博士（工学）, 早稲田大学

触媒

第一原理計算

Surface structure of solids

Electronic properties in general

Thin films

Crystal structure in general;crystallography

Dielectric properties and materials

Magnetic properties and materials

Methods of structure determination; diffraction crystallography

Crystal growth

Electronic structure

固体の表面構造

電子物性一般

薄膜

結晶構造一般；結晶学

誘電体

磁性

構造決定法；回折結晶学

結晶成長

電子構造

情報通信, 計算科学

自然科学一般, 半導体、光物性、原子物理

ナノテク・材料, ナノ構造物理

ナノテク・材料, 結晶工学

ナノテク・材料, 薄膜、表面界面物性

2012年04月01日
電気通信大学大学院情報理工学研究科先進理工学専攻, 教授

2007年04月01日 - 2012年03月31日
電気通信大学電気通信学部電子工学科, 准教授

2008年04月01日 - 2008年09月30日
東京大学物性研究所客員部門, 准教授

2006年04月01日 - 2007年03月31日
電気通信大学電気通信学部電子工学科, 助教授

2001年03月 - 2006年03月31日
電気通信大学電気通信学部電子工学科, 助手

1998年04月 - 2001年02月
理化学研究所, 基礎科学特別研究員

1997年06月 - 1998年03月
早稲田大学材料技術研究所, 専任客員講師

1997年04月 - 1997年05月
日本学術振興会, 特別研究員（PD）

1995年04月 - 1997年03月
早稲田大学理工学部, 助手

1996年03月
早稲田大学, 理工学研究科, 材料工学専攻

1993年03月
早稲田大学, 理工学研究科, 材料工学専攻

1991年03月
早稲田大学, 理工学部, 材料工学科

1984年04月01日 - 1987年03月31日
大分県立大分舞鶴高等学校

2024年04月 - 現在
常務理事, 日本表面真空学会, 学協会

2022年05月 - 現在
ジェンダー委員会委員, 日本工学アカデミー, 学協会

2022年04月 - 現在
協議員会委員, 日本表面真空学会, 学協会

2022年03月 - 現在
人材育成・教育企画委員会委員, 応用物理学会, 学協会

2018年01月 - 2024年04月
委員, 日本表面真空学会「表面と真空」編集委員会, 学協会

2022年04月 - 2023年03月
論文賞委員会委員, 日本物理学会, 学協会

2013年03月 - 2022年03月
会員サービス委員会, 応用物理学会, 学協会

2008年 - 2017年12月31日
表面科学編集委員, 表面科学会, 学協会

2017年04月
JJAP/APEX編集運営委員会 編集運営委員, 応用物理学会 JJAP/APEX編集運営委員会, 学協会

2016年03月 - 2017年03月
応用物理学会 論文誌・企画編集委員会 副委員長, 応用物理学会 論文誌・企画編集委員会, 学協会

2015年03月 - 2017年03月
Executive Editor, IoPP JJAP/APEX Editorial Board, その他

2015年03月 - 2017年03月
JJAP/APEX編集運営委員会 副委員長, 応用物理学会 JJAP/APEX編集運営委員会, 学協会

2015年04月 - 2016年03月
代議員推薦委員会委員, 応用物理学会, 学協会

2015年04月 - 2016年03月
運営委員, 男女共同参画学協会連絡会, 学協会

2014年03月 - 2016年03月
応用物理学会 男女共同参画委員会 委員, 応用物理学会 男女共同参画委員会, 学協会

2015年02月20日 - 2016年02月19日
第５４期 諮問委員, 応用物理学会 諮問委員会, 学協会

2014年03月 - 2015年03月
常務理事, 応用物理学会, 学協会

2014年03月 - 2015年03月
会員サービス委員会委員長, 応用物理学会, 学協会

2013年 - 2015年03月
代議員, 応用物理学会, 学協会

2013年03月 - 2014年03月
会員サービス委員会副委員長, 応用物理学会, 学協会

2013年03月 - 2014年03月
理事, 応用物理学会, 学協会

2010年03月 - 2011年03月
代議員選考委員会委員, 応用物理学会, 学協会

2007年 - 2011年
講演大会運営委員会委員, 表面科学会, 学協会

2008年10月 - 2010年03月
アカデミックロードマップ人材育成クラスターWG委員, 応用物理学会, 学協会

2008年03月 - 2010年03月
人材育成・男女共同参画委員会副委員長, 応用物理学会, 学協会

2006年 - 2009年
代議員, 応用物理学会, 学協会

2008年11月
タスクフォース委員会, 応用物理学会, 学協会

2007年04月 - 2008年03月
人材育成・男女共同参画委員会幹事長, 応用物理学会, 学協会

2006年 - 2008年
日本物理学会誌新著紹介小委員会委員, 日本物理学会, 学協会

2007年04月 - 2007年08月
暮らしを支える科学と技術展企画実行WG, 応用物理学会, 学協会

2007年04月
将来ビジョン・ロードマップワーキンググループ委員, 応用物理学会, 学協会

2006年02月 - 2007年03月
人材育成・男女共同参画委員会副幹事長, 応用物理学会, 学協会

2005年 - 2007年
プログラム編集委員, 日本物理学会, 学協会

2003年 - 2006年03月
男女共同参画委員会委員, 応用物理学会, 学協会

2005年 - 2006年
領域９世話人, 日本物理学会, 学協会

2006年
講演奨励賞審査委員, 応用物理学会, 学協会

2005年
親子の科学実験教室ワーキンググループ委員, 応用物理学会, 学協会

2002年
学会奨励賞審査委員, 表面科学会, 学協会

2002年
Physical Review / Physical Review Letters, permanent referee, 学協会

受賞日 2023年10月
American Vacuum Society, 学生が第一著者の講演の中で優れた内容のものについて、旅費の支援（$250）をする賞。
AVS Dorothy M. and Earl S. Hoffman Travel Grant, Akira Sumiyoshi;Jun Nakamura
国際学会・会議・シンポジウム等の賞, アメリカ合衆国

受賞日 2021年12月
USA
ACS Appl. Energy. Mat. Cover art, Hiroshi Yabu;Koki Nakamura;Yasutaka Matsuo;Yutaro Umejima;Haruyuki Matsuyama;Jun Nakamura;Koju Ito
学会誌・学術雑誌による顕彰, アメリカ合衆国

受賞日 2020年07月
Marquis Who's Who
USA
Marquis Who's Who in the World and Marquis Who's Who in America
その他の賞, アメリカ合衆国

受賞日 2019年10月
AVS
USA
AVS Dorothy M. and Earl S. Hoffman Travel Grant, Takayuki Suga;Jun Nakamura
国際学会・会議・シンポジウム等の賞, アメリカ合衆国

受賞日 2019年07月
Marquis Who's Who
USA
Marquis Who's Who in the World and Marquis Who's Who in America
その他の賞, アメリカ合衆国

受賞日 2019年05月
Papantla市議会, Mexico合衆国Veracruz州Papantla市で開催された、Mexico物理学会固体物理学会学術講演会において基調講演を行ったことに対する表彰。
Mexico
Reconocimiento, Jun Nakamura
その他の賞

受賞日 2018年10月
ＡVS
USA
AVS Dorothy M. and Earl S. Hoffman Travel Grant, Shunji Goto;Jun Nakamura
国際学会・会議・シンポジウム等の賞, アメリカ合衆国

受賞日 2018年10月
AVS
USA
AVS Dorothy M. and Earl S. Hoffman Travel Grant, Yosuke Kikuchi;Jun Nakamura
国際学会・会議・シンポジウム等の賞, アメリカ合衆国

受賞日 2018年08月
Marquis Who's Who
USA
Marquis Who's Who in the World and Marquis Who's Who in America
その他の賞, アメリカ合衆国

受賞日 2018年03月
応用物理学会
Japan
APEX/JJAP Editorial Contribution Award, Jun Nakamura
学会誌・学術雑誌による顕彰, 日本国

受賞日 2017年11月
Graduate Student Sessionm Best presentation Award, Rifan Agustian;Akira Akaishi;Jun Nakamura
国際学会・会議・シンポジウム等の賞

受賞日 2017年08月
Marquis Who's Who
USA
Marquis Who's Who in the World and Marquis Who's Who in America
その他の賞, アメリカ合衆国

受賞日 2017年06月
Germany
The best presentation awards, 2nd place (SPM-5, The 5th International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies), Rifan Agustian;Akira Akaishi;Jun Nakamura
国際学会・会議・シンポジウム等の賞, ドイツ連邦共和国

受賞日 2015年08月
Marquis Who's Who
USA
Marquis Who's Who in the World and Marquis Who's Who in America
アメリカ合衆国

受賞日 2015年04月
応用物理学会
APEX/JJAP Editorial Contribution Award, Jun Nakamura
学会誌・学術雑誌による顕彰, 日本国

受賞日 2015年03月
応用物理学会
応用物理学会感謝状, 中村淳
その他の賞, 日本国

受賞日 2014年08月
Marquis Who's Who
USA
Marquis Who's Who in the World and Marquis Who's Who in America
アメリカ合衆国

受賞日 2013年08月
Marquis Who's Who
USA
Marquis Who's Who in the World and Marquis Who's Who in America
アメリカ合衆国

受賞日 2013年03月
永井科学技術財団
第３０回財団賞・研究奨励金・共同研究奨励金
出版社・新聞社・財団等の賞

受賞日 2012年08月
Marquis Who's Who
USA
Marquis Who's Who in the World and Marquis Who's Who in America
アメリカ合衆国

受賞日 2012年02月
日本表面科学会
日本表面科学会講演奨励賞

受賞日 2011年08月
Marquis Who's Who
USA
Marquis Who's Who in the World and Marquis Who's Who in America
アメリカ合衆国

受賞日 2011年02月
電気通信大学
平成２２年度電気通信大学優秀教員賞

受賞日 2010年08月
Marquis Who's Who
USA
Marquis Who's Who in the World and Marquis Who's Who in America
アメリカ合衆国

受賞日 2010年01月
American Vacuum Society
USA
Young Scientist Awards
アメリカ合衆国

受賞日 2009年11月
Marquis Who's Who
USA
Marquis Who's Who in the World and Marquis Who's Who in America
アメリカ合衆国

受賞日 2009年01月
American Vacuum Society
USA
Young Scientist Awards
アメリカ合衆国

受賞日 2008年11月
応用物理学会
講演奨励賞

受賞日 2008年11月
Marquis Who's Who
USA
Marquis Who's Who in the World and Marquis Who's Who in America
アメリカ合衆国

受賞日 2008年01月
35th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces
USA
Young Scientist Awards
アメリカ合衆国

受賞日 2007年11月
Marquis Who's Who
USA
25th Silver Anniversary Edtion of Marquis Who's Who in the World
アメリカ合衆国

受賞日 2006年01月
33rd Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces
USA
Young Scientist Awards
アメリカ合衆国

受賞日 2000年12月
日本MRS奨励賞

受賞日 1994年04月
早稲田大学
早稲田大学大隈記念奨学生

受賞日 1993年04月
早稲田大学
早稲田大学大隈記念奨学生

Atomic structure of the Se-passivated GaAs(001) surface revisited
Akihiro Ohtake; Takayuki Suga; Shunji Goto; Daisuke Nakagawa; Jun Nakamura
Scientific Reports, Springer Science and Business Media LLC, 13巻, 1号, 出版日 2023年10月24日, Abstract

We present a combined experimental and theoretical study of the Se-treated GaAs(001)-($$2\times 1$$) surface. The ($$2\times 1$$) structure with the two-fold coordinated Se atom at the outermost layer and the three-fold coordinated Se atom at the third layer was found to be energetically stable and agrees well with the experimental data from scanning tunneling microscopy, low energy electron diffraction, and x-ray photoelectron spectroscopy. This atomic geometry accounts for the improved stability of the Se-treated surface against the oxidation. The present result allows us to address a long-standing question on the structure of the Se-passivated GaAs surface, and will leads us to a more complete understanding of the physical origin of the electrical and chemical passivation of Se-treated GaAs surface.
研究論文（学術雑誌）

Hydrogen storage on tin carbide monolayers with transition metal adatoms
Lucia G. Arellano; Alma L. Marcos-Viquez; Francisco De Santiago; Álvaro Miranda; Luis A. Pérez; Jun Nakamura; Miguel Cruz-Irisson
International Journal of Hydrogen Energy, Elsevier BV, 出版日 2023年04月, 査読付
研究論文（学術雑誌）

ナノスケールのチューリング・パターン
中村淳
筆頭著者, 表面と真空, 66巻, 3号, 掲載ページ 188-188, 出版日 2023年03月10日, 査読付

Theoretical prediction of two-dimensional II-V compounds
Lucia G. Arellano; Takayuki Suga; Taichi Hazama; Taichi Takashima; Miguel Cruz-Irisson; Jun Nakamura
ラスト(シニア)オーサー, PHYSICAL REVIEW MATERIALS, AMER PHYSICAL SOC, 7巻, 1号, 出版日 2023年01月, 査読付, Graphene has attracted significant attention as a pioneer of two-dimensional zero gap semiconductors, but the development of new two-dimensional materials with a finite band gap has been actively pursued. In this study, the structural stability of double bilayers (DBs) of group II-V compounds (II: Be, Zn, and Cd; V: P, As, and Sb) has been systematically investigated using first-principles calculations based on density functional theory. The thermodynamic calculations have confirmed that BeP, BeAs, ZnP, and ZnAs can be produced through exothermic reactions from their constituent bulk systems. It has also been confirmed that all the compounds have phonon dynamical stabilities. Only CdP and CdAs have been found to have an AB-stacked DB structure with threefold symmetry, while the other compounds have AB'-stacked DB structure with broken symmetry. The difference in atomic radii between group II and group V results in the so-called size effect, which determines the stacking pattern. The structural stability of II-V DB thin films is explained by analogy with the surface structural stability of compound semiconductors: The change in the atomic arrangement of the DB structure alters the electronegativity of the surface orbitals of the II-V thin film, which does not result in any unsaturated bonds, i.e., no metallic bands across the Fermi level appear. The various DB II-V compounds proposed in this study will join the ranks of atomic-level 2D semiconductor materials.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Tunable electronic properties of silicon nanowires as sodium-battery anodes
Lucia Guadalupe Arellano; Fernando Salazar; Álvaro Miranda; Alejandro Trejo; Luis Antonio Pérez; Jun Nakamura; Miguel Cruz-Irisson
Int. J. Energy Res., Wiley, 46巻, 掲載ページ 17151-17162, 出版日 2022年07月15日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Size optimization of a N-doped graphene nanocluster for the oxygen reduction reaction
Haruyuki Matsuyama; Jun Nakamura
責任著者, ACS Omega, ACS, 7巻, 掲載ページ 3093-3098, 出版日 2022年01月12日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Pyrolysis-Free Oxygen Reduction Reaction (ORR) Electrocatalysts Composed of Unimolecular Layer Metal Azaphthalocyanines Adsorbed onto Carbon Materials
Hiroshi Yabu; Koki Nakamura; Yasutaka Matsuo; Yutaro Umejima; Haruyuki Matsuyama; Jun Nakamura; Koju Iton
ACS Appl. Energy Mat., ACS, 4巻, 12号, 掲載ページ 14380-14389, 出版日 2021年12月27日, 査読付, The oxygen reduction reaction (ORR) at the cathode is one of the critical bottlenecks in the energy conversion process in polymer electrolyte fuel cells (PEFCs) and metal-air batteries. An iron azaphthalocyanine unimolecular layer (Fe-AZUL) adsorbed onto a carbon substrate exhibited high ORR activity as an alternative of Pt supported on carbon black (Pt/C) electrocatalyst. We herein report the synthesis of various AzPc molecules with different peripheral structures and complex metals, as well as measurements of the ORR activities of catalysts containing the synthesized molecules and carbons. The catalytic activities were characterized by electrochemical analysis, density functional theory (DFT) calculations, and measurements of ionization potential (IP) values. From the results, the IP values on Ketjen Black (KB) were found to be one of the significant indicators for high ORR activities, providing a guideline for the development of high-performance electrocatalysts.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Ab initio study of hydrogen storage on metal-decorated GeC monolayers
Lucia Guadalupe Arellano; Francisco De Santiago; Álvaro Miranda; Luis Antonio Pérez; Fernando Salazar; Alejandro Trejo; Jun Nakamura; Miguel Cruz-Irisson
International Journal of Hydrogen Energy, Elsevier BV, 46巻, 57号, 掲載ページ 29261-29271, 出版日 2021年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Edge-State-Induced Stacking of Zigzag Graphene Nanoribbons
T.Asano; J.Nakamura
責任著者, ACS Omega, American Chemical Society, 4巻, 掲載ページ 22035-22040, 出版日 2019年12月09日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Fe azaphthalocyanine unimolecular layers (Fe AzULs) on carbon nanotubes for realizing highly active oxygen reduction reaction (ORR) catalytic electrodes
Hiroya Abe; Yutaro Hirai; Susumu Ikeda; Yasutaka Matsuo; Haruyuki Matsuyama; Jun Nakamura; Tomokazu Matsue; Hiroshi Yabu
NPG Asia Materials, Springer-Nature, 11巻, 1号, 掲載ページ 57 (1)-57 (12), 出版日 2019年12月01日, 査読付, © 2019, The Author(s). A new class of Pt-free catalysts was designed that included molecular iron phthalocyanine (FePc) derivatives, namely, iron azaphthalocyanine (FeAzPc) unimolecular layers (Fe AzULs) adsorbed on oxidized multiwall carbon nanotubes (oxMWCNTs). FeAzPcs were dissolved in organic solvents such as dimethyl sulfoxide (DMSO), and catalytic electrodes modified with molecularly adsorbed FeAzPcs were successfully prepared. The optimized composition of the catalytic electrodes was determined, and the electrodes exhibited superior activity for the oxygen reduction reaction (ORR) and better durability than conventional FePc catalytic electrodes and commercial Pt/C due to the electron-withdrawing properties of the pyridinic nitrogen in FeAzPcs. The catalytic electrodes that were molecularly modified with FeAzPcs have higher activities than those composed of FeAzPc crystals and oxMWCNTs. To the best of our knowledge, among all of the conventional catalysts based on modified MWCNTs and oxMWCNTs, this catalyst exhibits the highest activity. Unlike other Pt-free catalytic electrodes, the Fe AzUL catalytic electrodes can be prepared by low-cost processing without pyrolysis and are therefore promising catalytic electrode materials for applications, such as polymer electrolyte fuel cells and metal–air batteries.
研究論文（学術雑誌）, 英語

