年05月17日, Japanese Patent 5608947, 発行日: 2014年09月12日

微波高次諧波処理電路
特許権, 黒田健太, 本城和彦, 201080041664.2, 出願日: 2010年09月07日, 電気通信大学, Chinese Patent CN102498613B, 発行日: 2014年09月07日

歪補償回路
特許権, 高山洋一郎, 安藤晃洋, 本城和彦, 石川亮, 吉田剛, 特願2010-151349, 出願日: 2010年07月01日, 電気通信大学, 特開2012-015860, 公開日: 2012年01月19日, Japanese Patent 5565727, 発行日: 2014年06月27日

Mirowave Harmonic Frequency Processing Circuit
特許権, 黒田健太, 本城和彦, 特願2009-217816, 出願日: 2009年09月18日, 電気通信大学, 特開2011-66839, 公開日: 2011年03月31日, Japanese Patent 5549007, 発行日: 2014年05月30日

Mirowave Harmonic Processing Circuit
特許権, Kenta Kuroda, Kazuhiko Honjo, PCT/JP2010/065288, 出願日: 2010年09月07日, 電気通信大学, WO2011/033962, 公開日: 2011年03月24日, US2012/0169431A1, 公表日: 2012年07月05日, US Patent US8680941B2, 発行日: 2014年03月25日

増幅回路
特許権, 本城和彦, 高山洋一郎, 石川亮, 特願2009-200817, 出願日: 2009年08月31日, 電気通信大学, 特開2011-55152, 公開日: 2011年03月17日, Japanese Patent 5408616, 発行日: 2013年11月15日

複数周波円偏波アンテナ
特許権, 青木由隆, 斉藤昭, 本城和彦, 特願2010-193530, 出願日: 2010年08月31日, カシオ計算機㈱, 特開2012-054651, 公開日: 2012年03月15日, Japanese Patent 5252513, 発行日: 2013年04月26日

小型可変ビームマイクロ波アンテナ
特許権, 青木由降, 斉藤昭, 本城和彦, 特願2009-203147, 出願日: 2009年09月02日, カシオ計算機㈱，電気通信大学, 特開2011-55309, 公開日: 2011年03月17日, Japanese Patent 5212949, 発行日: 2013年03月08日

高調波処理回路及びこれを用いた増幅回路
特許権, 石川亮, 本城和彦, 特願2008-528788, 出願日: 2007年08月01日, 電気通信大学, PCT/JP2007/065057, 公開日: 2008年02月14日, Japanese Patent 5177675, 発行日: 2013年01月18日

複数周波アンテナ
特許権, 青木由隆, 斉藤昭, 本城和彦, 特願2009-180009, 出願日: 2009年07月31日, カシオ計算機㈱、ワイケーシー㈱, 特開2011-35672, 公開日: 2011年02月17日, Japanese Patent 5153738, 発行日: 2012年12月14日

Harmonic Processing Circuit and Amplifiering Circuit Using the Same
特許権, Ryo Ishikawa, Kazuhiko Honjo, 07791741.7, 出願日: 2007年08月01日, 電気通信大学, European Patent EP2058943B1, 発行日: 2012年10月03日

ドハーティ増幅回路
特許権, 高山洋一郎, 本城和彦, 特願2008-002603, 出願日: 2008年01月09日, 国立大学法人電気通信大学, 特許公開2009-165037, 公開日: 2009年07月23日, Japanese Patent 5035846, 発行日: 2012年07月13日

Harmonic Processing Circuit and Amplifying Circuit Using the Same
特許権, Ryo Ishikawa, Kazuhiko Honjo, US12/376556, 出願日: 2007年08月01日, The University of Electro-Comminications, US Patent US8164396B2, 発行日: 2012年04月24日, PCT/JP2007/065057

高次諧波処理電路以及使用了它的放大電路
特許権, 石川亮, 本城和彦, 特願20070035811.3, 出願日: 2007年08月01日, Chinese Patent CN101517892B, 発行日: 2012年04月18日

