中村 淳
| 基盤理工学専攻 | 教授 |
| Ⅲ類（理工系） | 教授 |
| ナノトライボロジー研究センター | 教授 |
- プロフィール:
1990-1996 表面・界面の原子配列と電子状態、結晶成長素過程の理論研究
1996-1998 表面・界面分析実験（電子回折、走査プローブ顕微鏡、光電子分光法）の理論解析
1998-2001 表面ナノ構造（特に低次元構造）の構造安定性と電子状態の理論研究
2001- ナノスケール物性の理論計算（密度汎関数理論、バンド計算、量子モンテカルロ法、分子動力学法）
研究者情報
研究キーワード
- 触媒
- 第一原理計算
- Surface structure of solids
- Electronic properties in general
- Thin films
- Crystal structure in general;crystallography
- Dielectric properties and materials
- Magnetic properties and materials
- Methods of structure determination; diffraction crystallography
- Crystal growth
- Electronic structure
- 固体の表面構造
- 電子物性一般
- 薄膜
- 結晶構造一般；結晶学
- 誘電体
- 磁性
- 構造決定法；回折結晶学
- 結晶成長
- 電子構造
経歴
- 2012年04月01日
電気通信大学大学院情報理工学研究科先進理工学専攻, 教授 - 2007年04月01日 - 2012年03月31日
電気通信大学電気通信学部電子工学科, 准教授 - 2008年04月01日 - 2008年09月30日
東京大学物性研究所客員部門, 准教授 - 2006年04月01日 - 2007年03月31日
電気通信大学電気通信学部電子工学科, 助教授 - 2001年03月 - 2006年03月31日
電気通信大学電気通信学部電子工学科, 助手 - 1998年04月 - 2001年02月
理化学研究所, 基礎科学特別研究員 - 1997年06月 - 1998年03月
早稲田大学材料技術研究所, 専任客員講師 - 1997年04月 - 1997年05月
日本学術振興会, 特別研究員（PD） - 1995年04月 - 1997年03月
早稲田大学理工学部, 助手
学歴
委員歴
- 2024年04月 - 現在
常務理事, 日本表面真空学会, 学協会 - 2022年05月 - 現在
ジェンダー委員会委員, 日本工学アカデミー, 学協会 - 2022年04月 - 現在
協議員会委員, 日本表面真空学会, 学協会 - 2022年03月 - 現在
人材育成・教育企画委員会委員, 応用物理学会, 学協会 - 2018年01月 - 2024年04月
委員, 日本表面真空学会「表面と真空」編集委員会, 学協会 - 2022年04月 - 2023年03月
論文賞委員会委員, 日本物理学会, 学協会 - 2013年03月 - 2022年03月
会員サービス委員会, 応用物理学会, 学協会 - 2008年 - 2017年12月31日
表面科学編集委員, 表面科学会, 学協会 - 2017年04月
JJAP/APEX編集運営委員会 編集運営委員, 応用物理学会 JJAP/APEX編集運営委員会, 学協会 - 2016年03月 - 2017年03月
応用物理学会 論文誌・企画編集委員会 副委員長, 応用物理学会 論文誌・企画編集委員会, 学協会 - 2015年03月 - 2017年03月
Executive Editor, IoPP JJAP/APEX Editorial Board, その他 - 2015年03月 - 2017年03月
JJAP/APEX編集運営委員会 副委員長, 応用物理学会 JJAP/APEX編集運営委員会, 学協会 - 2015年04月 - 2016年03月
代議員推薦委員会委員, 応用物理学会, 学協会 - 2015年04月 - 2016年03月
運営委員, 男女共同参画学協会連絡会, 学協会 - 2014年03月 - 2016年03月
応用物理学会 男女共同参画委員会 委員, 応用物理学会 男女共同参画委員会, 学協会 - 2015年02月20日 - 2016年02月19日
第５４期 諮問委員, 応用物理学会 諮問委員会, 学協会 - 2014年03月 - 2015年03月
常務理事, 応用物理学会, 学協会 - 2014年03月 - 2015年03月
会員サービス委員会委員長, 応用物理学会, 学協会 - 2013年 - 2015年03月
代議員, 応用物理学会, 学協会 - 2013年03月 - 2014年03月
会員サービス委員会副委員長, 応用物理学会, 学協会 - 2013年03月 - 2014年03月
理事, 応用物理学会, 学協会 - 2010年03月 - 2011年03月
代議員選考委員会委員, 応用物理学会, 学協会 - 2007年 - 2011年
講演大会運営委員会委員, 表面科学会, 学協会 - 2008年10月 - 2010年03月
アカデミックロードマップ人材育成クラスターWG委員, 応用物理学会, 学協会 - 2008年03月 - 2010年03月
人材育成・男女共同参画委員会副委員長, 応用物理学会, 学協会 - 2006年 - 2009年
代議員, 応用物理学会, 学協会 - 2008年11月
タスクフォース委員会, 応用物理学会, 学協会 - 2007年04月 - 2008年03月
人材育成・男女共同参画委員会幹事長, 応用物理学会, 学協会 - 2006年 - 2008年
日本物理学会誌新著紹介小委員会委員, 日本物理学会, 学協会 - 2007年04月 - 2007年08月
暮らしを支える科学と技術展企画実行WG, 応用物理学会, 学協会 - 2007年04月
将来ビジョン・ロードマップワーキンググループ委員, 応用物理学会, 学協会 - 2006年02月 - 2007年03月
人材育成・男女共同参画委員会副幹事長, 応用物理学会, 学協会 - 2005年 - 2007年
プログラム編集委員, 日本物理学会, 学協会 - 2003年 - 2006年03月
男女共同参画委員会委員, 応用物理学会, 学協会 - 2005年 - 2006年
領域９世話人, 日本物理学会, 学協会 - 2006年
講演奨励賞審査委員, 応用物理学会, 学協会 - 2005年
親子の科学実験教室ワーキンググループ委員, 応用物理学会, 学協会 - 2002年
学会奨励賞審査委員, 表面科学会, 学協会 - 2002年
Physical Review / Physical Review Letters, permanent referee, 学協会
研究活動情報
受賞
- 受賞日 2023年10月
American Vacuum Society, 学生が第一著者の講演の中で優れた内容のものについて、旅費の支援（$250）をする賞。
AVS Dorothy M. and Earl S. Hoffman Travel Grant, Akira Sumiyoshi;Jun Nakamura
国際学会・会議・シンポジウム等の賞, アメリカ合衆国 - 受賞日 2021年12月
USA
ACS Appl. Energy. Mat. Cover art, Hiroshi Yabu;Koki Nakamura;Yasutaka Matsuo;Yutaro Umejima;Haruyuki Matsuyama;Jun Nakamura;Koju Ito
学会誌・学術雑誌による顕彰, アメリカ合衆国 - 受賞日 2020年07月
Marquis Who's Who
USA
Marquis Who's Who in the World and Marquis Who's Who in America
その他の賞, アメリカ合衆国 - 受賞日 2019年10月
AVS
USA
AVS Dorothy M. and Earl S. Hoffman Travel Grant, Takayuki Suga;Jun Nakamura
国際学会・会議・シンポジウム等の賞, アメリカ合衆国 - 受賞日 2019年07月
Marquis Who's Who
USA
Marquis Who's Who in the World and Marquis Who's Who in America
その他の賞, アメリカ合衆国 - 受賞日 2019年05月
Papantla市議会, Mexico合衆国Veracruz州Papantla市で開催された、Mexico物理学会固体物理学会学術講演会において基調講演を行ったことに対する表彰。
Mexico
Reconocimiento, Jun Nakamura
その他の賞 - 受賞日 2018年10月
ＡVS
USA
AVS Dorothy M. and Earl S. Hoffman Travel Grant, Shunji Goto;Jun Nakamura
国際学会・会議・シンポジウム等の賞, アメリカ合衆国 - 受賞日 2018年10月
AVS
USA
AVS Dorothy M. and Earl S. Hoffman Travel Grant, Yosuke Kikuchi;Jun Nakamura
国際学会・会議・シンポジウム等の賞, アメリカ合衆国 - 受賞日 2018年08月
Marquis Who's Who
USA
Marquis Who's Who in the World and Marquis Who's Who in America
その他の賞, アメリカ合衆国 - 受賞日 2018年03月
応用物理学会
Japan
APEX/JJAP Editorial Contribution Award, Jun Nakamura
学会誌・学術雑誌による顕彰, 日本国 - 受賞日 2017年11月
Graduate Student Sessionm Best presentation Award, Rifan Agustian;Akira Akaishi;Jun Nakamura
国際学会・会議・シンポジウム等の賞 - 受賞日 2017年08月
Marquis Who's Who
USA
Marquis Who's Who in the World and Marquis Who's Who in America
その他の賞, アメリカ合衆国 - 受賞日 2017年06月
Germany
The best presentation awards, 2nd place (SPM-5, The 5th International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies), Rifan Agustian;Akira Akaishi;Jun Nakamura
国際学会・会議・シンポジウム等の賞, ドイツ連邦共和国 - 受賞日 2015年08月
Marquis Who's Who
USA
Marquis Who's Who in the World and Marquis Who's Who in America
アメリカ合衆国 - 受賞日 2015年04月
応用物理学会
APEX/JJAP Editorial Contribution Award, Jun Nakamura
学会誌・学術雑誌による顕彰, 日本国 - 受賞日 2015年03月
応用物理学会
応用物理学会感謝状, 中村淳
その他の賞, 日本国 - 受賞日 2014年08月
Marquis Who's Who
USA
Marquis Who's Who in the World and Marquis Who's Who in America
アメリカ合衆国 - 受賞日 2013年08月
Marquis Who's Who
USA
Marquis Who's Who in the World and Marquis Who's Who in America
アメリカ合衆国 - 受賞日 2013年03月
永井科学技術財団
第３０回財団賞・研究奨励金・共同研究奨励金
出版社・新聞社・財団等の賞 - 受賞日 2012年08月
Marquis Who's Who
USA
Marquis Who's Who in the World and Marquis Who's Who in America
アメリカ合衆国 - 受賞日 2012年02月
日本表面科学会
日本表面科学会講演奨励賞 - 受賞日 2011年08月
Marquis Who's Who
USA
Marquis Who's Who in the World and Marquis Who's Who in America
アメリカ合衆国 - 受賞日 2011年02月
電気通信大学
平成２２年度電気通信大学優秀教員賞 - 受賞日 2010年08月
Marquis Who's Who
USA
Marquis Who's Who in the World and Marquis Who's Who in America
アメリカ合衆国 - 受賞日 2010年01月
American Vacuum Society
USA
Young Scientist Awards
アメリカ合衆国 - 受賞日 2009年11月
Marquis Who's Who
USA
Marquis Who's Who in the World and Marquis Who's Who in America
アメリカ合衆国 - 受賞日 2009年01月
American Vacuum Society
USA
Young Scientist Awards
アメリカ合衆国 - 受賞日 2008年11月
応用物理学会
講演奨励賞 - 受賞日 2008年11月
Marquis Who's Who
USA
Marquis Who's Who in the World and Marquis Who's Who in America
アメリカ合衆国 - 受賞日 2008年01月
35th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces
USA
Young Scientist Awards
アメリカ合衆国 - 受賞日 2007年11月
Marquis Who's Who
USA
25th Silver Anniversary Edtion of Marquis Who's Who in the World
アメリカ合衆国 - 受賞日 2006年01月
33rd Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces
USA
Young Scientist Awards
アメリカ合衆国 - 受賞日 2000年12月
日本MRS奨励賞 - 受賞日 1994年04月
早稲田大学
早稲田大学大隈記念奨学生 - 受賞日 1993年04月
早稲田大学
早稲田大学大隈記念奨学生
論文
- Investigating the Potency of Boron Doping on Graphene Nanoclusters as Catalysts for CO Reduction Reaction
Arikasuci Fitonna Ridassepri; Yutaro Umejima; Shota Sato; I. Gusti Made Sanjaya; Nur Hayati; Samik Samik; Jun Nakamura
ラスト(シニア)オーサー, ChemistrySelect, 10巻, 掲載ページ e00613-1-e00613-6, 出版日 2025年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Visualization of the local dipole moment at the Si(111) surface using DFT calculations
Akira Sumiyoshi; Kohei Yamasue; Yasuo Cho; Jun Nakamura
ラスト(シニア)オーサー, Scientific Reports, 15巻, 掲載ページ 7436, 出版日 2025年03月03日, 査読付
研究論文（学術雑誌） - B-Doped Fullerene as a Potential Metal-Free Catalyst Material for CO Reduction Reaction
Arikasuci Fitonna Ridassepri; Yutaro Umejima; Jun Nakamura
責任著者, The Journal of Physical Chemistry C, 128巻, 掲載ページ 9513-9519, 出版日 2024年06月13日, 査読付
研究論文（学術雑誌） - First-principles study on edge–edge interactions of bilayer zigzag SiC nanoribbons
Jawahir Ali Sharifi; Rongyao Sun; Jun Nakamura
責任著者, Japanese Journal of Applied Physics, 63巻, 掲載ページ 055001-1-055001-7, 出版日 2024年05月01日, 査読付
研究論文（学術雑誌） - A Functional N/S-doped Carbon Electrode from a Carbonized Bagasse Activated with Water Vapor
Fitria Rahmawati; Ainaya Febi Amalia; Arikasuci Fitonna Ridassepri; Jun Nakamura; Younki Lee
Journal of Electrochemical Science and Technology, The Korean Electrochemical Society - English Journal, 15巻, 4号, 掲載ページ 466-475, 出版日 2024年04月24日, 査読付, 国際誌, 国際共著論文, <p>This research used solid waste from sugarcane production, named bagasse, as raw material for a functional carbon electrode. The bagasse was carbonized to produce carbon powder and, following activation with water vapor at 700°C. The activated carbon was doped with N and S to improve its electrochemical properties by treating it with thiourea precursor and heating it at 850°C under nitrogen flow to produce N/S-doped carbon (NSCE). The produced carbon was then characterized to understand the specific diffraction pattern, molecular vibrations, and surface morphology. The result found that the NSCE showed two broad diffraction peaks at 23° and 43°, corresponding to [002] and [100] crystal planes following JCPDS75-1621. FTIR spectra showed some O–H, C–H, C–O, and C=C peaks. Peaks of C=N, C–N, and S–H demonstrate the presence of N/S within the NSCE. Raman analysis revealed that N/S doping caused structure defects within the single C6 layer networks, providing carbon vacancies (<inline-formula><mml:math id="m1" display="inline"><mml:semantics id="sm1"><mml:mrow><mml:msubsup><mml:mrow><mml:mi>V</mml:mi></mml:mrow><mml:mi>C</mml:mi><mml:mrow><mml:mo>•</mml:mo><mml:mo>•</mml:mo><mml:mo>•</mml:mo><mml:mo>•</mml:mo></mml:mrow></mml:msubsup></mml:mrow></mml:semantics></mml:math></inline-formula>) because of C replacement by <inline-formula><mml:math id="m2" display="inline"><mml:semantics id="sm2"><mml:mrow><mml:mtext>N </mml:mtext><mml:mo stretchy="false">(</mml:mo><mml:msubsup><mml:mrow><mml:mi>N</mml:mi></mml:mrow><mml:mi>C</mml:mi><mml:mo>′</mml:mo></mml:msubsup><mml:mo stretchy="false">)</mml:mo></mml:mrow></mml:semantics></mml:math></inline-formula> and <inline-formula><mml:math id="m3" display="inline"><mml:semantics id="sm3"><mml:mrow><mml:mtext>S </mml:mtext><mml:mo stretchy="false">(</mml:mo><mml:msubsup><mml:mrow><mml:mi>S</mml:mi></mml:mrow><mml:mi>C</mml:mi><mml:mo>″</mml:mo></mml:msubsup><mml:mo stretchy="false">)</mml:mo></mml:mrow></mml:semantics></mml:math></inline-formula>. Meanwhile, XPS analysis showed N/S introduction to the C network by revealing peaks at 168.26 eV and 169.55 eV, corresponding to S2p<sub>3/2</sub> and S2p<sub>1/2</sub>, and 171.95 eV corresponds to C–SO<sub>3</sub>–C, indicating the presence of S within the thiol group attached to the carbon. Meanwhile, N1s are revealed at 402.4 eV and 405.5 eV, confirming pyrrolic nitrogen (N-5) and quaternary nitrogen (N-Q). The electrochemical analysis found that the reaction within the prepared-NSCE/NaClO<sub>4</sub>/Na was reversible, with an onset potential of 0.1 V vs. Na/Na<sup>+</sup>, explaining the intercalation and deintercalation of sodium ions. The sodium battery full cell showed an excellent battery performance with an initial charging-discharging capacity of 720 mAh g<sup>−1</sup> and 570 mAh g<sup>−1</sup>, respectively, at 0.2C. Meanwhile, a cycling test showed the average Coulombic efficiency of 84.4% and capacity retention of 57% after 50 cycles.</p>
研究論文（学術雑誌） - Atomic structure of the Se-passivated GaAs(001) surface revisited
Akihiro Ohtake; Takayuki Suga; Shunji Goto; Daisuke Nakagawa; Jun Nakamura
Scientific Reports, Springer Science and Business Media LLC, 13巻, 1号, 出版日 2023年10月24日, 査読付, Abstract
We present a combined experimental and theoretical study of the Se-treated GaAs(001)-($$2\times 1$$) surface. The ($$2\times 1$$) structure with the two-fold coordinated Se atom at the outermost layer and the three-fold coordinated Se atom at the third layer was found to be energetically stable and agrees well with the experimental data from scanning tunneling microscopy, low energy electron diffraction, and x-ray photoelectron spectroscopy. This atomic geometry accounts for the improved stability of the Se-treated surface against the oxidation. The present result allows us to address a long-standing question on the structure of the Se-passivated GaAs surface, and will leads us to a more complete understanding of the physical origin of the electrical and chemical passivation of Se-treated GaAs surface.