典型的な二元系化合物半導体の新しい超薄膜構造
中村淳
表面と真空, 日本表面真空学会, 62巻, 11号, 掲載ページ 686-686, 出版日 2019年11月10日, 査読付, 招待
日本語

Oxygen reduction reaction mechanism of N-doped graphene nanoribbons
Haruyuki Matsuyamaa; Shun-ichi Gomi; Jun Nakamura
Journal of Vacuum Science and Technology B, American Institute of Physics, 37巻, 掲載ページ 041803-1-041803-7, 出版日 2019年07月17日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Effect of Water on the Manifestation of the Reaction Selectivity of Nitrogen-Doped Graphene Nanoclusters toward Oxygen Reduction Reaction
Haruyuki Matsuyama; Akira Akaishi; Jun Nakamura
ACS Omega, ACS, 4巻, 掲載ページ 3832-3838, 出版日 2019年02月21日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Atomic structure and passivated nature of the Se-treated GaAs(111)B surface
Akihiro Ohtake; Shunji Goto; Jun Nakamura
Scientific Reports, Nature Publishing Group, 8巻, 1号, 掲載ページ 1220-1-1220-8, 出版日 2018年12月01日, 査読付, We have systematically studied the atomic structure and electronic properties of the Se-treated GaAs(111)B surface using scanning tunneling microscopy, reflection high-energy electron diffraction, x-ray photoelectron spectroscopy, and first-principles calculations. We have found that Se atoms substitute \\frac{3},{4} 3 4 monolayer of As atoms at the outermost layer of the ideal (111)B surface. Charge transfer from Se to As eliminates all of unsaturated dangling bonds, so that the surface is electronically stabilized, leaving no surface states in the mid-gap region.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Softly-confined water cluster between freestanding graphene sheets
Rifan Agustian; Akira Akaishi; Jun Nakamura
AIP Conference Proceedings, American Institute of Physics Inc., 1929巻, 掲載ページ 020006-1-020006-5, 出版日 2018年01月22日, 査読付, Confined water could adopt new forms not seen in the open air, such as a two-dimensional (2D) square ice trapped between two graphene sheets [Algara-Siller et al., Nature 519, 443-445 (2015)]. In this study, in order to investigate how the flexibility of graphene affects the confined structure of water molecules, we employed classical molecular dynamics simulations with Adaptive Intermolecular Reactive Empirical Bond Order (AIREBO) potential to produce a soft-confining property of graphene. We discovered various solid-like structures of water molecules ranging from two-dimensional to three-dimensional structure encapsulated between two freestanding graphene sheets even at room temperature (300K). A small amount of water encapsulation leads to a layered two-dimensional form with triangular structure. On the other hand, large amounts of water molecules take a three-dimensional flying-saucer-like form with the square ice intra-layer structure. There is also a metastable state where both two-dimensional and three-dimensional structures coexist.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Plasma in Solution and Its Applications
Nagahiro Saito; Jun Nakamura; Tatsuru Shirafuji; Takahiro Ishizaki
Japanese Journal of Applied Physics, Japan Society of Applied Physics, 57巻, 1号, 掲載ページ 010201-010201, 出版日 2018年01月01日, 査読付, 招待
研究論文（学術雑誌）, 英語

Structural stability and aromaticity of pristine and doped graphene nanoflakes
Akira Akaishi; Makoto Ushirozako; Haruyuki Matsuyama; Jun Nakamura
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, IOP PUBLISHING LTD, 57巻, 1号, 掲載ページ 0102BA-1-0102BA-7, 出版日 2018年01月, 査読付, We have quantitatively investigated the relationship between the aromaticity and structural stability of graphene nanoflakes (GNFs) using first-principles calculations. The aromaticity of each six-membered ring of GNFs is evaluated with the nucleus-independent chemical shifts (NICS). We have found that for armchair-edge GNFs, the degree of stability, that is, the edge formation energy, is proportional to the average NICS for all six-membered rings. Even for nitrogen-and boron-doped GNFs, the average NICS strongly correlates with the doping formation energy. Our results indicate that NICS is a good measure not only for the aromaticity but also for the structural stability of pristine/doped nanographene systems. (C) 2018 The Japan Society of Applied Physics
研究論文（学術雑誌）, 英語

二次元原子層シートの磁性
中村淳
表面科学, 日本表面科学会, 38巻, 10号, 掲載ページ 534-534, 出版日 2017年10月10日, 査読付, 招待
日本語

Formation of Water Layers on Graphene Surfaces
Akira Akaishi; Tomohiro Yonemaru; Jun Nakamura
ACS Omega, American Chemical Society, 2巻, 5号, 掲載ページ 2184-2190, 出版日 2017年05月31日, 査読付, Although graphitic materials were thought to be hydrophobic, recent experimental results based on contact angle measurements show that the hydrophobicity of graphitic surfaces stems from airborne contamination of hydrocarbons. This leads us to question whether a pristine graphitic surface is indeed hydrophobic. To investigate the water wettability of graphitic surfaces, we use molecular dynamics simulations of water molecules on the surface of a single graphene layer at room temperature. The results indicate that a water droplet spreads over the entire surface and that a double-layer structure of water molecules forms on the surface, which means that wetting of graphitic surfaces is possible, but only by two layers of water molecules. No further water layers can cohere to the double-layer structure, but the formation of three-dimensional clusters of liquid water is confirmed. The surface of the double-layer structure acts as a hydrophobic surface. Such peculiar behavior of water molecules can be reasonably explained by the formation of hydrogen bonds: The hydrogen bonds of the interfacial water molecules form between the first two layers and also within each layer. This hydrogen-bond network is confined within the double layer, which means that no "dangling hydrogen bonds" appear on the surface of the double-layer structure. This formation of hydrogen bonds stabilizes the double-layer structure and makes its surface hydrophobic. Thus, the numerical simulations indicate that a graphene surface is perfectly wettable on the atomic scale and becomes hydrophobic once it is covered by this double layer of water molecules.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Reaction Selectivity for Oxygen Reduction of N-Doped Graphene Nanoclusters
H.Matsuyama; A.Akaishi; J.Nakamura
ECS Trans., ECS, 80巻, 8号, 掲載ページ 685-690, 出版日 2017年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Mechanism of stabilization and magnetization of impurity-doped zigzag graphene nanoribbons
Yuuki Uchida; Shun-ichi Gomi; Haruyuki Matsuyama; Akira Akaishi; Jun Nakamura
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, AMER INST PHYSICS, 120巻, 21号, 掲載ページ 214301-1-214301-7, 出版日 2016年12月, 査読付, Doping is an efficient way to modify the electronic structure of graphene. Although there have been a considerable number of studies on the electronic structure of impurity-doped graphene, every study has suggested a different interpretation of the appearance of impurity levels of dopants located near the so-called zigzag edge of graphene nanoribbons (GNRs). Here, we propose a charge transfer model that satisfactorily explains the change in electronic structure upon N(B) doping of zigzag GNR (ZGNR). The structural stability and electronic structure of the doped ZGNR have been investigated using first-principles calculations based on the density functional theory. The formation energy of doping increases as a function of the distance between the N(B) atom and the zigzag edge, and two tendencies are observed depending on whether the dopant is an odd or even number of sites away from the zigzag edge. Such peculiar behavior of the formation energy can be successfully explained by charge transfer between the so-called edge state localized at the edge and the 2p-state of the dopant. Such an electron (hole) transfer leads to the compensation (disappearance) of the local spinmagnetic moment at one side of the ZGNR, manifesting in the ferromagnetic ground state of ZGNR. Published by AIP Publishing.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Anomalous enhancement of Seebeck coefficients of the graphene/hexagonal boron nitride composites
Jun Nakamura; Akira Akaishi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, IOP PUBLISHING LTD, 55巻, 11号, 掲載ページ 1102A9 (1-9), 出版日 2016年11月, 査読付, 招待, Thermoelectric devices convert heat energy to electric power. The dimensionless thermoelectric figure of merit, ZT, is used as a standard criterion for efficiency of thermoelectric conversion. This criterion requires a high Seebeck coefficient, a high electric conductivity, and a low thermal conductivity. In this regard, PbTe, BiTe, and their alloys consisting of relatively heavier elements have been found to show higher values of ZT. In this paper, we focus on the potential of graphene-based composites as thermoelectric materials. Graphene was considered to be a disadvantageous material because of its extremely high thermal conductance and relatively low Seebeck coefficient. However, it has been reported recently that a structural modulation is an effective way of raising the thermoelectric ability of graphene. We introduce the recent progress in the design of graphene-based materials for thermoelectric devices. In particular, we provide a focused investigation of our recent progress regarding the thermopower enhancement in nanoarchitectonics, superlattices, and composites consisting of graphene and hexagonal BN nanoribbons. It has been shown that low-dimensional modulations are effective ways of obtaining a high thermoelectric performance of graphene-based materials. (C) 2016 The Japan Society of Applied Physics
研究論文（学術雑誌）, 英語

First-principles study of locally disordered structures of Mn-induced GaAs(001)-(2 x 2) surface
Akira Akaishi; Kenta Funatsuki; Akihiro Ohtake; Jun Nakamura
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, IOP PUBLISHING LTD, 55巻, 8号, 掲載ページ 08NB21-1-08NB21-4, 出版日 2016年08月, 査読付, Various atomic arrangements of the Mn-induced GaAs(001) surface, consisting of one Ga-As dimer and one Mn atom in the (2 x 2) unit, have been investigated by first-principles calculations. The most stable arrangement is reasonable in view of the classical electrostatic theory. It has been revealed that the topmost Ga-As dimers tend to be aligned along the [110] direction, while they are less ordered along the [110] direction. These anisotropic orderings, that is, anisotropic interactions, imply that the Mn atom, which is located between the Ga-As dimers, enhances the local electrostatic interaction between the dimers along the [110] direction, as a result of the dielectric anisotropy at the surface. (C) 2016 The Japan Society of Applied Physics.
研究論文（学術雑誌）, 英語

グラファイト／グラフェン表面上の水の濡れ性
中村淳
表面科学, 日本表面科学会, 37巻, 4号, 掲載ページ 193-193, 出版日 2016年04月10日, 査読付, 招待
研究論文（学術雑誌）, 日本語

Mn-Induced Surface Reconstructions on GaAs(001)
Akihiro Ohtake; Atsushi Hagiwara; Kazuya Okukita; Kenta Funatsuki; Jun Nakamura
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, AMER CHEMICAL SOC, 120巻, 11号, 掲載ページ 6050-6062, 出版日 2016年03月, 査読付, We have systematically studied the surface reconstructions induced by the adsoprtion of Mn atoms on GaAs(001). Several types of adsorption structures were observed depending on the preparation conditions, and were identified using complementary experimental techniques of reflection high-energy electron diffraction, scanning tunneling microscopy, reflectance difference spectroscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy. The sequence of surface structures as a function of As coverage was confirmed by the experiments and first-principles calculations. Under the most Ga-rich conditions, (2 x 2)alpha and (6 x 2) structures are formed, both having As atoms at faulted sites and Ga-Ga dimers at the third atomic layer. As the As coverage is increased, the structure with Ga-As dimer [ (2 x 2)beta] becomes more stable, and, finally, the c(4 x 4) structure consisting of three As As dimers is energetically favored at the As-rich limit. We found that the location of Mn atoms critically depends on the surface As coverage: As-deficient (2 x 2)alpha, (6 x 2), and (2 x 2)beta structures have the Mn atoms at 4-fold hollow sites, while the incorporation of Mn atoms into the substitutional Ga sites is enhanced in the most As-rich c(4 x 4) structure, in which the upper limit of substitutional Mn is 0.25 ML.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Anomalous Stabilization in Nitrogen-Doped Graphene
Tsuguto Umeki; Akira Akaishi; Akihide Ichikawa; Jun Nakamura
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, AMER CHEMICAL SOC, 119巻, 11号, 掲載ページ 6288-6292, 出版日 2015年03月, 査読付, Structural stability and electronic structure of homogeneously arranged nitrogen-doped graphene have been investigated using first-principles calculations within the density functional theory. The structures of the homogeneously doped graphene are uniquely specified by the chiral index (n,m) inherent in each model and by the doping configurations. While the formation energy increases in proportional to the nitrogen density, there are specific arrangements for which the formation energies become lower compared to the proportional trend. Such an anomalous stabilization has been found in the honeycomb-type configuration with the chiral index (n,m) which satisfies the relation n m = 31 +2( = 0, 1, ...). This stabilization is originated from the lowering of the one-electron energy with the band gap formation, which is attributed to the decoupling of the degenerate states.
研究論文（学術雑誌）, 英語

グラフェンおよびグラフェンナノリボンのバリスティックフォノン熱伝導
中村 淳
表面科学学術講演会要旨集, 公益社団法人 日本表面科学会, 35巻, 掲載ページ 64-64, 出版日 2015年, 本研究では、グラフェン、およびアームチェア型あるいはジグザグ型エッジを有するグラフェンナノリボンについて、フォノンの寄与によるバリスティック熱伝導特性を明らかにした。バリスティックフォノン熱コンダクタンスはランダウア熱流束から求める。グラフェンナノリボンの単位幅当たりの熱コンダクタンスは、グラフェンより大きく、かつリボン幅が小さくなるほど上昇することがわかった。

ソリューションプラズマによる新規物質合成
中村淳
表面科学, 日本表面科学会, 35巻, 8号, 掲載ページ 464-464, 出版日 2014年08月10日, 査読付, 招待
日本語

Self-Assembled Growth of Ga Droplets on GaAs(001): Role of Surface Reconstructions
Akihiro Ohtake; Takaaki Mano; Atsushi Hagiwara; Jun Nakamura
CRYSTAL GROWTH & DESIGN, AMER CHEMICAL SOC, 14巻, 6号, 掲載ページ 3110-3115, 出版日 2014年06月, 査読付, Formation processes of Ga droplets on GaAs(001) have been systematically studied. We present the evidence that the surface atomic structures of the GaAs substrate dominate the surface diffusion of Ga atoms, which plays a key role in determining the size and density of Ga droplets. The Ga droplets are formed on the As-rich (2 x 4) and c(4 x 4)beta surface after the modification of the initial surface reconstructions, while droplets are directly formed on the Ga-rich (4 x 6) surface. The density of Ga droplets on the (4 x 6) surface exceeds 10(12) cm(-2), which is significantly higher than that on the As-rich c(4 x 4)beta surfaces.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Origin of symmetric STM images for the asymmetric atomic configuration on GaAs(001)-c(4 × 4)α surfaces
Shigeru Kaku; Jun Nakamura; Kazuma Yagyu; Junji Yoshino
Surface Science, Elsevier, 625巻, 掲載ページ 84-89, 出版日 2014年, 査読付, The empty-state scanning tunneling microscopy (STM) images of GaAs-c(4 × 4)α show symmetric features at positive biases, contrary to the naive prediction based on electron counting model. In this paper, we report that STM simulations based on first-principles electronic structure calculations successfully demonstrate symmetric images consistent with the STM observations. Furthermore, simple analysis has revealed that the origin of the symmetric images is the combined local electron density of multiple orbitals, and is essentially different from those on GaAs-c(4 × 4)β surfaces. © 2014 Elsevier B.V. All rights reserved.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Giant Seebeck coefficient of the graphene/h-BN superlattices
Yushi Yokomizo; Jun Nakamura
APPLIED PHYSICS LETTERS, AMER INST PHYSICS, 103巻, 11号, 掲載ページ 113901 (1-4), 出版日 2013年09月, 査読付, The electronic structures and Seebeck coefficients of the graphene/h-BN superlattices which consist of zigzag graphene nanoribbons (ZGNRs) and zigzag BN nanoribbons (ZBNNRs) have been investigated using ab initio calculations based on the density functional theory. It has been shown that a ZGNR/ZBNNR marks up to 20 times larger in the Seebeck coefficient than graphene. The Seebeck coefficients of the superlattices increase with decreasing width of the constituent ZGNR. It has been revealed that the giant Seebeck coefficients of the superlattices stem from the so-called pudding mold band with a finite energy gap. (C) 2013 AIP Publishing LLC.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Ballistic phonon thermal conductance in graphene nano-ribbons
Hiroki Tomita; Jun Nakamura
J.Vac.Sci.Technol. B, 31巻, 掲載ページ 04D104 (1-7), 出版日 2013年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Erratum: Controlled incorporation of Mn in GaAs: Role of surface reconstructions
Ohtake Akihiro; Hagiwara Atsushi; Nakamura Jun
PHYSICAL REVIEW B, 87巻, 16号, 出版日 2013年04月, 査読付