Amplifier Circuit
特許権, Kazuhiko Honjo, Yoichiro Takayama, Ryo Ishikawa, 12/872589, 出願日: 2010年08月31日, The University of Electro-Communications, Campus Create Co.,Ltd., US2011/0050350A1, 公開日: 2011年03月03日, US Patent US8154348B2, 発行日: 2012年04月10日

F級増幅回路及びF級増幅用負荷回路
特許権, 相川清志, 本城和彦, 特願2003-346421, 出願日: 2003年10月03日, ナノテコ㈱、相川清志、本城和彦, 特開2005-11700, 公開日: 2005年04月28日, Japanese Patent 4335633, 発行日: 2009年07月03日

高周波差動信号用フィルタ
特許権, 斉藤昭, 本城和彦, 特願2005-009029, 出願日: 2005年01月17日, 特開2006-197468, 公開日: 2006年07月27日, Japanese Patent 4303207, 発行日: 2009年05月01日

高周波差動信号用フィルタの構造
特許権, 斉藤昭, 本城和彦, 特願2005-082102, 出願日: 2005年03月22日, ワイケーシー㈱、キャンパスクリエイト㈱, 特開2006-270235, 公開日: 2006年10月05日, Japanese Patent 4287831, 発行日: 2009年04月03日

インターディジタルフィルター
特許権, 斉藤昭, 本城和彦, 特願2004-079886,P2004-079886, 出願日: 2004年03月19日, ワイケーシー㈱、キャンパスクリエイト㈱, 特開2005-269321,P2005-269321A, 公開日: 2005年09月29日, Japanese Patent 4209352, 発行日: 2008年10月31日

差動信号用帯域通過フィルター及びこれを複数備える多周波アンテナ
特許権, 斉藤昭, 本城和彦, 特願2004-19687,P2004-19687, 出願日: 2004年01月28日, ワイケーシー㈱、キャンパスクリエイト㈱, 特開2005-217597,P2005-217597A, 公開日: 2005年08月11日, Japanese Patent 4206045, 発行日: 2008年10月24日

超広帯域アンテナ及び超広帯域高周波回路モジュール
特許権, 斉藤昭, 本城和彦, 特願2003-365149,P2003-365149, 出願日: 2003年10月24日, ワイケーシー㈱、キャンパスクリエイト㈱, 特開2005-130292,P2005-130292A, 公開日: 2005年05月19日, Japanese Patent 4176613, 発行日: 2008年08月29日

高調波処理回路およびそれを用いた増幅回路
特許権, 小林由紀子, 本城和彦, 特願2002-034513,P2002-034513, 出願日: 2002年02月12日, キャンパスクリエイト㈱、小林由紀子、本城和彦, 特開2003-234626,P2003-234626A, 公開日: 2003年08月22日, Japanese Patent 4143805, 発行日: 2008年06月27日

Ultra-Wideband antenna and ultrahigh frequency circuit module
特許権, A.Saitou, K.Honjo, 10/971490, 出願日: 2004年10月22日, US Patent US7265717B2, 発行日: 2007年09月04日

バラクターダイオードおよび半導体集積回路装置
特許権, 野崎真次, 森崎弘, 内田和男, 本城和彦, 加藤修一, 特願2003-183174,P2003-183174, 出願日: 2003年06月26日, ナノテコ㈱, 特開2005-19736,P2005-19736A, 公開日: 2005年01月20日, Japanese Patent 4002864, 発行日: 2007年08月24日

Bandpass filter for differential signal and multifrequency antenna provided with same
特許権, Akira Saitou, Kazuhiko Honjo, 11/674499, 出願日: 2007年02月13日, YKC Coorp. Canpus Create Coorp., US2007/0126533A1, 公開日: 2007年06月07日, US Patent US7250834B2, 発行日: 2007年07月31日

Bandpass filter for differential signal and multifrequency antenna provided with same
特許権, Akira Saitou, Kazuhiko Honjo, 11/045169, 出願日: 2005年01月27日, YKC Coorp. Canpus Create Coorp., US2005/0162240A1, 公開日: 2005年06月28日, US Patent US7196597B2, 発行日: 2007年05月27日