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Hydrogen storage on tin carbide monolayers with transition metal adatoms
Lucia G. Arellano; Alma L. Marcos-Viquez; Francisco De Santiago; Álvaro Miranda; Luis A. Pérez; Jun Nakamura; Miguel Cruz-Irisson
International Journal of Hydrogen Energy, Elsevier BV, 48巻, 96号, 出版日 2023年04月, 査読付
研究論文（学術雑誌） - Theoretical prediction of two-dimensional II-V compounds
Lucia G. Arellano; Takayuki Suga; Taichi Hazama; Taichi Takashima; Miguel Cruz-Irisson; Jun Nakamura
ラスト(シニア)オーサー, PHYSICAL REVIEW MATERIALS, 7巻, 1号, 出版日 2023年01月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Tunable electronic properties of silicon nanowires as sodium-battery anodes
Lucia Guadalupe Arellano; Fernando Salazar; Álvaro Miranda; Alejandro Trejo; Luis Antonio Pérez; Jun Nakamura; Miguel Cruz-Irisson
Int. J. Energy Res., Wiley, 46巻, 掲載ページ 17151-17162, 出版日 2022年07月15日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Size optimization of a N-doped graphene nanocluster for the oxygen reduction reaction
Haruyuki Matsuyama; Jun Nakamura
責任著者, ACS Omega, ACS, 7巻, 3号, 掲載ページ 3093-3098, 出版日 2022年01月12日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Pyrolysis-Free Oxygen Reduction Reaction (ORR) Electrocatalysts Composed of Unimolecular Layer Metal Azaphthalocyanines Adsorbed onto Carbon Materials
Hiroshi Yabu; Koki Nakamura; Yasutaka Matsuo; Yutaro Umejima; Haruyuki Matsuyama; Jun Nakamura; Koju Iton
ACS Appl. Energy Mat., ACS, 4巻, 12号, 掲載ページ 14380-14389, 出版日 2021年12月27日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Ab initio study of hydrogen storage on metal-decorated GeC monolayers
Lucia Guadalupe Arellano; Francisco De Santiago; Álvaro Miranda; Luis Antonio Pérez; Fernando Salazar; Alejandro Trejo; Jun Nakamura; Miguel Cruz-Irisson
International Journal of Hydrogen Energy, Elsevier BV, 46巻, 57号, 掲載ページ 29261-29271, 出版日 2021年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Edge-State-Induced Stacking of Zigzag Graphene Nanoribbons
T.Asano; J.Nakamura
責任著者, ACS Omega, American Chemical Society, 4巻, 26号, 掲載ページ 22035-22040, 出版日 2019年12月09日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Fe azaphthalocyanine unimolecular layers (Fe AzULs) on carbon nanotubes for realizing highly active oxygen reduction reaction (ORR) catalytic electrodes
Hiroya Abe; Yutaro Hirai; Susumu Ikeda; Yasutaka Matsuo; Haruyuki Matsuyama; Jun Nakamura; Tomokazu Matsue; Hiroshi Yabu
NPG Asia Materials, Springer-Nature, 11巻, 1号, 掲載ページ 57 (1)-57 (12), 出版日 2019年12月01日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - 典型的な二元系化合物半導体の新しい超薄膜構造
中村淳
表面と真空, 日本表面真空学会, 62巻, 11号, 掲載ページ 686-686, 出版日 2019年11月10日, 査読付, 招待
日本語 - Effect of Water on the Manifestation of the Reaction Selectivity of Nitrogen-Doped Graphene Nanoclusters toward Oxygen Reduction Reaction
Haruyuki Matsuyama; Akira Akaishi; Jun Nakamura
ACS Omega, ACS, 4巻, 2号, 掲載ページ 3832-3838, 出版日 2019年02月21日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Softly-confined water cluster between freestanding graphene sheets
Rifan Agustian; Akira Akaishi; Jun Nakamura
AIP Conference Proceedings, American Institute of Physics Inc., 1929巻, 掲載ページ 020006-1-020006-5, 出版日 2018年01月22日, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Plasma in Solution and Its Applications
Nagahiro Saito; Jun Nakamura; Tatsuru Shirafuji; Takahiro Ishizaki
Japanese Journal of Applied Physics, Japan Society of Applied Physics, 57巻, 1号, 掲載ページ 010201-010201, 出版日 2018年01月01日, 査読付, 招待
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Reaction Selectivity for Oxygen Reduction of N-Doped Graphene Nanoclusters
H.Matsuyama; A.Akaishi; J.Nakamura
ECS Trans., ECS, 80巻, 8号, 掲載ページ 685-690, 出版日 2017年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - グラフェンおよびグラフェンナノリボンのバリスティックフォノン熱伝導
中村 淳
表面科学学術講演会要旨集, 公益社団法人 日本表面科学会, 35巻, 掲載ページ 64-64, 出版日 2015年, 本研究では、グラフェン、およびアームチェア型あるいはジグザグ型エッジを有するグラフェンナノリボンについて、フォノンの寄与によるバリスティック熱伝導特性を明らかにした。バリスティックフォノン熱コンダクタンスはランダウア熱流束から求める。グラフェンナノリボンの単位幅当たりの熱コンダクタンスは、グラフェンより大きく、かつリボン幅が小さくなるほど上昇することがわかった。 - Origin of symmetric STM images for the asymmetric atomic configuration on GaAs(001)-c(4 × 4)α surfaces
Shigeru Kaku; Jun Nakamura; Kazuma Yagyu; Junji Yoshino
Surface Science, Elsevier, 625巻, 掲載ページ 84-89, 出版日 2014年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Erratum: Controlled incorporation of Mn in GaAs: Role of surface reconstructions
Ohtake Akihiro; Hagiwara Atsushi; Nakamura Jun
PHYSICAL REVIEW B, 87巻, 16号, 出版日 2013年04月, 査読付 - 教育の質保証評価ツールとしてのカリキュラムマップ
桑田正行; 安藤芳晃; 西一樹; 中村淳; 田中勝己
電気通信大学紀要, 電気通信大学, 25巻, 1号, 掲載ページ 41-50, 出版日 2013年02月, The curriculum map (CM) provides a reasonable framework for quality assurance of education in certified evaluation and accreditation, accountability of university education, curriculum reform, and instructional improvement. Therefore, creation of CMs and its website have been made at many universities. However, there is nothing that described quantitatively how the CM is utilized for quality assurance of education. Then, in this paper, we describe the following things: (1) creation of the CM in the University of Electro-Communications, (2) in some viewpoints, scoring and visualization of the created CM, (3) the concrete guideline of the visualized CM's practical use as a tool to assess education achievement for quality assurance of education.
研究論文（大学，研究機関等紀要）, 日本語 - Ballistic phonon thermal conductance in Graphene Nano-Ribbon: First-principles calculations
Jun Nakamura; Hiroki Tomita
PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, 1566巻, 掲載ページ 139-140, 出版日 2013年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - 酸化グラフェンの応用
中村淳
表面科学, 32巻, 掲載ページ 112, 出版日 2011年02月
日本語 - 応用物理学会人材育成・男女共同参画委員会における若手問題への取り組み
中村淳
放射線, 37巻, 掲載ページ 22, 出版日 2011年02月
日本語 - First-principles Calculations of the Dielectric Constant for the GeO2 Films
Masahiro Tamura; Jun Nakamura; Akiko Natori
TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS, 470巻, 掲載ページ 60-65, 出版日 2011年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Structural and electronic properties of carbon nanocylinder consisting of nanoribbon-walls with arrayed-oxygen hinges
Yuto Fujii; Akiko Natori; Jun Nakamura
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 28巻, 4号, 掲載ページ C5C8-C5C11, 出版日 2010年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - ac conductivity and dielectric constant of nanotube polymer composites
Y.Hazama; N.Ainoya; J.Nakamura; A.Natori
37th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces, 掲載ページ Mo1755, 出版日 2010年01月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Structural and electronic properties of carbon nanocylinder consisting of nanoribbon-walls with arrayed-oxygen hinges
Yuto Fujii; Akiko Natori; Jun Nakamura
Journal of Vacuum Science and Technology B:Nanotechnology and Microelectronics, AVS Science and Technology Society, 28巻, 4号, 掲載ページ C5-C11, 出版日 2010年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Dielectric properties of GeO2 ultrathin films
M.Tamura; S.Wakui; J.Nakamura; A.Natori
37th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces, 掲載ページ We1740, 出版日 2010年01月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態と電子状態
平山基; 中村淳; 名取晃子
表面科学, 30巻, 9号, 掲載ページ 532-537, 出版日 2009年09月, 査読付
日本語 - Structural and electronic properties of carbon nanotubes consisting of nanoribbon-walls with arrayed-oxygen hinges
J.Nakamura; Yuto Fujii; Motoi Hirayama; Shusuke Eguchi; Yuta Ogoshi; Jun Ito; A.Natori
10th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-10), 掲載ページ Thu-16:30-And3, 出版日 2009年09月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Dielectric constant profiles of the thin-films: alpha- and beta-quartz phases of (Si or Ge) dioxides
J.Nakamura; S.Wakui; M.Tamura; A.Natori
12th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-12), 掲載ページ Tu.A.5, 出版日 2009年07月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Structural stability and cohesive properties of the oxygen-adsorbed graphene
S.Eguchi; J.Nakamura; A.Natori
5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology(ISSS-5), 10p-p-116巻, 出版日 2008年11月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Dielectric properties of the ultra-thin La2O3(0001) film
R.Yanai; J.Nakamura; A.Natori
5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology(ISSS-5), 11p-p-5巻, 出版日 2008年11月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Conductivity and dielectric constant of anisotropic CNT/polymer composites
Y.Hazama; J.Nakamura; A.Natori
5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology(ISSS-5), 11p-p-71巻, 出版日 2008年11月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Half-metallic ground states of Mn atomic wires on GaAs(110)
M.Hirayama; J.Nakamura; A.Natori
5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology(ISSS-5), 12a-h-7巻, 出版日 2008年11月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - First-principles evaluation of the polytype-dependence of the local dielectric constant for SiC
K.Sato; Y.Iwasaki; S.Wakui; J.Nakamura; A.Natori
5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology(ISSS-5), 12p-1-13巻, 出版日 2008年11月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Size effects in friction of multiatomic sliding contacts
Masanori Igarashi; Akiko Natori; Jun Nakamura
PHYSICAL REVIEW B, 78巻, 16号, 掲載ページ 165427 (1-10), 出版日 2008年10月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Dielectric discontinuity at surfaces and interfaces: a first-principles approach
J.Nakamura; K-H.Sato; Y.Iwasaki; S.Wakui; A.Natori
International Conference on Nanoscience + Technology (ICN+T2008), NM2-TuM13巻, 出版日 2008年07月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Semiconducting nature of the oxygen-adsorbed graphene sheet
Jun Ito; Jun Nakamura; Akiko Natori
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 103巻, 11号, 掲載ページ 113712 (1-5), 出版日 2008年06月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Negative donors in multivalley semiconductors: Diffusion quantum Monte Carlo simulations
Jun-ichi Inoue; Jun Nakamura; Akiko Natori
PHYSICAL REVIEW B, 77巻, 12号, 掲載ページ 125213 (1-5), 出版日 2008年03月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Structural bistability of the oxygen-adsorbed graphene sheet
J. Nakamura; J. Ito; A. Natori
PROCEEDINGS OF THE 17TH INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS/13TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SURFACE SCIENCE/INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOSCIENCE AND TECHNOLOGY, 100巻, 掲載ページ 052019 (1-4), 出版日 2008年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Ballistic thermal conductance of a graphene sheet
Koichi Saito; Jun Nakamura; Akiko Natori
PHYSICAL REVIEW B, 76巻, 11号, 掲載ページ 115409-1 - 115409-4, 出版日 2007年09月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Mechanism of velocity saturation of atomic friction force and dynamic superlubricity at torsional resonance
Masanori Igarashi; Jun Nakamura; Akiko Natori
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 46巻, 8B号, 掲載ページ 5591-5594, 出版日 2007年08月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Simulations of scanning Tunneling Microscopy for B-/P-doped Si(111) surfaces
Motoi Hirayama; Jun Nakamura; Akiko Natori
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 46巻, 8B号, 掲載ページ 5643-5646, 出版日 2007年08月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Dielectric properties of the interface between Si and SiO2
Sadakazu Wakui; Jun Nakamura; Akiko Natori
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 46巻, 5B号, 掲載ページ 3261-3264, 出版日 2007年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - First-principles evaluations of dielectric properties from nano-scale points of view
Jun Nakamura; Sadakazu Wakui; Akiko Natori
ICSICT-2006: 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings, 掲載ページ 1407-1410, 出版日 2007年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Dielectric discontinuity at a twin boundary in Si(111)
Jun Nakamura; Akiko Natori
PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS A AND B, 893巻, 掲載ページ 5-+, 出版日 2007年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Charge correlation and spin coupling in double quantum dots
Hyuga Masu; Jun Nakamura; Akiko Natori
PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS A AND B, 893巻, 掲載ページ 775-+, 出版日 2007年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Nano-scale profile of the dielectric constant near the Si/oxide interface: A first-principles approach
J. Nakamura; S. Wakui; S. Eguchi; R. Yanai; A. Natori
ECS Transactions, 11巻, 6号, 掲載ページ 173-182, 出版日 2007年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - First-principles evaluations of dielectric constants for ultra-thin semiconducting films
J.Nakamura; A.Natori
Surface Science, 600巻, 掲載ページ 4332-4336, 出版日 2006年10月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - ac conductivity and dielectric constant of conductor-insulator composites
Tan Benny Murtanto; Satoshi Natori; Jun Nakamura; Akiko Natori
PHYSICAL REVIEW B, 74巻, 11号, 掲載ページ 115206-1 - 115206-7, 出版日 2006年09月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Charge correlation and spin coupling in double quantum dots: A quantum diffusion Monte Carlo study
Hyuga Masu; Taichi Yamada; Jun Nakamura; Akiko Natori
PHYSICAL REVIEW B, 74巻, 7号, 掲載ページ 075312-1 - 075312-8, 出版日 2006年08月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - First-principles calculations of dielectric constants for ultrathin Sio(2) films
Sadakazu Wakui; Jun Nakamura; Akiko Natori
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 24巻, 4号, 掲載ページ 1992-1996, 出版日 2006年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Structural stabilities and electronic properties for planar Si compounds
Motoi Hirayama; Jun Nakamura; Akiko Natori
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, 4巻, 掲載ページ 528-533, 出版日 2006年06月09日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Double-slip mechanism in atomic-scale friction: Tomlinson model at finite temperatures (vol 72, art no 235415, 2005)
J Nakamura; S Wakunami; A Natori
PHYSICAL REVIEW B, 73巻, 16号, 掲載ページ 169901-1, 出版日 2006年04月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Dielectric properties of hydrogen-terminated Si(111) ultrathin films
J Nakamura; S Ishihara; A Natori; T Shimizu; K Natori
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 99巻, 5号, 掲載ページ 054309-1 - 054309-5, 出版日 2006年03月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - First-principles evaluations of dielectric constants
Jun Nakamura; Sadakazu Wakui; Akiko Natori
2006 INTERNATIONAL WORKSHOP ON NANO CMOS, PROCEEDINGS, 掲載ページ 236-249, 出版日 2006年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Dielectric discontinuity at structural boundaries in Si
Jun Nakamura; Akiko Natori
Applied Physics Letters, 89巻, 5号, 掲載ページ 053118-1 - 053118-3, 出版日 2006年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Double-slip mechanism in atomic-scale friction: Tomlinson model at finite temperatures
J Nakamura; S Wakunami; A Natori
PHYSICAL REVIEW B, 72巻, 23号, 掲載ページ 235415-1 - 235415-6, 出版日 2005年12月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Electronic and magnetic properties of BNC ribbons
J Nakamura; T Nitta; A Natori
PHYSICAL REVIEW B, 72巻, 20号, 掲載ページ 205429-1 - 205429-5, 出版日 2005年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Friction in atomic scale
S.Wakunami; J.Nakamura; A.Natori
13th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques (STM05), 出版日 2005年07月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - 半導体超薄膜の誘電特性
中村淳; 名取晃子
表面科学, 26巻, 7号, 掲載ページ 392-397, 出版日 2005年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 日本語 - Two types of surface atomic structures for As-rich GaAs(001)-c(4x4)
A.Ohtake; P.Kocan; J.Nakamura; A.Natori; N.Koguchi
The 8th International Conference on the Structure of Surfaces (ICSOS-8), 掲載ページ Mo.P49, 出版日 2005年07月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Electronic and magnetic properties of BNC ribbons
T.Nitta; J.Nakamura; A.Natori
The 8th International Conference on the Structure of Surfaces (ICSOS-8), 掲載ページ Th.P36, 出版日 2005年07月
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Spatial variation in dielectric constant at surfaces of hydrogen-terminated ultra-thin Si(111) films
J.Nakamura; A.Natori
The 8th International Conference on the Structure of Surfaces (ICSOS-8), 掲載ページ Th.P35, 出版日 2005年07月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Structural stability of Si(001) and Ge(001) in external electric fields
J Nakamura; A Natori
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 44巻, 7B号, 掲載ページ 5413-5416, 出版日 2005年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Energy barrier for dimer flipping at the Si(001)-(2x1) surface in external electric fields
J Nakamura; A Natori
PHYSICAL REVIEW B, 71巻, 11号, 掲載ページ 113303-1 - 113303-4, 出版日 2005年03月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Energy barrier for dimer flipping at the Si(001)-2 x 1 surface in external electrostatic fields
J Nakamura; A Natori
PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS A AND B, 772巻, 掲載ページ 371-372, 出版日 2005年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Dielectric properties of ultra-thin films
J Nakamura; S Ishihara; H Ozawa; A Natori
PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS A AND B, 772巻, 掲載ページ 951-952, 出版日 2005年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Ge/Si(113)-(2x2) surfaces: structural features induced by self-interstitial atoms
Z.H.Zhang; K.Sumitomo; J.Nakamura
Wuli, 33巻, 掲載ページ 708-712, 出版日 2004年10月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Ga-As dimer structure for the GaAs(001)-c(4x4) surface
A Ohtake; J Nakamura; N Koguchi; A Natori
SURFACE SCIENCE, 566巻, 掲載ページ 58-62, 出版日 2004年09月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Atomic scale friction of nanoscale clusters
K.Ohno; T.Nitta; J.Nakamura; A.Natori
Journal of Vacuum Science and Technology B, 22巻, 掲載ページ 2026-2029, 出版日 2004年08月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Kinetics in surface reconstructions on GaAs(001)