Controlled incorporation of Mn in GaAs: Role of surface reconstructions (vol 87, 165301, 2013)
Akihiro Ohtake; Atsushi Hagiwara; Jun Nakamura
PHYSICAL REVIEW B, AMER PHYSICAL SOC, 87巻, 15号, 掲載ページ 165301 (1-5), 出版日 2013年04月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Magnetic properties of a single molecular layer of MnAs on GaAs(110)
M. Hirayama; A. Natori; J. Nakamura
Physical Review B, 87巻, 掲載ページ 075428 (1-6), 出版日 2013年02月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

教育の質保証評価ツールとしてのカリキュラムマップ
桑田正行; 安藤芳晃; 西一樹; 中村淳; 田中勝己
電気通信大学紀要, 電気通信大学, 25巻, 1号, 掲載ページ 41-50, 出版日 2013年02月, The curriculum map (CM) provides a reasonable framework for quality assurance of education in certified evaluation and accreditation, accountability of university education, curriculum reform, and instructional improvement. Therefore, creation of CMs and its website have been made at many universities. However, there is nothing that described quantitatively how the CM is utilized for quality assurance of education. Then, in this paper, we describe the following things: (1) creation of the CM in the University of Electro-Communications, (2) in some viewpoints, scoring and visualization of the created CM, (3) the concrete guideline of the visualized CM's practical use as a tool to assess education achievement for quality assurance of education.
研究論文（大学，研究機関等紀要）, 日本語

Ballistic phonon thermal conductance in Graphene Nano-Ribbon: First-principles calculations
Jun Nakamura; Hiroki Tomita
PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, AMER INST PHYSICS, 1566巻, 掲載ページ 139-140, 出版日 2013年, 査読付, Ballistic phonon thermal conductances for graphene nanoribbons are investigated using first-principles calculations with the density functional perturbation theory and the Landauer theory. The phonon thermal conductance per unit width for GNR is larger than that for graphene and increases with decreasing ribbon width. The normalized thermal conductances with regard to a thermal quantum for GNRs are higher than those for the single-walled carbon nanotube that have circumferential lengths corresponding to the width of GNR.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

カーボン系物質の熱伝導特性
中村淳
表面科学, The Surface Science Society of Japan, 33巻, 12号, 掲載ページ 702-702, 出版日 2012年12月
日本語

酸化グラフェンの応用
中村淳
表面科学, 32巻, 掲載ページ 112, 出版日 2011年02月
日本語

応用物理学会人材育成・男女共同参画委員会における若手問題への取り組み
中村淳
放射線, 37巻, 掲載ページ 22, 出版日 2011年02月
日本語

First-principles Calculations of the Dielectric Constant for the GeO2 Films
Masahiro Tamura; Jun Nakamura; Akiko Natori
TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS, TRANS TECH PUBLICATIONS LTD, 470巻, 掲載ページ 60-65, 出版日 2011年, 査読付, Dielectric properties of a-quartz and rutile-GeO2 thin-films are investigated using first-principles ground-state calculations in external electric fields. The optical and the static dielectric constants inside the films have nearly-constant values, corresponding to their bulk values, while only at the topmost surface layer the dielectric constants decrease distinctly. It has been found that the dielectric constant for the rutile-GeO2 is larger than that for the a-quartz one, which stems from the larger ionic character of the Ge-O bond for the rutile phase.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

D- centers in uniaxially stressed Si and in Si/SiO2 quantum wells
T.Chiba; J.Nakamura; A.Natori
Physical Review B, 82巻, 掲載ページ 195201 (1-9), 出版日 2010年10月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

応用物理分野のアカデミック・ロードマップ「人材育成」
山田明; 中村淳
応用物理, 応用物理学会, 79巻, 8号, 掲載ページ 744-746, 出版日 2010年08月
日本語

Conductivity and dielectric constant of nanotube/polymer composites
Yuichi Hazama; Naoki Ainoya; Jun Nakamura; Akiko Natori
PHYSICAL REVIEW B, AMER PHYSICAL SOC, 82巻, 4号, 掲載ページ 045204 (1-8), 出版日 2010年07月, 査読付, The complex ac admittance of a thin film of carbon nanotube/polymer composites depending on both the concentration and the alignment of nanotubes has been studied. The complex ac admittance and the current intensity distribution is numerically calculated using a transfer matrix method, where the discretized mesh model for nanotube/polymer composites is transformed into the RC network. The percolation threshold increases with the degree of alignment of nanotubes. The vertical dc conductivity parallel to the alignment direction has the maximum at a specific alignment, which is caused by competition between the number of percolating paths and the degree of meandering of the current. Two extreme cases for the dc conductivity are studied; the nanotube-resistance (NT)-limited case and the contact-resistance (CR)-limited case. CR-limited conductivity has much stronger concentration dependence than NT-limited conductivity, since the number of parallel connections of contact-resistors increases more strongly with the nanotube concentration than that of nanotube resistors. The vertical static dielectric constant is enhanced near the percolation threshold and the enhancement is significantly enlarged with the alignment of nanotubes, due to both the decrease in the number of serial connections of minigap capacitors along the path of the imaginary current and the increase in the number of paths.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Structural and electronic properties of carbon nanocylinder consisting of nanoribbon-walls with arrayed-oxygen hinges
Yuto Fujii; Akiko Natori; Jun Nakamura
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, A V S AMER INST PHYSICS, 28巻, 4号, 掲載ページ C5C8-C5C11, 出版日 2010年07月, 査読付, The authors present the prediction of novel class of materials for carbon nanotube (CNT), carbon nanopolygonal-cylinder (CNPC), which consists of walls of graphene nanoribbon (GNR) with arrayed-oxygen hinges. The rolling-up energy for CNPC, that is, the energy required to roll up the two-dimensional sheet, is drastically reduced compared with that for CNT, e.g., the rolling-up energy of 5.62 eV per unit cell (12 C atoms) for (3,3) CNT, while negligibly small for CNPC with the corresponding chirality. Electronic dispersions for pi-bands near the Fermi edge along the cylinder axis of CNPC have shapes very similar to those of GNR rather than CNT, reflecting the fact that the atomic arrangement of the walls separated by oxygen-arrays holds that of GNR. (C) 2010 American Vacuum Society. [DOI: 10.1116/1.3463148]
研究論文（学術雑誌）, 英語

The anisotropy of ac conductivity and dielectric constant of anisotropic conductor–insulator composites
Yuichi Hazama; Jun Nakamura; Akiko Natori
J. Mater. Sci., 45巻, 掲載ページ 2843-2851, 出版日 2010年02月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

ac conductivity and dielectric constant of nanotube polymer composites
Y.Hazama; N.Ainoya; J.Nakamura; A.Natori
37th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces, 掲載ページ Mo1755, 出版日 2010年01月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Structural and electronic properties of carbon nanocylinder consisting of nanoribbon-walls with arrayed-oxygen hinges
Yuto Fujii; Akiko Natori; Jun Nakamura
Journal of Vacuum Science and Technology B:Nanotechnology and Microelectronics, AVS Science and Technology Society, 28巻, 4号, 掲載ページ C5-C11, 出版日 2010年, 査読付, The authors present the prediction of novel class of materials for carbon nanotube (CNT), carbon nanopolygonal-cylinder (CNPC), which consists of walls of graphene nanoribbon (GNR) with arrayed-oxygen hinges. The rolling-up energy for CNPC, that is, the energy required to roll up the two-dimensional sheet, is drastically reduced compared with that for CNT, e.g., the rolling-up energy of 5.62 eV per unit cell (12 C atoms) for (3,3) CNT, while negligibly small for CNPC with the corresponding chirality. Electronic dispersions for π -bands near the Fermi edge along the cylinder axis of CNPC have shapes very similar to those of GNR rather than CNT, reflecting the fact that the atomic arrangement of the walls separated by oxygen-arrays holds that of GNR. © 2010 American Vacuum Society.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Dielectric properties of GeO2 ultrathin films
M.Tamura; S.Wakui; J.Nakamura; A.Natori
37th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces, 掲載ページ We1740, 出版日 2010年01月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Variable stoichiometry in Sb-induced (2×4) reconstructions on GaAs(001)
A.Ohtake; M.Hirayama; J.Nakamura; A.Natori
Physical Review B, AMER PHYSICAL SOC, 80巻, 23号, 掲載ページ 235329 (1-9), 出版日 2009年12月, 査読付, The structure and composition of Sb-induced (2x4) reconstructions on the GaAs(001) surface have been systematically studied using scanning tunneling microscopy, reflectance-difference spectroscopy, x-ray photoelectron spectroscopy, reflection high-energy electron diffraction, and first-principles calculations. We show that several types of Sb-induced (2x4) reconstructions are formed, depending on the Sb coverage. The (2x4) surface with low Sb coverages has the structure with only one anion dimer at the outermost layer. For the Sb-rich (2x4) phase, on the other hand, we propose the structure model consisting of anion dimers at the first and third layers and three-coordinated As atoms at the second layer.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Control mechanism of friction by dynamic actuation of nanometer-sized contacts
Hiroyuki Iizuka; Jun Nakamura; Akiko Natori
PHYSICAL REVIEW B, AMER PHYSICAL SOC, 80巻, 15号, 掲載ページ 155449 (1-8), 出版日 2009年10月, 査読付, We studied both the mechanism and the condition of dynamic superlubricity actuated in a dynamic way for the atomic contact of a friction force microscope, using dynamical simulation of the Tomlinson model. The superlubricity was achieved by ac modulation of the normal force acting between two contacting bodies at well-defined frequencies corresponding to normal resonances of the combined system [A. Socoliuc et al., Science 313, 207 (2006)]. The time-averaged friction force depends crucially on the modulation amplitude and the superlubricity occurs above the critical amplitude. The effect on the superlubricity of the corrugation amplitude of surface potential, sliding velocity, a damping coefficient, and temperature are clarified. The superlubricity at zero temperature can be induced by transit of the tip via the "turning point," the top position of the surface potential without elastic deformation, and it is allowed at low-sliding velocities in the under-damped case. The superlubricity at a room temperature can be actuated efficiently with a much smaller critical amplitude than that at zero temperature and it can be achieved at sufficiently low-sliding velocities in both the underdamped and the overdamped cases, assisted by thermally activated hopping of the tip.
研究論文（学術雑誌）, 英語

GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態と電子状態
平山基; 中村淳; 名取晃子
表面科学, 30巻, 9号, 掲載ページ 532-537, 出版日 2009年09月, 査読付
日本語

Structural and electronic properties of carbon nanotubes consisting of nanoribbon-walls with arrayed-oxygen hinges
J.Nakamura; Yuto Fujii; Motoi Hirayama; Shusuke Eguchi; Yuta Ogoshi; Jun Ito; A.Natori
10th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-10), 掲載ページ Thu-16:30-And3, 出版日 2009年09月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Ballistic thermal conductance of electrons in graphene ribbons
Eiji Watanabe; Sho Yamaguchi; Jun Nakamura; Akiko Natori
PHYSICAL REVIEW B, AMER PHYSICAL SOC, 80巻, 8号, 掲載ページ 085404 (1-6), 出版日 2009年08月, 査読付, We investigate the ballistic thermal conductance of electrons in gated graphene ribbons with width above 20 nm and clarify both the temperature and the Fermi-level dependences. In the intrinsic graphene ribbons, the normalized thermal conductance by the quantum conductance, kappa(0), increases monotonically with temperature. In the gated graphene ribbons, the normalized thermal conductance increases steplikely as the Fermi level increases but it has nonmonotonic temperature dependence when the Fermi level is a little larger than the bottom of the subband. The value of the step height changes from 4 kappa(0) to 2 kappa(0) with increasing temperature. The ballistic electron thermal conductance per unit width of graphene ribbons is smaller than those of corresponding single-walled nanotubes and a graphene sheet and it approaches at 100 K that of a graphene sheet above the ribbon width of about 80 and 50 nm for zigzag ribbons and armchair ribbons, respectively.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Dielectric constant profiles of the thin-films: alpha- and beta-quartz phases of (Si or Ge) dioxides
J.Nakamura; S.Wakui; M.Tamura; A.Natori
12th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-12), 掲載ページ Tu.A.5, 出版日 2009年07月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

In-plane strain effects on dielectric properties of the HfO2 thin film
Sadakazu Wakui; Jun Nakamura; Akiko Natori
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, A V S AMER INST PHYSICS, 27巻, 4号, 掲載ページ 2020-2023, 出版日 2009年07月, 査読付, We have studied the dielectric properties of the cubic HfO2 thin film using first-principles ground-state calculations in external electric fields. We have evaluated the optical and the static dielectric constants for the cubic (c-) and the strained c-HfO2(001) films. The hydrogen termination of the surface suppresses the dielectric constant near the surface. The spatial variation of the local dielectric constant inside the film is very small. The static dielectric constant becomes larger with increasing lateral lattice constant and smaller if the constraint of the cubic symmetry is relaxed and two oxygen atoms in a unit cell becomes unequivalent. These results indicate that the change in dielectric constant can be attributed to the increase of the tetragonality in the film.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Anisotropic half-metallic ground state of Mn atomic wire on GaAs(110)
Motoi Hirayama; Akiko Natori; Jun Nakamura
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, A V S AMER INST PHYSICS, 27巻, 4号, 掲載ページ 2062-2065, 出版日 2009年07月, 査読付, The authors have investigated magnetic properties of Ga-substituted Mn atomic wires on the GaAs(110) surface, using first-principles calculations based on the spin-density functional theory. The Mn atomic wires are assumed to align in the << 110 >>- and << 001 >>-directions. The << 110 >>-oriented wire is more stable than the << 001 >>-oriented one and has the ferromagnetic ground state with the magnetic moment of 4.0 mu(B) per Mn atom. The band structure has a large dispersion along the wire and exhibits a half-metallic state. The ferromagnetic character of the Mn wire results from the double exchange interaction through the p-d hybridization between the Mn-3d and the GaAs surface states.
研究論文（学術雑誌）, 英語

酸化プロセスによるグラフェンナノリボンの作製
中村淳
表面科学, The Surface Science Society of Japan, 30巻, 6号, 掲載ページ 357-357, 出版日 2009年06月, 査読付
日本語

Structural and electronic properties of the planar C-skeleton polymers
Jun Nakamura; Nariaki Arimura; Motoi Hirayama; Akiko Natori
APPLIED PHYSICS LETTERS, AMER INST PHYSICS, 94巻, 22号, 掲載ページ 223107 (1-3), 出版日 2009年06月, 査読付, Atomic arrangements and electronic properties of two-dimensional C-based compounds having the diamondlike skeletons terminated with hydrogen atoms and/or hydroxyl groups, named graphane (poly-C2H2) and planar polymethanol (poly-C2OH2), have been investigated using first-principles calculations within the density functional theory. These planar polymers have direct gaps of 3.32 eV (only with hydrogen terminators) and 1.88 eV (with hydrogen and OH terminators), while crystalline diamond has an indirect band gap. The optical dipole transition between band edges, especially for the planar polymethanol, can be allowed.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Band-bending effects on scanning tunneling microscope images of subsurface dopants: First-principles calculations
Motoi Hirayama; Jun Nakamura; Akiko Natori
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, AMER INST PHYSICS, 105巻, 8号, 掲載ページ 083720 (1-4), 出版日 2009年04月, 査読付, Tip-induced band-bending (TIBB) effects on scanning tunneling microscope (STM) images have been investigated. The TIBB has an extremal value where the surface space charge layer turns from the inversion region to the depletion one with increasing dopant concentration at a fixed sample bias. Unignorable TIBB remains even for the usual degenerate semiconductor with a dopant concentration such as 10(18) cm(-3) for Si. The STM images for H-terminated Si(111) surfaces with dopants substituted at the subsurface have been simulated using first-principles calculations within the density functional theory. The subsurface dopants on the STM images become distinguishable more obviously in consideration of the TIBB effect, specifically for acceptors in the occupied state images and for donors in the empty state. As a result, the TIBB effect improves agreement between the experimental and the theoretical sample biases at which the dopant's feature can be observed clearly.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Negative donors in bulk Si and Si/SiO2 quantum wells in a magnetic field
Jun-ichi Inoue; Tomo Chiba; Akiko Natori; Jun Nakamura
PHYSICAL REVIEW B, AMER PHYSICAL SOC, 79巻, 3号, 掲載ページ 035206 (1-8), 出版日 2009年01月, 査読付, The spin-singlet ground states of a D- ion in bulk Si and Si/SiO2 quantum wells have been investigated in the presence of a magnetic field, using a diffusion quantum Monte Carlo method. By neglecting the central-cell correction, the negative donor state can be assigned by the valley indexes of two trapped electrons. In the bulk Si, the ground-state energies of negative donors of both the intervalley and intravalley configurations split into two levels in a magnetic field along the z axis and the lowest-energy state becomes the intervalley configuration of the two electrons in the valleys with their longitudinal axes perpendicular to the magnetic field. The magnetic field increases the binding energy of a negative donor and the strongest enhancement is attained for the intravalley configuration of the two electrons in the valley with the longitudinal axis parallel to the magnetic field. In the quantum well with the interface within the x-y plane, the quantum confinement effect changes the lowest-energy state of a negative donor from the intervalley configuration in the bulk to the intravalley configuration for which the binding energy is increased most strongly by the magnetic field perpendicular to the well interface. The central-cell correction on the binding energy of a D- ion in a quantum well is also discussed.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Structural stability and cohesive properties of the oxygen-adsorbed graphene
S.Eguchi; J.Nakamura; A.Natori
5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology(ISSS-5), 10p-p-116巻, 出版日 2008年11月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Dielectric properties of the ultra-thin La2O3(0001) film
R.Yanai; J.Nakamura; A.Natori
5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology(ISSS-5), 11p-p-5巻, 出版日 2008年11月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Conductivity and dielectric constant of anisotropic CNT/polymer composites
Y.Hazama; J.Nakamura; A.Natori
5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology(ISSS-5), 11p-p-71巻, 出版日 2008年11月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Half-metallic ground states of Mn atomic wires on GaAs(110)
M.Hirayama; J.Nakamura; A.Natori
5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology(ISSS-5), 12a-h-7巻, 出版日 2008年11月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