バイポーラトランジスタ、マルチフィンガーバイポーラトランジスタ、バイポーラトランジスタ製造用エピタキシャル基板、及びバイポーラトランジスタの製造方法
特許権, 本城和彦, 内田和男, 加藤修一, 森崎弘, 野崎真次, 一戸隆久, 特願2002-229132, 出願日: 2003年08月06日, ㈱ナノテコ、本城和彦、内田和夫, 特開2004-71835, 公開日: 2004年03月04日, Japanese Patent 3942984, 発行日: 2007年04月13日

Circuit for Dealing with Higher Harmonics and Circuit forAmplifing Power Efficiency
特許権, Kazuhiko Honjo, 09/679620, 出願日: 2000年10月05日, NEC Corporation, US Patent US6396348B1, 発行日: 2002年05月28日

マイクロ波ミリ波送受信モジュール
特許権, 本城和彦, H3-186159, 出願日: 1991年07月25日, H5-67919, 公開日: 1993年03月19日, Japanese Patent 3130575, 発行日: 2000年11月17日

LSI配線構造
特許権, 本城和彦, H5-207489,H5-207489, 出願日: 1993年08月23日, H7-66292,H7-66292, 公開日: 1995年03月10日, Japanese Patent 2912131, 発行日: 1999年04月09日

トランジスタ解析装置
特許権, 本城和彦, H4-29852,H4-29852, 出願日: 1992年02月18日, H5-223885,H5-223885, 公開日: 1993年09月03日, Japanese Patent 2861585, 発行日: 1998年12月11日

モノリシックミリ波アンテナおよびその製造方法
特許権, 本城和彦, H3-180687, 出願日: 1991年07月22日, H5-29826, 公開日: 1993年02月05日, Japanese Patent 2861497, 発行日: 1998年12月11日

Method of Producing High Temperature Super-conductive Thin Film Device
特許権, Kazuhiko Honjo, 712649, 出願日: 1996年09月11日, US Patent 5845395, 発行日: 1998年12月08日

半導体集積回路
特許権, 本城和彦, H5-175250,H5-175250, 出願日: 1993年07月15日, H7-30401,H7-30401, 公開日: 1995年01月31日, Japanese Patent 2833963, 発行日: 1998年10月02日

超伝導回路の製造方法
特許権, 本城和彦, H7-236489,H7-236489, 出願日: 1995年09月14日, H9-83021,H9-83021, 公開日: 1997年03月28日, Japanese Patent 2822953, 発行日: 1998年09月04日

化合物半導体素子
特許権, 本城和彦, H3-119678, 出願日: 1991年05月24日, H4-346262, 公開日: 1992年12月02日, Japanese Patent 2738165, 発行日: 1998年01月18日

超伝導ベーストランジスタとその動作方法
特許権, 本城和彦, S63-133474,S63-133474, 出願日: 1988年05月30日, H1-302783,H1-302783, Japanese Patent 2687434, 発行日: 1997年08月22日

高出力ミリ波MMIC
特許権, 本城和彦, H6-286785, 出願日: 1994年11月21日, H8-148505, 公開日: 1996年06月07日, Japanese Patent 2679650, 発行日: 1997年08月01日

広帯域増幅器
特許権, 本城和彦, S59-234552,S59-234552, 出願日: 1984年11月07日, S61-113306,S61-113306, 公開日: 1986年05月31日, Japanese Patent 2674741, 発行日: 1997年07月18日

超伝導分布型増幅器
特許権, 本城和彦, S63-211880,S63-211880, 出願日: 1988年08月25日, H2-60215,H2-60215, 公開日: 1990年02月28日, Japanese Patent 2671423, 発行日: 1997年07月11日

ウエハースケール集積回路
特許権, 本城和彦, H2-126160,H2-126160, 出願日: 1990年05月16日, H4-25046,H4-25046, 公開日: 1992年01月28日, Japanese Patent 2621577, 発行日: 1997年04月04日