A Ohtake; P Kocan; J Nakamura; A Natori; N Koguchi
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 92巻, 23号, 掲載ページ 236105-1 - 236105-4, 出版日 2004年06月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - First-principles study on the atomic and electronic structures of the Au/Si(111)-alpha(Sqrt3xSqrt3)R30 surface
T.Kadohira; J.Nakamura; S.Watanabe
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, 2巻, 掲載ページ 146-150, 出版日 2004年04月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Direct observation of Au deposition processes on the InSb{111}A,B-(2x2) surfaces
S.P.Cho; J.Nakamura; N.Tanaka; T.Osaka
Nanotechnology, 15巻, 掲載ページ S371-S375, 出版日 2004年04月, 査読付
英語 - Band discontinuity at ultrathin SiO2/Si(001) interfaces
M Watarai; J Nakamura; A Natori
PHYSICAL REVIEW B, 69巻, 3号, 掲載ページ 035312-1 - 035312-6, 出版日 2004年01月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Ge/Si(113)-2x2表面の構造安定性と応力異方性
中村淳; 張朝暉; 住友弘二; 尾身博雄; 荻野俊郎; 名取晃子
表面科学, 24巻, 9号, 掲載ページ 526-530, 出版日 2003年09月, 査読付
日本語 - 極薄SiO2/Si界面のエネルギー障壁の第一原理計算
渡会雅敏; 中村淳; 名取晃子
表面科学, 24巻, 9号, 掲載ページ 550-555, 出版日 2003年09月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 日本語 - Dynamics of c(4 x 2) phase-transition in Si(100) surfaces
A Natori; M Osanai; J Nakamura; H Yasunaga
APPLIED SURFACE SCIENCE, 212巻, 掲載ページ 705-710, 出版日 2003年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Structural stability of the Ge/Si(113)-2 x 2 surface
J Nakamura; ZH Zhang; K Sumitomo; H Omi; T Ogino; A Natori
APPLIED SURFACE SCIENCE, 212巻, 掲載ページ 724-729, 出版日 2003年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Au/InSb(111)A系における合金形成過程
趙星彪; 原尚子; 成瀬延康; 門平卓也; 中村淳; 大坂敏明
表面科学, 日本表面科学会, 24巻, 2号, 掲載ページ 111-117, 出版日 2003年02月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 日本語 - New structure model for the GaAs(001)-c(4x4) surface
A.Ohtake; J.Nakamura; S.Tsukamoto; N.Koguchi; A.Natori
Physical Review Letters, 89巻, 掲載ページ 206102-1 - 206102-4, 出版日 2002年10月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Atomic structures of the Ge/Si(113)-(2X2) surface
ZH Zhang; K Sumitomo; H Omi; T Ogino; J Nakamura; A Natori
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 88巻, 25号, 掲載ページ 256101-1 - 256101-4, 出版日 2002年06月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - New Structure Model for the [Formula presented] Surface
Akihiro Ohtake; Jun Nakamura; Shiro Tsukamoto; Nobuyuki Koguchi; Akiko Natori
Physical Review Letters, 89巻, 20号, 出版日 2002年
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Theoretical study on the structural phase transition of Si(111)root 3 x root 3-Ag surface
Y Nakamura; Y Kondo; J Nakamura; S Watanabe
SURFACE SCIENCE, 493巻, 1-3号, 掲載ページ 206-213, 出版日 2001年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - STM images apparently corresponding to a stable structure: Considerable fluctuation of a phase boundary of the Si(111)-(root 3 x root 3)-Ag surface
Y Nakamura; Y Kondo; J Nakamura; S Watanabe
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 87巻, 15号, 掲載ページ 156102-1-156102-4, 出版日 2001年10月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Surface structures of GaAs{111}A,B-(2 × 2)
A. Ohtake; J. Nakamura; T. Komura; T. Hanada; T. Yao; H. Kuramochi; M. Ozeki
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 64巻, 掲載ページ 453181-453188, 出版日 2001年07月15日 - Structural and cohesive properties of a C-60 monolayer
J Nakamura; T Nakayama; S Watanabe; M Aono
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 87巻, 4号, 掲載ページ 0483011-0483014, 出版日 2001年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Surface structures of GaAs{111}A,B-(2X2)
A Ohtake; J Nakamura; T Komura; T Hanada; T Yao; H Kuramochi; M Ozeki
PHYSICAL REVIEW B, 64巻, 4号, 掲載ページ 0453181-0453188, 出版日 2001年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Structural stability and electronic states of gold nanowires
J Nakamura; N Kobayashi; S Watanabe; M Aono
SURFACE SCIENCE, 482巻, 掲載ページ 1266-1271, 出版日 2001年06月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Anisotropic electronic structure of the Si(111)-(4x1)In surface
J Nakamura; S Watanabe; M Aono
PHYSICAL REVIEW B, 63巻, 19号, 掲載ページ 193307-1-193307-4, 出版日 2001年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Wurtzite-zinc-blende polytypism in ZnSe on GaAs(111)A
A Ohtake; J Nakamura; M Terauchi; F Sato; M Tanaka; K Kimura; T Yao
PHYSICAL REVIEW B, 63巻, 19号, 掲載ページ 195325-1-195325-4, 出版日 2001年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Surface structures of (formula presented)
Akihiro Ohtake; Jun Nakamura; Takuji Komura; Takashi Hanada; Takafumi Yao; Hiromi Kuramochi; Masashi Ozeki
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 64巻, 4号, 出版日 2001年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Electronic states and structural stability of gold nanowires
Jun Nakamura; Nobuhiko Kobayashi; Masakazu Aono
RIKEN Review, 37巻, 掲載ページ 17-20, 出版日 2001年, 査読付
研究論文（大学，研究機関等紀要）, 英語 - Structural and electronic properties of two-dimensional C60
Jun Nakamura; Tomonobu Nakayama; Satoshi Watanabe; Masakazu Aono
Trans.Mat.Res.Soc.Jpn., 26巻, 掲載ページ 1167-1170, 出版日 2001年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Structural ordering on Si(111)root 3 x root 3-Ag surface: Monte Carlo simulation based on first-principles calculations
Y Nakamura; Y Kondo; J Nakamura; S Watanabe
PROCEEDINGS OF THE 25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS I AND II, 87巻, 掲載ページ 295-296, 出版日 2001年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語 - Strain relaxation in InAs/GaAs(111)A heteroepitaxy
A Ohtake; M Ozeki; J Nakamura
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 84巻, 20号, 掲載ページ 4665-4668, 出版日 2000年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Study of diffusion and defects by medium-energy coaxial impact-collision ion scattering spectroscopy
T Kobayashi; CF McConville; J Nakamura; G Dorenbos; H Sone; T Katayama; M Aono
DEFECTS AND DIFFUSION IN SEMICONDUCTORS, 183-1巻, 掲載ページ 207-213, 出版日 2000年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Atomic and electronic structure of the Si(111)-Sqrt(3)×Sqrt(3)-Ag surface re-examined by using first-principles calculation
S.Watanabe; Y.Kondo; Y.Nakamura; J.Nakamura
Sci. Tech. Adv. Mat., 1巻, 3号, 掲載ページ 167-172, 出版日 2000年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Photoinduced products in a C-60 monolayer on Si(111)(root 3x root 3)-Ag: An STM study
T Nakayama; J Onoe; K Nakatsuji; J Nakamura; K Takeuchi; M Aono
SURFACE REVIEW AND LETTERS, 6巻, 6号, 掲載ページ 1073-1078, 出版日 1999年12月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Structure and electronic states for a single strand of gold atoms
J.Nakamura; M.Aono
RIKEN Review, 25巻, 掲載ページ 34-36, 出版日 1999年, 査読付
研究論文（大学，研究機関等紀要）, 英語 - Chemical bonding features for faultily stacked interfaces of GaAs{111}
J Nakamura; T Mishima; MH Masui; M Sawayanagi; SP Cho; M Nishizawa; T Eguchi; T Osaka
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 16巻, 4号, 掲載ページ 2426-2431, 出版日 1998年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Direct imaging of the evolving Au/InSb(III) B interface
T Mishima; J Nakamura; K Tsukada; M Nishizawa; T Eguchi; T Osaka
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 16巻, 4号, 掲載ページ 2324-2327, 出版日 1998年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Structure of the InSb(111)A-(2 root 3x2 root 3)-R30 degrees surface and its dynamical formation processes
M Nishizawa; T Eguchi; T Misima; J Nakamura; T Osaka
PHYSICAL REVIEW B, 57巻, 11号, 掲載ページ 6317-6320, 出版日 1998年03月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Structure and electronic states of the alpha-Sn(111)-(2x2) surface
T Eguchi; J Nakamura; T Osaka
JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN, 67巻, 2号, 掲載ページ 381-384, 出版日 1998年02月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Reflection high-energy electron diffraction analysis of the InSb{111}A,B-(2x2) surfaces
A Ohtake; J Nakamura
SURFACE SCIENCE, 396巻, 1-3号, 掲載ページ 394-399, 出版日 1998年01月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Nucleation of Au on KCl(001)
J Nakamura; T Kagawa; T Osaka
SURFACE SCIENCE, 389巻, 1-3号, 掲載ページ 109-115, 出版日 1997年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Structural stability and its electronic origin of the GaAs(111)A-2x2 surface
J Nakamura; H Nakajima; T Osaka
APPLIED SURFACE SCIENCE, 121巻, 掲載ページ 249-252, 出版日 1997年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - s-character of MX4 (M=C, Si, Ge, X=F, Cl, Br, I) molecules
J Nakamura; H Konogi; H Sato; T Osaka
JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN, 66巻, 6号, 掲載ページ 1656-1659, 出版日 1997年06月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Initial growth processes of Ag on polar and non-polar semiconductor substrates
A Ohtake; J Nakamura; T Osaka
SURFACE SCIENCE, 380巻, 1号, 掲載ページ L437-L440, 出版日 1997年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Geometry and lattice formation of surface layers of Sn growing on InSb{111}A,B
A Ohtake; J Nakamura; T Eguchi; T Osaka
PHYSICAL REVIEW B, 54巻, 15号, 掲載ページ 10358-10361, 出版日 1996年10月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - Surfactant-induced bond strengthening in As-grown film surfaces
J Nakamura; H Konogi; T Osaka
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 35巻, 4A号, 掲載ページ L441-L443, 出版日 1996年04月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語 - INHOMOGENEOUS CHARGE-TRANSFER IN AN INCOMMENSURATE SYSTEM
J NAKAMURA; H KONOGI; T OSAKA
PHYSICAL REVIEW B, 51巻, 8号, 掲載ページ 5433-5436, 出版日 1995年02月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語
MISC
- オゾンの効率的な生成を促す局所原子配列
中村淳
日本表面真空学会, 出版日 2021年10月10日, 表面と真空, 64巻, 10号, 掲載ページ 482-482, 日本語, 査読付, 招待, 記事・総説・解説・論説等（学術雑誌） - Plasma in Solution and Its Applications FOREWORD
Nagahiro Saito; Jun Nakamura; Tatsuru Shirafuji; Takahiro Ishizaki
出版日 2018年01月, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 57巻, 1号, 掲載ページ 010201, 英語, その他, 0021-4922, 1347-4065, WOS:000414177400001 - 26pPSB-36 Mn吸着(2×2)-GaAs(001)表面構造および電子状態(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
菅野 雄介; 大竹 晃浩; 中村 淳
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2012年03月05日, 日本物理学会講演概要集, 67巻, 1号, 掲載ページ 964-964, 日本語, 1342-8349, 110009568361, AA11439205 - 23pPSB-7 GaAs(001)-(2×2)Mn表面の原子配列と電子状態評価(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
菅野 雄介; 大竹 晃浩; 平山 基; 中村 淳
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2011年08月24日, 日本物理学会講演概要集, 66巻, 2号, 掲載ページ 946-946, 日本語, 1342-8349, 110008760711, AA11439205 - 23aWS-9 Sb安定化GaSb(001)-(2x5)表面の原子配列(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
大竹 晃浩; 平山 基; 中村 淳
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2010年08月18日, 日本物理学会講演概要集, 65巻, 2号, 掲載ページ 838-838, 日本語, 1342-8349, 110008099606, AA11439205 - 21aGL-7 HfO_2・SiO_2薄膜における酸素欠損近傍の局所誘電率評価(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
涌井 貞一; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2010年03月01日, 日本物理学会講演概要集, 65巻, 1号, 掲載ページ 934-934, 日本語, 1342-8349, 110007657266, AA11439205 - 21aHW-4 Si/SiO_2量子井戸内D-イオン束縛エネルギーの井戸幅依存性 : valley-orbit相互作用効果(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
千葉 朋; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2010年03月01日, 日本物理学会講演概要集, 65巻, 1号, 掲載ページ 714-714, 日本語, 1342-8349, 110007656460, AA11439205 - 22pGL-5 GaAs(110)表面上のMnAs単分子層膜の磁性(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
平山 基; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2010年03月01日, 日本物理学会講演概要集, 65巻, 1号, 掲載ページ 954-954, 日本語, 1342-8349, 110007657336, AA11439205 - 23aXB-1 GaAs(001)-(2×4)-Sb吸着構造の再検討(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
大竹 晃浩; 平山 基; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2008年08月25日, 日本物理学会講演概要集, 63巻, 2号, 掲載ページ 849-849, 日本語, 1342-8349, 110006985646, AA11439205 - 20aXA-14 GaAs(110)表面上のGa置換Mnナノワイヤの原子配置とスピン・電子状態(20aXA 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
平山 基; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2008年08月25日, 日本物理学会講演概要集, 63巻, 2号, 掲載ページ 363-363, 日本語, 1342-8349, 110006983801, AA11439205 - 22pTA-12 グラフェンリボンのバリスティック熱コンダクタンス(22pTA 領域7,領域4合同 グラフェン・電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
山口 翔; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2008年08月25日, 日本物理学会講演概要集, 63巻, 2号, 掲載ページ 769-769, 日本語, 1342-8349, 110006985341, AA11439205 - 25pWF-11 ナノスケールの摩擦機構 : ティップサイズ効果(粉体・摩擦・地震,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
五十嵐 正典; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2008年02月29日, 日本物理学会講演概要集, 63巻, 1号, 掲載ページ 316-316, 日本語, 1342-8349, 110007196323, AA11439205 - 26pTD-9 不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算II : STM像の不純物原子種依存性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
平山 基; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2008年02月29日, 日本物理学会講演概要集, 63巻, 1号, 掲載ページ 908-908, 日本語, 1342-8349, 110007194323, AA11439205 - 25pTD-3 SiO_2/Si(001)界面におけるナノスケール誘電特性の第一原理計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
涌井 貞一; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2008年02月29日, 日本物理学会講演概要集, 63巻, 1号, 掲載ページ 892-892, 日本語, 1342-8349, 110007194376, AA11439205 - 22aPS-124 グラフェンのバリスティック熱伝導特性(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
齋藤 浩一; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2007年08月21日, 日本物理学会講演概要集, 62巻, 2号, 掲載ページ 693-693, 日本語, 1342-8349, 110007142740, AA11439205 - 21aTG-9 酸素吸着グラフェンの構造双安定性の第一原理計算(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
伊藤 潤; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2007年02月28日, 日本物理学会講演概要集, 62巻, 1号, 掲載ページ 920-920, 日本語, 1342-8349, 110007192295, AA11439205 - 18pTG-9 第一原理計算によるSiO_2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性評価(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
涌井 貞一; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2007年02月28日, 日本物理学会講演概要集, 62巻, 1号, 掲載ページ 878-878, 日本語, 1342-8349, 110007192364, AA11439205 - 18pTG-10 不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
平山 基; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2007年02月28日, 日本物理学会講演概要集, 62巻, 1号, 掲載ページ 878-878, 日本語, 1342-8349, 110007192363, AA11439205 - 18pWH-4 有限温度原子レベル摩擦機構 : 1次元Tomlinsonモデルによる解析(領域9,領域10合同シンポジウム ナノスコピック系の摩擦の物理:摩擦の素過程と制御,領域9,表面・界面,結晶成長)
中村 淳
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2007年02月28日, 日本物理学会講演概要集, 62巻, 1号, 掲載ページ 880-880, 日本語, 1342-8349, 110007191575, AA11439205 - 23pYH-3 原子摩擦力の速度飽和機構(23pYH 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
五十嵐 正典; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2006年08月18日, 日本物理学会講演概要集, 61巻, 2号, 掲載ページ 727-727, 日本語, 1342-8349, 110007179456, AA11439205 - 29pXB-13 縦型2重量子ドットのスピン結合と磁場制御(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
桝 日向; 山田 太一; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2006年03月04日, 日本物理学会講演概要集, 61巻, 1号, 掲載ページ 698-698, 日本語, 1342-8349, 110007178048, AA11439205 - 29pXJ-1 Si(111)双晶境界近傍の局所的誘電率変化(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2006年03月04日, 日本物理学会講演概要集, 61巻, 1号, 掲載ページ 889-889, 日本語, 1342-8349, 110007179750, AA11439205 - 21aPS-51 原子レベルの摩擦機構(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
湧波 信弥; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2005年08月19日, 日本物理学会講演概要集, 60巻, 2号, 掲載ページ 767-767, 日本語, 1342-8349, 110004559841, AA11439205 - 21pYE-7 SiC多形超薄膜の誘電特性(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2005年08月19日, 日本物理学会講演概要集, 60巻, 2号, 掲載ページ 780-780, 日本語, 1342-8349, 110004559896, AA11439205 - 20aYE-7 SiO_2超薄膜の誘電特性(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
涌井 貞一; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2005年08月19日, 日本物理学会講演概要集, 60巻, 2号, 掲載ページ 742-742, 日本語, 1342-8349, 110004559751, AA11439205 - 22pYE-3 グラフェンシートの酸素吸着と拡散過程の第一原理計算(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
伊藤 潤; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2005年08月19日, 日本物理学会講演概要集, 60巻, 2号, 掲載ページ 791-791, 日本語, 1342-8349, 110004559940, AA11439205 - 27aXD-9 BNリボンの磁性II(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
新田 敏浩; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2005年03月04日, 日本物理学会講演概要集, 60巻, 1号, 掲載ページ 882-882, 日本語, 1342-8349, 110004537427, AA11439205 - 24aPS-145 2次元シリコン化合物の原子構造と電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
平山 基; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2005年03月04日, 日本物理学会講演概要集, 60巻, 1号, 掲載ページ 838-838, 日本語, 1342-8349, 110004537264, AA11439205 - 15pXG-14 Si(001)-2×1 ダイマー表面におけるフリップフロップ運動の外部電場依存性(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2004年08月25日, 日本物理学会講演概要集, 59巻, 2号, 掲載ページ 849-849, 日本語, 1342-8349, 110002050816, AA11439205 - 15aPS-9 超微粒子分散媒質の高周波電気伝導特性(領域 9)
名取 諭史; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2004年08月25日, 日本物理学会講演概要集, 59巻, 2号, 掲載ページ 825-825, 日本語, 1342-8349, 110002050521, AA11439205 - 15aPS-10 ヘテロ基板上原子クラスタのマジックサイズと摩擦(領域 9)
大野 景太; 新田 敏浩; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2004年08月25日, 日本物理学会講演概要集, 59巻, 2号, 掲載ページ 825-825, 日本語, 1342-8349, 110002050524, AA11439205 - 15pXG-4 As 安定化 GaAs(001)-c(4×4) 表面における安定および準安定構造(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
大竹 晃浩; Kocan P.; 中村 淳; 名取 晃子; 小口 信行
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2004年08月25日, 日本物理学会講演概要集, 59巻, 2号, 掲載ページ 847-847, 日本語, 1342-8349, 110002050786, AA11439205 - 15aPS-81 BN リボンの磁性(領域 9)
新田 敏浩; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2004年08月25日, 日本物理学会講演概要集, 59巻, 2号, 掲載ページ 842-842, 日本語, 1342-8349, 110002050736, AA11439205 - 14aXG-3 Si 超薄膜の誘電特性 II(表面界面電子物性, 領域 9)
中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2004年08月25日, 日本物理学会講演概要集, 59巻, 2号, 掲載ページ 813-813, 日本語, 1342-8349, 110002050388, AA11439205 - 29pYA-7 2重量子ドットのスピン結合(量子ドット(伝導理論・スピン効果・量子リング))(領域4)
山田 太一; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2004年03月03日, 日本物理学会講演概要集, 59巻, 1号, 掲載ページ 696-696, 日本語, 1342-8349, 110002195930, AA11439205 - 30aWP-5 Si超薄膜の誘電特性(ナノ構造量子物性)(領域9)
石原 俊介; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2004年03月03日, 日本物理学会講演概要集, 59巻, 1号, 掲載ページ 927-927, 日本語, 1342-8349, 110002200323, AA11439205 - 28pWP-3 第一原理計算によるAu/Si(111)-α(√<3>×√<3>)表面構造の研究(表面界面構造(半導体))(領域9)