First-principles evaluation of the polytype-dependence of the local dielectric constant for SiC
K.Sato; Y.Iwasaki; S.Wakui; J.Nakamura; A.Natori
5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology(ISSS-5), 12p-1-13巻, 出版日 2008年11月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Size effects in friction of multiatomic sliding contacts
Masanori Igarashi; Akiko Natori; Jun Nakamura
PHYSICAL REVIEW B, AMER PHYSICAL SOC, 78巻, 16号, 掲載ページ 165427 (1-10), 出版日 2008年10月, 査読付, We studied the multiatomic contact effect of a friction force microscope at a finite temperature using the dynamical simulation of the Frenkel-Kontrova-Tomlinson model with a finite contact size. The friction force depends crucially on both the lattice mismatch between the tip of a friction force microscope and the sample surface and the strength of the lateral coupling between atoms in the tips. In the case of strong coupling, the friction force depends strongly on both the lattice mismatch and the tip size: there exists a magic size at which the friction force is reduced dramatically due to suppression of the effective corrugation of the surface potential to drag the tip. In the case of weak coupling, a decrease of the friction force with increasing temperature is enhanced as the tip size increases, irrespective of the lattice mismatch. This is caused by the enhanced thermal fluctuation for the multiatomic contact. The correlation among atoms in the multiatomic contact is also discussed.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Dielectric discontinuity at surfaces and interfaces: a first-principles approach
J.Nakamura; K-H.Sato; Y.Iwasaki; S.Wakui; A.Natori
International Conference on Nanoscience + Technology (ICN+T2008), NM2-TuM13巻, 出版日 2008年07月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Semiconducting nature of the oxygen-adsorbed graphene sheet
Jun Ito; Jun Nakamura; Akiko Natori
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, AMER INST PHYSICS, 103巻, 11号, 掲載ページ 113712 (1-5), 出版日 2008年06月, 査読付, Structural and electronic properties for oxygen-adsorbed graphene sheets have been explored using first-principles total-energy calculations within the local density functional theory. A finite energy gap emerges for the oxygen-adsorbed graphene and its value increases with the ratio of O/C, as manifested by experiments. Further, adsorption energy and migration barrier for oxygen atoms on the graphene sheet have been investigated. The results show that isolated oxygen atoms are highly mobile and incline to condense on the graphene sheet. (C) 2008 American Institute of Physics.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Negative donors in multivalley semiconductors: Diffusion quantum Monte Carlo simulations
Jun-ichi Inoue; Jun Nakamura; Akiko Natori
PHYSICAL REVIEW B, AMER PHYSICAL SOC, 77巻, 12号, 掲載ページ 125213 (1-5), 出版日 2008年03月, 査読付, Ground states of the D- ion in multivalley semiconductors have been investigated using a diffusion quantum Monte Carlo method, under the condition that the central- cell correction for a donor ion can be neglected. The D- binding energy E-B(D-) can be simply approximated for the intravalley configuration with the use of a donor binding energy E-B(D0), as E-B(D-) similar or equal to 0.055E(B)(D0), if the anisotropy of the effective mass is not so large. The anisotropy of the effective mass being large, the D- binding energy increases greater than 0.055E(B)(D0). This is due to the enhancement of the correlation effect between two electrons in a D- ion with lowering dimension. For the intervalley configuration, the D- binding energy is further increased because the repulsive Coulomb energy between trapped electrons can be effectively suppressed. Our calculated results reproduce well the experimental ones for Si and Ge, in which the intravalley or the intervalley configuration is well controlled.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Structural bistability of the oxygen-adsorbed graphene sheet
J. Nakamura; J. Ito; A. Natori
PROCEEDINGS OF THE 17TH INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS/13TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SURFACE SCIENCE/INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOSCIENCE AND TECHNOLOGY, IOP PUBLISHING LTD, 100巻, 掲載ページ 052019 (1-4), 出版日 2008年, 査読付, Structural and electronic properties for oxygen-adsorbed graphene sheets have been explored using first-principles total-energy calculations within the local spin density functional theory. It has been found that the structural bistability appears with regard to the oxygen adsorption. This bistability corresponds to the formation of epoxy group or ether group, where the ether group phase is more stable than the epoxy group one. Further, the relative stability for the one-side adsorption model to the both-sides one is explored; oxygen atoms prefer to adsorb on both sides of the graphene sheet, while the one-side adsorption structure becomes metastable.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Atomic scale dielectric constant near the SiO2 /Si (001) interface
Sadakazu Wakui; Jun Nakamura; Akiko Natori
Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, 26巻, 4号, 掲載ページ 1579-1584, 出版日 2008年, 査読付, The authors evaluated the local dielectric constant for the ultrathin Β -quartz (0001) films and the ideal quartz/Si(001) interface and studied the effect of oxygen vacancy on the local dielectric constant, using first-principles calculations in external electric fields. The optical dielectric constant in the SiO2 film is increased slightly around the oxygen vacancy, while the static dielectric constant is increased remarkably. These enhancements are caused by introduction of Si+3 state by the oxygen vacancy. For the ideal quartz/Si(001) interface, both the optical and the static dielectric constants change abruptly from each bulk value to another one. The oxygen vacancy located just at the interface layer changes the interface Si+2 state into Si+1 state and increases both the optical and the static dielectric constant in the adjacent Si region. © 2008 American Vacuum Society.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Ballistic thermal conductance of a graphene sheet
Koichi Saito; Jun Nakamura; Akiko Natori
PHYSICAL REVIEW B, AMER PHYSICAL SOC, 76巻, 11号, 掲載ページ 115409-1 - 115409-4, 出版日 2007年09月, 査読付, We derive a formula to calculate the ballistic thermal conductance of a two-dimensional system directly from the dispersion relations of phonons and electrons. We apply the method to a graphene and investigate both the temperature and the Fermi energy dependences of the ballistic thermal conductance. The ballistic thermal conductance per unit length of a graphene becomes isotropic from the threefold rotational symmetry. In the intrinsic graphene where the Fermi energy crosses the Dirac point, the thermal conductance of electrons increases in proportion to T-2 with temperature, while the phonon conductance increases in proportion to T-1.5 due to the quadratic dispersion relation of the out-of-plane acoustic mode and prevails over the electron-derived conductance irrespective of temperature. As the Fermi energy is moved from the Dirac point for the gated graphenes, the thermal conductance of electrons increases monotonically and the temperature dependence changes from a T-2 dependence in the intrinsic graphene to a T-linear one at low temperatures. The electron thermal conductance of the gated graphenes dominates over the phonon contribution at low temperatures.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Mechanism of velocity saturation of atomic friction force and dynamic superlubricity at torsional resonance
Masanori Igarashi; Jun Nakamura; Akiko Natori
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, INST PURE APPLIED PHYSICS, 46巻, 8B号, 掲載ページ 5591-5594, 出版日 2007年08月, 査読付, We studied both mechanisms of the scan velocity saturation of the average friction force of friction force microscopy and the resonant reduction in the average friction force by superimposing torsional oscillation on a cantilever on the basis of the one-dimensional Tomlinson model at a finite temperature. The velocity saturation is caused by the appearance of a high degree of slip motion for a tip, which is induced by increasing the scan velocity. We proposed two possible mechanisms for the resonant reduction in the average friction force, namely, the enhanced synchronous slip motion of a tip atom with a support point and the activated slip motion of a tip atom caused by oscillation excitation at a stick point. The. calculated results reproduce the experimental results well.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Simulations of scanning Tunneling Microscopy for B-/P-doped Si(111) surfaces
Motoi Hirayama; Jun Nakamura; Akiko Natori
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, INST PURE APPLIED PHYSICS, 46巻, 8B号, 掲載ページ 5643-5646, 出版日 2007年08月, 査読付, We have investigated scanning tunneling microscopy (STM) for hydrogen-terminated Si(I 11) surfaces that have substitutional dopants in the subsurface region, using first-principles calculations within the density functional theory. The STM image for the occupied state indicates protrusion around a subsurface B atom and depression around a subsurface P atom. For the STM image of the unoccupied state, protrusions and depressions are interchanged. These dopant features on the STM image can be explained by the change in electrostatic potential around a dopant ion. The most stable depth of the substitutional B or P atom in H-terminated Si(I 11) surfaces is determined to be the second atomic layer from the topmost Si layer. The effect of a dangling bond created by the desorption of H atoms on the STM image of the subsurface dopant has also been studied.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Dielectric properties of the interface between Si and SiO2
Sadakazu Wakui; Jun Nakamura; Akiko Natori
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, JAPAN SOC APPLIED PHYSICS, 46巻, 5B号, 掲載ページ 3261-3264, 出版日 2007年05月, 査読付, We studied the electronic structure and dielectric properties of a SiO(2()quartz)-(1100)/Si(001) interface, using first-principles ground-state calculations in a finite electric field. We evaluated the optical and the static dielectric constants for the stable SiO2/Si(001) interface model. Both the optical and the static dielectric constants change abruptly in the vicinity of the SiO2/ Si interface, while the energy gap changes gradually on the SiO2 side. These results indicate that the profile of the dielectric constant is determined by the local polarization which directly reflects the local atomic arrangement.
研究論文（学術雑誌）, 英語

First-principles evaluations of dielectric properties from nano-scale points of view
Jun Nakamura; Sadakazu Wakui; Akiko Natori
ICSICT-2006: 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings, 掲載ページ 1407-1410, 出版日 2007年, 査読付, Dielectric properties of ultra-thin Si(111), SiO2, and La 2O3(0001) films have been investigated using two methods, Internal Field method and Dipole Moment method, on the basis of the first-principles ground-states calculations in external electrostatic fields. With increasing thickness of the Si(111) film, the optical dielectric constant evaluated at the center of the slab converges to the experimental bulk dielectric constant, while the energy gap of the slabs is still larger than that of corresponding bulk. On the other hand, both the optical and the static dielectric constants of β-SiO2(0001) films hardly depend on the film thickness and the spatial variation of the local dielectric constant is also very small. It has been found that both the surface effect and the quantum confinement effect are small on ultra-thin β-SiO2(0001) films. Further, it has been revealed that ultra-thin La2O3(0001) film having a thickness of 1.1 nm possesses a large value of the static dielectric constant (29.2) equivalent to that of bulk. © 2006 IEEE.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Dielectric discontinuity at a twin boundary in Si(111)
Jun Nakamura; Akiko Natori
PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS A AND B, AMER INST PHYSICS, 893巻, 掲載ページ 5-+, 出版日 2007年, 査読付, Spatial variations in dielectric constant for the Si films having various stackings have been illustrated using the first-principles calculations based on the density functional theory in external electric fields. The theoretical value of the optical dielectric constant, epsilon(infinity), at the innermost region of the 3C-Si(111) film agrees well with the experimental one above 8 bi-layers. Furthermore, the local variation of epsilon(infinity) at the twin boundary has been demonstrated. epsilon(infinity) changes abruptly at the twin boundary. Such a locality in the variation of epsilon(infinity) originates from the local atomic arrangement at the boundary.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Charge correlation and spin coupling in double quantum dots
Hyuga Masu; Jun Nakamura; Akiko Natori
PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS A AND B, AMER INST PHYSICS, 893巻, 掲載ページ 775-+, 出版日 2007年, 査読付, We study both the spin and the charge correlations between two electrons in vertically coupled quantum dots with a finite well width, using a diffusion quantum Monte Carlo method. We clarify the mechanism of their dependence on both a barrier thickness and a magnetic field. When the barrier thickness increases, two-electron occupation probability in the same dot is suppressed drastically by enhanced charge correlation relative to the electron transfer effect and a magnitude of the antiferromagnetic spin coupling decreases in two stages, from a strong coupling to a weak coupling, As the magnetic field increases, both the antiferromagnetic spin coupling constant and the two-electron occupation probability in the same dot are suppressed. In the case of weak lateral confinement, transitions of the ground state can be also induced by a magnetic field and they accompany changes of the spin coupling between antiferromagnetic and ferromagnetic couplings.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Nano-scale profile of the dielectric constant near the Si/oxide interface: A first-principles approach
J. Nakamura; S. Wakui; S. Eguchi; R. Yanai; A. Natori
ECS Transactions, 11巻, 6号, 掲載ページ 173-182, 出版日 2007年, 査読付, Spatial variation in dielectric constants near the Si/SiO2 interfaces has been revealed using the first-principles ground-states calculations in external electrostatic fields. It has been shown that both the optical and the static
dielectric constants change abruptly in the vicinity of the SiO2/Si interfaces, while the energy gap changes gradually on SiO2 side. These results indicate that the profile of dielectric constant is determined by the local polarization which directly reflects the local atomic arrangement. Dielectric properties of isolated ultra-thin Si(111), SiO2, and La2O3(0001) films have also been investigated. Both the optical and the static dielectric constants of oxide films hardly depend on the film thickness and the spatial variation of the local dielectric constant is also very small as contrasted to the semiconducting Si film. ©The Electrochemical Society.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

First-principles evaluations of dielectric constants for ultra-thin semiconducting films
J.Nakamura; A.Natori
Surface Science, 600巻, 掲載ページ 4332-4336, 出版日 2006年10月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

ac conductivity and dielectric constant of conductor-insulator composites
Tan Benny Murtanto; Satoshi Natori; Jun Nakamura; Akiko Natori
PHYSICAL REVIEW B, AMERICAN PHYSICAL SOC, 74巻, 11号, 掲載ページ 115206-1 - 115206-7, 出版日 2006年09月, 査読付, We study the complex admittance (ac conductivity and dielectric constant) of conductor-insulator composite material, based on a two-dimensional square network consisting of randomly placed conductors and capacitors. We derived some exact analytical relations between the complex admittances of high and low frequencies and of complementary conductor concentrations. We calculate the complex admittance by applying a transfer-matrix method to a square network and study the dependence on both the frequency and the conductor concentration. The numerical results are compared with an effective-medium theory, and the range of applicability and limitation of the effective-medium theory are clarified.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Charge correlation and spin coupling in double quantum dots: A quantum diffusion Monte Carlo study
Hyuga Masu; Taichi Yamada; Jun Nakamura; Akiko Natori
PHYSICAL REVIEW B, AMERICAN PHYSICAL SOC, 74巻, 7号, 掲載ページ 075312-1 - 075312-8, 出版日 2006年08月, 査読付, We study both the spin and the charge correlations between two electrons in vertically coupled quantum dots with a finite well width, using a diffusion quantum Monte Carlo method. We clarify the mechanism of their dependence on both a barrier thickness and a magnetic field, on the basis of the Hubbard model analysis. When the barrier thickness increases, two-electron occupation probability in the same dot is suppressed drastically by enhanced charge correlation relative to the electron transfer effect, and the magnitude of the antiferromagnetic spin coupling decreases in two stages from a strong coupling region to a weak coupling region. Both the antiferromagnetic spin coupling constant and the two-electron occupation probability in the same dot are suppressed by magnetic field, being caused by enhanced intradot Coulomb interaction. In the case of weak lateral confinement, transition of the ground state can also be induced by a magnetic field and it accompanies changes of the spin coupling between antiferromagnetic and ferromagnetic couplings.
研究論文（学術雑誌）, 英語

First-principles calculations of dielectric constants for ultrathin Sio(2) films
Sadakazu Wakui; Jun Nakamura; Akiko Natori
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, A V S AMER INST PHYSICS, 24巻, 4号, 掲載ページ 1992-1996, 出版日 2006年07月, 査読付, We studied the dielectric properties of ultrathin SiO2 films using two methods, internal field method and dipole moment method, based on first-principles calculations of the ground state in a finite electric field. We evaluated the optical and static dielectric constants, epsilon(infinity) and epsilon(0), of H-terminated beta-quartz (0001) films through calculations without and with the lattice relaxation in the electric field applied, respectively. The calculated values of E. and so with these two methods are in good agreement with each other, and they reproduce well the experimental values. Both the optical and static dielectric constants hardly depend on the film thickness, and the spatial variation of the local dielectric constant is also very small. These results indicate that both the surface effect and the quantum confinement effect are small for the ultrathin H-terminated beta-quartz (0001) films. (c) 2006 American Vacuum Society.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Structural stabilities and electronic properties for planar Si compounds
Motoi Hirayama; Jun Nakamura; Akiko Natori
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, 4巻, 掲載ページ 528-533, 出版日 2006年06月09日, 査読付, We have investigated atomic arrangements and electronic properties of two-dimensional Si compounds having the Si(111) skeletons with H and/or OH-radicals terminators, using first-principles calculations within the density functional theory. A mechanism of the onset of a direct gap for the planar siloxene has been clarified from the chemical bonding points of view. The direct energy gap does not change with increasing thickness of the Si-skeleton of the planar siloxene, but the indirect one decreases: the direct and indirect gaps of the planar siloxene are associated with the surface state and the Si-skeleton states, respectively. If both surfaces of the planar siloxene are terminated with the OH-radicals, the stacking of the Si-skeleton changes from the diamond structure to the Wurtzite one as the Si-skeleton thickness increases. In such artificial compounds, a direct gap appears only at the thinnest Si thickness as well as the case of the planar siloxene. © 2006 The Surface Science Society of Japan.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Double-slip mechanism in atomic-scale friction: Tomlinson model at finite temperatures (vol 72, art no 235415, 2005)
J Nakamura; S Wakunami; A Natori
PHYSICAL REVIEW B, AMERICAN PHYSICAL SOC, 73巻, 16号, 掲載ページ 169901-1, 出版日 2006年04月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Dielectric properties of hydrogen-terminated Si(111) ultrathin films
J Nakamura; S Ishihara; A Natori; T Shimizu; K Natori
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, AMER INST PHYSICS, 99巻, 5号, 掲載ページ 054309-1 - 054309-5, 出版日 2006年03月, 査読付, Dielectric properties of Si(111) ultrathin films have been investigated using first-principles ground-states calculations in external electrostatic fields. With increasing thickness of Si(111) ultrathin films, the optical dielectric constant evaluated at the center of the slab converges to the experimental bulk dielectric constant at a thickness of only eight bilayers, while the energy gap of the slab is still larger than that of bulk Si. The converged theoretical dielectric constant for bulk Si is only 6.2% higher than the experimental one. Furthermore, spatial variations of the dielectric constant have also been evaluated using the position-dependent macroscopic field given by a clear-cut definition. The results show that the dielectric constant is reduced distinctly at the first few bilayers from the surface, which stems from the penetration of depolarized charges induced at the surface. Such an effective reduction of the depolarization field near the surface is one of the reasons for the decrease in optical dielectric constant for the ultrathin films.
研究論文（学術雑誌）, 英語