モノリシックマイクロ波ミリ波アレイアンテナモジュール
特許権, 本城和彦, H2-126159, 出願日: 1990年05月16日, H4-212203, 公開日: 1992年01月24日, Japanese Patent 2621576, 発行日: 1997年04月04日

高効率電力増幅回路
特許権, 本城和彦, H6-267724,H6-267724, 出願日: 1994年10月31日, H8-130424,H8-130424, 公開日: 1996年05月21日, Japanese Patent 2616464, 発行日: 1997年03月17日

マイクロ波１／ｎ分周器
特許権, 本城和彦, S60-79657,S60-79657, 出願日: 1985年04月15日, S61-238110,S61-238110, 公開日: 1986年10月23日, Japanese Patent 2103372, 発行日: 1996年10月22日

化合物半導体装置およびその製造方法
特許権, 本城和彦, S63-222833, 出願日: 1988年09月05日, H2-69943, 公開日: 1990年08月08日, Japanese Patent 2091095, 発行日: 1996年09月18日

化合物半導体装置およびその製造方法
特許権, 本城和彦, S63-222834,S63-222834, 出願日: 1988年09月05日, H2-69944,H2-69944, 公開日: 1990年03月08日, Japanese Patent 2091096, 発行日: 1996年09月18日

マイクロ波ミリ波高出力トランジスタ
特許権, 本城和彦, H1-258721, 出願日: 1989年10月05日, H3-121606, 公開日: 1991年05月23日, Japanese Patent 2077383, 発行日: 1996年08月09日

モノリシックマイクロ波IC
特許権, 本城和彦, S59-213876,S59-213876, 出願日: 1984年10月12日, S61-91955,S61-91955, 公開日: 1986年05月10日, Japanese Patent 2067087, 発行日: 1996年07月10日

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
特許権, 本城和彦, S61-236537,S61-236537, 出願日: 1986年10月03日, S63-90850,S63-90850, 公開日: 1988年04月21日, Japanese Patent 2534684, 発行日: 1996年06月27日

半導体装置の製造方法(ドライエッチビア）
特許権, 本城和彦, S59-31727,S59-31727, 出願日: 1984年10月11日, 日本電気株式会社, S60-176239,S60-176239, 公開日: 1986年05月08日, 特表平5-027247, 公表日: 1993年04月20日, Japanese Patent 1832623, 発行日: 1996年06月10日

半導体装置の製造方法（セルフアライン）
特許権, 本城 和彦, 特願S59-21274, 出願日: 1984年10月11日, 特開S61-90471, 公開日: 1986年05月08日, 特公平7-93318, 公表日: 1995年10月09日, Japanese Patent 205401, 発行日: 1996年06月01日

半導体装置の製造方法（サイドエッチ）
特許権, 本城 和彦, 特願S59-120412, 出願日: 1984年12月26日, 特開S60-263479, 公開日: 1985年12月26日, 特公平7-89558, 公表日: 1995年09月27日, Japanese Patent 2058399, 発行日: 1996年06月01日

高出力マイクロ波ミリ波トランジスタ安定化回路特許
特許権, 本城和彦, H1-337414, 出願日: 1989年12月25日, H3-228410, 公開日: 1991年10月09日, Japanese Patent 2050191, 発行日: 1996年05月19日

マイクロ波ダイナミック分周器
特許権, 本城和彦, S59-110164,S59-110164, 出願日: 1984年05月30日, S60-253308,S60-253308, 公開日: 1985年12月14日, Japanese Patent 2051163, 発行日: 1996年05月10日

高温超伝導マイクロストリップ線路
特許権, 本城和彦, H1-199340,H1-199340, 出願日: 1989年08月02日, H3-64101,H3-64101, 公開日: 1991年03月19日, Japanese Patent 2508281, 発行日: 1996年04月16日

高効率増幅回路
特許権, 本城和彦, H5-233010,H5-233010, 出願日: 1993年09月20日, H7-94974,H7-94974, 公開日: 1995年04月07日, Japanese Patent 2513146, 発行日: 1996年04月09日

マイクロ波増幅回路
特許権, 本城和彦, H3-81177,H3-81177, 出願日: 1991年03月22日, H6-45848,H6-45848, 公開日: 1994年02月18日, Japanese Patent 2500541, 発行日: 1996年03月13日