門平 卓也; 中村 淳; 渡邉 聡
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2004年03月03日, 日本物理学会講演概要集, 59巻, 1号, 掲載ページ 913-913, 日本語, 1342-8349, 110002200092, AA11439205 - 20aPS-20 超薄膜の外部静電場応答特性の第一原理的評価
中村 淳; 石原 俊介; 清水 共; 名取 研二; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2003年08月15日, 日本物理学会講演概要集, 58巻, 2号, 掲載ページ 772-772, 日本語, 1342-8349, 110002063987, AA11439205 - 28pPSB-27 GaAs(001)-c(4x4) 表面上における Ga-As dimer の欠陥構造
大竹 晃浩; 中村 淳; 塚本 史郎; 小口 信行; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2003年03月06日, 日本物理学会講演概要集, 58巻, 1号, 掲載ページ 852-852, 日本語, 1342-8349, 110002223443, AA11439205 - 30pZP-11 2 重量子ドットのスピン結合制御
瀬下 裕也; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2003年03月06日, 日本物理学会講演概要集, 58巻, 1号, 掲載ページ 663-663, 日本語, 1342-8349, 110002220598, AA11439205 - 31aWD-8 Ge/Si(113)-2×2 表面の応力異方性
中村 淳; 張 朝暉; 住友 弘二; 尾身 博雄; 荻野 俊郎; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2003年03月06日, 日本物理学会講演概要集, 58巻, 1号, 掲載ページ 879-879, 日本語, 1342-8349, 110002223840, AA11439205 - 7aSM-1 GaAs(001)-c(4×4)表面に対する新たな構造モデルの提唱(表面界面構造・電子物性,領域9)
大竹 晃浩; 中村 淳; 塚本 史郎; 小口 信行; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2002年08月13日, 日本物理学会講演概要集, 57巻, 2号, 掲載ページ 753-753, 日本語, 1342-8349, 110009719782, AA11439205 - 7aSP-10 SiO2超薄膜のトンネル特性(表面ナノ構造量子物性,領域9)
渡会 雅敏; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2002年08月13日, 日本物理学会講演概要集, 57巻, 2号, 掲載ページ 761-761, 日本語, 1342-8349, 110009719815, AA11439205 - 25pPSB-60 不均一表面層の2端子間2次元電流分布(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
名取 晃子; 伊藤 哲朗; 中村 淳; 安永 均
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2002年03月01日, 日本物理学会講演概要集, 57巻, 1号, 掲載ページ 850-850, 日本語, 1342-8349, 110009774499, AA11439205 - 25pPSB-43 Si(100)面のダイマーバックリングダイナミクス(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
長内 理尚; 中村 淳; 安永 均; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2002年03月01日, 日本物理学会講演概要集, 57巻, 1号, 掲載ページ 846-846, 日本語, 1342-8349, 110009774482, AA11439205 - As安定化GaAs(001)-c(4x4)表面に対する新たな構造モデル
大竹晃浩; 中村淳; 塚本史郎; 小口信行; 名取晃子
出版日 2002年, 応用物理学会学術講演会講演予稿集, 63rd巻, 1号, 200902161685841903 - 19pPSB-38 Ge/Si(113)-2x2表面の構造安定性
中村 淳; 張 朝暉; 住友 弘二; 尾身 博雄; 荻野 俊郎; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2001年09月03日, 日本物理学会講演概要集, 56巻, 2号, 掲載ページ 762-762, 日本語, 1342-8349, 110002048708, AA11439205 - 22aBA-2 閉核イオン・原子の多重極分極率
中村 淳
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2000年09月10日, 日本物理学会講演概要集, 55巻, 2号, 掲載ページ 591-591, 日本語, 1342-8349, 110002146527, AA11439205 - 6p-B-11 α-Sn(111)-(2x2)表面の構造と電子状態II
中村 淳; 江口 豊明; 大坂 敏明
一般社団法人日本物理学会, 出版日 1997年09月16日, 日本物理学会講演概要集, 52巻, 2号, 掲載ページ 351-351, 日本語, 1342-8349, 110002061165, AA11439205 - 5a-H-11 α-Sn(111)-(2×2)表面の構造と電子状態I
江口 豊明; 中村 淳; 大坂 敏明
一般社団法人日本物理学会, 出版日 1997年09月16日, 日本物理学会講演概要集, 52巻, 2号, 掲載ページ 336-336, 日本語, 1342-8349, 110002061041, AA11439205 - RHEEDロッキングカーブを用いたSi(111)√3×√3R30°-Au表面の構造解析
中川 明久; 中村 淳; 大竹 晃浩; 大坂 敏明
一般社団法人日本物理学会, 出版日 1996年09月13日, 日本物理学会講演概要集. 秋の分科会, 1996巻, 2号, 掲載ページ 643-643, 日本語, 110001985938, AN10453836 - 30a-PS-29 RHEED rocking curveを用いたInSb{111}A, B表面の構造解析
大竹 晃浩; 中村 淳; 大坂 敏明
一般社団法人日本物理学会, 出版日 1995年09月12日, 日本物理学会講演概要集. 秋の分科会, 1995巻, 2号, 掲載ページ 523-523, 日本語, 110001982549, AN10453836
書籍等出版物
- Molecular Technology, Volume 3: Materials Innovation (hardcover)
Gasidit Panomsuwan; Tomonaga Ueno; Hiroharu Yui; Jun Nakamura; Nagahiro Saito
学術書, 英語, 分担執筆, Section 7. Solution Plasma Reactions and Materials Synthesis, Wiley, 出版日 2019年04月, ISBN 9783527341610 - Molecular Technology, Volume 3: Materials Innovation (e-book)
Gasidit Panomsuwan; Tomonaga Ueno; Hiroharu Yui; Jun Nakamura; Nagahiro Saito
学術書, 英語, 分担執筆, Section 7. Solution Plasma Reactions and Materials Synthesis, Wiley, 出版日 2019年02月, ISBN 9783527802722 - グラフェンの機能と応用展望《普及版》
中村淳
学術書, 日本語, 共著, 第４章：酸化グラフェンとコンポジット材料の電子状態, シー・エム・シー出版, 出版日 2015年09月08日, ISBN 9784781310305 - 応用物理分野のアカデミック・ロードマップ（改訂版）
荒川泰彦
日本語, 共著, No.19 人材育成, 応用物理学会 ISBN 978-4-86348-073-5, 出版日 2010年03月 - 応用物理分野の発展史マップ
荒川泰彦
日本語, 共著, No.19 人材育成, 応用物理学会 ISBN 978-4-86348-074-2, 出版日 2010年03月 - グラフェンの機能と応用展望
中村淳他
学術書, 日本語, 共著, 第４章：酸化グラフェンとコンポジット材料の電子状態, シー・エム・シー出版, 出版日 2009年07月, ISBN 9784781301464 - 応用物理分野のアカデミック・ロードマップの作成報告書 ISBN 978-4-903968-50-6
応用物理学会編
日本語, 共著, No.18人材育成, （社）応用物理学会, 出版日 2008年03月 - 学術会議叢書１２ 「どこまで進んだ男女共同参画」
中村淳
日本語, 共著, 若手・女性研究者の研究環境, （財）日本学術協力財団, 出版日 2006年09月 - 新訂版・表面科学の基礎と応用
中村淳
日本語, 共著, エヌ・ティー・エス, 出版日 2004年06月
講演・口頭発表等
- Systematic Variation of Oxygen Reduction Reaction Activity with the Number of Nitrogen Dopants in Iron Azaphthalocyanine
T.Morishima; A.Sumiyoshi; R.C.Betancour; S.Sato; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 31st PPC Symposium on Petroleum, Petrochemicals, and Polymers and The 16th Research Symposium on Petrochemical and Materials Technology (PPC & PETROMAT SYMPOSIUM 2025), 査読付
発表日 2025年06月25日
開催期間 2025年06月26日- 2025年06月27日 - B-doped fullerene as a high-performance metal-free electrocatalyst for CO reduction reaction
Jun Nakamura
口頭発表（招待・特別）, 英語, The 31st PPC Symposium on Petroleum, Petrochemicals, and Polymers and The 16th Research Symposium on Petrochemical and Materials Technology (PPC & PETROMAT SYMPOSIUM 2025), 招待
発表日 2025年06月25日
開催期間 2025年06月26日- 2025年06月27日 - 窒素ドープグラフェンの酸素還元活性に及ぼす基板の影響
佐藤翔太; 髙嶋太一; 中村淳
口頭発表（一般）, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 査読付
発表日 2025年03月15日
開催期間 2025年03月14日- 2025年03月17日 - Materials design of non-precious metal catalysts for CO reduction
Jun Nakamura
口頭発表（招待・特別）, 英語, 7th International Conference on Materials Science and Nanotechnology 2025 (MSNANO-7), 招待, パキスタン・イスラム共和国, 国際会議, 国際共著論文
発表日 2025年02月18日
開催期間 2025年02月17日- 2025年02月19日 - Simulation for the in-plane surface dipole moment distribution of the Si surface using DFT calculations
A.Sumiyoshi; K.Yamasue; Y.Cho; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 2nd International Colloquium on Scanning Probe Microsopy (ICSPM-32), 査読付
発表日 2024年11月18日
開催期間 2024年11月18日- 2024年11月20日 - Visualization of the Surface Dipole Moment at the Si(111) Surfaces Using First-Principles Calculations
A.Sumiyoshi; K.Yamasue; Y.Cho; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, The 10th International Symposium on Surface Science (ISSS-10), Kita-kyushu, 査読付, 日本国
発表日 2024年10月21日
開催期間 2024年10月20日- 2024年10月24日 - Role of Computational Simulations in Materials Science and Atomic-Level Materials Design
Jun Nakamura
公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等, 英語, Chulalongkorn University PPC Seminar, 招待, Chulalongkorn University, Bangkok, タイ王国, 国際会議
発表日 2024年10月18日
開催期間 2024年10月18日- 2024年10月18日 - 第一原理計算を用いたSi(111)-(7x7)表面における表面双極子の可視化
住吉晶; 山末耕平; 長康雄; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第85回応用物理学会秋季学術講演会
発表日 2024年09月18日 - Structure and stability of the Se-treated GaAs(001) surface
A.Ohtake; T.Mano; D.Nakagawa; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, 23rd International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE-23), 査読付, 国際会議
発表日 2024年09月12日 - Electronic and optical properties of graphane
D.Nakagawa; T.Hazama; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 34th International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM-34), 査読付
発表日 2024年09月04日
開催期間 2024年09月01日- 2024年09月05日 - Designing the properties and functions of materials at an atomic level
Jun Nakamura
口頭発表（基調）, 英語, 2024 China-Japan Seminar on Science and Technology (Hohhot, China), 招待, Hohot, 中華人民共和国, 国際会議
発表日 2024年08月02日
開催期間 2024年08月02日- 2024年08月04日 - A simulation for the in-plane distribution of the surface dipole moment using DFT calculations (S7-2)
A.Sumiyoshi; K.Yamasue; Y.Cho; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 31st International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM31), 査読付, 国際会議
発表日 2023年12月08日
開催期間 2023年12月07日- 2023年12月08日 - Edge-Driven Electronic Properties in Bilayer Zigzag SiC Nanoribbons: A First-Principles Study (S4-61)
J.A.Sharifi; R.Sun; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, 31st International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM31), 国際会議
発表日 2023年12月07日
開催期間 2023年12月07日- 2023年12月08日 - B-doped fullerene: a high-performance electrocatalyst for the CO reduction reaction (S4-53)
A.F.Ridassepri; Y.Umejima; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, 31st International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM31), 査読付
発表日 2023年12月07日
開催期間 2023年12月07日- 2023年12月08日 - Visualization of the Local Dipole Moment at the Si(111)-(2x2) Surface Using DFT Calculations
A. Sumiyoshi; K. Yamasue; Y. Cho; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, AVS 69th International Symposium & Exibition (AVS69), American Vacuum Society, 査読付, アメリカ合衆国, 国際会議
発表日 2023年11月05日
開催期間 2023年11月05日- 2023年11月10日 - 第一原理計算を用いたSi(111)-(2x2)表面における表面双極子の可視化
住吉晶; 山末耕平; 長康雄; 中村淳
第84回応用物理学会秋季学術講演会
発表日 2023年09月22日
開催期間 2023年09月19日- 2023年09月23日 - Hydrogen storage on tin carbide monolayers with transition metal adatoms
L. G. Arellano; J. Rebollo; F. Salazar; A. Trejo; J. Nakamura
ポスター発表, 36th European Conference on Surface Science (ECOSS36), Lodz, 査読付, ポーランド共和国, 国際会議, 国際共著論文
発表日 2023年08月30日
開催期間 2023年08月28日- 2023年09月01日 - Structural stability and electronic states of AA and AB stacked II-V compounds
L. G. Arellano; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 36th European Conference on Surface Science (ECOSS36), Lodz, 査読付, ポーランド共和国, 国際会議, 国際共著論文
発表日 2023年08月30日
開催期間 2023年08月28日- 2023年09月01日 - Effects of doping and vacancies in the electronic properties of the SiC monolayer: A DFT approach
Lucia Guadalupe; Arellano Sartorius; Ranferi Cancino; Francisco De Santiago; Álvaro Miranda; Jun Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 11th Asia Conference on Mechanical and Materials Engineering (ACMME2023), 査読付
発表日 2023年06月09日
開催期間 2023年06月08日- 2023年06月11日 - Structural stability of 2D II-V compounds
Lucia Guadalupe; Arellano Sartorius; Takayuki Suga; Taichi Hazama; Taichi Takashima; Miguel Cruz-Irisson; Jun Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2022), American Vacuum Society (AVS), Hawaii, USA, 国際会議
発表日 2022年12月14日 - Size Dependence of the N-Doped Graphene Nanocluster on the Oxygen Reduction Reaction Activity
Haruyuki Matsuyama; Lucia Guadalupe; Arellano Sartorius; Jun Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2022), American Vacuum Society (AVS), Hawaii, USA, 国際会議
発表日 2022年12月13日 - Effects of substrates on Oxygen Reduction Reaction of Nitrogen-doped Graphene
Taichi Takashima; Jun Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22), Sapporo, Japan, 国際会議
発表日 2022年09月15日 - B-doped Fullerene as A Novel Monoatomic Catalyst Material for CO Reduction Reaction
Arikasuci Fitonna Ridassepri; Yutaro Umejima; Jun Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22), Sapporo, Japan, 国際会議
発表日 2022年09月15日 - Theoretical prediction of novel two-dimensional II-V compounds
Lucia Guadalupe; Arellano Sartorius; Takayuki Suga; Miguel Cruz Irisson; Jun Nakamura
ポスター発表, 英語, The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22), Sapporo, Japan, 国際会議
発表日 2022年09月14日 - Effects of Spin-Orbit Interaction on Mn Atomic Wire on GaAs(110)
Motoi Hirayama; Jun Nakamura
ポスター発表, 英語, The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22), Sapporo, Japan, 国際会議
発表日 2022年09月14日 - Thermodynamical Stability of 2D sp2/sp3 N-doped Carbon Materials
Taichi Hazama; Jun Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22), Sapporo, Japan, 国際会議
発表日 2022年09月12日 - First-principles Study on Edge-edge Interactions of Bilayer Zigzag SiC Nanoribbons
Jawahir Ali Sharifi; Sun Rongyao; Jun Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22), Sapporo, Japan, 国際会議
発表日 2022年09月12日 - SnドープSnxSr1-xTiO3の構造相転移メカニズムの第一原理的解析
天野優也; 中村淳; 阿部浩二
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会第７７回年次大会, 日本物理学会, オンライン, 国内会議
発表日 2022年03月16日 - Carbonaceous material derived from bagasse-waste as anode for Li-ion batteries
Arikasuci Fitonna Ridassepri; Fitria Rahmawati; Agung Tri Wijayanta; Jun Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 2nd ECTI Workshop on BEC and the 3rd ASEAN-UEC Workshop, UEC and ECTI, online, 国際会議
発表日 2021年12月10日 - Structural stability of II-V compound ultrathin films
Lucia G. Arellano Sartorius; Takayuki Suga; Miguel Cruz-Irisson; Jun Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS-9), online, 国際会議
発表日 2021年11月30日 - Stacking effect on oxygen reduction reaction of nitrogen-doped graphene
Taichi Takashima; Jun Nakamura
ポスター発表, 英語, The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS-9), online, 国際会議
発表日 2021年11月30日 - Edge-edge interactions of bilayer zigzag SiC nanoribbons
孫栄耀; 中村淳
口頭発表（一般）, 英語, 2021年日本表面真空学会学術講演会, 日本表面真空学会, オンライン, 国内会議
発表日 2021年11月04日 - コバルトフタロシアニン分子の一酸化炭素還元触媒能：誘導体化の影響
梅島裕太郎; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 2021年日本表面真空学会学術講演会, 日本表面真空学会, オンライン, 国内会議
発表日 2021年11月03日 - Derivatization Effect of Cobalt Phthalocyanine on the Catalytic Activity for Carbon Monoxide Reduction
Y. Umejima; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, AVS 67th International Symposium & Exhibition, American Vacuum Society, online, 国際会議
発表日 2021年10月25日 - Theoretical study of li-decorated b-doped silicon carbide monolayer for hydrogen storage
Lucia G. Arellano Sartorius; Miguel Cruz-Irisson; Jun Nakamura
ポスター発表, 英語, 12th International Conference on Hydrogen Production (ICH2P-2021), online, 国際会議
発表日 2021年09月19日 - Structural stability of 2D II-V compounds
L.Arellano; T.Suga; M.Cruz-Irisson; Jun Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 第８２回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, オンライン, 国内会議
発表日 2021年09月13日 - Interaction between the edge states of bilayer zigzag SiC nanoribbons
Rongyao Sun; Jun Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 第８２回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, オンライン, 国内会議
発表日 2021年09月12日 - コバルトフタロシアニンの誘導体化が一酸化炭素還元触媒能に及ぼす影響
梅島裕太郎; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第８２回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, オンライン, 国内会議
発表日 2021年09月12日 - 有限電場下の第一原理計算による局所誘電率評価の試み
中村淳
公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等, 日本語, 東北大学電気通信研究所講演会, 招待, 国内会議
発表日 2021年07月15日 - Hydrogen Storage on Metal Decorated GeC Monolayer
L.G. Arellano; A. Miranda; M. Cruz-Irisson; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, Virtual Irago Conference 2020, Chofu, 国際会議
発表日 2020年12月11日 - 2D II-V compounds: A mechanism of structural stabilization
T.Suga; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, Virtual Irago Conference 2020, Chofu, 国際会議
発表日 2020年12月11日 - Derivatization effect of Metal Phthalocyanine on the catalytic activity for carbon monoxide reduction
Y.Umejima; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, Virtual Irago Conference 2020, Chofu, 国際会議
発表日 2020年12月11日 - Oxygen Reduction Reaction Activity of Nitrogen-Doped Graphene with a Stone-Wales Defect
X.Lu; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, Virtual Irago Conference 2020, Chofu, 国際会議
発表日 2020年12月11日 - Stacking effect of double-layered zigzag graphene nanoribbons
R.Sun; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, Virtual Irago Conference 2020, Chofu, 国際会議
発表日 2020年12月11日 - 窒素ドープグラフェンナノクラスターの酸素還元反応における触媒性 : 最適なクラスターサイズの提案
松山治薫; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第６７回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 東京（上智大学）, 国内会議
発表日 2020年03月17日 - SnxSr1-xTiO3の相転移と局所構造
田中広敏; 小貝侑弘; 中村淳; 阿部浩二; 中野諭人
ポスター発表, 日本語, 日本物理学会第７５回年次大会, 日本物理学会, 国内会議
発表日 2020年03月17日 - Oxygen reduction reaction for Fe phthalocyanine derivative
H.Matsuyama; H.Abe; K.Ito; H.Yabu; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, Irago Conference 2019, The University of Electro-Communications, Tokyo, Japan, 国際会議
発表日 2019年10月28日 - Edge-edge interaction in bilayer zigzag graphene nanoribbons
T.Asano; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, Irago Conference 2019, The University of Electro-Communications, Tokyo, Japan, 国際会議
発表日 2019年10月28日 - Structural stability of twisted bilayer graphene nano ribbons
S.Chiba; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, Irago Conference 2019, The University of Electro-Communications, Tokyo, Japan, 国際会議
発表日 2019年10月28日 - Chalcogen passivation of GaAs(111)B surfaces
T.Suga; S.Goto; A.Ohtake; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, Irago Conference 2019, The University of Electro-Communications, Tokyo, Japan, 国際会議
発表日 2019年10月28日 - Mechanism of chalcogen passivation of GaAs surfaces
T. Suga; S. Goto; A. Ohtake; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, AVS 66th International Symposium & Exhibition, AVS (American Vacuum Society), Columbus, USA, 国際会議
発表日 2019年10月22日 - Structural stability of graphene nanoflakes: From the view point of aromaticity
M. Ushirozako; H. Matsuyama; A. Akaishi; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, AVS 66th International Symposium & Exhibition, AVS (American Vacuum Society), Columbus, USA, 国際会議
発表日 2019年10月21日 - Structural stability of graphene nanoflakes: from the view point of aromaticity
Jun Nakamura
口頭発表（基調）, 英語, Sociedad Mexicana de Física, LXII Congreso Nacional de Física, 招待, Sociedad Mexicana de Física, Tabasco, Mexico, 国際会議
発表日 2019年10月11日 - 鉄フタロシアニンの誘導体化による酸素還元反応の高活性化メカニズム
松山治薫; 阿部博弥; 伊藤晃寿; 藪浩; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第８０回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 札幌, 国内会議
発表日 2019年09月17日 - Edge-state-induced stacking of zigzag graphene nano-ribbons
T.Asano; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 17th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-17), Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China, 国際会議
発表日 2019年06月25日 - Bi-layer formation of water on graphene
A.Akaishi; T.Yonemaru; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 17th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-17), Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China, 国際会議
発表日 2019年06月24日 - Functionalization of graphene by N doping: Application to the oxygen reduction reaction
H.Matsuyama; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 17th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-17), Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China, 国際会議