First-principles evaluations of dielectric constants
Jun Nakamura; Sadakazu Wakui; Akiko Natori
2006 INTERNATIONAL WORKSHOP ON NANO CMOS, PROCEEDINGS, IEEE, 掲載ページ 236-249, 出版日 2006年, 査読付, Dielectric properties of ultra-thin Si(111), SiO2, and La2O3(0001) films have been investigated using two methods, Internal Field method and Dipole Moment method, based on first-principles ground-states calculations in external electrostatic fields. With increasing the thickness of the Si(111) film, the optical dielectric constant evaluated at the center of the slab converges to the experimental bulk dielectric constant, while the energy gaps of the slabs are still larger than those of corresponding bulks. On the other hand, both the optical and the static dielectric constants of beta-SiO2(0001) films hardly depend on the film thickness and the spatial variation of the local dielectric constant is also very small. It has been found that both the surface effect and the quantum confinement effect are small on ultra-thin beta-SiO2(0001) films. Further it has been revealed that ultra-thin La2O3(0001) film having a thickness of 1.1 nm possesses a large value of the static dielectric constant (29.2) equivalent to that of bulk.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Dielectric discontinuity at structural boundaries in Si
Jun Nakamura; Akiko Natori
Applied Physics Letters, 89巻, 5号, 掲載ページ 053118-1 - 053118-3, 出版日 2006年, 査読付, The authors have explored optical dielectric constants, ε∞, of ultrathin 3C(diamond)-Si(111) and 2H(wurtzite)-Si(0001) films using first-principles calculations in finite external electric fields. ε∞ evaluated at the innermost region of the films approach values near their bulk dielectric constants at a thickness of only eight bilayers: 12.8 (3C) and 13.4 (2H). Furthermore, the authors have revealed that the spatial variation of ε∞ near the stacking fault corresponding to the twin boundary for 3C-Si and that at the heteroboundary between 3C- and 2H-Si changes abruptly at the boundary for both cases. Such a locality in the variation of ε∞ originates from the local atomic arrangement at the boundary. © 2006 American Institute of Physics.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Double-slip mechanism in atomic-scale friction: Tomlinson model at finite temperatures
J Nakamura; S Wakunami; A Natori
PHYSICAL REVIEW B, AMER PHYSICAL SOC, 72巻, 23号, 掲載ページ 235415-1 - 235415-6, 出版日 2005年12月, 査読付, We studied the atomic scale friction mechanism of a friction force microscope (FFM) by means of the dynamical simulation in the Tomlinson model at a finite temperature. Stick-slip motion of a tip atom is the intrinsic energy dissipation mechanism at low scanning velocities of a support point of FFM and the frictional behavior is classified into three modes. The single slips occur in a high friction mode but double slips occur in a low friction mode, while mixed slips of single and double occur in an intermediate friction mode. In the intermediate friction mode, the friction force shows irregular sawtooth behavior as the support point is moved. We clarify the appearance condition of these three friction modes and each dependence of the average friction force on both temperatures and the sliding velocities.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Electronic and magnetic properties of BNC ribbons
J Nakamura; T Nitta; A Natori
PHYSICAL REVIEW B, AMERICAN PHYSICAL SOC, 72巻, 20号, 掲載ページ 205429-1 - 205429-5, 出版日 2005年11月, 査読付, Both electronic and magnetic properties have been studied for hexagonally bonded honeycomb ribbons consisting of B, N, and C atoms, with zigzag edges terminated by H atoms. We have used first-principles total-energy electronic-structure calculations within the local spin-density functional theory. The energy gap of BN ribbons is dominated by the edge states and it decreases monotonically with increasing ribbon width. For metallic BNC ribbons with different zigzag edges, C and BN or NB, the ground state becomes ferrimagnetic; this originates from the coexistence of the border state and the edge state.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Friction in atomic scale
S.Wakunami; J.Nakamura; A.Natori
13th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques (STM05), 出版日 2005年07月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

半導体超薄膜の誘電特性
中村淳; 名取晃子
表面科学, 26巻, 7号, 掲載ページ 392-397, 出版日 2005年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 日本語

Two types of surface atomic structures for As-rich GaAs(001)-c(4x4)
A.Ohtake; P.Kocan; J.Nakamura; A.Natori; N.Koguchi
The 8th International Conference on the Structure of Surfaces (ICSOS-8), 掲載ページ Mo.P49, 出版日 2005年07月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Electronic and magnetic properties of BNC ribbons
T.Nitta; J.Nakamura; A.Natori
The 8th International Conference on the Structure of Surfaces (ICSOS-8), 掲載ページ Th.P36, 出版日 2005年07月
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Spatial variation in dielectric constant at surfaces of hydrogen-terminated ultra-thin Si(111) films
J.Nakamura; A.Natori
The 8th International Conference on the Structure of Surfaces (ICSOS-8), 掲載ページ Th.P35, 出版日 2005年07月, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Structural stability of Si(001) and Ge(001) in external electric fields
J Nakamura; A Natori
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, JAPAN SOC APPLIED PHYSICS, 44巻, 7B号, 掲載ページ 5413-5416, 出版日 2005年07月, 査読付, The effects of external electrostatic fields normal to surfaces, Ex,, on the structural stability of Si(001) and Ge(001) have been investigated using first-principles total energy calculations. It has been shown that the c(4 x 2) surface is more stable than the p(2 x 2) surface for both Si(001) and Ge(001) even with a finite electric field whose strength is typical of STM, experiments. On the other hand, it has been revealed that the energy barrier for dimer flipping, E-B, shows different dependences between the Si(001)- and Ge(001)-(2 x 1) surfaces: EB at Si(001) changes in proportion to E-ext, but hardly does at Ge(001). Such a difference is explained by the difference in the rehybridization of buckled dimers between the reconstructed surfaces of Si(001) and Ge(001), which originates from the difference in the s-p separation of valence orbitals between Si and Ge.
研究論文（学術雑誌）, 英語

若手・女性研究者の研究環境
中村淳; 伊賀健一
学術の動向, Japan Science Support Foundation, 10巻, 4号, 掲載ページ 33-36, 出版日 2005年04月
研究論文（学術雑誌）, 日本語

Energy barrier for dimer flipping at the Si(001)-(2x1) surface in external electric fields
J Nakamura; A Natori
PHYSICAL REVIEW B, AMER PHYSICAL SOC, 71巻, 11号, 掲載ページ 113303-1 - 113303-4, 出版日 2005年03月, 査読付, Effects of external electrostatic fields, E-ext, on a barrier in energy for dimer flipping, E-B, at the Si(001)-(2x1) surface have been investigated using first-principle total energy calculations. It has been revealed that E-B changes in proportion to E-ext. This finding suggests that we can turn on and off the flip-flop motions by alternating the polarity of the field with a scanning tunneling microscope (STM) at low temperatures, which is consistent with the recent experimental results. It has also been shown that the c(4x2) surface is more stable than the p(2x2) even in electric fields typical of STM experiments.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Energy barrier for dimer flipping at the Si(001)-2 x 1 surface in external electrostatic fields
J Nakamura; A Natori
PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS A AND B, AMER INST PHYSICS, 772巻, 掲載ページ 371-372, 出版日 2005年, 査読付, We have investigated effects of external electrostatic fields on a barrier in energy for dimer flipping, EB, at the Si(001)-(2 x 1) surface by using first-principles total energy calculations. The results show that EB changes in proportion to E-ext. This finding suggests that we can turn on and off the flip-flop motions by alternating the polarity of the field with a scanning tunneling microscope at low temperatures.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Dielectric properties of ultra-thin films
J Nakamura; S Ishihara; H Ozawa; A Natori
PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS A AND B, AMER INST PHYSICS, 772巻, 掲載ページ 951-952, 出版日 2005年, 査読付, A novel evaluation method of a dielectric constant is proposed with the use of first-principles calculations for the ground states in external eletrostatic fields, which is applicable to ultrathin films. The optical dielectric constant evaluated at the innermost region of the film approaches a constant value near to the experimental bulk dielectric constant with increasing the thickness of Si(111) ultra-thin films up to only 8 bi-layers, while the energy gap of the film is much larger than that of bulk Si. The theoretical value of the optical dielectric constant for the Si (111) film, which is converged at a large thickness, well reproduces the experimental one for bulk Si.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Ge/Si(113)-(2x2) surfaces: structural features induced by self-interstitial atoms
Z.H.Zhang; K.Sumitomo; J.Nakamura
Wuli, 33巻, 掲載ページ 708-712, 出版日 2004年10月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Ga-As dimer structure for the GaAs(001)-c(4x4) surface
A Ohtake; J Nakamura; N Koguchi; A Natori
SURFACE SCIENCE, ELSEVIER SCIENCE BV, 566巻, 掲載ページ 58-62, 出版日 2004年09月, 査読付, We studied the atomic structure of the As-stabilized GaAs(001)-c(4 x 4) surface using scanning tunneling microscopy, reflection high-energy electron diffraction, reflectance difference spectroscopy, and first-principles calculations. The structure model consisting of three Ga-As dimers per c(4 x 4) unit cell explains well the experimental data. The three Ga-As dimers in the c(4 x 4) unit cells are usually aligned in the same orientation, which was found to be energetically stable. We also discuss the possible change to the symmetric As-As dimer structure under more As-rich condition. (C) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Atomic scale friction of nanoscale clusters
K.Ohno; T.Nitta; J.Nakamura; A.Natori
Journal of Vacuum Science and Technology B, 22巻, 掲載ページ 2026-2029, 出版日 2004年08月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Kinetics in surface reconstructions on GaAs(001)
A Ohtake; P Kocan; J Nakamura; A Natori; N Koguchi
PHYSICAL REVIEW LETTERS, AMERICAN PHYSICAL SOC, 92巻, 23号, 掲載ページ 236105-1 - 236105-4, 出版日 2004年06月, 査読付, We have successfully controlled the surface structures of GaAs(001) by changing incident As-molecular species. Under As-4 fluxes, the c(4x4) reconstruction with Ga-As dimers [c(4x4)alpha structure] is obtained, but the formation of three As-As dimer structures [c(4x4)beta structure] is kinetically limited. On the other hand, the structure change from the (2x4), through c(4x4)alpha, to c(4x4)beta phases is observed under As-2 fluxes. We found that the c(4x4)alpha structure is energetically metastable and provides a kinetic pathway for the structure change between the (2x4) and c(4x4)beta phases under As-2 fluxes.
研究論文（学術雑誌）, 英語

First-principles study on the atomic and electronic structures of the Au/Si(111)-alpha(Sqrt3xSqrt3)R30 surface
T.Kadohira; J.Nakamura; S.Watanabe
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, 2巻, 掲載ページ 146-150, 出版日 2004年04月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Direct observation of Au deposition processes on the InSb{111}A,B-(2x2) surfaces
S.P.Cho; J.Nakamura; N.Tanaka; T.Osaka
Nanotechnology, 15巻, 掲載ページ S371-S375, 出版日 2004年04月, 査読付
英語

Band discontinuity at ultrathin SiO2/Si(001) interfaces
M Watarai; J Nakamura; A Natori
PHYSICAL REVIEW B, AMERICAN PHYSICAL SOC, 69巻, 3号, 掲載ページ 035312-1 - 035312-6, 出版日 2004年01月, 査読付, An evaluation method of the valence-band discontinuities is proposed, which can be applied to ultrathin interfaces of heterojunctions. We have calculated the layer thickness dependence of the valence-band discontinuities for ultrathin quartz SiO2/Si(001), using the density-functional first-principles calculation in the superlattice structure. The valence-band discontinuity is reduced at the monolayer thickness of SiO2, caused by decrease of the energy gap of monolayer SiO2. The valence-band discontinuity lowers with decreasing Si layer thickness, because of enhancement of quantum confinement effect. The hole penetration depth into SiO2 is evaluated from the decay profile of the Bloch function and the atomistic tunneling behavior is clarified.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Ge/Si(113)-2x2表面の構造安定性と応力異方性
中村淳; 張朝暉; 住友弘二; 尾身博雄; 荻野俊郎; 名取晃子
表面科学, 24巻, 9号, 掲載ページ 526-530, 出版日 2003年09月, 査読付
日本語

極薄SiO2/Si界面のエネルギー障壁の第一原理計算
渡会雅敏; 中村淳; 名取晃子
表面科学, 24巻, 9号, 掲載ページ 550-555, 出版日 2003年09月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 日本語

Dynamics of c(4 x 2) phase-transition in Si(100) surfaces
A Natori; M Osanai; J Nakamura; H Yasunaga
APPLIED SURFACE SCIENCE, ELSEVIER SCIENCE BV, 212巻, 掲載ページ 705-710, 出版日 2003年05月, 査読付, The Si(1 0 0) surfaces exhibit an order-disorder phase-transition at the critical temperature T-c from the 2 x 1 structure of apparently symmetric dimers to the c(4 x 2) structure of buckled dimers. We study the flip-flop dynamics of buckled dimers in the vicinity of T-c, using the kinetic Monte Carlo simulation based on the Ising spin model Hamiltonian. Phasons, thermally excited phase defects on alternately buckled dimer rows, play an essential role on both the phase-transition and the flip-flop dynamics of buckled dimers. (C) 2003 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Structural stability of the Ge/Si(113)-2 x 2 surface
J Nakamura; ZH Zhang; K Sumitomo; H Omi; T Ogino; A Natori
APPLIED SURFACE SCIENCE, ELSEVIER SCIENCE BV, 212巻, 掲載ページ 724-729, 出版日 2003年05月, 査読付, We have investigated the atomic structure and electronic states for the Ge/Si(113)-2 x 2 surface using first-principles total energy calculations. We have found that the model made up of alternating [1 (1) over bar0]-oriented rows of rebonded atoms and tilted pentamers of five atoms with an interstitial atom has the lowest surface energy of the models employed. Furthermore, the local density of states calculated for this surface provides a satisfactory description of recent scanning tunneling microscope images. (C) 2003 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Au/InSb(111)A系における合金形成過程
趙星彪; 原尚子; 成瀬延康; 門平卓也; 中村淳; 大坂敏明
表面科学, 日本表面科学会, 24巻, 2号, 掲載ページ 111-117, 出版日 2003年02月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 日本語

New structure model for the GaAs(001)-c(4x4) surface
A.Ohtake; J.Nakamura; S.Tsukamoto; N.Koguchi; A.Natori
Physical Review Letters, 89巻, 掲載ページ 206102-1 - 206102-4, 出版日 2002年10月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Atomic structures of the Ge/Si(113)-(2X2) surface
ZH Zhang; K Sumitomo; H Omi; T Ogino; J Nakamura; A Natori
PHYSICAL REVIEW LETTERS, AMERICAN PHYSICAL SOC, 88巻, 25号, 掲載ページ 256101-1 - 256101-4, 出版日 2002年06月, 査読付, Based on scanning tunneling microscopy observations of the epitaxial growth of Ge on Si(113) and first-principles total energy and band calculations, we demonstrate that the Ge/Si(113)-(2 X 2) surface is made up of alternating [ (1) over bar 10]-oriented rows of rebonded atoms and tilted pentamers of five atoms, where each pentamer is stabilized by an interstitial atom at the subsurface. From the existence of stacking defects in rows of tilted pentamers observed at room temperature, we have deduced that at epitaxial temperatures the pentamers frequently change their tilting orientations between two minimum energy states.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Theoretical study on the structural phase transition of Si(111)root 3 x root 3-Ag surface
Y Nakamura; Y Kondo; J Nakamura; S Watanabe
SURFACE SCIENCE, ELSEVIER SCIENCE BV, 493巻, 1-3号, 掲載ページ 206-213, 出版日 2001年11月, 査読付, We study the arrangement of Ag atoms of the Si(1 1 1)root3 x root3-Ag surface by Monte Carlo simulations (MCS). For this purpose, an adiabatic potential for Ag atoms representing short-ranged interactions including three-body terms is proposed, and the parameters in it are derived from results of first-principles calculations. We perform MCS with this potential and show that the surface undergoes an order-disorder phase transition with respect to the arrangement of Ag atoms. The transition temperature estimated by the present MCS is consistent with results of scanning tunneling microscopy (STM) observations. Calculated STM images based on results of MCS clearly show that the observed STM images with a honeycomb pattern are well understood by the fluctuation of Ag atoms. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
研究論文（学術雑誌）, 英語

STM images apparently corresponding to a stable structure: Considerable fluctuation of a phase boundary of the Si(111)-(root 3 x root 3)-Ag surface
Y Nakamura; Y Kondo; J Nakamura; S Watanabe
PHYSICAL REVIEW LETTERS, AMERICAN PHYSICAL SOC, 87巻, 15号, 掲載ページ 156102-1-156102-4, 出版日 2001年10月, 査読付, We study scanning tunneling microscopy (STM) images near a phase boundary of the Si(111)-(root3 x root3-)-Ag surface by using Monte Carlo simulations based on results of first-principles calculations. The boundary is found to fluctuate from snapshot to snapshot, and the feature of the simulated STM images differs distinctly from the observed one with a straightly extending honeycomb pattern of bright spots. Remarkably, statistical averages of the simulated images reproduce the observed feature. This study gives a warning of our tendency to relate STM images revealing clear arrangement of bright spots with some stable structure.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Surface structures of GaAs{111}A,B-(2 × 2)
A. Ohtake; J. Nakamura; T. Komura; T. Hanada; T. Yao; H. Kuramochi; M. Ozeki
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 64巻, 掲載ページ 453181-453188, 出版日 2001年07月15日, Atomic structures of the GaAs{111}A,B-(2 × 2) surfaces have been studied using reflection high-energy electron diffraction (RHEED), scanning tunneling microscopy (STM), and first-principles total-energy calculations. STM observations have revealed that the GaAs(111)A-(2 × 2) surface exhibits large ordered regions having the Ga-vacancy buckling structure, while the GaAs(111)B-(2 × 2) surface consists of small domains, where the As trimers are adsorbed on the outermost As layer. The atomic coordinates for both surface structures have been determined by a rocking-curve analysis using RHEED. The obtained structure parameters are in good agreement with those obtained from first-principles calculations.