マイクロ波アナログ分周器
特許権, 本城和彦, S59-110166,S59-110166, 出願日: 1984年05月30日, S60-253310,S60-253310, 公開日: 1985年12月14日, Japanese Patent 2020715, 発行日: 1996年02月19日

Amplifier Circuit having Impedance Matching Circuit
特許権, Kazuhiko Honjo, 309393, 出願日: 1994年09月20日, US Patent 5473281, 発行日: 1995年12月05日

Semiconductor Integrated Circuit having an Equal Propagation Delay
特許権, Kazuhiko Honjo, 266587, 出願日: 1994年06月28日, US Patent 5448208, 発行日: 1995年09月05日

３次元集積回路
特許権, 本城和彦, S60-142273,S60-142273, 出願日: 1985年06月28日, S62-2646,S62-2646, 公開日: 1987年01月08日, Japanese Patent 1948032, 発行日: 1995年07月10日

２次元電子ガスＦＥＴ
特許権, 本城和彦, S60-145052,S60-145052, 出願日: 1985年10月14日, S62-5668,S62-5668, 公開日: 1987年01月12日, Japanese Patent 1936493, 発行日: 1995年05月26日

バイポーラトランジスタおよびその製造方法
特許権, 本城和彦, S62-219445,S62-219445, 出願日: 1987年09月01日, H1-61058,H1-61058, 公開日: 1989年03月08日, Japanese Patent 1931881, 発行日: 1995年05月12日

広帯域高効率増幅器
特許権, 本城和彦, S57-50580,S57-50580, 出願日: 1982年03月29日, S58-168308,S58-168308, 公開日: 1983年10月04日, Japanese Patent 1925339, 発行日: 1995年04月25日

Microwave Millimeter Wave Transmitting and Receiving Module
特許権, Kazuhiko Honjo, 917240, 出願日: 1992年07月23日, NEC, US Patent 5404581, 発行日: 1995年04月04日

パーミアブルベーストランジスタの製造方法
特許権, 本城和彦, S62-197668,S62-197668, 出願日: 1987年08月07日, H1-41275,H1-41275, 公開日: 1989年02月13日, Japanese Patent 1910753, 発行日: 1995年03月09日

マイクロ波受信装置
特許権, 本城和彦, S58-44749,S58-44749, 出願日: 1983年03月17日, S59-171226,S59-171226, 公開日: 1984年09月27日, Japanese Patent 1903406, 発行日: 1995年02月08日

横型バイポーラトランジスタの製造方法
特許権, 本城和彦, S62-200206,S62-200206, 出願日: 1987年08月10日, H1-42860,H1-42860, 公開日: 1989年02月15日, Japanese Patent 1896204, 発行日: 1995年01月23日

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
特許権, 本城和彦, S62-158101,S62-158101, 出願日: 1987年06月24日, S64-2359,S64-2359, 公開日: 1989年01月06日, Japanese Patent 1896197, 発行日: 1995年01月23日

超伝導モノリシックマイクロ波集積回路
特許権, 本城和彦, S62-191798,S62-191798, 出願日: 1987年07月30日, H1-35935,H1-35935, 公開日: 1989年02月07日, Japanese Patent 1891114, 発行日: 1994年12月07日

バリスティックへテロ接合バイポーラトランジスタ
特許権, 本城和彦, S61-307044,S61-307044, 出願日: 1986年12月22日, S63-158873,S63-158873, 公開日: 1988年07月01日, Japanese Patent 1891031, 発行日: 1994年12月07日

バイポーラトランジスタの製造方法
特許権, 本城和彦, S61-271320,S61-271320, 出願日: 1986年09月05日, S63-124465,S63-124465, 公開日: 1988年05月27日, Japanese Patent 1879197, 発行日: 1994年10月07日

マイクロ波帯モノリシックミキサ
特許権, 本城和彦, S58-126727,S58-126727, 出願日: 1983年07月12日, S60-18006,S60-18006, 公開日: 1985年01月30日, Japanese Patent 1871072, 発行日: 1994年09月06日