発表日 2019年06月24日 - Chalcogen passivation of GaAs(111)B surfaces
T.Suga; S.Goto; A.Ohtake; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, Compound Semiconductor Week 2019, Compound Semiconductor Week, Nara, Japan, https://www.csw-jpn.org, 国際会議
発表日 2019年05月20日 - Water wettability of graphene
Jun Nakamura
口頭発表（基調）, 英語, Sociedad Mexicana de Física Reunión Anual de la División de Estado Sólido 2019, 招待, Sociedad Mexicana de Física, Papantla, Veracruz, Mexico, 国際会議
発表日 2019年05月02日 - Actividad catalítica del grafeno dopado con boro para reacciones de reducción de oxígeno
Lucia Guadalupe; Arellano Sartorius; Jun Nakamura
ポスター発表, スペイン語, Sociedad Mexicana de Física Reunión Anual de la División de Estado Sólido 2019, Sociedad Mexicana de Física, Papantla, Veracruz, Mexico, 国際会議
発表日 2019年05月02日 - 窒素ドープグラフェンナノリボンにおける酸素還元反応
松山治薫; 五味駿一; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第６６回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 東工大大岡山キャンパス, 国内会議
発表日 2019年03月09日 - Oxygen Reduction Reaction on Fullerene
菊地庸介; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 東京理科大学ナノカーボン研究部⾨2018年度成果報告会&第4回東京理科大学-電気通信大学合同研究会, 東京理科大学、電気通信大学, 東京理科大学神楽坂キャンパス, 国内会議
発表日 2019年03月01日 - Structural stability of the Se- or S-treated GaAs (111) B surface
後藤俊治; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 東京理科大学ナノカーボン研究部⾨2018年度成果報告会&第4回東京理科大学-電気通信大学合同研究会, 東京理科大学、電気通信大学, 東京理科大学神楽坂キャンパス, 国内会議
発表日 2019年03月01日 - GaAs(111)B表面構造の分子分圧依存性
須賀隆之; 後藤俊治; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 東京理科大学ナノカーボン研究部⾨2018年度成果報告会&第4回東京理科大学-電気通信大学合同研究会, 東京理科大学、電気通信大学, 東京理科大学神楽坂キャンパス, 国内会議
発表日 2019年03月01日 - カルコゲンによるGaAs表面の不働態化機構
中村淳
ポスター発表, 日本語, 東京理科大学ナノカーボン研究部⾨2018年度成果報告会&第4回東京理科大学-電気通信大学合同研究会, 東京理科大学、電気通信大学, 東京理科大学神楽坂キャンパス, 国内会議
発表日 2019年03月01日 - Oxygen Reduction Reaction Mechanism for N-doped Graphene Nanoribbons
H. Matsuyama; S. Gomi; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2018), American Vacuum Society, Hawaii, USA, 国際会議
発表日 2018年12月05日 - グラフェンは疎水性か？
中村淳
口頭発表（基調）, 日本語, 第３２回ダイヤモンドシンポジウム, 招待, ダイヤモンドフォーラム, 調布, 国内会議
発表日 2018年11月15日 - 窒素ドープグラフェンナノクラスターの酸素還元反応に対する触媒性
松山治薫; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第３２回ダイヤモンドシンポジウム, ダイヤモンドフォーラム, 調布, 国内会議
発表日 2018年11月15日 - グラフェンは疎水性か？
中村淳
公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等, 日本語, 千葉大学物性セミナー, 招待, 千葉大学, 千葉, 国内会議
発表日 2018年11月08日 - Oxygen reduction reaction activity for N-doped graphene nanoclusters
H. Matsuyama; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2018, The University of Electro-Communications (UEC-Tokyo), Shinjuku, Tokyo, 国際会議
発表日 2018年11月01日 - Structural stability of the Se- or S-treated GaAs (111) B surface
S. Chiba; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2018, The University of Electro-Communications (UEC-Tokyo), Shinjuku, Tokyo, 国際会議
発表日 2018年11月01日 - Systematic evaluation of the structural stability of nitrogen-doped graphene
S. Goto; A. Ohtake; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2018, The University of Electro-Communications (UEC-Tokyo), Shinjuku, Tokyo, 国際会議
発表日 2018年11月01日 - Oxygen Reduction Reaction on fullerene
Y. Kikuchi; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2018, The University of Electro-Communications (UEC-Tokyo), Shinjuku, Tokyo, 国際会議
発表日 2018年11月01日 - Na- and Be-decorated silicon carbide monolayer for H2 storage: a DFT study
L. G. Arellano; F. de Santiago; A. Miranda; M. Cruz-Irisson; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2018, The University of Electro-Communications (UEC-Tokyo), Shinjuku, Tokyo, 国際会議
発表日 2018年11月01日 - Edge-state-induced stacking of zigzag graphene nano-ribbons
T. Asano; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2018, The University of Electro-Communications (UEC-Tokyo), Shinjuku, Tokyo, 国際会議
発表日 2018年11月01日 - Double Layer Formation of Water Molecules on Graphene
A. Akaishi; T. Yonemaru; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, American Vacuum Society 65th International Symposium & Exhibition (AVS-65), American Vacuum Society, Long Beach, USA, 国際会議
発表日 2018年10月24日 - Stabilization Mechanism of the Se- or S-treated GaAs(111)B Surface
S. Goto; A. Ohtake; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, American Vacuum Society 65th International Symposium & Exhibition (AVS-65), American Vacuum Society, Long Beach, USA, 国際会議
発表日 2018年10月24日 - Oxygen Reduction Reaction on Fullerene
Y. Kikuchi; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, American Vacuum Society 65th International Symposium & Exhibition (AVS-65), American Vacuum Society, Long Beach, USA, 国際会議
発表日 2018年10月23日 - 窒素ドープグラフェンのベーサル面における酸素還元反応
松山治薫; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７９回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 名古屋国際会議場, 国内会議
発表日 2018年09月21日 - 窒素ドープグラフェンの構造安定性の系統的評価
千葉紗彩; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７９回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 名古屋国際会議場, 国内会議
発表日 2018年09月21日 - ２層ジグザググラフェンナノリボンのエッジ状態間相互作用
浅野大造; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７９回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 名古屋国際会議場, 国内会議
発表日 2018年09月21日 - 酸素還元反応におけるフラーレンの触媒性
菊地庸介; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７９回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 名古屋国際会議場, 国内会議
発表日 2018年09月19日 - S処理された GaAs(111)B 表面の構造安定性
後藤俊治; 大竹晃浩; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７９回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 名古屋国際会議場, 国内会議
発表日 2018年09月18日 - Formation of Water Layer on Graphene Surfaces
Jun Nakamura
口頭発表（招待・特別）, 英語, International Symposium of Water Frontier Science & Technology Research Center, Water on Materials Surface 2018 (WMS2018), 招待, Tokyo University of Science, Tokyo, Japan, https://w-fst.tus.ac.jp/wms2018, 国際会議
発表日 2018年07月27日 - Water layer formation on graphene
Jun Nakamura
口頭発表（招待・特別）, 英語, The 6th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM6), 招待, SPM Organizing Committee, Gdansk, Poland, 国際会議
発表日 2018年06月05日 - Edge-state-induced stacking of zigzag graphene nano-ribbons
T. Asano; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 6th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM6), SPM Organizing Committee, Gdansk, Poland, 国際会議
発表日 2018年06月05日 - Systematic evaluation of the structural stability of N-doped graphene
S. Chiba; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 6th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM6), SPM Organizing Committee, Gdansk, Poland, 国際会議
発表日 2018年06月05日 - Intra- and inter-layer magnetic interactions in a van der Waals crystal
M. Kawashima; A. Akaishi; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 6th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM6), SPM Organizing Committee, Gdansk, Poland, 国際会議
発表日 2018年06月05日 - Se 処理された GaAs(111)B 表面の構造安定性
後藤俊治; 大竹晃浩; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第６５回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 新宿（早稲田大学）, 国内会議
発表日 2018年03月17日 - Intra- and inter-layer magnetic interactions in a van der Waals crystal
M. Kawashima; A. Akaishi; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, 2018 DPG Joint meeting of the DPG and EPS Condesed Matter Divisions, DPG and EPS Condesed Matter Divisions, Berlin, Germany, 国際会議
発表日 2018年03月13日 - LiMO2(M=Mn,Co,Ni)の熱力学的安定性および磁気的特性の第一原理計算による評価
宮本惇; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第２回シンポジウム「物性科学から工学へ」, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 調布, 国内会議
発表日 2018年03月07日 - Structural stability of the Se-treated GaAs(111)B surface
後藤俊治; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第２回シンポジウム「物性科学から工学へ」, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 調布, 国内会議
発表日 2018年03月07日 - 窒素ドープグラフェン上の酸素還元反応の窒素配位依存性
松山治薫; 赤石暁; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第２回シンポジウム「物性科学から工学へ」, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 調布, 国内会議
発表日 2018年03月07日 - 窒素ドープグラフェンの構造安定性に局所的窒素配列が及ぼす影響
千葉紗彩; 赤石暁; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第２回シンポジウム「物性科学から工学へ」, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 調布, 国内会議
発表日 2018年03月07日 - InGaN混晶中におけるIn-In相互作用
畑木尚; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第２回シンポジウム「物性科学から工学へ」, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 調布, 国内会議
発表日 2018年03月07日 - Effect s of Edge Structures on the Oxygen Reduction Reaction Activity of Nitrogen-doped Graphene Nanoribbons
S. Gomi; H. Matsuyama; A. Akaishi; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 45th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-45), American Vacuum Society, Kailua-Kona, USA, 国際会議
発表日 2018年01月16日 - Quantitative Relation between the Structural Stability and the Aromaticity of Graphene Nanoflakes
M.Ushirozako; H. Matsuyama; A. Akaishi; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 45th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-45), American Vacuum Society, Kailua-Kona, USA, 国際会議
発表日 2018年01月16日 - Formation of Water Bilayer on Graphene Surfaces
A. Akaishi; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 45th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-45), American Vacuum Society, Kailua-Kona, USA, 国際会議
発表日 2018年01月16日 - Structural stability of the Se-treated GaAs(111)B surface
S. Goto; A. Ohtake; A. Akaishi; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The Irago Conference 2017, The University of Electro-Communications (UEC-Tokyo), Chofu, Tokyo, 国際会議
発表日 2017年11月01日 - Softly-confined water cluster between free standing graphene sheets
R. Agustian; A. Akaishi; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The Irago Conference 2017, The University of Electro-Communications (UEC-Tokyo), Chofu, Tokyo, 国際会議
発表日 2017年11月01日 - Relationship between Stability and Aromaticity of Graphene Nanoflakes
A. Akaishi; M. Ushirozako; H. Matsuyama; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2017, The University of Electro-Communications (UEC-Tokyo), Chofu, Tokyo, 国際会議
発表日 2017年11月01日 - Effect of edge structures on the oxygen reduction reaction activity of nitrogen-doped graphene nanoribbons
S. Gomi; H. Matsuyama; A. Akaishi; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2017, The University of Electro-Communications (UEC-Tokyo), Chofu, Tokyo, 国際会議
発表日 2017年11月01日 - Oxygen Reduction Reaction on N-doped Graphene Nanoclusters: Dependence on Nitrogen Configuration
H. Matsuyama; A. Akaishi; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, International Symposium on Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surfaces for Future Earth (NENCS), The University of Electro-Communications (UEC-Tokyo), Chofu, Tokyo, 国際会議
発表日 2017年10月29日 - Anomalous Enhancement of Seebeck Coefficients fo the Graphene/h-BN Composites
J. Nakamura; A. Akaishi
口頭発表（一般）, 英語, International Symposium on Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surfaces for Future Earth (NENCS), The University of Electro-Communications (UEC-Tokyo), Chofu, Tokyo, 国際会議
発表日 2017年10月28日 - Reaction Selectivity for Oxygen Reduction of N-Doped Graphene Nanoclusters
H. Matsuyama; A. Akaishi; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 232nd ECS Meeting, The Electrochemical Society, National Harbor, MD, USA, 国際会議
発表日 2017年10月01日 - 窒素ドープグラフェンナノリボンの酸素還元触媒能に及ぼすエッジの効果
五味駿一; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第１回シンポジウム「表面界面の科学と摩擦」, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 調布, 国内会議
発表日 2017年09月30日 - グラフェン層間に拘束された水分子クラスターの動的構造評価
Rifan Agustian; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第１回シンポジウム「表面界面の科学と摩擦」, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 調布, 国内会議
発表日 2017年09月30日 - Se処理したGaAs(111)B表面の構造安定性
後藤俊治; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第１回シンポジウム「表面界面の科学と摩擦」, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 調布, 国内会議
発表日 2017年09月30日 - グラフェン界面の水のダイナミクス
赤石暁; 中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第１回シンポジウム「表面界面の科学と摩擦」, 招待, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 調布, 国内会議
発表日 2017年09月30日 - グラフェンナノフレークの構造安定性と芳香族性
赤石暁; 後迫真人; 松山治薫; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７８回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 福岡, 国内会議
発表日 2017年09月07日 - Two- to Three-dimensional Transition of Confined Water between Freestanding Graphene Sheets
Rifan Agustian; Akira Akaishi; Jun Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 第７８回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 福岡, 国内会議
発表日 2017年09月07日 - 酸素還元反応における窒素ドープグラフェンナノクラスターの触媒性：窒素配位依存性
松山治薫; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７８回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 福岡, 国内会議
発表日 2017年09月07日 - Se処理GaAs(111)B表面の安定化機構
大竹晃浩; 後藤俊治; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７８回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 福岡, 国内会議
発表日 2017年09月05日 - Structural Stability of Graphene Nanoflakes: from the View Point of Aromaticity
J. Nakamura; M. Ushirozako; H. Matsuyama; A. Akaishi
口頭発表（招待・特別）, 英語, The 5th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM5), 招待, Leibnitz Institute for Plasma Science and Technologis, Greifswald, Germany, 国際会議
発表日 2017年06月29日 - Two- to Three-Dimentional Transition of Softly Confined Water Between Graphene Sheets
R. Agustian; A. Akaishi; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 5th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM5), Leipnitz Institute for Plasma Science and Technology, Greifswald, Germany, 国際会議
発表日 2017年06月27日 - 二軸性歪み下におけるGaSbの電気伝導率の面方位依存性
岸本秀輝; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第６４回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, パシフィコ横浜, 国内会議
発表日 2017年03月17日 - グラフェン表面における水の吸着と構造化
赤石暁; 中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 日本化学会第９７春季年会, 招待, 日本化学会, 慶応大日吉, 国内会議
発表日 2017年03月16日 - グラフェン上の水２重層構造
赤石暁; 中村淳
ポスター発表, 日本語, ナノトライボロジー研究センター開設シンポジウム, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 電気通信大学, 国内会議
発表日 2017年03月08日 - 窒素ドープグラフェンナノクラスター上における酸素還元反応の窒素原子位置依存性
松山治薫; 赤石暁; 中村淳
ポスター発表, 日本語, ナノトライボロジー研究センター開設シンポジウム, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 電気通信大学, 国内会議
発表日 2017年03月08日 - 窒素ドープカイラルエッジグラフェンナノリボンの構造安定性
菊地庸介; 赤石暁; 中村淳
ポスター発表, 日本語, ナノトライボロジー研究センター開設シンポジウム, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 電気通信大学, 国内会議
発表日 2017年03月08日 - Se吸着GaAs(111)B表面の構造安定性
後藤俊治; 赤石暁; 中村淳
ポスター発表, 日本語, ナノトライボロジー研究センター開設シンポジウム, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 電気通信大学, 国内会議
発表日 2017年03月08日 - 曲率を有するグラフェン表面における水ナノクラスターの吸着特性
玉村優佳; 赤石暁; 中村淳
ポスター発表, 日本語, ナノトライボロジー研究センター開設シンポジウム, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 電気通信大学, 国内会議
発表日 2017年03月08日 - Mechanism of Stabilization and Magnetization of Impurity-doped Zigzag Graphene Naoribbons
Y. Uchida; S.-I. Gomi; H. Matsuyama; A. Akaishi; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 44th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-44), American Vacuum Society, Santa Fe, USA, 国際会議
発表日 2017年01月16日 - Site-dependent Oxygen Reduction Reaction of N-doped Graphene Nanoclusters
H. Matsuyama; S.-I. Gomi; M. Ushirozako; A. Akaishi; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 44th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-44), American Vacuum Society, Santa Fe, USA, 国際会議
発表日 2017年01月16日 - 窒素ドープグラフェンナノリボンの酸素還元反応における触媒性
五味駿一; 松山治薫; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, ２０１６年真空・表面科学合同講演会, 日本真空協会、日本表面科学会, 名古屋, 国内会議
発表日 2016年11月29日 - 酸素還元反応における窒素ドープグラフェンナノクラスターの触媒性
松山治薫; 田中崇太郎; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, ２０１６年真空・表面科学合同講演会, 日本真空協会、日本表面科学会, 名古屋, 国内会議
発表日 2016年11月29日 - グラフェンナノリボンの物性
中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 日本磁気学会 第６２回磁気工学専門研究会, 招待, 日本磁気学会, 田町, 国内会議
発表日 2016年11月18日 - Electrical conductivity of the biaxally-strained GaSb
H. Kishimoto; T. Hatayama; A. Akaishi; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2016, 国際会議
発表日 2016年11月01日 - Oxygen reduction reaction on nitrogen-doped graphene nanoclusters
H. Matsuyama; S. Tanaka; A. Akaishi; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2016, 国際会議
発表日 2016年11月01日 - Oxygen reduction reaction on nitrogen-doped graphene nanoribbons
S.-I. Gomi; H. Matsuyama; A. Akaishi; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2016, 国際会議
発表日 2016年11月01日 - Formation of water layers on graphene surfaces
A. Akaishi; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2016, 国際会議
発表日 2016年11月01日 - Structural stability of graphene nanoflakes
M. Ushirozako; A. Akaishi; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2016, 国際会議
発表日 2016年11月01日 - Electrical conductivity of the biaxially-strained GaSb(111) and GaSb(001)
H. Kishimoto; T. Hatayama; A. Akaishi; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, 13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 2016), Rome, Italy, 国際会議
発表日 2016年10月12日 - Structural stability of graphene nanoflakes
M.Ushirozako; A. Akaishi; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, 13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 2016), Rome, Italy, 国際会議
発表日 2016年10月12日 - Interfacial water layer on doped graphene surfaces
A. Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 2016), Rome, Italy, 国際会議
発表日 2016年10月12日 - GaSbの電気伝導率の二軸性歪み依存性
岸本秀輝; 畑山拓也; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７７回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 新潟, 国内会議
発表日 2016年09月16日 - 窒素ドープグラフェンナノクラスター上の酸素還元反応
松山治薫; 田中崇太郎; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７７回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 新潟, 国内会議
発表日 2016年09月15日 - Electrical conductivity of the biaxially-strained GaSb(111) films
T. Hatayama; H. Kishimoto; A. Akaishi; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2016), CSW2016, Toyama, Japan, 国際会議
発表日 2016年06月27日 - Water adsorption on doped graphene surfaces
A. Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 4th International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-4), SPM Organizing Committee, Pilsen, Czech Republic, 国際会議