Structural and cohesive properties of a C-60 monolayer
J Nakamura; T Nakayama; S Watanabe; M Aono
PHYSICAL REVIEW LETTERS, AMER PHYSICAL SOC, 87巻, 4号, 掲載ページ 0483011-0483014, 出版日 2001年07月, 査読付, We have explored the cohesive property of a monolayer of C-60 molecules (ML-C-60) by means of total energy calculations with the density-functional theory. The total energy curve calculated for ML-C-60, which is obtained as a function of the lattice constant, has two minima and shows a hysteresis in the compression-tension stroke. These two minima in energy correspond to the different structural phases of ML-C-60: one is a monomer phase and the other is a polymer one. The energy band gap within the framework of the local density approximation varies from 1 eV (semiconducting phase) to 0 eV (metallic phase) with external pressure and without structural transition from the monomer phase to the polymer one.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Surface structures of GaAs{111}A,B-(2X2)
A Ohtake; J Nakamura; T Komura; T Hanada; T Yao; H Kuramochi; M Ozeki
PHYSICAL REVIEW B, AMER PHYSICAL SOC, 64巻, 4号, 掲載ページ 0453181-0453188, 出版日 2001年07月, 査読付, Atomic structures of the GaAs{1 1 1}A,B-(2 x 2) surfaces have been studied using reflection high-energy electron diffraction (RHEED), scanning tunneling microscopy (STM), and first-principles total-energy calculations. STM observations have revealed that the GaAs(1 1 1)A-(2 x 2) surface exhibits large ordered regions having the Ga-vacancy buckling structure, while the GaAs(1 1 1)B-(2 x 2) surface consists of small domains, where the As trimers are adsorbed on the outermost As layer. The atomic coordinates for both surface structures have been determined by a rocking-curve analysis using RHEED. The obtained structure parameters are in good agreement with those obtained from first-principles calculations.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Structural stability and electronic states of gold nanowires
J Nakamura; N Kobayashi; S Watanabe; M Aono
SURFACE SCIENCE, ELSEVIER SCIENCE BV, 482巻, 掲載ページ 1266-1271, 出版日 2001年06月, 査読付, We have investigated the structural stability of single and double rows of gold atoms using the first-principles density functional calculations. In both wires, the zigzag geometry is more stable than the rectilinear one, showing the aspect of structural bistability. The number of channels open for conduction has also been evaluated on the basis of the number of bands which cross the Fermi level. In the zigzag geometry, the number of channels changes in the order of 2, 1, 0 with stretching the wire, which is consistent with recent measurements. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Anisotropic electronic structure of the Si(111)-(4x1)In surface
J Nakamura; S Watanabe; M Aono
PHYSICAL REVIEW B, AMER PHYSICAL SOC, 63巻, 19号, 掲載ページ 193307-1-193307-4, 出版日 2001年05月, 査読付, We have investigated the atomic structure and electronic states of the Si(111)-(4 x 1) In surface using the first-principles total energy calculations. The atomic coordinates optimized for this surface are in excellent agreement with those obtained from the recent x-ray diffraction experiment [Bunk er al., Phys. Rev. B 59, 12 228 (1999)]. The calculated surface electronic structure, which is anisotropic, provides a satisfactory description of angle-resolved photoemission data. These calculations provide strong support for the model proposed by Bunk et al.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Wurtzite-zinc-blende polytypism in ZnSe on GaAs(111)A
A Ohtake; J Nakamura; M Terauchi; F Sato; M Tanaka; K Kimura; T Yao
PHYSICAL REVIEW B, AMER PHYSICAL SOC, 63巻, 19号, 掲載ページ 195325-1-195325-4, 出版日 2001年05月, 査読付, We have studied the wurtzite (W)-zinc-blende (ZB) polytypism in ZnSe films grown on the (111)A-oriented substrates of GaAs. Although the stable structure of bulk ZnSe is ZB, W-structured ZnSe is formed near the interface on the ZB-structured GaAs(111)A substrate. Our first-principles calculations have revealed that the charge state at the ZnSe/GaAs(111)A interface plays a key role in the formation of W-ZnSe. We show that the structural quality of W-ZnSe is significantly improved using a cracked Se source, while ZB-ZnSe is grown using a vicinal GaAs(111)A substrate.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Surface structures of (formula presented)
Akihiro Ohtake; Jun Nakamura; Takuji Komura; Takashi Hanada; Takafumi Yao; Hiromi Kuramochi; Masashi Ozeki
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 64巻, 4号, 出版日 2001年, 査読付, Atomic structures of the (formula presented) surfaces have been studied using reflection high-energy electron diffraction (RHEED), scanning tunneling microscopy (STM), and first-principles total-energy calculations. STM observations have revealed that the (formula presented) surface exhibits large ordered regions having the Ga-vacancy buckling structure, while the (formula presented) surface consists of small domains, where the As trimers are adsorbed on the outermost As layer. The atomic coordinates for both surface structures have been determined by a rocking-curve analysis using RHEED. The obtained structure parameters are in good agreement with those obtained from first-principles calculations. © 2001 The American Physical Society.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Electronic states and structural stability of gold nanowires
Jun Nakamura; Nobuhiko Kobayashi; Masakazu Aono
RIKEN Review, 37巻, 掲載ページ 17-20, 出版日 2001年, 査読付
研究論文（大学，研究機関等紀要）, 英語

Structural and electronic properties of two-dimensional C60
Jun Nakamura; Tomonobu Nakayama; Satoshi Watanabe; Masakazu Aono
Trans.Mat.Res.Soc.Jpn., 26巻, 掲載ページ 1167-1170, 出版日 2001年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Structural ordering on Si(111)root 3 x root 3-Ag surface: Monte Carlo simulation based on first-principles calculations
Y Nakamura; Y Kondo; J Nakamura; S Watanabe
PROCEEDINGS OF THE 25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS I AND II, SPRINGER-VERLAG BERLIN, 87巻, 掲載ページ 295-296, 出版日 2001年, 査読付, We study the arrangement of Ag atoms of the Si(111) root3 x root3-Ag surface by Monte Carlo simulations (MCS) based on results of first-principles calculation (FPC). Introducing three-body term into the adiabatic potential for Ag atoms is very important to describe energies of possible configurations. Calculated STM images based on results of MCS clearly show that the observed STM images with a honeycomb pattern are well understood by the fluctuation of Ag atoms.
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Strain relaxation in InAs/GaAs(111)A heteroepitaxy
A Ohtake; M Ozeki; J Nakamura
PHYSICAL REVIEW LETTERS, AMERICAN PHYSICAL SOC, 84巻, 20号, 掲載ページ 4665-4668, 出版日 2000年05月, 査読付, We have studied strain-relaxation processes in InAs heteroepitaxy on GaAs(lll)A using rocking-curve analysis of reflection high-energy electron diffraction. Strain relaxation in the direction parallel to the surface occurs at similar to 1.5 bilayers (BL) thickness. On the other hand, the lattice constant in the direction normal to the surface remains almost unchanged below similar to 3 BL thickness and is estimated to be similar to 3.3 Angstrom. This value, slightly larger than that of bulk GaAs (3.26 Angstrom), does not quite reach the value predicted by classical elastic theory, 3.64 Angstrom. The present result has been supported by the first-principles total-energy calculations.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Study of diffusion and defects by medium-energy coaxial impact-collision ion scattering spectroscopy
T Kobayashi; CF McConville; J Nakamura; G Dorenbos; H Sone; T Katayama; M Aono
DEFECTS AND DIFFUSION IN SEMICONDUCTORS, SCITEC PUBLICATIONS LTD, 183-1巻, 掲載ページ 207-213, 出版日 2000年, 査読付, Medium-energy coaxial impact-collision ion scattering spectroscopy has been used to study depth profiles and lattice locations of Sb atoms in Si/Sb(delta-doped)/Si(001) structures prepared by solid phase epitaxy. The Sb atoms are observed to diffuse into the Si capping layer at concentrations much higher than the solid solubility limit in a Si crystal. In addition, the concentration of diffused Sb atoms does not show a monotonic decrease with increasing distance from the delta-layer plane. The lattice locations of the diffused Sb atoms are found to be strongly dependent on the distance from the original Sb delta-layer. Correspondences are found between defects in Si crystals and the depth profile and the lattice location of Sb atoms. The results show that medium-energy coaxial impact-collision ion scattering spectroscopy is useful for analyzing diffusion and defects in semiconductors.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Atomic and electronic structure of the Si(111)-Sqrt(3)×Sqrt(3)-Ag surface re-examined by using first-principles calculation
S.Watanabe; Y.Kondo; Y.Nakamura; J.Nakamura
Sci. Tech. Adv. Mat., TAYLOR & FRANCIS LTD, 1巻, 3号, 掲載ページ 167-172, 出版日 2000年, 査読付, We have reexamined the atomic and electronic structures of the Si(111)-root 3x root 3-Ag surface using first-principles calculations within the local density functional approach. First, we found that a discrepancy among previous first-principles studies concerning the honeycombchained-triangle (HCT) model, which was believed to describe the structure of the surface, can be attributed to the difference in the structural parameters adopted in the calculations. Second, we have confirmed that the recently proposed inequivalent triangle (IET) model, where the positions of the Ag atoms are distorted a little from those in the HCT, is energetically more stable than the HCT one. We have also examined several other models that have distortions similar to the IET one. The results suggest that at room temperature the surface does not stay in the HCT configuration, but fluctuates between various configurations. (C) 2000 Elsevier Science Ltd. All rights reserved.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Photoinduced products in a C-60 monolayer on Si(111)(root 3x root 3)-Ag: An STM study
T Nakayama; J Onoe; K Nakatsuji; J Nakamura; K Takeuchi; M Aono
SURFACE REVIEW AND LETTERS, WORLD SCIENTIFIC PUBL CO PTE LTD, 6巻, 6号, 掲載ページ 1073-1078, 出版日 1999年12月, 査読付, Irradiation of ultraviolet-visible light onto a C-60 monolayer on Si(111)(root 3 x root 3)R30 degrees-Ag resulted in a chemical reaction between adjacent C-60 molecules, as confirmed by scanning tunneling microscopy (STM) images. The major photoinduced products were double-bonded (two covalent C-C bonds between molecules) C-60 dimers and linear trimers. We also found single-bonded (single covalent bond between molecules) C-60 dimers and linear trimers, and two-dimensional C-60 oligomers as minor products. Observed atomic geometry of the nonbonding contact between a C-60 dimer (or a trimer) and a neighboring dimer (or a trimer), which are parallel to each other regarding their axes, is different from that reported between C-60 molecules in three-dimensional C-60 crystals, where there is no interaction with a substrate.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Structure and electronic states for a single strand of gold atoms
J.Nakamura; M.Aono
RIKEN Review, 25巻, 掲載ページ 34-36, 出版日 1999年, 査読付
研究論文（大学，研究機関等紀要）, 英語

Chemical bonding features for faultily stacked interfaces of GaAs{111}
J Nakamura; T Mishima; MH Masui; M Sawayanagi; SP Cho; M Nishizawa; T Eguchi; T Osaka
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, A V S AMER INST PHYSICS, 16巻, 4号, 掲載ページ 2426-2431, 出版日 1998年07月, 査読付, The electronic states for normally stacked and faultily stacked layers on the GaAs{111} A, B surfaces are calculated by use of the discrete variational X alpha cluster method and the plane wave nonlocal pseudopotential method. The results show that chemical bondings between atoms are not as ionic in the faultily stacked layer of (111) B as they are in the (111)A case, and that on the (111) A surface more attractive Coulomb interaction energy is gained in the faulty stacking layer than in the normal stacking one. These results explain well the more frequent emergence of in-plane faults in the (111) A surface, which is well known in GaAs{111} A, B growth experiments. The total energy calculations also provide quantitative interpretation of such growth features. (C) 1998 American Vacuum Society.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Direct imaging of the evolving Au/InSb(III) B interface
T Mishima; J Nakamura; K Tsukada; M Nishizawa; T Eguchi; T Osaka
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, AMER INST PHYSICS, 16巻, 4号, 掲載ページ 2324-2327, 出版日 1998年07月, 査読付, In situ high-resolution transmission electron microscopy in the profile geometry has been used to observe the evolving features of the Au/InSb(111) B-(2 x 2) interface. During Au deposition in the range between 0 monolayer (ML) and similar to 1 ML coverage, the outermost Sb-trimer layer of the InSb(111) B-(2x2) substrate changes in contrast, presumably revealing that deposited Au atoms are partially captured into it. At similar to 2 ML coverage, an unknown phase emerges on the outermost layer, beyond which it continues to grow epitaxially in an island state, causing partial disruption of the substrate. The phase is identified as Au9In4 alloy with a gamma-brass structure determined from a digital Fourier transform diffractogram and a transmission electron diffraction pattern. The epitaxial relationship of Au9In4 with the substrate is given by (111)InSb parallel to(111) Au9In4 and [1(1) over bar 0] InSb parallel to[1(1) over bar 0] Au9In4. The high resolution-profile transmission electron microscopy images of this alloy agree well with the results calculated by the multislice method. (C) 1998 American Vacuum Society.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Structure of the InSb(111)A-(2 root 3x2 root 3)-R30 degrees surface and its dynamical formation processes
M Nishizawa; T Eguchi; T Misima; J Nakamura; T Osaka
PHYSICAL REVIEW B, AMER PHYSICAL SOC, 57巻, 11号, 掲載ページ 6317-6320, 出版日 1998年03月, 査読付, We have studied the structure of the InSb(111)A-(2 root 3 x 2 root 3)-R30 degrees surface and how it is transformed from the original (2x2) surface under Sb-rich conditions, by using scanning tunneling microscopy, Anger electron spectroscopy, and reflection high-energy electron diffraction. In the 2 root 3 structure a Sb trimer settles its center on the In vacancy site of the (2x2) surface, and the three In atoms are further missing from it. These missing In atoms are consumed in a way that, while Sb is deposited onto the (2x2) surface at 230 degrees C, the 2 root 3 surface grows along a direction normal to the step edge, increasing the terrace area and causing the step edge to become ragged.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Structure and electronic states of the alpha-Sn(111)-(2x2) surface
T Eguchi; J Nakamura; T Osaka
JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN, PHYSICAL SOC JAPAN, 67巻, 2号, 掲載ページ 381-384, 出版日 1998年02月, 査読付, Scanning tunneling microscopy (STM) has been used to study the surface structure and electronic states of alpha-Sn(111) films grown heteroepitaxially on InSb(111)A-(2 x 2). The wide area STM image shows a large number of domains existing on the terrace, each having an average size of about 100 Angstrom and a period of (2 x 2). The magnified image shows evidence of a T-4-adatom and rest-atom pair reconstructed structure for the alpha-Sn(111)-(2 x 2) surface, as expected from the ab initio calculations. Furthermore, the result that the adatom and the rest-atom appear simultaneously in the occupied state image can be explained by the existence of back bond states in the adatom configuration.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Reflection high-energy electron diffraction analysis of the InSb{111}A,B-(2x2) surfaces
A Ohtake; J Nakamura
SURFACE SCIENCE, ELSEVIER SCIENCE BV, 396巻, 1-3号, 掲載ページ 394-399, 出版日 1998年01月, 査読付, Reflection high-energy electron diffraction has been used in a structure analysis of In-stabilized (111)A-(2 x 2) and Sb-stabilized (111)B-(2 x 2) surfaces of InSb grown by molecular beam epitaxy. The analysis provides information about their atomic coordinates in the surface normal direction: InSb(111)A-(2 x 2) has a vertically compressed surface bilayer with a spacing of 0.25 Angstrom. For InSb(111)B-(2 x 2), Sb-trimers are adsorbed at 2.8 Angstrom above the first Sb layer, which induces a prominent relaxation in the subsurface layers. (C) 1998 Published by Elsevier Science B.V.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Nucleation of Au on KCl(001)
J Nakamura; T Kagawa; T Osaka
SURFACE SCIENCE, ELSEVIER SCIENCE BV, 389巻, 1-3号, 掲載ページ 109-115, 出版日 1997年11月, 査読付, We have studied the nucleation of An on the step and terrace of a KCl(001) surface by using molecular-dynamics and potential energy calculations. The results obtained are as follows: coming near the step, an Au atom diffuses toward the ledge of the step and then moves along the ledge. The subsequent stage is that the nucleation of Au is initiated with the formation of a dimer which has an activation energy barrier high enough for its dissociation. On the terrace, since the Au atoms move around, they have little chance to meet with each other. Even if two Au atoms accidentally form a dimer, ii is unlikely to be stably nucleated because of easier dissociation and/or migration. (C) 1997 Elsevier Science B.V.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Structural stability and its electronic origin of the GaAs(111)A-2x2 surface
J Nakamura; H Nakajima; T Osaka
APPLIED SURFACE SCIENCE, ELSEVIER SCIENCE BV, 121巻, 掲載ページ 249-252, 出版日 1997年11月, 査読付, The stability of the vacancy-buckling (VB) structure of the GaAs(111)A-2 x 2 surface is investigated with the use of the first-principles total energy pseudopotential and the discrete variational X alpha methods within the local-density-functional formalism. An origin of the structural stability can be explained as follows: The electronegativities of Ga (As) dangling orbitals in the VB surface become smaller (larger) than those of the ideally sp(3)-hybridized orbital. This induces a charge transfer from the Ga to the As atom, to reduce unsaturated bonds at the surface. Further, the grey-scale schema of the calculated partial charge density agrees well with the images obtained from the most recent scanning tunneling microscopy experiments, (C) 1997 Elsevier Science B.V.
研究論文（学術雑誌）, 英語