超伝導ベーストランジスタ
特許権, 本城和彦, S62-336038,S62-336038, 出願日: 1987年12月29日, H1-175780,H1-175780, 公開日: 1989年07月12日, Japanese Patent 1862735, 発行日: 1994年08月08日

バイポーラトランジスタの製造方法
特許権, 本城和彦, S61-210197,S61-210197, 出願日: 1986年11月13日, S63-65670,S63-65670, 公開日: 1988年02月24日, Japanese Patent 1855611, 発行日: 1994年07月07日

半導体装置の製造方法（ビアエッチング）
特許権, 本城 和彦, 特願S59-92137, 出願日: 1984年05月09日, 特開S60-235428, 公開日: 1980年11月22日, 特表平27248, 公表日: 1993年04月20日, Japanese Patent 1822445, 発行日: 1994年06月21日

マイクロ波分周器
特許権, 本城和彦, S59-32868,S59-32868, 出願日: 1984年02月23日, S60-177707,S60-177707, 公開日: 1985年09月11日, Japanese Patent 1851878, 発行日: 1994年06月21日

ハイブリッド型トランジスタ増幅器
特許権, 本城和彦, S57-45869,S57-45869, 出願日: 1982年03月23日, S58-162111,S58-162111, 公開日: 1983年09月26日, Japanese Patent 1851823, 発行日: 1994年06月21日

化合物半導体多層集積回路
特許権, 本城和彦, S60-152902,S60-152902, 出願日: 1985年07月11日, S62-13063,S62-13063, 公開日: 1987年01月21日, Japanese Patent 1848259, 発行日: 1994年06月07日

２次元電子ガスＦＥＴ
特許権, 本城和彦, S60-229253,S60-229253, 出願日: 1985年07月01日, S62-86867,S62-86867, 公開日: 1987年04月21日, Japanese Patent 1832713, 発行日: 1994年03月29日

Monolithic Integrated Circuit Device
特許権, Kazuhiko Honjo, 699279, 出願日: 1991年05月13日, US Patent 5202752, 発行日: 1993年04月13日

半導体装置の製造方法(アニール）
特許権, 本城 和彦, 特願S58-121313, 出願日: 1983年07月04日, 特開S60-14476, 公開日: 1985年01月25日, 特表平4-34823, 公表日: 1992年06月09日, 特許第1752671号, 発行日: 1993年04月08日

ハイブリッド型電界効果トランジスタ増幅器
特許権, 本城和彦, S57-51689,S57-51689, 出願日: 1982年04月09日, S58-155120,S58-155120, 公開日: 1983年10月17日, Japanese Utirity Model Registration 1949260, 発行日: 1993年01月19日

Stabilized Circuit of High Output Power Transistor for Microwave and Millimeterwave
特許権, Kazuhiko Honjo, 628474, 出願日: 1990年12月14日, US Patent 5177452, 発行日: 1993年01月05日

半導体ウエハーのアニ‐ル方法
特許権, 本城和彦, S58-121312,S58-121312, 出願日: 1983年07月04日, S60-14443,S60-14443, 公開日: 1985年01月25日, Japanese Patent 1679221, 発行日: 1992年07月13日

Heterojunction Bipolar Transistor with Ballistic Operation
特許権, Kazuhiko Honjo, Shinichi Tanaka, 87119044.3, 出願日: 1987年12月22日, European Patent EPC0273363, 発行日: 1992年07月08日

広帯域トランジスタ増幅器
特許権, 本城 和彦, 実願S55-91845, 出願日: 1980年06月30日, S57-15510, 公開日: 1982年01月26日, Japanese Utirity Model Registration 1866549, 発行日: 1991年09月12日

Hybrid Semiconductor Device Implemented by Combination of Heterojunction Bipolar Transistor and Field Effect Transistor
特許権, Kazuhiko Honjo, 401161, 出願日: 1989年09月01日, US Patent 5012318, 発行日: 1991年04月30日