発表日 2016年06月09日 - Mechanism of Stabilization and Magnetization of Impurity-doped Zigzag Graphene Nanoribbons
J.Nakamura; Y.Uchida; S.Gomi; H.Matsuyama; A.Akaishi
口頭発表（招待・特別）, 英語, 4th International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-4), 招待, SPM Organizing Committee, Pilsen, Czech Republic, 国際会議
発表日 2016年06月09日 - Effects of edge structures on oxygen reduction reaction for nitrogen-doped graphene nanoclusters
H.Matsuyama; S.Tanaka; A.Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 4th International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-4), SPM Organizing Committee, Pilsen, Czech Republic, 国際会議
発表日 2016年06月08日 - Anomalous enhancement of Seebeck coefficients for the graphene/h-BN composites
Jun Nakamura; Yushi Yokomizo
口頭発表（招待・特別）, 英語, EMN Meeting on Carbon Nanostructures, 招待, EMN, Honolulu, Hawaii (USA), 国際会議
発表日 2016年03月29日 - グラフェンの大気由来吸着物
日比野浩樹; 小川友以; 高村真琴; Wang Shengnan; 関根佳明; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第６３回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 大岡山, 国内会議
発表日 2016年03月22日 - グラフェン表面における水の吸着と構造
赤石暁; 中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 合同若手研究会 -表面・界面現象の新展開：吸着・物質移動・エネルギー散逸-, 招待, 東京理科大学、電気通信大学, 東京理科大学, 国内会議
発表日 2016年03月14日 - Mn吸着GaAs(001)-(2x2)表面の局所無秩序構造
船附顕汰; 赤石暁; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 合同若手研究会 -表面・界面現象の新展開：吸着・物質移動・エネルギー散逸-, 東京理科大学、電気通信大学, 東京理科大学, 国内会議
発表日 2016年03月14日 - GaSb(111)薄膜の電気伝導率の歪み依存性
岸本秀輝; 畑山拓也; 赤石暁; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 合同若手研究会 -表面・界面現象の新展開：吸着・物質移動・エネルギー散逸-, 東京理科大学、電気通信大学, 東京理科大学, 国内会議
発表日 2016年03月14日 - 窒素ドープグラフェン上における酸素還元反応
松山治薫; 田中崇太郎; 赤石暁; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 合同若手研究会 -表面・界面現象の新展開：吸着・物質移動・エネルギー散逸-, 東京理科大学、電気通信大学, 東京理科大学, 国内会議
発表日 2016年03月14日 - グラフェン表面の水の二重層構造
赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第２５回日本ＭＲＳ年次大会, 日本ＭＲＳ, 横浜, 国内会議
発表日 2015年12月08日 - 不純物ドープグラフェンナノリボンの安定化機構
内田優希; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第２５回日本ＭＲＳ年次大会, 日本ＭＲＳ, 横浜, 国内会議
発表日 2015年12月08日 - 窒素ドープグラフェン上の酸素還元触媒の第一原理計算
松山治薫; 市川諒英; 赤石暁; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 第２５回日本ＭＲＳ年次大会, 日本ＭＲＳ, 横浜, 国内会議
発表日 2015年12月08日 - グラフェンナノフレークの構造安定性
後迫真人; 赤石暁; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 第２５回日本ＭＲＳ年次大会, 日本ＭＲＳ, 横浜, 国内会議
発表日 2015年12月08日 - グラフェンおよびグラフェンナノリボンのバリスティックフォノン熱伝導
中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 第３５回表面科学学術講演会, 招待, 日本表面科学会, つくば, 国内会議
発表日 2015年12月01日 - 窒素ドープグラフェン表面における酸素還元反応：窒素濃度依存性
松山治薫; 市川諒英; 赤石暁; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 第３５回表面科学学術講演会, 日本表面科学会, つくば, 国内会議
発表日 2015年12月01日 - グラフェン表面における水分子層の構造化
赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第３５回表面科学学術講演会, 日本表面科学会, つくば, 国内会議
発表日 2015年12月01日 - グラフェンのエッジ状態がもたらす不純物の安定化機構
内田優希; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第３５回表面科学学術講演会, 日本表面科学会, つくば, 国内会議
発表日 2015年12月01日 - First-principles Evaluation of The Oxygen Reduction Reaction on Nitrogen-doped Graphene
J.Nakamura; A.Ichikawa; H.Matsuyama; A.Akaishi
口頭発表（招待・特別）, 英語, 2015 EMN Bangkok Meeting, 招待, University of Electronic Science and Technology of China, Bangkok, Thailand, 国際会議
発表日 2015年11月10日 - Layered Water on Graphene Surfaces
A.Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（招待・特別）, 英語, 2015 EMN Bangkok Meeting, 招待, University of Electronic Science and Technology of China, Bangkok, Thailand, 国際会議
発表日 2015年11月10日 - Oxygen reduction reaction on the basal plane of nitrogen-doped graphene: Effects of local arrangement of dopants
H.Matsuyama; A.Ichikawa; A.Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The Irago Conference 2015, TUT and UEC, Tahara, Japan, 国際会議
発表日 2015年10月23日 - Conformational stabilization of graphene nanoflakes
M.Ushirozako; A.Akaishi; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2015, TUT and UEC, Tahara, Japan, 国際会議
発表日 2015年10月23日 - First-principles study on locally-disordered structures of the Mn-induced GaAs(001)-(2 x 2) surface
K.Funatsuki; A.Akaishi; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2015, TUT and UEC, Tahara, Japan, 国際会議
発表日 2015年10月23日 - Strain effect on the hole effective mass of GaSb: A first-priciples study
H.Kishimoto; T.Hatayama; A.Akaishi; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2015, TUT and UEC, Tahara, Japan, 国際会議
発表日 2015年10月23日 - Edge-state-induced Stabilization of Dopants in Graphene
Y.Uchida; A.Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, American Vacuum Society 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62), American Vacuum Society, San Jose, USA, 国際会議
発表日 2015年10月21日 - Oxygen Reduction Reaction on Nitrogen-doped Graphene
J.Nakamura; A.Ichikawa; H.Matsuyama; A.Akaishi
口頭発表（一般）, 英語, American Vacuum Society 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62), American Vacuum Society, San Jose, USA, 国際会議
発表日 2015年10月21日 - Electronic Structures of the Biaxiallystrained GaSb(111) Films
T.Hatayama; A.Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, American Vacuum Society 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62), American Vacuum Society, San Jose, USA, 国際会議
発表日 2015年10月19日 - 男女共同参画委員会活動報告
小川賀代; 近藤高志; 沈青; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 第１３回男女共同参画学協会連絡会シンポジウム, 男女共同参画学協会連絡会, 千葉, 国内会議
発表日 2015年10月17日 - 窒素ドープジグザググラフェンナノリボンの磁性
内田優希; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７６回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 名古屋市国際会議場, 国内会議
発表日 2015年09月15日 - 酸素還元反応における窒素ドープグラフェンの触媒性
松山治薫; 市川諒英; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７６回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 名古屋市国際会議場, 国内会議
発表日 2015年09月15日 - グラフェン表面の水の層構造
赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７６回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 名古屋市国際会議場, 国内会議
発表日 2015年09月15日 - GaAs(001)表面上でのMn吸着サイト
大竹晃浩; 萩原敦; 船附顕汰; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７６回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 名古屋市国際会議場, 国内会議
発表日 2015年09月13日 - Oxygen reduction reaction on the basal plane of nitrogen- doped graphene
J.Nakamura; A.Ichikawa; H.Matsuyama; A.Akaishi
口頭発表（一般）, 英語, 31st European Conference on Surface Science (ECOSS-2015), Barcelona, Spain, 国際会議
発表日 2015年09月03日 - Wettability of graphene surface
A.Akaishi; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, 31st European Conference on Surface Science (ECOSS-2015), Barcelona, Spain, 国際会議
発表日 2015年09月01日 - Water layers on graphene surface
A.Akaishi; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, Graphene Week 2015, Graphene Flagship, Manchester, England, 国際会議
発表日 2015年06月24日 - Oxygen reduction reaction on the basal plane of nitrogen-doped graphene
J.Nakamura; A.Ichikawa; H.Matsuyama; A.Akaishi
ポスター発表, 英語, Graphene Week 2015, Graphene Flagship, Manchester, England, 国際会議
発表日 2015年06月24日 - Double-layer structure of water molecules on the graphene surface
A.Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 3rd International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-3), The Petroleum and Petrochemical College (PPC), Chulalongkorn University, 国際会議
発表日 2015年05月08日 - Oxygen reduction reaction on nitrogen-doped graphene
Jun Nakamura
口頭発表（招待・特別）, 英語, 3rd International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-3), 招待, The Petroleum and Petrochemical College(PPC), Chulalongkorn University, Bangkok, Thailand, 国際会議
発表日 2015年05月07日 - Catalytic reaction of oxygen on nitrogen-doped graphene
H.Matsuyama; A.Ichikawa; A.Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 3rd International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-3), The Petroleum and Petrochemical College (PPC), Chulalongkorn University, Bangkok, Thailand, 国際会議
発表日 2015年05月06日 - Electrocatalytic Activity for Oxygen Reduction on Nitrogen-Doped Graphene
A.Ichikawa; A.Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, (ISPlasma 2015), JSAP and APS, Nagoya, Japan, 国際会議
発表日 2015年03月30日 - Universal Feature of Seebeck Coefficients in Graphene/h-BN Nano-Composites
Y.Ayako; A.Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, (ISPlasma 2015), JSAP and APS, Nagoya, Japan, 国際会議
発表日 2015年03月30日 - Structural Stability of B-, N-Doped Graphene Nanoribbons
Y.Uchida; A.Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, (ISPlasma 2015), JSAP and APS, Nagoya, Japan, 国際会議
発表日 2015年03月30日 - Giant Seebeck Coefficiens for the Graphene/h-BN Superlattices
Nakamura; Y.Yokomizo
口頭発表（一般）, 英語, 7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, (ISPlasma 2015), JSAP and APS, Nagoya, Japan, 国際会議
発表日 2015年03月28日 - 窒素ドープグラフェン上の酸素還元反応
市川諒英; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第６２回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 神奈川県平塚市, 国内会議
発表日 2015年03月11日 - Catalytic Reduction of Oxygen on Nitrogen-doped Graphene
A.Ichikawa; A.Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 42nd Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-42), AVS (American Vacuum Society), Snowbird, Utah, USA, 国際会議
発表日 2015年01月19日 - On the Wettability of Graphene
A.Akaishi; T.Yonemaru; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2014), American Vacuum Society, Hawaii, USA, 国際会議
発表日 2014年12月11日 - Anomalous Enhancement of Seebeck Coefficients for the Graphene/h-BN Superlattices
J.Nakamura; Y.Yokomizo
口頭発表（一般）, 英語, Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2014), American Vacuum Society, Hawaii, USA, 国際会議
発表日 2014年12月11日 - Universality of Seebeck Coefficients in Graphene/h-BN Nano-Composites
Y.Ayako; A.Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2014), American Vacuum Society, Hawaii, USA, 国際会議
発表日 2014年12月08日 - Reduction of Oxygen on Nitrogen-Doped Graphene
A.Ichikawa; A.Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2014), American Vacuum Society, Hawaii, USA, 国際会議
発表日 2014年12月08日 - 熱電変換材料としてのナノカーボンのポテンシャル
中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 東京理科大学総合研究機構ナノカーボン研究部門ワークショップ 実験と理論の強調によるナノ空間・ナノ物質研究の最前線, 招待, 東京理科大学総合研究機構ナノカーボン研究部門, 東京, 国内会議
発表日 2014年11月25日 - グラフェンナノリボンのバリスティック熱伝導特性
中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 第１回ナノトライボロジーワークショップ, 招待, ナノトライボロジー研究ステーション, 調布, 国内会議
発表日 2014年09月30日 - グラフェンエッジ近傍不純物の構造安定性と電子状態
内田優希; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７５回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 国内会議
発表日 2014年09月19日 - 第一原理計算によるMn吸着GaAs(001)-(nx2)の構造安定性評価
萩原敦; 大竹晃浩; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７５回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 札幌, 国内会議
発表日 2014年09月18日 - 窒素ドープグラフェンの構造安定性と電子状態
梅木暁図; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７５回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 札幌, 国内会議
発表日 2014年09月18日 - 窒素ドープグラフェン上の酸素分子吸着
市川諒英; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７５回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 札幌, 国内会議
発表日 2014年09月18日 - グラフェン/h-BN複合ナノリボンのゼーベック係数
綾子陽介; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７５回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 札幌, 国内会議
発表日 2014年09月18日 - Configurational Disorder of Mn-induced (2x2) Reconstruction on GaAs(001)
A.Hagiwara; A.Ohtake; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, 18th International Conference on Molecular Beam Expitaxy (MBE2014), American Vacuum Society (AVS), Flagstaff, USA, 国際会議
発表日 2014年09月11日 - 電気通信大学における「パスポートプログラム」の取り組みⅢ
赤石暁; 阿部浩二; 石田尚行; 岡田佳子; 奥野剛史; 清水崇文; 白川英樹; 鈴木勝; 高田亨; 中村淳; 中村仁; 細見斉子; 山北佳宏
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会２０１４年秋季大会, 日本物理学会, 春日井, 国内会議
発表日 2014年09月08日 - 電気通信大学における専門教育としてのキャリア教育実践例 『エンジニアリングデザイン』を通した社会人基礎力養成
中村淳
口頭発表（基調）, 日本語, 第４回新任教員研修セミナー, 招待, 公益財団法人 大学セミナーハウス, 八王子, 国内会議
発表日 2014年09月01日 - （Graphene/h-BN超格子におけるゼーベック係数の異常増大）
中村 淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 日本表面科学会摩擦の科学研究部会, 招待, 日本表面科学会摩擦の科学研究部会, 調布, 国内会議
発表日 2014年05月24日 - Anomalous enhancement of Seebeck coefficients for the graphene/h-BN superlattices
J. Nakamura; Y. Yokomizo
口頭発表（招待・特別）, 英語, 2nd International Workshop on Solution Pasma and Molecular Technologies (SPM-2), 招待, Seoul, Korea, 国際会議
発表日 2014年05月16日 - Recent development of droplet epitaxy in NIMS: InAs QDs on InP(111)A for telecom-application and reconstruction-dependent Ga droplet formation on GaAs (100)
T.Mano; A.Ohtake; T.Kuroda; H.Neul; X.Liu; K.Mitsuishi; A.Hagiwara; J.Nakamura; A.Castellano; S.Sanguinetti; T.Noda; Y. Sakuma; K.Sakoda
口頭発表（招待・特別）, 英語, 2nd Workshop Droplet Epitaxy of Semiconductor Nanostructures, 招待, Florence, Italy, 国際会議
発表日 2014年05月16日 - Adsorption profiles of oxygen molecule on nitrogen-doped graphne
A. Ichikawa; A. Akaishi; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, 2nd International Workshop on Solution Pasma and Molecular Technologies (SPM-2), Seoul, Korea, 国際会議
発表日 2014年05月15日 - Graphite is hydrophobic, or not?
T. Yonemaru; A. Akaishi; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, 2nd International Workshop on Solution Pasma and Molecular Technologies (SPM-2), Seoul, Korea, 国際会議
発表日 2014年05月15日 - Seebeck coefficients of graphene/h-BN nano-composites
Y. Ayako; A. Akaishi; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, 2nd International Workshop on Solution Pasma and Molecular Technologies (SPM-2), Seoul, Korea, 国際会議
発表日 2014年05月15日 - Structural stability of B-, N-doped zigzag graphene nanoribbons
Y. Uchida; A. Akaishi; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, 2nd International Workshop on Solution Pasma and Molecular Technologies (SPM-2),, Seoul, Korea, 国際会議
発表日 2014年05月15日 - グラフェンは疎水性か？
米丸朋宏; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第６１回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 相模原, 国内会議
発表日 2014年03月19日 - Giant Seebeck Coefficients of the Graphene/h-BN Superlattices
Y.Yokomizo; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 41st Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-41), AVS, Santa Fe, NM, USA
発表日 2014年01月 - Structural stability and electronic structure of boron- or nitrogen-doped graphene
T.Umeki; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, American Vacuum Society 60th International Symposium & Exhibition (AVS-60), American Vacuum Society, Long Beach, USA
発表日 2013年10月 - Mn吸着ＧaAs(001)表面の電子状態と構造安定性評価
萩原敦; 大竹晃浩; 奥北和哉; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第７４回応用物理学会秋季学術講演会
発表日 2013年09月 - 物理チャレンジ2013報告：III. 第２チャレンジ理論問題
荒船次郎; 赤井久純; 伊藤敏雄; 川村清; 佐貫平二; 杉山忠男; 鈴木亨; 鈴木直; 高須昌子; 竹中達二; 田中皓; 田中忠芳; 東辻浩夫; 中村淳; 羽田野彰; 松澤通生; 三間圀興; 北原和夫; 近藤泰洋
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２０１３年秋季大会
発表日 2013年09月 - 電気通信大学における「パスポートプログラム」の取り組みII
赤石暁; 阿部浩二; 石田尚行; 岡田佳子; 奥野剛史; 白川英樹; 鈴木勝; 高田亨; 中村淳; 中村仁; 細見斉子; 山北佳宏
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２０１３年秋季大会
発表日 2013年09月 - Giant Seebeck coefficients of graphene/BN superlattices
Y.Yokomizo; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, The 7th International Conference on the Fundamental Science of Graphene and Applications of Graphene-Based Devices (Graphene Week 2013), TU Chemnitz, Chemnitz, Germany
発表日 2013年06月 - Ferromagnetic coupling between Mn atoms on the GaAs(110) surface
M.Hirayama; J.Nakamura; S.Tsukamoto
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-2013), CS Week, Kobe
発表日 2013年05月 - Effects of surface geometry on the wettability of water on graphene
H.Yonemaru; H.Shimizu; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 1st International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-1), Tokyo, Japan
発表日 2013年03月 - First-pinciples study on the structural stability of boron- and nitrogen-doped graphene
T.Umeki; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 1st International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-1), Tokyo, Japan
発表日 2013年03月 - Giant Seebeck effect of graphene/BN superlattices
Y.Yokomizo; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 1st International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-1), Tokyo, Japan
発表日 2013年03月 - First-principles approach to the ballistic phonon thermal transport in graphene nano-ribbons
J.Nakamura; H.Tomita
口頭発表（招待・特別）, 英語, 1st International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-1), Tokyo, Japan, 国際会議
発表日 2013年03月 - 電気通信大学における「パスポートプログラム」の取り組み
赤石暁; 阿部浩二; 石田尚行; 岡田佳子; 奥野剛史; 白川英樹; 鈴木勝; 高田亨; 中村淳; 中村仁; 細見斉子; 山北佳宏
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会第６８回年次大会
発表日 2013年03月 - STM測定と第一原理計算によるGaAs-c(4×4)α,βの電子構造解析
加来滋; 中村淳; 柳生数馬; 吉野淳二
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第６０回応用物理学会春季学術講演会
発表日 2013年03月 - Ballistic phonon thermal conductance in graphene nano-ribbon
H.Tomita; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 40th Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-40), American Vacuum Society, Waikoloa, Hawaii, USA
発表日 2013年01月 - Incorporation of Cr or Mn at the GaAs(001)-c(4x4)a surface
K.Okukita; A.Hagiwara; A.Ohtake; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 40th Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-40), American Vacuum Society, Waikoloa, Hawaii, USA
発表日 2013年01月 - Effects of surface geometry on the wettability of water on graphene
H.Yonemaru; H.Shimizu; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 40th Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-40), American Vacuum Society, Waikoloa, Hawaii, USA
発表日 2013年01月 - グラフェンナノリボンの熱伝導特性：第一原理計算からのアプローチ
中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 24th International Seminar in Nichia Course, Anan National College of Technology, 阿南工業高等専門学校 地域連携・テクノセンター 寄附講座
発表日 2013年01月 - Atomic Arrangements and structural stability of the Mn adsorbed GaAs(001) surfaces
A.Hagiwara; A.Ohtake; Y.Kanno; S.Yasumura; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, American Vacuum Society 59th International Symposium & Exhibition (AVS-59), American Vacuum Society, Tampa, USA
発表日 2012年10月 - Structural stability and electronic states of Cr or Mn on GaAs(001)-c(4x4)
K.Okukita; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012), MBE2012, Nara, Japan
発表日 2012年09月 - Mn吸着GaAs(001)表面の原子配列
大竹晃浩; 萩原敦; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第７３会応用物理学会学術講演会
発表日 2012年09月 - Ballistic phonon thermal conductancein Graphene Nano-Ribbon: First-principles calculations