s-character of MX4 (M=C, Si, Ge, X=F, Cl, Br, I) molecules
J Nakamura; H Konogi; H Sato; T Osaka
JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN, PHYSICAL SOC JAPAN, 66巻, 6号, 掲載ページ 1656-1659, 出版日 1997年06月, 査読付, Chemical bonding states for a series of MX4 (M=C, Si, Ge, X=F, C1, Br, I) molecules have been studied with use of self-consistent-charge-X alpha calculations. The results show that the s-character, s/(s+p) of the sp(3)-hybridized orbitals of M atoms changes every MX4 molecules, to which the electronegativity of the M-sp(3) orbitals is in a linear relationship. These findings assist to understand chemical bonding features which are inherent in these quadricovalent molecules.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Initial growth processes of Ag on polar and non-polar semiconductor substrates
A Ohtake; J Nakamura; T Osaka
SURFACE SCIENCE, ELSEVIER SCIENCE BV, 380巻, 1号, 掲載ページ L437-L440, 出版日 1997年05月, 査読付, Initial growth processes of Ag on both InSb(lll)A and alpha-Sn(lll) substrates at room temperature have been investigated by using reflection high-energy electron diffraction and Auger electron spectroscopy. The results show that the growth features are quite different for each system: Ag grows in the Stranski-Krastanov mode on InSb(lll)A, while for Ag/alpha-Sn(lll) the majority of the deposited Ag atoms are consumed in forming an Ag-Sn alloy. Discrete variational-X alpha calculations showed that an onset of such growth modes is closely related to interfacial chemical bonding features for both systems.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Geometry and lattice formation of surface layers of Sn growing on InSb{111}A,B
A Ohtake; J Nakamura; T Eguchi; T Osaka
PHYSICAL REVIEW B, AMERICAN PHYSICAL SOC, 54巻, 15号, 掲載ページ 10358-10361, 出版日 1996年10月, 査読付, Surfaces of Sn growing on InSb{111}A,B have been studied by using the reflection high-energy electron-diffraction intensity oscillation technique. The surfaces proceed in the formation of a bilayered lattice in the whole range of film thickness. However, the geometry of the outermost surface layer is quite different in bath systems: The growing surface on InSb(111)A smoothens with the same period as the lattice formation, whereas on InSb(lll)B, below and above 6 ML of Sn, smooth surfaces emerge every period of monolayer and bilayer, respectively. The monolayer-period change in surface geometry is ascribed to Sb segregation on the growing surface.
研究論文（学術雑誌）, 英語

Surfactant-induced bond strengthening in As-grown film surfaces
J Nakamura; H Konogi; T Osaka
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, JAPAN J APPLIED PHYSICS, 35巻, 4A号, 掲載ページ L441-L443, 出版日 1996年04月, 査読付, The role of surfactant (Sb) in the two-dimensional (2D) growth of Ge films on Sb-adsorbed Si(lll) surfaces is investigated using the discrete variational (DV) - X alpha cluster method. The results show that the Sb surfactant strengthens bonds between Ge atoms of the film surface, to the extent of those in bulk Ge, and enables them to realize an sp(3)-like configuration. This indicates why the critical thickness is increased in this system: the surfactant-induced bond strengthening renders the film surface hard like that of bulk Ge, induces dislocations to nucleate at the surface; and enables the Ge film to grow in a defect-free state, as expected based on the self-annihilation mechanism proposed by Horn-von Hoegen et al. [M. Horn-von Hoegen et al. Phys. Rev. Lett. 67 (1991) 1130].
研究論文（学術雑誌）, 英語

Geometry and lattice formation of surface layers of Sn growing on InSb(111)\\A, B
Akihiro Ohtake; Jun Nakamura; Toyoaki Eguchi; Toshiaki Osaka
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 54巻, 15号, 掲載ページ 10358-10361, 出版日 1996年, Surfaces of Sn growing on InSb(111)\\A, B have been studied by using the reflection high-energy electron-diffraction intensity oscillation technique. The surfaces proceed in the formation of a bilayered lattice in the whole range of film thickness. However, the geometry of the outermost surface layer is quite different in both systems: The growing surface on InSb(111)A smoothens with the same period as the lattice formation, whereas on InSb(111)B, below and above 6 ML of Sn, smooth surfaces emerge every period of monolayer and bilayer, respectively. The monolayer-period change in surface geometry is ascribed to Sb segregation on the growing surface. © 1996 The American Physical Society.
研究論文（学術雑誌）, 英語

INHOMOGENEOUS CHARGE-TRANSFER IN AN INCOMMENSURATE SYSTEM
J NAKAMURA; H KONOGI; T OSAKA
PHYSICAL REVIEW B, AMERICAN PHYSICAL SOC, 51巻, 8号, 掲載ページ 5433-5436, 出版日 1995年02月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

オゾンの効率的な生成を促す局所原子配列
中村淳
日本表面真空学会, 出版日 2021年10月10日, 表面と真空, 64巻, 10号, 掲載ページ 482-482, 日本語, 査読付, 招待, 記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）

Plasma in Solution and Its Applications FOREWORD
Nagahiro Saito; Jun Nakamura; Tatsuru Shirafuji; Takahiro Ishizaki
IOP PUBLISHING LTD, 出版日 2018年01月, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 57巻, 1号, 掲載ページ 010201, 英語, その他, 0021-4922, 1347-4065, WOS:000414177400001

26pPSB-36 Mn吸着(2×2)-GaAs(001)表面構造および電子状態(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
菅野 雄介; 大竹 晃浩; 中村 淳
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2012年03月05日, 日本物理学会講演概要集, 67巻, 1号, 掲載ページ 964-964, 日本語, 1342-8349, 110009568361, AA11439205

23pPSB-7 GaAs(001)-(2×2)Mn表面の原子配列と電子状態評価(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
菅野 雄介; 大竹 晃浩; 平山 基; 中村 淳
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2011年08月24日, 日本物理学会講演概要集, 66巻, 2号, 掲載ページ 946-946, 日本語, 1342-8349, 110008760711, AA11439205

23aWS-9 Sb安定化GaSb(001)-(2x5)表面の原子配列(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
大竹 晃浩; 平山 基; 中村 淳
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2010年08月18日, 日本物理学会講演概要集, 65巻, 2号, 掲載ページ 838-838, 日本語, 1342-8349, 110008099606, AA11439205

21aGL-7 HfO_2・SiO_2薄膜における酸素欠損近傍の局所誘電率評価(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
涌井 貞一; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2010年03月01日, 日本物理学会講演概要集, 65巻, 1号, 掲載ページ 934-934, 日本語, 1342-8349, 110007657266, AA11439205

21aHW-4 Si/SiO_2量子井戸内D-イオン束縛エネルギーの井戸幅依存性 : valley-orbit相互作用効果(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
千葉 朋; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2010年03月01日, 日本物理学会講演概要集, 65巻, 1号, 掲載ページ 714-714, 日本語, 1342-8349, 110007656460, AA11439205

22pGL-5 GaAs(110)表面上のMnAs単分子層膜の磁性(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
平山 基; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2010年03月01日, 日本物理学会講演概要集, 65巻, 1号, 掲載ページ 954-954, 日本語, 1342-8349, 110007657336, AA11439205

23aXB-1 GaAs(001)-(2×4)-Sb吸着構造の再検討(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
大竹 晃浩; 平山 基; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2008年08月25日, 日本物理学会講演概要集, 63巻, 2号, 掲載ページ 849-849, 日本語, 1342-8349, 110006985646, AA11439205

20aXA-14 GaAs(110)表面上のGa置換Mnナノワイヤの原子配置とスピン・電子状態(20aXA 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
平山 基; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2008年08月25日, 日本物理学会講演概要集, 63巻, 2号, 掲載ページ 363-363, 日本語, 1342-8349, 110006983801, AA11439205

22pTA-12 グラフェンリボンのバリスティック熱コンダクタンス(22pTA 領域7,領域4合同 グラフェン・電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
山口 翔; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2008年08月25日, 日本物理学会講演概要集, 63巻, 2号, 掲載ページ 769-769, 日本語, 1342-8349, 110006985341, AA11439205

25pWF-11 ナノスケールの摩擦機構 : ティップサイズ効果(粉体・摩擦・地震,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
五十嵐 正典; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2008年02月29日, 日本物理学会講演概要集, 63巻, 1号, 掲載ページ 316-316, 日本語, 1342-8349, 110007196323, AA11439205

26pTD-9 不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算II : STM像の不純物原子種依存性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
平山 基; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2008年02月29日, 日本物理学会講演概要集, 63巻, 1号, 掲載ページ 908-908, 日本語, 1342-8349, 110007194323, AA11439205

25pTD-3 SiO_2/Si(001)界面におけるナノスケール誘電特性の第一原理計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
涌井 貞一; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2008年02月29日, 日本物理学会講演概要集, 63巻, 1号, 掲載ページ 892-892, 日本語, 1342-8349, 110007194376, AA11439205

22aPS-124 グラフェンのバリスティック熱伝導特性(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
齋藤 浩一; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2007年08月21日, 日本物理学会講演概要集, 62巻, 2号, 掲載ページ 693-693, 日本語, 1342-8349, 110007142740, AA11439205

21aTG-9 酸素吸着グラフェンの構造双安定性の第一原理計算(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
伊藤 潤; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2007年02月28日, 日本物理学会講演概要集, 62巻, 1号, 掲載ページ 920-920, 日本語, 1342-8349, 110007192295, AA11439205

18pTG-9 第一原理計算によるSiO_2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性評価(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
涌井 貞一; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2007年02月28日, 日本物理学会講演概要集, 62巻, 1号, 掲載ページ 878-878, 日本語, 1342-8349, 110007192364, AA11439205

18pTG-10 不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
平山 基; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2007年02月28日, 日本物理学会講演概要集, 62巻, 1号, 掲載ページ 878-878, 日本語, 1342-8349, 110007192363, AA11439205

18pWH-4 有限温度原子レベル摩擦機構 : 1次元Tomlinsonモデルによる解析(領域9,領域10合同シンポジウム ナノスコピック系の摩擦の物理:摩擦の素過程と制御,領域9,表面・界面,結晶成長)
中村 淳
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2007年02月28日, 日本物理学会講演概要集, 62巻, 1号, 掲載ページ 880-880, 日本語, 1342-8349, 110007191575, AA11439205

23pYH-3 原子摩擦力の速度飽和機構(23pYH 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
五十嵐 正典; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2006年08月18日, 日本物理学会講演概要集, 61巻, 2号, 掲載ページ 727-727, 日本語, 1342-8349, 110007179456, AA11439205

29pXB-13 縦型2重量子ドットのスピン結合と磁場制御(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
桝 日向; 山田 太一; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2006年03月04日, 日本物理学会講演概要集, 61巻, 1号, 掲載ページ 698-698, 日本語, 1342-8349, 110007178048, AA11439205

29pXJ-1 Si(111)双晶境界近傍の局所的誘電率変化(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2006年03月04日, 日本物理学会講演概要集, 61巻, 1号, 掲載ページ 889-889, 日本語, 1342-8349, 110007179750, AA11439205

21aPS-51 原子レベルの摩擦機構(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
湧波 信弥; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2005年08月19日, 日本物理学会講演概要集, 60巻, 2号, 掲載ページ 767-767, 日本語, 1342-8349, 110004559841, AA11439205

21pYE-7 SiC多形超薄膜の誘電特性(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2005年08月19日, 日本物理学会講演概要集, 60巻, 2号, 掲載ページ 780-780, 日本語, 1342-8349, 110004559896, AA11439205

20aYE-7 SiO_2超薄膜の誘電特性(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
涌井 貞一; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2005年08月19日, 日本物理学会講演概要集, 60巻, 2号, 掲載ページ 742-742, 日本語, 1342-8349, 110004559751, AA11439205

22pYE-3 グラフェンシートの酸素吸着と拡散過程の第一原理計算(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
伊藤 潤; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2005年08月19日, 日本物理学会講演概要集, 60巻, 2号, 掲載ページ 791-791, 日本語, 1342-8349, 110004559940, AA11439205

27aXD-9 BNリボンの磁性II(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
新田 敏浩; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2005年03月04日, 日本物理学会講演概要集, 60巻, 1号, 掲載ページ 882-882, 日本語, 1342-8349, 110004537427, AA11439205

24aPS-145 2次元シリコン化合物の原子構造と電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
平山 基; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2005年03月04日, 日本物理学会講演概要集, 60巻, 1号, 掲載ページ 838-838, 日本語, 1342-8349, 110004537264, AA11439205

15pXG-14 Si(001)-2×1 ダイマー表面におけるフリップフロップ運動の外部電場依存性(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2004年08月25日, 日本物理学会講演概要集, 59巻, 2号, 掲載ページ 849-849, 日本語, 1342-8349, 110002050816, AA11439205

15aPS-9 超微粒子分散媒質の高周波電気伝導特性(領域 9)
名取 諭史; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2004年08月25日, 日本物理学会講演概要集, 59巻, 2号, 掲載ページ 825-825, 日本語, 1342-8349, 110002050521, AA11439205

15aPS-10 ヘテロ基板上原子クラスタのマジックサイズと摩擦(領域 9)
大野 景太; 新田 敏浩; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2004年08月25日, 日本物理学会講演概要集, 59巻, 2号, 掲載ページ 825-825, 日本語, 1342-8349, 110002050524, AA11439205

15pXG-4 As 安定化 GaAs(001)-c(4×4) 表面における安定および準安定構造(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
大竹 晃浩; Kocan P.; 中村 淳; 名取 晃子; 小口 信行
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2004年08月25日, 日本物理学会講演概要集, 59巻, 2号, 掲載ページ 847-847, 日本語, 1342-8349, 110002050786, AA11439205

15aPS-81 BN リボンの磁性(領域 9)
新田 敏浩; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2004年08月25日, 日本物理学会講演概要集, 59巻, 2号, 掲載ページ 842-842, 日本語, 1342-8349, 110002050736, AA11439205

14aXG-3 Si 超薄膜の誘電特性 II(表面界面電子物性, 領域 9)
中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2004年08月25日, 日本物理学会講演概要集, 59巻, 2号, 掲載ページ 813-813, 日本語, 1342-8349, 110002050388, AA11439205

29pYA-7 2重量子ドットのスピン結合(量子ドット(伝導理論・スピン効果・量子リング))(領域4)
山田 太一; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2004年03月03日, 日本物理学会講演概要集, 59巻, 1号, 掲載ページ 696-696, 日本語, 1342-8349, 110002195930, AA11439205

30aWP-5 Si超薄膜の誘電特性(ナノ構造量子物性)(領域9)
石原 俊介; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2004年03月03日, 日本物理学会講演概要集, 59巻, 1号, 掲載ページ 927-927, 日本語, 1342-8349, 110002200323, AA11439205

28pWP-3 第一原理計算によるAu/Si(111)-α(√<3>×√<3>)表面構造の研究(表面界面構造(半導体))(領域9)
門平 卓也; 中村 淳; 渡邉 聡
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2004年03月03日, 日本物理学会講演概要集, 59巻, 1号, 掲載ページ 913-913, 日本語, 1342-8349, 110002200092, AA11439205

20aPS-20 超薄膜の外部静電場応答特性の第一原理的評価
中村 淳; 石原 俊介; 清水 共; 名取 研二; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2003年08月15日, 日本物理学会講演概要集, 58巻, 2号, 掲載ページ 772-772, 日本語, 1342-8349, 110002063987, AA11439205