メアンダ型伝送線路
特許権, 本城和彦, S57-18617,S57-18617, 出願日: 1982年02月08日, S58-136108,S58-136108, 公開日: 1983年08月13日, Japanese Patent 1598967, 発行日: 1991年01月28日

モノリシックマイクロ波増幅器
特許権, 本城和彦, S58-5692,S58-5692, 出願日: 1983年01月17日, S59-131208,S59-131208, 公開日: 1984年07月28日, Japanese Patent 1596514, 発行日: 1990年12月27日

マイクロ波低雑音増幅器
特許権, 本城和彦, S57-132617,S57-132617, 出願日: 1982年07月29日, S59-23609,S59-23609, 公開日: 1984年02月07日, Japanese Patent 1594121, 発行日: 1990年12月14日

低雑音広帯域電界効果トランジスタ増幅器
特許権, 本城和彦, S56-94480,S56-94480, 出願日: 1981年06月18日, S57-208709,S57-208709, 公開日: 1982年12月21日, Japanese Patent 1591191, 発行日: 1990年11月30日

Three dimensional integrated circuit
特許権, Kazuhiko Honjo, 86109293.0, 出願日: 1986年07月08日, European Patent EPC0208294, 発行日: 1990年11月28日

電界効果トランジスタ回路
特許権, 本城 和彦, 実願S55-74098, 出願日: 1980年05月29日, 実開S56-176517, 公開日: 1981年12月26日, 実案公告H2-1492, 公表日: 1990年01月18日, Japanese Utirity Model registration 1840566, 発行日: 1990年11月21日

電界効果トランジスタ
特許権, 本城和彦, S56-14970,S56-14970, 出願日: 1981年09月21日, S58-50780,S58-50780, 公開日: 1983年03月25日, Japanese Patent 1588485, 発行日: 1990年11月19日

スパイラル型伝送線路
特許権, 本城和彦, S57-18616,S57-18616, 出願日: 1982年02月08日, S58-136107,S58-136107, 公開日: 1983年08月13日, Japanese Patent 1576076, 発行日: 1990年08月24日

Heterojunction Bipolar Transistor with Ballistic Operation
特許権, Kazuhiko Honjo, Shinichi Tanaka, 136589, 出願日: 1987年12月22日, US Patent 4929997, 発行日: 1990年05月29日

半導体ウエハーの選択アニ‐ル方法
特許権, 本城和彦, S58-121318,S58-121318, 出願日: 1983年07月04日, S60-14444,S60-14444, 公開日: 1985年01月25日, Japanese Patent 1555155, 発行日: 1990年04月23日

超広帯域電界効果トランジスタ増幅器
特許権, 本城和彦, 高山洋一郎, S55-74097,S55-74097, 出願日: 1980年05月29日, S56-176516,S56-176516, 公開日: 1981年12月26日, 公表日: 1989年05月08日, Japanese Utirity Model Registration 1808155, 発行日: 1990年02月26日

超広帯域高出力トランジスタ増幅器
特許権, 本城和彦, S55-132540,S55-132540, 出願日: 1980年09月24日, S57-57014,S57-57014, 公開日: 1982年04月06日, Japanese Patent 1472305, 発行日: 1988年12月27日

Three-Dimensional Integrated Circuit
特許権, Kazuhiko Honjo, 882676, 出願日: 1986年07月07日, NEC Coorporation, US Patent 4779127, 発行日: 1988年10月18日

Monolithic Microwave Integrated Circuit Device Using High Temperature Superconductive Material
特許権, Kazuhiko Honjo, 223525, 出願日: 1988年07月25日, US Patent 4837536, 発行日: 1988年06月06日

高分解能赤外線放射測定法
特許権, 本城和彦, S54-157684,S54-157684, 出願日: 1979年07月13日, S56-79925,S56-79925, 公開日: 1981年06月30日, Japanese Patent 1436753, 発行日: 1988年04月25日

超高周波高出力FET増幅器の駆動方法
特許権, 本城和彦, S55-12200,S55-12200, 出願日: 1980年02月04日, S56-109011,S56-109011, 公開日: 1981年08月29日, Japanese Patent 1431029, 発行日: 1988年03月24日