Jun Nakamura; Hiroki Tomita
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 31st International conference on the physics of Semiconductors (ICPS 2012), ETH urich, Zurich
発表日 2012年07月 - 第一原理計算を用いた原子レベル物質設計：計算機シミュレーションで探るナノスケールの世界
中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 19th International Seminar in Nichia Course, Anan National College of Technology, 阿南工業高等専門学校 地域連携・テクノセンター 寄附講座
発表日 2012年06月 - 26pPSB-36 Mn吸着(2×2)-GaAs(001)表面構造および電子状態(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
菅野 雄介; 大竹 晃浩; 中村 淳
日本語, 日本物理学会講演概要集, 一般社団法人日本物理学会
発表日 2012年03月05日
開催期間 2012年03月05日- 2012年03月05日 - Mn吸着(2x2)-GaAs(001)表面構造および電子状態
菅野雄介; 大竹晃浩; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会第６７回年次大会
発表日 2012年03月 - GeO2酸素欠損近傍の原子レベル誘電特性：結晶構造依存性
中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第９回特定領域研究会,配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第９回特定領域研究会
発表日 2012年01月 - Local profile of the dielectric constant near the oxygen vacancy in the GeO2 films
Jun Nakamura; Masahiro Tamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, AVS 58th International Symposium & Exhibition, American Vacuum Society, Nashville, USA
発表日 2011年11月 - First-principles approach to ballistic phonon thermal conductivity in Graphene Nano-Ribbon
H.Tomita; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 2011 MRS Fall Meeting, Materials Research Society, USA
発表日 2011年11月 - Optical characteristics of novel two-dimensional carbon materials; A possibility of ultra-transparent materials
Y.Yokomizo; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 2011 MRS Fall Meeting, Materials Research Society, USA
発表日 2011年11月 - First-principles evaluation of the local dielectric properties of GeO2 ultrathin films
Jun Nakamura
口頭発表（招待・特別）, 英語, 15th International Conference on Thin Films (ICTF-15), IUVSTA, Kyoto, Japan, 国際会議
発表日 2011年11月 - Ballistic phonon thermal conductivity of graphene nano-ribbons
H.Tomita; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, International Conference of New Science Created by Materials with Nano Spaces: from Fundamentals to Applications, MEXT, Tsukuba
発表日 2011年11月 - IV-IV 族半導体超格子のナノスケール誘電特性
赤崎充洋; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第３１回表面科学学術講演会
発表日 2011年11月 - グラフェンナノリボンのバリスティック熱伝導特性
冨田洋樹; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第３１回表面科学学術講演会
発表日 2011年11月 - アームチェアグラフェンナノリボンのバリスティック熱伝導特性
冨田洋樹; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第７２回応用物理学会学術講演会
発表日 2011年09月 - Er2SiO5結晶・誘電率の第一原理計算
萩原敦; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第７２回応用物理学会学術講演会
発表日 2011年09月 - Electronic and magnetic properties of chemically‐derived graphene nano-ribbon
Y.Fujii; H.Tomita; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 22nd European Conference on Diamond (Diamond 2011), 22nd European Conference on Diamond (Diamond 2011)
発表日 2011年09月 - GaAs(001)-(2x2)Mn表面の原子配列と電子状態評価
菅野雄介; 大竹晃浩; 平山基; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２０１１年秋季大会
発表日 2011年09月 - アームチェアグラフェンナノリボンのバリスティック熱伝導特性評価
冨田洋樹; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第４回若手研究会,配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第４回若手研究会
発表日 2011年07月 - GeO2酸素欠損近傍の原子レベル誘電特性：結晶構造依存性
田村雅大; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第４回若手研究会,配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第４回若手研究会
発表日 2011年07月 - Mn-induced surface reconstructions on GaAs(001)
A.Ohtake; M.Hirayama; Y.Kanno; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-2011), 38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-2011), Berlin, Germany
発表日 2011年05月 - 酸素欠損GeO2薄膜の原子レベル誘電特性
田村雅大; 赤崎充洋; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５８回応用物理学関係連合講演会
発表日 2011年03月 - カルボキシル基終端ジグザググラフェンナノリボンの磁性
藤井雄人; 冨田洋樹; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５８回応用物理学関係連合講演会
発表日 2011年03月 - 学会における人材育成
中村淳
口頭発表（基調）, 日本語, シンポジウム：キャリアデザインと学会活動―出会える人・テーマ・チャンス―, 応用物理学会, 国内会議
発表日 2011年03月 - SiCポリタイプにおける誘電率の空間的変調
大杉拓也; 中村淳
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 日本語, 配列ナノ空間を利用した新物質科学 ユビキタス元素戦略 第７回領域会議, 大阪大学, 大阪
発表日 2011年01月 - Nano-materials design by first-principles calculations
Jun Nakamura
口頭発表（招待・特別）, 英語, 5th Japanese-French Frontiers of Science Symposium (JFFoS-5), Japan Society for the Promotion of Science and Centre National de la Recherche Scientifique, Tokyo, Japan, 国際会議
発表日 2011年01月 - GeO2超薄膜およびGeO2/Ge界面の誘電特性：局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響
田村雅大; 涌井貞一; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第３０回表面科学学術講演会
発表日 2010年11月 - SiON/SiC界面の誘電率不連続性
大杉拓也; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第３０回表面科学学術講演会
発表日 2010年11月 - カルボキシル基終端グラフェンナノリボンの磁性
藤井雄人; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第３０回表面科学学術講演会
発表日 2010年11月 - BN結晶多形ヘテロ構造の電子状態
加藤豪; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第３０回表面科学学術講演会
発表日 2010年11月 - 酸素吸着多角柱型カーボンナノシリンダーの構造安定性と電子状態評価
藤井雄人; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第３０回表面科学学術講演会
発表日 2010年11月 - Electronic and Magnetic Properties of Functionalized Graphene
Y.Fujii; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, American Vacuum Society 57th International Symposium & Exhibition (AVS-57), American Vacuum Society, Albuquerque
発表日 2010年10月 - Band and Dielectric Discontinuities of the Si1-xGe/Si1-yCy Superlattices
T.Ohsugi; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, American Vacuum Society 57th International Symposium & Exhibition (AVS-57), American Vacuum Society, Albuquerque
発表日 2010年10月 - 学会における若手支援の取り組み
中村淳
口頭発表（基調）, 日本語, 「医学物理士が切り拓く最新放射線がん治療」（第７１回応用物理学会学術講演会シンポジウム）, 応用物理学会, 国内会議
発表日 2010年09月 - 「博士のキャリア相談会」で考えさせられたこと：若手は学会に何を望む？
中村淳
口頭発表（基調）, 日本語, 博士のキャリアデザイン（第７１回応用物理学会学術講演会パネル討論会）, 応用物理学会, 国内会議
発表日 2010年09月 - SiC薄膜上におけるSiON超薄膜の誘電率
大杉拓也; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第７１回応用物理学会学術講演会
発表日 2010年09月 - GeO2超薄膜およびGeO2/Ge界面のナノスケール誘電特性
田村雅大; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第７１回応用物理学会学術講演会
発表日 2010年09月 - カルボキシル基終端ジグザググラフェンナノリボンの電子状態と磁性
藤井雄人; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第７１回応用物理学会学術講演会
発表日 2010年09月 - Sb安定化GaAs(001)-(2x5)表面の原子配列
大竹晃浩; 平山基; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会2010年秋季大会
発表日 2010年09月 - Percolation properties of nanotube/polymer composites
N.Ainoya; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 18th International Vacuum Congress (IVC-18), International Union for Vacuum Science, Technique and Applications, Beijing, China
発表日 2010年08月 - Structural and electronic properties of “oxidized” carbon-nanocylinder
Y.Fujii; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-37), International Symposium on Compound Semiconductors, Takamatsu
発表日 2010年06月 - Evaluation of the local dielectric constant near the oxygen vacancy for the defective HfO2 and SiO2 films
S.Wakui; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-37), International Symposium on Compound Semiconductors, Takamatsu
発表日 2010年06月 - Magnetic coupling between Mn atoms on GaAs(110)
M.Hirayama; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-37), International Symposium on Compound Semiconductors, Takamatsu
発表日 2010年06月 - Local profile of dielectric constants near the oxygen vacancy in GeO2
M.Tamura; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE), International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE), Tokyo, Japan
発表日 2010年06月 - BN結晶多形を利用したホモマテリアル・ヘテロ構造の電子状態
加藤豪; 中村淳
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 日本語, 「配列ナノ空間を利用した新物質科学 ユビキタス元素戦略」第６回領域会議, 東北大学谷垣研究室, 名古屋
発表日 2010年05月 - ホモマテリアルヘテロ界面の周期配列制御によるメタマテリアルの創製
中村淳
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 日本語, 「配列ナノ空間を利用した新物質科学 ユビキタス元素戦略」第６回領域会議, 東北大学谷垣研究室, 名古屋
発表日 2010年05月 - Si(001)/La2O3(01-10)界面の第一原理的バンドオフセット評価
谷内良亮; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５７回応用物理学関係連合講演会
発表日 2010年03月 - 第一原理計算によるEr2SiO5の結晶構造と電子状態評価
植田啓史; 中村淳; 名取晃子; 一色秀夫
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５７回応用物理学関係連合講演会
発表日 2010年03月 - 有限電界下の第一原理計算を用いたSiGe混晶の誘電率評価
佐藤耕平; 大杉拓也; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５７回応用物理学関係連合講演会
発表日 2010年03月 - カーボンナノチューブ分散媒質の交流電気伝導特性
挾間裕一; 相野谷直樹; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５７回応用物理学関係連合講演会
発表日 2010年03月 - Si/SiO2量子井戸内D-イオン束縛エネルギーの井戸幅依存性：valley-orbit相互作用効果
千葉朋; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会第６５回年次大会
発表日 2010年03月 - HfO2・SiO2薄膜における酸素欠損近傍の局所誘電率評価
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会第６５回年次大会
発表日 2010年03月 - GaAs(110)表面上のMnAs単分子層膜の磁性
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会第６５回年次大会
発表日 2010年03月 - 有限電界下の第一原理計算による局所誘電率評価の試み
中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 物質・材料研究機構第８７回QDRセミナー, 物質・材料研究機構
発表日 2009年12月 - Ge酸化物超薄膜の誘電特性
田村雅大; 涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第２９回表面科学学術講演会
発表日 2009年10月 - 列状酸素吸着カーボンナノシリンダーの構造安定性
藤井雄人; 平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第２９回表面科学学術講演会
発表日 2009年10月 - CNT分散媒質の異方的交流電気伝導特性
挾間裕一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第７０回応用物理学会学術講演会
発表日 2009年09月 - 列状酸素吸着CNTの構造安定性と電子物性評価
藤井雄人; 平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第７０回応用物理学会学術講演会
発表日 2009年09月 - 第一原理計算によるSi(001)/La2O3(01-10)界面のバンドオフセット評価
谷内良亮; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第７０回応用物理学会学術講演会
発表日 2009年09月 - HfO2薄膜の誘電特性：結晶構造依存性
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第７０回応用物理学会学術講演会
発表日 2009年09月 - GaAs(110)表面上Ga置換Mn原子鎖の原子鎖間磁気相互作用
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第７０回応用物理学会学術講演会
発表日 2009年09月 - バルクSi及びSi量子井戸内D-イオンのvalley-orbit分裂
千葉朋; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第７０回応用物理学会学術講演会
発表日 2009年09月 - Nano-scale profile of the dielectric constant near surfaces and interfaces: A first-principles approach
Jun Nakamura
口頭発表（招待・特別）, 英語, 2nd International Workshop on Epitaxial growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano 2009), Anan National College of Technology, Anan, Japan, 国際会議
発表日 2009年08月 - Inter-wire coupling of the Ga-substituted Mn atomic wire on GaAs(110)
Motoi Hirayama; Jun Nakamura; Akiko Natori
口頭発表（招待・特別）, 英語, 2nd International Workshop on Epitaxial growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano 2009), Anan National College of Technology, Anan, Japan, 国際会議
発表日 2009年08月 - 「学会における若手人材育成―ト応物があなたのキャリアデザインを応援します―」報告
庄司一郎; 石榑崇明; 中村淳; 小舘香椎子; 岩本光正; 河野明廣
その他, 日本語, 人材育成・男女共同参画委員会、刊行委員会、JJAP/APEX編集委員会,応用物理
発表日 2009年04月 - GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子ワイヤの原子配置とスピン・電子状態
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５６回応用物理学関係連合講演会
発表日 2009年03月 - 歪みHfO2薄膜の誘電特性
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５６回応用物理学関係連合講演会
発表日 2009年03月 - In-plane strain effects on dielectric properties of the HfO2 thin film
S.Wakui; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, 36th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces
発表日 2009年01月 - Anisotropic half-metallic ground states of Mn atomic wires on GaAs(110)
M.Hirayama; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, 36th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces
発表日 2009年01月 - 応用物理学会における人材育成と男女共同参画の取り組み
中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 東京工業大学理工系女性研究者プロモーションプログラム講演会, 東京工業大学
発表日 2009年01月 - GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態と電子状態
平山基; 中村淳; 名取晃子
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 日本語, The 13th Symposium on the Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors (PASPS13), 東北大学, 仙台
発表日 2009年01月 - HfO2/La2O3超薄膜の誘電特性
涌井貞一; 谷内良亮; 中村淳; 名取晃子
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 日本語, シリコンナノエレクトロニクスの新展開-ポストスケーリングテクノロジー第３回成果報告会, 名古屋大学, 東京
発表日 2009年01月 - 博士のキャリア相談会―トライアル開催の報告―
中村淳; 小舘香椎子
その他, 日本語, 応用物理学会人材育成・男女共同参画委員会,応用物理
発表日 2008年11月 - 最先端表面研究が切り拓くナノエレクトロニクスのブレークスルー原子レベルから環境にやさしく
中村淳
口頭発表（基調）, 日本語, 第２８回表面科学学術講演会, 日本表面科学会, 国内会議
発表日 2008年11月 - GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態と電子状態
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第２８回表面科学学術講演会
発表日 2008年11月 - HfO2超薄膜の誘電特性
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第２８回表面科学学術講演会
発表日 2008年11月 - カーボンナノチューブ分散媒質の異方的電気伝導特性
挾間裕一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第２８回表面科学学術講演会
発表日 2008年11月 - 酸素吸着グラフェンの積層構造の構造安定性と凝集性質
江口俊輔; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第２８回表面科学学術講演会
発表日 2008年11月 - Si(111)-(7×7)表面上の銀クラスター形成過程の計算機シミュレーション
千葉朋; 冷清水裕子; 泉水一紘; 須藤彰三; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第２８回表面科学学術講演会
発表日 2008年11月 - La2O3(0001)超薄膜の誘電特性
谷内良亮; 涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第２８回表面科学学術講演会
発表日 2008年11月 - Activities of the Japan Society of Applied Physics (JSAP)
Activities of the Japan; Society of; Applied; Physics (JSAP; The; rd IUPAP International Conference on Women in Physics; Oc; Seoul, Korea; K.Ishikawa; M.N-.Gamo; K.Ishikawa; M.O.Watanabe; Y.Toyama; H.Iijima; K.Ito; J.Nakamura; K.Kodate
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, The 3rd IUPAP International Conference on Women in Physics 2008, The Korean Physical Society, Seoul, Korea
発表日 2008年10月 - La2O3(0001)超薄膜の誘電特性
谷内良亮; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第６９回応用物理学会学術講演会
発表日 2008年09月 - HfO2超薄膜の局所誘電率プロファイル
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第６９回応用物理学会学術講演会
発表日 2008年09月 - GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子ワイヤの原子配置とスピン・電子状態
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第６９回応用物理学会学術講演会
発表日 2008年09月 - SiC結晶多形の誘電率：第一原理計算による積層構造依存性評価
佐藤耕平; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第６９回応用物理学会学術講演会
発表日 2008年09月 - 学会における若手人材育成―応物があなたのキャリアデザインを応援します―
庄司一郎; 石榑崇明; 中村淳; 小舘香椎子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第６９回応用物理学会学術講演会
発表日 2008年09月 - Si(111)-(7x7)表面上の銀クラスター形成過程の計算機シミュレーション
千葉朋; 冷清水裕子; 泉水一紘; 須藤彰三; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第６９回応用物理学会学術講演会
発表日 2008年09月 - GaAs(110)表面上のGa置換Mnナノワイヤの原子配置とスピン・電子状態
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２００８年秋季大会
発表日 2008年09月 - 異方的な超微粒子分散媒質の高周波電気伝導特性
挾間裕一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２００８年秋季大会
発表日 2008年09月 - グラフェンリボンのバリスティック熱コンダクタンス
山口翔; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２００８年秋季大会
発表日 2008年09月 - 酸化グラフェン積層物質の構造安定性
江口俊輔; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２００８年秋季大会
発表日 2008年09月 - GaAs(001)-(2x4)-Sb吸着構造の再検討
大竹晃浩; 平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２００８年秋季大会
発表日 2008年09月 - Anomalous enhancement of the local dielectric constant near defects in SiO2
S.Wakui; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14), 14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14), Dublin, Ireland
発表日 2008年07月 - Polytype dependence of permittivity of SiC films
J.Nakamura; K-H.Sato; Y.Iwasaki; S.Wakui; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14), 14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14), Dublin, Ireland
発表日 2008年07月 - GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 第４回量子ナノ材料セミナー,第４回量子ナノ材料セミナー, 電気通信大学, 調布
発表日 2008年07月 - GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 第４回量子ナノ材料セミナー,第４回量子ナノ材料セミナー
発表日 2008年07月 - Atomic-scale friction of nanometer-sized contacts
M.Igarashi; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14), 14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14), Dublin, Ireland
発表日 2008年06月 - First-principles calculations on STM images for subsurface dopants: tip-induced band-bending and dependence on dopant species
M.Hirayama; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14), 14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14), Dublin, Ireland
発表日 2008年06月 - 人材育成・男女共同参画第８回ミーティング報告「博士『後』のキャリアを考える２」
津村徳道; 中村淳; 庄司一郎; 坂野井和代
その他, 日本語, 応用物理学会 人材育成・男女共同参画委員会,応用物理 77, 581 (2008)
発表日 2008年05月 - Si/酸化物界面近傍における誘電率の空間分布：第一原理計算による評価
中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 東京大学物性研究所客員所員講演会, 東京大学物性研究所
発表日 2008年04月 - 欠陥のあるSiO2/Si(001)界面・SiO2超薄膜の局所誘電率評価
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 日本語, シリコンナノエレクトロニクスの新展開-特定領域研究ポストスケール第２回成果報告会, 名古屋大学, 東京
発表日 2008年03月 - 多谷半導体中のD-基底状態：磁場効果
井上純一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会第６３回年次大会
発表日 2008年03月 - SiO2/Si(001)界面におけるナノスケール誘電特性の第一原理計算
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会第６３回年次大会
発表日 2008年03月 - ナノスケールの摩擦機構：ティップサイズ効果
五十嵐正典; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会第６３回年次大会
発表日 2008年03月 - 不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算II：STM像の不純物原子種依存性
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会第６３回年次大会
発表日 2008年03月 - Si(111)水素終端表面近傍不純物のSTMシミュレーション：不純物種依存性と探針誘起バンドベンディング
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５５回応用物理学関係連合講演会
発表日 2008年03月 - SiO2薄膜中の欠陥近傍における局所誘電率の異常増大
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５５回応用物理学関係連合講演会
発表日 2008年03月 - （グラフェンの応用物性）グラフェンの酸化とコンポジット材料
中村淳; 伊藤潤; 尾越勇太; 名取晃子
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 第５５回応用物理学関係連合講演会, 応用物理学会
発表日 2008年03月 - Dielectric properties of the interface between Si and SiO_2
Sadakazu Wakui; Jun Nakamura; Akiko Natori
口頭発表（一般）, 英語, 35th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces
発表日 2008年01月 - Band-bending effects on STM images for subsurface dopants
Motoi Hirayama; Jun Nakamura; Akiko Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 15th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy, Japan Society of Applied Physics, Atagawa (Shizuoka)
発表日 2007年12月 - Si量子ドットの多電子基底状態
桝日向; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 表面科学会,第２７回表面科学講演大会
発表日 2007年11月 - Dielectic properties of the interface between Si adn SiO2
S.Wakui; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI2007), The 154th Committee on Semiconductor Interfaces and Their Applications, Japan Society for the Promotion of Science (JSPS), Hachiouji, Japan
発表日 2007年11月 - Nano-scale profile of the dielectric constant near the Si/Oxide interface: A first-principles approach
Jun Nakamura
口頭発表（招待・特別）, 英語, 212th Electrochemical society (ECS-212), The Electrochemical Society, Washington D.C., 国際会議
発表日 2007年10月 - グラフェンのバリスティック熱伝導特性
斎藤浩一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会第６２回年次大会