超高周波高出力トランジスタ動作解析装置
特許権, 本城和彦, S54-56811,S54-56811, 出願日: 1979年05月09日, S55-148435,S55-148435, 公開日: 1980年11月19日, Japanese Patent 1427121, 発行日: 1988年02月25日

超高周波半導体装置用バイアス給電回路
特許権, 本城和彦, S54-2637,S54-2637, 出願日: 1978年10月20日, S55-95347,S55-95347, 公開日: 1980年07月19日, Japanese Patent 1407656, 発行日: 1987年10月27日

超高周波半導体装置用キャパシタ
特許権, 本城和彦, S55-36118,S55-36118, 出願日: 1980年03月19日, S56-139231,S56-139231, 公開日: 1981年10月21日, 公表日: 1981年10月21日, Japanese Utirity Model Registration 1678438, 発行日: 1987年05月14日

超高周波トランジスタ増幅装置
特許権, 本城和彦, S53-100734,S53-100734, 出願日: 1978年12月19日, S55-27745,S55-27745, 公開日: 1980年02月28日, Japanese Patent 1373752, 発行日: 1987年04月07日

マイクロストリップ線路型スタブ
特許権, 本城 和彦, 実願S55-131319, 出願日: 1980年09月16日, 実開S57-56002, 公開日: 1982年04月01日, 実登1669350号, 発行日: 1987年02月12日

超高周波トランジスタ増幅装置
特許権, 本城和彦, S53-160832,S53-160832, 出願日: 1978年08月17日, S55-83310,S55-83310, 公開日: 1980年06月23日, Japanese Patent 1354583, 発行日: 1986年12月14日

超高周波デバイス用直流バイアス回路
特許権, 小川忠幸, 本城和彦, S55-122007, 出願日: 1980年08月28日, 日本電気株式会社, S57-46316, 公開日: 1982年03月15日, S61-14175, 公表日: 1986年05月02日, Japanese Utirity Model Registration 1660559, 発行日: 1986年11月26日

超高周波半導体装置用インピーダンス整合回路
特許権, 本城和彦, 高山洋一郎, S53-133286,S53-133286, 出願日: 1978年08月31日, S55-51084,S55-51084, 公開日: 1980年04月03日, 昭57--18767, 公表日: 1980年04月03日, Japanese Utirity Model Registration 1642152, 発行日: 1986年06月26日

超高周波トランジスタ特性測定装置
特許権, 本城和彦, S53-71912,S53-71912, 出願日: 1978年06月13日, S54-162474,S54-162474, Japanese Patent 1349923, 発行日: 1986年01月14日

方向性結合器
特許権, 本城 和彦, 実願S54-2549, 出願日: 1979年01月12日, 実開S55-102205, 公開日: 1980年07月16日, 実登1617692号, 発行日: 1985年11月25日

超高周波半導体装置用バイアス回路
特許権, 本城 和彦, 実願S53-144362, 出願日: 1979年01月12日, 実開S55-61301, 公開日: 1980年04月25日, 実登1569255号, 発行日: 1984年09月28日

超高周波回路
特許権, 本城和彦, 高山洋一郎, 実願S52-101571, 出願日: 1977年07月28日, 実開S54-28341, 公開日: 1979年02月24日, 実公S57-17525, 公表日: 1982年04月23日, 実登1504918号, 発行日: 1983年08月26日

超高周波半導体装置
特許権, 本城和彦, 高山洋一郎, 実願S52-158583, 出願日: 1977年11月26日, 実開S54-86951, 公開日: 1979年06月20日, 実公S57-22439, 公表日: 1982年05月15日, 実登1470179号, 発行日: 1983年01月14日

超高周波半導体装置用インピーダンス整合回路（内部整合）
特許権, 本城和彦, 加藤英彦, 実願S52-40010, 出願日: 1977年03月30日, 実開S53-134633, 公開日: 1978年10月25日, 実公S57-18767, 公表日: 1982年04月20日, 実登1465686号, 発行日: 1982年12月14日