発表日 2007年09月 - Mechanism of velocity saturation and lateral resonance in atomic-scale sliding friction
M.Igarashi; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, International Conference on Nano Science and Technology (ICN+T 2007), International Union of Vacuum Science, Technique and Applications (IUVSTA), Stockholm, Sweden
発表日 2007年07月 - STM simulations for B- and P-doped Si(111) surfaces
M.Hirayama; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, International Conference on Nano Science and Technology (ICN+T 2007), International Union of Vacuum Science, Technique and Applications (IUVSTA), Stockholm, Sweden
発表日 2007年07月 - Mechanism of velocity saturation of atomic friction force and the dynamic superlubricity
J.Nakamura; J.Ito; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, International Conference on Nano Science and Technology (ICN+T 2007), International Union of Vacuum Science, Technique and Applications (IUVSTA), Stockholm, Sweden
発表日 2007年07月 - １次元Tomlinsonモデルを用いた原子レベル摩擦機構の解明
中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 豊田理化学研究所・特定課題研究「ナノトライボロジー」平成１９年度第一回研究会, 豊田理化学研究所
発表日 2007年06月 - 有限温度原子レベル摩擦機構～１次元Tomlinsonモデルによる解析～
中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 日本物理学会２００７年春季大会シンポジウム：ナノスコピック系の摩擦の物理：摩擦の素過程と制御, 日本物理学会
発表日 2007年03月 - 第一原理計算によるSiO2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性評価
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２００７年春季大会
発表日 2007年03月 - 不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５４回応用物理学関係連合講演会
発表日 2007年03月 - 酸素吸着グラフェンの構造双安定性の第一原理計算
伊藤潤; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２００７年春季大会
発表日 2007年03月 - SiO2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５４回応用物理学関係連合講演会
発表日 2007年03月 - SiO2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 日本語, ゲートスタック研究会第１２回研究会, 応用物理学会, 三島
発表日 2007年02月 - 外部電場はSi(001)面の表面超構造を変化させるか？
中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 第１回NIMSナノ計測センターシンポジウム「半導体表面における構造と物性の新展開 - Si(001)とGe(001)表面を中心として -」, 物質・材料研究機構
発表日 2007年02月 - ac conductivity and dielectric constant of conductor-insulator composites
Y.Koyama; T.B.Murutanto; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 6th International IEEE Conference on Polymers and Adhesives in Microelectronics and Photonics (Polytronic 2006), IEEE
発表日 2007年01月 - B／PドープSi(111)表面のSTM像の第一原理シミュレーション
平山基; 中村淳; 名取晃子
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 日本語, 第6回ドーパント計測研究会, 産業技術総合研究所, つくば
発表日 2007年01月 - STM simulations for B- and P-doped Si(111) surfaces
H.Hirayama; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, The 14th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM-14), The Japan Society of Applied Physics
発表日 2006年12月 - Mechanism of velocity saturation of atomic friction force and the dynamic superlubricity at torsional resonance
M.Igarashi; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, The 14th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM-14), The Japan Society of Applied Physics
発表日 2006年12月 - 人材育成・男女共同参画第８回ミーティング報告「博士『後』のキャリアを考える」
坂野井和代; 中村淳; 庄司一郎; 近藤高志
その他, 日本語, 応用物理学会 人材育成・男女共同参画委員会,応用物理
発表日 2006年12月 - Deielectproperties of the interface between Si and SiO2
Sadakazu Wakui; Jun Nakamura; Akiko Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 2006 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices - Science and Technology, The Japan Society of Applied Physics, Kawasaki
発表日 2006年11月 - First-principles calculation of electrostatic property of the interface: Ultra-thin Al/Si(111)
Tomo Shimizu; Kenji Natori; Jun Nakamura; Akiko Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 2006 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices - Science and Technology, The Japan Society of Applied Physics, Kawasaki
発表日 2006年11月 - First-principles evaluations of dielectric properties from nano-scale of points of view
Jun Nakamura; Sadakazu Wakui; Akiko Natori
口頭発表（招待・特別）, 英語, 8th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT-8), IEEE, Shanghai, 国際会議
発表日 2006年10月 - 第一原理計算に基づく絶縁超薄膜誘電率の理論的解析
中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, Nano CMOS 今後１５年の展望とその技術課題, IEEE-EDS Japan Chapter
発表日 2006年09月 - D-基底状態の拡散量子モンテカルロ計算：有効質量異方性および多谷効果
井上純一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２００６年秋期大会
発表日 2006年09月 - 原子摩擦力の速度飽和機構
五十嵐正典; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２００６年秋期大会
発表日 2006年09月 - Dielectric discontinuity at a twin boundary in Si(111)
Jun Nakamura; Akiko Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, ICPS-28 (28th International Conference on the Physics of Semiconductors), International Conference on the Physics of Semiconductors, Vienna, Austria
発表日 2006年07月 - Charge correlation and spin coupling in double quantum dots
Hyuga Masu; Jun Nakamura; Akiko Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, ICPS-28 (28th International Conference on the Physics of Semiconductors), International Conference on the Physics of Semiconductors, Vienna, Austria
発表日 2006年07月 - 第一原理計算による極薄膜Al/Si界面の検討：界面水素終端の影響
清水共; 名取研二; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５３回応用物理学関係連合講演会
発表日 2006年03月 - 縦型２重量子ドットのスピン結合と磁場制御
桝日向; 山田太一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会第６１回年次大会
発表日 2006年03月 - Si(111)双晶境界近傍の局所的誘電率変化
中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会第６１回年次大会
発表日 2006年03月 - First-principles calculations of dielectric constatns for ultrathin SiO2 films
S.Wakui; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, 33rd Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-33)
発表日 2006年01月 - Dielectric discontinuity at a stacking fault in Si(111)
J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, 33rd Conference on the Physics and Chemisty of Semiconductor Interfaces (PCSI-33)
発表日 2006年01月 - First-Principles evaluations of dielectric constants
J.Nakamura; S.Wakui; A.Natori
口頭発表（招待・特別）, 英語, IEEE-EDS International Workshop on Nano CMOS, IEEE-EDS, Mishima, Japan, 国際会議
発表日 2006年01月 - First-principles calculations of dielectric constants for ultrathin SiO2 films
S.Wakui; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)
発表日 2005年11月 - First-principles calculations on adsorption and diffusion of oxygen atoms on graphene sheets
J.Ito; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)
発表日 2005年11月 - Structural stabilities and electronic properties of planar Si compounds
M.Hirayama; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)
発表日 2005年11月 - Controlling the spin coupling in double quantum dots
H.Masu; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)
発表日 2005年11月 - Dielectric properties for ultra-thin films of the polytypes of SiC
J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)
発表日 2005年11月 - Atomic scale mechanism of friction
S.Wakunami; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)
発表日 2005年11月 - Electronic and magnetic properties of BNC ribbons
T.Nitta; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)
発表日 2005年11月 - Ga- and As-Rich Limit of Surface Reconstruction on GaAs(001)
A.Ohtake; P.Kocan; K.Seino; W.G.Schmidt; J.Nakamura; A.Natori; N.Koguchi
口頭発表（一般）, 英語, 23-rd European Conference on Surface Science (ECOSS-23)
発表日 2005年09月 - Friction mechanism in atomic-scale
S.Wakunami; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, 23-rd European Conference on Surface Science (ECOSS-23)
発表日 2005年09月 - First-principles evaluations of dielectric constants for ultra-thin semiconducting films
J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, 23-rd European Conference on Surface Science (ECOSS-23)
発表日 2005年09月 - SiO2超薄膜の誘電特性
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２００５年秋期大会
発表日 2005年09月 - 原子レベルの摩擦機構
涌波信弥; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２００５年秋期大会
発表日 2005年09月 - SiC多形超薄膜の誘電特性
中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２００５年秋期大会
発表日 2005年09月 - グラフェンシートの酸素吸着と拡散過程の第一原理計算
伊藤潤; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２００５年秋期大会
発表日 2005年09月 - 若手からの提言「多様化するライフスタイルとキャリアプラン」
中村淳; 青木画奈
その他, 日本語, 応用物理
発表日 2004年12月 - ポスドク制度の実態報告
中村淳
口頭発表（基調）, 日本語, 第６５回応用物理学会学術講演会, 国内会議
発表日 2004年09月 - ポスドク・任期付き技術者／研究者の現状と将来像
中村淳
口頭発表（基調）, 日本語, 第６４回応用物理学会学術講演会, 国内会議
発表日 2003年09月 - 7aSP-10 SiO2超薄膜のトンネル特性(表面ナノ構造量子物性,領域9)
渡会 雅敏; 中村 淳; 名取 晃子
日本語, 日本物理学会講演概要集, 一般社団法人日本物理学会
発表日 2002年08月13日
開催期間 2002年08月13日- 2002年08月13日 - 7aSM-1 GaAs(001)-c(4×4)表面に対する新たな構造モデルの提唱(表面界面構造・電子物性,領域9)
大竹 晃浩; 中村 淳; 塚本 史郎; 小口 信行; 名取 晃子
日本語, 日本物理学会講演概要集, 一般社団法人日本物理学会
発表日 2002年08月13日
開催期間 2002年08月13日- 2002年08月13日 - 25pPSB-43 Si(100)面のダイマーバックリングダイナミクス(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
長内 理尚; 中村 淳; 安永 均; 名取 晃子
日本語, 日本物理学会講演概要集, 一般社団法人日本物理学会
発表日 2002年03月01日
開催期間 2002年03月01日- 2002年03月01日 - 25pPSB-60 不均一表面層の2端子間2次元電流分布(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
名取 晃子; 伊藤 哲朗; 中村 淳; 安永 均
日本語, 日本物理学会講演概要集, 一般社団法人日本物理学会
発表日 2002年03月01日
開催期間 2002年03月01日- 2002年03月01日 - Interface Structural analysis using medium-energy coaxial impact-collision ion scattering spectroscopy
H.Sone; T.Kobayashi; G.Dorenbos; J.Nakamura; M.Aono; C.F.McConville
口頭発表（招待・特別）, 英語, ICAARI-6, Texas, USA, 国際会議
発表日 2000年 - Structure and electronic states for a double strand of Au atoms
J.Nakamura
口頭発表（招待・特別）, 英語, 24th Relativity Workshop: The Society for Discrete Variational Xa, 招待, The Society for Discrete Variational Xa, Kyoto, Japan, 国際会議
発表日 1999年09月
担当経験のある科目_授業
- 上級コンピュータ演習
The University of Electro-Communications - 上級コンピュータ演習
電気通信大学 - 基盤理工学専攻基礎
電気通信大学 - 基盤理工学専攻基礎
電気通信大学 - UECパスポートプログラムB
電気通信大学 - UECパスポートプログラムB
電気通信大学 - UECパスポートプログラムA
The University of Electro-Communications - UECパスポートプログラムA
電気通信大学 - ナノエレクトロニクス特論
電気通信大学 - ナノエレクトロニクス特論
電気通信大学 - 基礎電磁気学および演習
The University of Electro-Communications - 凝縮系物理学特別講義IV
千葉大学大学院理学研究科 - 凝縮系物理学特別講義IV
千葉大学大学院理学研究科 - 総合コミュニケーション科学
電気通信大学 - Ｋ課程輪講
電気通信大学 - 電磁気学および演習
電気通信大学 - 電磁気学および演習
電気通信大学 - 基礎電磁気学および演習
電気通信大学 - 基礎電磁気学および演習
電気通信大学 - 総合コミュニケーション科学
The University of Electro-Communications - 総合コミュニケーション科学
電気通信大学 - ＵＥＣパスポートプログラムII
電気通信大学 - ＵＥＣパスポートプログラムI
The University of Electro-Communications - UECパスポートセミナー
電気通信大学 - 数値計算法
The University of Electro-Communications - 計算数理工学
The University of Electro-Communications - 固体電子論
The University of Electro-Communications - ナノエレクトロ二クス特論
The University of Electro-Communications - 電磁気学第一
電気通信大学 - Ｋ課程輪講
The University of Electro-Communications - Ｋ課程輪講
電気通信大学 - 先進理工学専攻基礎
電気通信大学 - 先進理工学専攻基礎
電気通信大学 - ＵＥＣパスポートプログラムII
The University of Electro-Communications - ＵＥＣパスポートプログラムII
電気通信大学 - ＵＥＣパスポートプログラムI
電気通信大学 - ＵＥＣパスポートプログラムI
電気通信大学 - UECパスポートセミナー
The University of Electro-Communications - UECパスポートセミナー
電気通信大学 - 数値計算法
電気通信大学 - 数値計算法
電気通信大学 - 電子工学実験第一
電気通信大学 - 電子工学実験第一
The University of Electro-Communications - 電子工学実験第一
電気通信大学 - 計算数理工学
電気通信大学 - 計算数理工学
電気通信大学 - 固体電子論
電気通信大学 - 固体電子論
電気通信大学 - ナノエレクトロ二クス特論
電気通信大学 - ナノエレクトロ二クス特論
電気通信大学 - 電磁気学第一
The University of Electro-Communications - 電磁気学第一
電気通信大学
所属学協会
共同研究・競争的資金等の研究課題
- 一酸化炭素還元能を発現させる非平面π共役系原子配列の設計と評価
中村 淳
日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 電気通信大学, 基盤研究(C), 24K08242
研究期間 2024年04月01日 - 2027年03月31日 - 二次元錯体配列によるシナジェティック触媒の新展開
藪 浩; 中村 淳; 熊谷 明哉
日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 東北大学, 基盤研究(A), 23H00301
研究期間 2023年04月01日 - 2026年03月31日 - Mn-GaAs系二次元構造制御による新奇強磁性物質の創製と磁性発現機構の解明
中村 淳; 大竹 晃浩
日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(B), 電気通信大学, 基盤研究(B), 原子レベル結晶成長技術と精緻な第一原理電子状態計算を駆使し、GaAs表面におけるMnの成長素過程を詳細に明らかにした。最表面に吸着したMn原子は、As-rich条件下においては表面第二層のGa原子位置を優先的に置換し、表面のAsが少ない条件では格子間位置に組み込まれることが明らかとなった。希薄磁性半導体薄膜を実現するためには、Gaを優先的に置換する必要があり、本研究により、その必要条件が示された。, 22360020
研究期間 2010年 - 2012年 - ホモマテリアルヘテロ界面の周期配列制御によるメタマテリアルの創製
中村 淳
日本学術振興会, 科学研究費助成事業 特定領域研究, 電気通信大学, 特定領域研究, 本研究は、(1)人工的に制御された「ホモマテリアルヘテロ界面」構造を利用したヘテロ界面の基礎物理モデルの構築と、(2)その周期配列制御によるメタマテリアルの創製、を目論むものである。すなわち、本質的に界面の格子不整合を含まない同物質の異結晶形ヘテロ構造を利用して、新たなメタマテリアルの創製とそのヘテロ構造デバイスへの応用の可能性を探る。昨年までにとりあげた窒化ホウ素(BN)に加え、本年はIV-IV族化合物半導体として最も典型的な物質で、ワイドバンドギャップ半導体として応用上も非常に重要な炭化ケイ素(SiC)、およびポストスケール世代の半導体材料として注目されるSiGe混晶を対象として、その「ホモマテリアルヘテロ界面」の電子状態を評価した。密度汎関数理論に基づく第一原理計算を用いて結晶多形超格子の電子状態計算を行った。用いた結晶多形は、立方晶系(閃亜鉛鉱構造)の3C、および六方晶系の2H(ウルツ鉱構造)、4H、および6Hである。本研究では3C/nHタイプの超格子(n=2,4,6)を考えた。SiCやSiGeのようなIV-IV族半導体および昨年評価を行ったBNのようなIII-V族化合物半導体の超格子はいずれもタイプIIの超格子となり、一方IV族単体半導体同士のヘテロ界面を用いるといずれもタイプIの超格子となることがわかった。化合物であるか単体であるかによって超格子のタイプが異なるのは、そのバンドダイヤグラムから理解可能であることが示された。また、各超格子について局所誘電率(屈折率)の空間プロファイルを評価したところ、界面近傍における誘電率の変化領域は原子レベル(高々2から3原子層以内)であることがわかった。ホモマテリアルヘテロ界面を用いることによって、急峻な界面特性を持つ超格子を作製可能であることが理論的に示された。, 22013006
研究期間 2010年 - 2011年 - ナノスケールSiO2/Si界面の局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響
名取 晃子; 中村 淳
日本学術振興会, 科学研究費助成事業 特定領域研究, 電気通信大学, 特定領域研究, 電界印加下の密度汎関数基底状態計算(B. Meyer et al., Phys. Rev. B 63(2001)205426)を用いて電界誘起電荷密度を求め、ガウス分布フィルターを用いて粗視化を行う。粗視化された電界誘起電荷観密度を用いてガウス則より粗視化された局所内部電界を評価し、電束密度連続の式より局所誘電率の3次元空間分布を求める定式化とプログラム開発を行った。 SiO2超薄膜と理想的なSiO2/Si(001)界面に酸素欠損を導入し、電子分極による光学誘電率、電子分極と格子分極による静的誘電率の3次元空間分布を調べた。欠陥近傍での光学誘電率の空間変化は小さいが、静的誘電率は欠陥近傍で増大することを見出した。 さらに、HfO2、La2O3等のイオン性の強いhigh-k超薄膜の誘電特性、Ge-MOSの酸化膜として期待されるGeO2超薄膜、GeO2/Ge(001)界面の局所誘電特性の計算を行った。GeO2酸化膜では、結晶構造の異なるquartz構造とrutile構造の2種類の薄膜を調べた。quartz構造薄膜は共有結合性が強く、quartz構造SiO2膜と類似の誘電特性を示す。イオン結合性の強いrutile構造薄膜はquartz構造より大きな静的誘電率を持ち、酸素欠損近傍での静的誘電率はさらに増大することを示した。 HfO2超薄膜の誘電特性の計算は論文にまとめ、J. Vac. Sci. Technol. Bに掲載された。GeO2超薄膜、GeO2/Ge(001)界面の局所誘電特性の研究成果は、"37^Conf. on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces"で発表され、現在、論文を執筆中である。, 20035005
研究期間 2008年 - 2009年La酸化物超薄膜/Si界面の原子レベル誘電特性の解明
中村 淳
日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(C), 電気通信大学, 基盤研究(C), 密度汎関数理論に基づく第一原理電子状態計算を用いて、La酸化物超薄膜単体およびLa酸化物とSi基板界面における原子レベル誘電特性、電子状態計算を行った。La酸化物表面においては、表面緩和により誘電率が著しく低下することがわかった。また、界面におけるバンドオフセットは、界面原子配列の詳細に大きく依存することがわかった。, 19560020
研究期間 2007年 - 2009年ナノコンタクトの摩擦機構と超潤滑
名取 晃子; 中村 淳
日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(C), 電気通信大学, 基盤研究(C), 摩擦力顕微鏡(FFM)が開発されて原子スケールでの摩擦力の観測が可能となり、ナノスケールのコンタクトの摩擦に対して巨視的な接触面での摩擦則が成立しないことが明らかになっている。本研究の目的は、ナノスケールコンタクトの摩擦機構を明らかにし、摩擦が消滅する超潤滑の出現機構と出現条件を解明することである。 FFMでの単針の運動をTomlinsonモデルを用いて調べ、以下のことがらを明らかにした。 (1)FFMで観測される摩擦力のスキャン速度飽和について、新たな機構を提唱した。 (2)単針先端が複数個の原子で構成される場合の摩擦機構を明らかにした。 (3)FFM単針を振動させながらスキャンしたときに観測される摩擦消失(動的超潤滑)の機構を明らかにした。, 18540313
研究期間 2006年 - 2008年ナノスケールSiO2/Si界面の電子状態と局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響
名取 晃子; 中村 淳
日本学術振興会, 科学研究費助成事業 特定領域研究, 電気通信大学, 特定領域研究, 電界印加下の密度汎関数基底状態計算(B.Meyer et al,Phys.Rev.B 63(2001)205426)を用いて電界誘起面平均電荷密度を求め、ガウス則より局所内部電界を評価し、電束密度連続の式より局所誘電率を計算する定式化とプログラム開発を行った。 SiO_2超薄膜と理想的なSiO_2/Si(001)界面に適用し(S. Wakui et al.,in submission to J.Vac.Sci.Tech.B)、電子分極による光学誘電率、電子分極と格子分極の双方による静的誘電率の評価を行った。光学誘電率、静的誘電率共に、表面、界面近傍で急峻に変化することを見出した。さらに、SiO_2超薄膜と理想的なSiO_2/Si(001)界面に酸素空孔を導入し、欠陥が局所誘電率に与える影響を調べた。酸素空孔近傍で光学誘電率、静的誘電率双方に増大が見られた。光学誘電率増強は、酸素空孔に起因するSiタッグリングボンド準位がSiエネルギーギャップ中に現れることにより、電子分極が増大することによる。SiO_2超薄膜での静的誘電率増強には、酸素空孔によるSi原子層間隔の減少にも起因する。さらに、SiO_2超薄膜内のHf原子のSi原子置換により、静的誘電率が局所的に異常に大きく増大する現象を見出した(S.Wakui et al.,in submission to Appl.Phys.Lett.)。, 19026004
研究期間 2007年 - 2007年ナノメータ・スケール集積エレクトロニクスの理論的構築
名取 研二; 中村 淳; 佐野 伸行; 山部 紀久夫
日本学術振興会, 科学研究費助成事業 特定領域研究, 筑波大学, 特定領域研究, 1.昨年度に開発した、MOSFET中のキャリヤ輸送にフェルミ統計を考慮したモンテカルロ・シミュレーションにより、極微細MOSFETにおいて、バリステイックな電流やキャリヤ速度がフォノン散乱によって抑制される状況を解析した。 2.将来の有望な素子候補といわれる、ナノワイヤからなるFETの特性に関して、バリステイックなキャリヤ輸送の場合の電流電圧特性の一般公式を与えた。ナノワイヤの1次元バンド構造を与えれば、容易にFET特性を算出できる。これを用いて、ナノワイヤの性能極限などを議論できる。 3.MOSFETの閾値電圧の揺らぎの検討に関して。昨年度の深さ方向1次元の解析を、面内にそのようなカラムが束ねられているモデルに拡張して、チャネル内のキャリヤ伝導をカラム間のパーコレーションとして扱うシミュレーション・モデルを開発した。従来の大規模シミュレータのような計算コストが掛からない、3次元的な不純物位置情報を反映した、閾値電圧の標準偏差を知る強力なツールとなる可能性がある。 4.Siの(113)面上に、Geのナノワイヤが自己組織化的に成長する機構の解析に関して。昨年、第一原理計:算およびSTM観察の結果より、成長するGeの結晶構造がTPI&Rモデルといわれる構造であることを特定した。続いて、本年度はGe結晶の応力分布を算出し、結晶内の一方向にcompressiveなストレスが、またこれと直交する方向にtensileなストレスがかかっており、このストレス異方性が細長い島成長からワイヤ成長へと方向付けていることを明らかにした。ワイヤの自己組織化の有力な機構のひとつと見られる。 5.ナノスケール素子形成のための、シリコン面の制御法の検討。陽極酸化によりシリコン面に酸化膜フェンスで囲まれた領域を形成し、極低溶存酸素純水に依るエッチングで、領域内を完全にステップフリーとすることができた。また、シリコン面のテラス構造をCuを含む溶液に浸漬し、ステップに沿ったCu吸着によりCuナノワイヤを形成することができた。これらは、ナノスケールの素子構造形成の制御法の一つとして注目される。, 13025210
研究期間 2001年 - 2003年ヘテロエピタキシャル結晶SiO_2/Si(001)の原子レベルのトンネル障壁
名取 晃子; 中村 淳
日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(C), 電気通信大学, 基盤研究(C), SiO2/Si超格子構造を用いて密度汎関数第一原理計算を行い、エネルギー分散関係とブロッホ関数の空間分布より、価電子帯バンドオフセットの新たな評価法を提案した。従来の評価法は層厚が十分暑い場合にしか適用できないが、本方法は層暑が薄い場合にも適用でき、厚い場合には従来の評価方法による値に一致する。 下記の結果が得られ、現在、論文執筆中である。 (1)SiO2層厚が薄い場合の価電子帯バンドオフセットのSiO2層厚依存性と、ホールの侵入長評価:SiO2層厚が減少すると価電子帯のバンドオフセットは減少する。これはSiO2層のエネルギーギャップの減少による。ホールの侵入長と価電子帯のバンドオフセットの結果は、コンシステントな結果を与える。 (2)Si層厚が薄い場合の、エネルギーギャップと価電子帯のバンドオフセットの、Si層厚依存性:Si層厚が減少するとエネルギーギャップは増加し、価電子帯のバンドオフセットは減少する。これは、Si層での量子閉じ込め効果による。 (3)価電子帯のバンドオフセットの、電子・正孔注入濃度依存性:電子注入により価電子帯のバンドオフセットは増加し、正孔注入により価電子帯のバンドオフセットは減少する。これは、Si層内のキャリア注入により静電ポテンシャルが変化することによる。, 13640322
研究期間 2001年 - 2002年社会貢献活動
メディア報道
- Transforming Surface Science: Unveiling Local Dielectric Properties through Advanced Visualization Techniques
Bioengineer.com, https://bioengineer.org/transforming-surface-science-unveiling-local-dielectric-properties-through-advanced-visualization-techniques/, インターネットメディア
公開日 2025年03月 - Transforming Surface Science: Unveiling Local Dielectric Properties through Advanced Visualization Techniques
Scienmag: Morning News, https://scienmag.com/transforming-surface-science-unveiling-local-dielectric-properties-through-advanced-visualization-techniques/, インターネットメディア
公開日 2025年03月 - Visualizing Local Dielectric Properties of Surfaces
MIRAGE, https://www.miragenews.com/visualizing-local-dielectric-properties-of-1421847/, インターネットメディア
公開日 2025年03月 - Revolutionizing surface science: Visualization of local dielectric properties of surfaces
EurekAlert, https://www.eurekalert.org/news-releases/1076145, インターネットメディア
公開日 2025年03月
学術貢献活動
- 日本表面真空学会常務理事
学会・研究会等, 企画立案・運営等, 日本表面真空学会, 実施期間 2024年05月01日 - 現在 - International committee for 31st PPC Symposium on Petroleum, Petrochemicals, and Polymers and the 16th Research Symposium on Petrochemical and Materials Technology (PPC & PETROMAT 2025)
大会・シンポジウム等, 企画立案・運営等, 実施期間 2025年06月25日 - 2025年06月27日, Thailand, 国際学術貢献している - 日本工学アカデミージェンダー委員会シンポジウム
大会・シンポジウム等, パネル司会・セッションチェア等, 日本工学アカデミー, 実施期間 2022年05月06日 - 2022年05月06日