28pPSB-27 GaAs(001)-c(4x4) 表面上における Ga-As dimer の欠陥構造
大竹 晃浩; 中村 淳; 塚本 史郎; 小口 信行; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2003年03月06日, 日本物理学会講演概要集, 58巻, 1号, 掲載ページ 852-852, 日本語, 1342-8349, 110002223443, AA11439205

30pZP-11 2 重量子ドットのスピン結合制御
瀬下 裕也; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2003年03月06日, 日本物理学会講演概要集, 58巻, 1号, 掲載ページ 663-663, 日本語, 1342-8349, 110002220598, AA11439205

31aWD-8 Ge/Si(113)-2×2 表面の応力異方性
中村 淳; 張 朝暉; 住友 弘二; 尾身 博雄; 荻野 俊郎; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2003年03月06日, 日本物理学会講演概要集, 58巻, 1号, 掲載ページ 879-879, 日本語, 1342-8349, 110002223840, AA11439205

7aSM-1 GaAs(001)-c(4×4)表面に対する新たな構造モデルの提唱(表面界面構造・電子物性,領域9)
大竹 晃浩; 中村 淳; 塚本 史郎; 小口 信行; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2002年08月13日, 日本物理学会講演概要集, 57巻, 2号, 掲載ページ 753-753, 日本語, 1342-8349, 110009719782, AA11439205

7aSP-10 SiO2超薄膜のトンネル特性(表面ナノ構造量子物性,領域9)
渡会 雅敏; 中村 淳; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2002年08月13日, 日本物理学会講演概要集, 57巻, 2号, 掲載ページ 761-761, 日本語, 1342-8349, 110009719815, AA11439205

25pPSB-60 不均一表面層の2端子間2次元電流分布(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
名取 晃子; 伊藤 哲朗; 中村 淳; 安永 均
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2002年03月01日, 日本物理学会講演概要集, 57巻, 1号, 掲載ページ 850-850, 日本語, 1342-8349, 110009774499, AA11439205

25pPSB-43 Si(100)面のダイマーバックリングダイナミクス(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
長内 理尚; 中村 淳; 安永 均; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2002年03月01日, 日本物理学会講演概要集, 57巻, 1号, 掲載ページ 846-846, 日本語, 1342-8349, 110009774482, AA11439205

As安定化GaAs(001)-c(4x4)表面に対する新たな構造モデル
大竹晃浩; 中村淳; 塚本史郎; 小口信行; 名取晃子
出版日 2002年, 応用物理学会学術講演会講演予稿集, 63rd巻, 1号, 200902161685841903

19pPSB-38 Ge/Si(113)-2x2表面の構造安定性
中村 淳; 張 朝暉; 住友 弘二; 尾身 博雄; 荻野 俊郎; 名取 晃子
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2001年09月03日, 日本物理学会講演概要集, 56巻, 2号, 掲載ページ 762-762, 日本語, 1342-8349, 110002048708, AA11439205

22aBA-2 閉核イオン・原子の多重極分極率
中村 淳
一般社団法人日本物理学会, 出版日 2000年09月10日, 日本物理学会講演概要集, 55巻, 2号, 掲載ページ 591-591, 日本語, 1342-8349, 110002146527, AA11439205

6p-B-11 α-Sn(111)-(2x2)表面の構造と電子状態II
中村 淳; 江口 豊明; 大坂 敏明
一般社団法人日本物理学会, 出版日 1997年09月16日, 日本物理学会講演概要集, 52巻, 2号, 掲載ページ 351-351, 日本語, 1342-8349, 110002061165, AA11439205

5a-H-11 α-Sn(111)-(2×2)表面の構造と電子状態I
江口 豊明; 中村 淳; 大坂 敏明
一般社団法人日本物理学会, 出版日 1997年09月16日, 日本物理学会講演概要集, 52巻, 2号, 掲載ページ 336-336, 日本語, 1342-8349, 110002061041, AA11439205

RHEEDロッキングカーブを用いたSi(111)√3×√3R30°-Au表面の構造解析
中川 明久; 中村 淳; 大竹 晃浩; 大坂 敏明
一般社団法人日本物理学会, 出版日 1996年09月13日, 日本物理学会講演概要集. 秋の分科会, 1996巻, 2号, 掲載ページ 643-643, 日本語, 110001985938, AN10453836

30a-PS-29 RHEED rocking curveを用いたInSb{111}A, B表面の構造解析
大竹 晃浩; 中村 淳; 大坂 敏明
一般社団法人日本物理学会, 出版日 1995年09月12日, 日本物理学会講演概要集. 秋の分科会, 1995巻, 2号, 掲載ページ 523-523, 日本語, 110001982549, AN10453836

Molecular Technology, Volume 3: Materials Innovation (hardcover)
Gasidit Panomsuwan; Tomonaga Ueno; Hiroharu Yui; Jun Nakamura; Nagahiro Saito
学術書, 英語, 分担執筆, Section 7. Solution Plasma Reactions and Materials Synthesis, Wiley, 出版日 2019年04月, ISBN 9783527341610

Molecular Technology, Volume 3: Materials Innovation (e-book)
Gasidit Panomsuwan; Tomonaga Ueno; Hiroharu Yui; Jun Nakamura; Nagahiro Saito
学術書, 英語, 分担執筆, Section 7. Solution Plasma Reactions and Materials Synthesis, Wiley, 出版日 2019年02月, ISBN 9783527802722

グラフェンの機能と応用展望《普及版》
中村淳
学術書, 日本語, 共著, 第４章：酸化グラフェンとコンポジット材料の電子状態, シー・エム・シー出版, 出版日 2015年09月08日, ISBN 9784781310305

応用物理分野のアカデミック・ロードマップ（改訂版）
荒川泰彦
日本語, 共著, No.19 人材育成, 応用物理学会 ISBN 978-4-86348-073-5, 出版日 2010年03月

応用物理分野の発展史マップ
荒川泰彦
日本語, 共著, No.19 人材育成, 応用物理学会 ISBN 978-4-86348-074-2, 出版日 2010年03月

グラフェンの機能と応用展望
中村淳他
学術書, 日本語, 共著, 第４章：酸化グラフェンとコンポジット材料の電子状態, シー・エム・シー出版, 出版日 2009年07月, ISBN 9784781301464

応用物理分野のアカデミック・ロードマップの作成報告書 ISBN 978-4-903968-50-6
応用物理学会編
日本語, 共著, No.18人材育成, （社）応用物理学会, 出版日 2008年03月

学術会議叢書１２ 「どこまで進んだ男女共同参画」
中村淳
日本語, 共著, 若手・女性研究者の研究環境, （財）日本学術協力財団, 出版日 2006年09月

新訂版・表面科学の基礎と応用
中村淳
日本語, 共著, エヌ・ティー・エス, 出版日 2004年06月

A simulation for the in-plane distribution of the surface dipole moment using DFT calculations (S7-2)
A.Sumiyoshi; K.Yamasue; Y.Cho; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 31st International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM31), 査読付, 国際会議
発表日 2023年12月08日
開催期間 2023年12月07日- 2023年12月08日

Edge-Driven Electronic Properties in Bilayer Zigzag SiC Nanoribbons: A First-Principles Study (S4-61)
J.A.Sharifi; R.Sun; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, 31st International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM31), 国際会議
発表日 2023年12月07日
開催期間 2023年12月07日- 2023年12月08日

B-doped fullerene: a high-performance electrocatalyst for the CO reduction reaction (S4-53)
A.F.Ridassepri; Y.Umejima; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, 31st International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM31), 査読付
発表日 2023年12月07日
開催期間 2023年12月07日- 2023年12月08日

Visualization of the Local Dipole Moment at the Si(111)-(2x2) Surface Using DFT Calculations
A. Sumiyoshi; K. Yamasue; Y. Cho; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, AVS 69th International Symposium & Exibition (AVS69), American Vacuum Society, 査読付, アメリカ合衆国, 国際会議
発表日 2023年11月05日
開催期間 2023年11月05日- 2023年11月10日

第一原理計算を用いたSi(111)-(2x2)表面における表面双極子の可視化
住吉晶; 山末耕平; 長康雄; 中村淳
第84回応用物理学会秋季学術講演会
発表日 2023年09月22日
開催期間 2023年09月19日- 2023年09月23日

Hydrogen storage on tin carbide monolayers with transition metal adatoms
L. G. Arellano; J. Rebollo; F. Salazar; A. Trejo; J. Nakamura
ポスター発表, 36th European Conference on Surface Science (ECOSS36), Lodz, 査読付, ポーランド共和国, 国際会議, 国際共著論文
発表日 2023年08月30日
開催期間 2023年08月28日- 2023年09月01日

Structural stability and electronic states of AA and AB stacked II-V compounds
L. G. Arellano; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 36th European Conference on Surface Science (ECOSS36), Lodz, 査読付, ポーランド共和国, 国際会議, 国際共著論文
発表日 2023年08月30日
開催期間 2023年08月28日- 2023年09月01日

Effects of doping and vacancies in the electronic properties of the SiC monolayer: A DFT approach
Lucia Guadalupe; Arellano Sartorius; Ranferi Cancino; Francisco De Santiago; Álvaro Miranda; Jun Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 11th Asia Conference on Mechanical and Materials Engineering (ACMME2023), 査読付
発表日 2023年06月09日
開催期間 2023年06月08日- 2023年06月11日

Structural stability of 2D II-V compounds
Lucia Guadalupe; Arellano Sartorius; Takayuki Suga; Taichi Hazama; Taichi Takashima; Miguel Cruz-Irisson; Jun Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2022), American Vacuum Society (AVS), Hawaii, USA, 国際会議
発表日 2022年12月14日

Size Dependence of the N-Doped Graphene Nanocluster on the Oxygen Reduction Reaction Activity
Haruyuki Matsuyama; Lucia Guadalupe; Arellano Sartorius; Jun Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2022), American Vacuum Society (AVS), Hawaii, USA, 国際会議
発表日 2022年12月13日

Effects of substrates on Oxygen Reduction Reaction of Nitrogen-doped Graphene
Taichi Takashima; Jun Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22), Sapporo, Japan, 国際会議
発表日 2022年09月15日

B-doped Fullerene as A Novel Monoatomic Catalyst Material for CO Reduction Reaction
Arikasuci Fitonna Ridassepri; Yutaro Umejima; Jun Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22), Sapporo, Japan, 国際会議
発表日 2022年09月15日

Theoretical prediction of novel two-dimensional II-V compounds
Lucia Guadalupe; Arellano Sartorius; Takayuki Suga; Miguel Cruz Irisson; Jun Nakamura
ポスター発表, 英語, The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22), Sapporo, Japan, 国際会議
発表日 2022年09月14日

Effects of Spin-Orbit Interaction on Mn Atomic Wire on GaAs(110)
Motoi Hirayama; Jun Nakamura
ポスター発表, 英語, The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22), Sapporo, Japan, 国際会議
発表日 2022年09月14日

Thermodynamical Stability of 2D sp2/sp3 N-doped Carbon Materials
Taichi Hazama; Jun Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22), Sapporo, Japan, 国際会議
発表日 2022年09月12日

First-principles Study on Edge-edge Interactions of Bilayer Zigzag SiC Nanoribbons
Jawahir Ali Sharifi; Sun Rongyao; Jun Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22), Sapporo, Japan, 国際会議
発表日 2022年09月12日

SnドープSnxSr1-xTiO3の構造相転移メカニズムの第一原理的解析
天野優也; 中村淳; 阿部浩二
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会第７７回年次大会, 日本物理学会, オンライン, 国内会議
発表日 2022年03月16日

Carbonaceous material derived from bagasse-waste as anode for Li-ion batteries
Arikasuci Fitonna Ridassepri; Fitria Rahmawati; Agung Tri Wijayanta; Jun Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 2nd ECTI Workshop on BEC and the 3rd ASEAN-UEC Workshop, UEC and ECTI, online, 国際会議
発表日 2021年12月10日

Structural stability of II-V compound ultrathin films
Lucia G. Arellano Sartorius; Takayuki Suga; Miguel Cruz-Irisson; Jun Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS-9), online, 国際会議
発表日 2021年11月30日

Stacking effect on oxygen reduction reaction of nitrogen-doped graphene
Taichi Takashima; Jun Nakamura
ポスター発表, 英語, The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS-9), online, 国際会議
発表日 2021年11月30日

Edge-edge interactions of bilayer zigzag SiC nanoribbons
孫栄耀; 中村淳
口頭発表（一般）, 英語, 2021年日本表面真空学会学術講演会, 日本表面真空学会, オンライン, 国内会議
発表日 2021年11月04日

コバルトフタロシアニン分子の一酸化炭素還元触媒能：誘導体化の影響
梅島裕太郎; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 2021年日本表面真空学会学術講演会, 日本表面真空学会, オンライン, 国内会議
発表日 2021年11月03日

Derivatization Effect of Cobalt Phthalocyanine on the Catalytic Activity for Carbon Monoxide Reduction
Y. Umejima; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, AVS 67th International Symposium & Exhibition, American Vacuum Society, online, 国際会議
発表日 2021年10月25日

Theoretical study of li-decorated b-doped silicon carbide monolayer for hydrogen storage
Lucia G. Arellano Sartorius; Miguel Cruz-Irisson; Jun Nakamura
ポスター発表, 英語, 12th International Conference on Hydrogen Production (ICH2P-2021), online, 国際会議
発表日 2021年09月19日

Structural stability of 2D II-V compounds
L.Arellano; T.Suga; M.Cruz-Irisson; Jun Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 第８２回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, オンライン, 国内会議
発表日 2021年09月13日

Interaction between the edge states of bilayer zigzag SiC nanoribbons
Rongyao Sun; Jun Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 第８２回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, オンライン, 国内会議
発表日 2021年09月12日

コバルトフタロシアニンの誘導体化が一酸化炭素還元触媒能に及ぼす影響
梅島裕太郎; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第８２回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, オンライン, 国内会議
発表日 2021年09月12日

有限電場下の第一原理計算による局所誘電率評価の試み
中村淳
公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等, 日本語, 東北大学電気通信研究所講演会, 招待, 国内会議
発表日 2021年07月15日

Hydrogen Storage on Metal Decorated GeC Monolayer
L.G. Arellano; A. Miranda; M. Cruz-Irisson; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, Virtual Irago Conference 2020, Chofu, 国際会議
発表日 2020年12月11日

2D II-V compounds: A mechanism of structural stabilization
T.Suga; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, Virtual Irago Conference 2020, Chofu, 国際会議
発表日 2020年12月11日

Derivatization effect of Metal Phthalocyanine on the catalytic activity for carbon monoxide reduction
Y.Umejima; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, Virtual Irago Conference 2020, Chofu, 国際会議
発表日 2020年12月11日

Oxygen Reduction Reaction Activity of Nitrogen-Doped Graphene with a Stone-Wales Defect
X.Lu; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, Virtual Irago Conference 2020, Chofu, 国際会議
発表日 2020年12月11日

Stacking effect of double-layered zigzag graphene nanoribbons
R.Sun; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, Virtual Irago Conference 2020, Chofu, 国際会議
発表日 2020年12月11日

窒素ドープグラフェンナノクラスターの酸素還元反応における触媒性 : 最適なクラスターサイズの提案
松山治薫; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第６７回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 東京（上智大学）, 国内会議
発表日 2020年03月17日

SnxSr1-xTiO3の相転移と局所構造
田中広敏; 小貝侑弘; 中村淳; 阿部浩二; 中野諭人
ポスター発表, 日本語, 日本物理学会第７５回年次大会, 日本物理学会, 国内会議
発表日 2020年03月17日

Oxygen reduction reaction for Fe phthalocyanine derivative
H.Matsuyama; H.Abe; K.Ito; H.Yabu; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, Irago Conference 2019, The University of Electro-Communications, Tokyo, Japan, 国際会議
発表日 2019年10月28日

Edge-edge interaction in bilayer zigzag graphene nanoribbons
T.Asano; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, Irago Conference 2019, The University of Electro-Communications, Tokyo, Japan, 国際会議
発表日 2019年10月28日

Structural stability of twisted bilayer graphene nano ribbons
S.Chiba; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, Irago Conference 2019, The University of Electro-Communications, Tokyo, Japan, 国際会議
発表日 2019年10月28日

Chalcogen passivation of GaAs(111)B surfaces
T.Suga; S.Goto; A.Ohtake; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, Irago Conference 2019, The University of Electro-Communications, Tokyo, Japan, 国際会議
発表日 2019年10月28日

Mechanism of chalcogen passivation of GaAs surfaces
T. Suga; S. Goto; A. Ohtake; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, AVS 66th International Symposium & Exhibition, AVS (American Vacuum Society), Columbus, USA, 国際会議
発表日 2019年10月22日

Structural stability of graphene nanoflakes: From the view point of aromaticity
M. Ushirozako; H. Matsuyama; A. Akaishi; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, AVS 66th International Symposium & Exhibition, AVS (American Vacuum Society), Columbus, USA, 国際会議
発表日 2019年10月21日

Structural stability of graphene nanoflakes: from the view point of aromaticity
Jun Nakamura
口頭発表（基調）, 英語, Sociedad Mexicana de Física, LXII Congreso Nacional de Física, 招待, Sociedad Mexicana de Física, Tabasco, Mexico, 国際会議
発表日 2019年10月11日

鉄フタロシアニンの誘導体化による酸素還元反応の高活性化メカニズム
松山治薫; 阿部博弥; 伊藤晃寿; 藪浩; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第８０回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 札幌, 国内会議
発表日 2019年09月17日

Edge-state-induced stacking of zigzag graphene nano-ribbons
T.Asano; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 17th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-17), Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China, 国際会議
発表日 2019年06月25日

Bi-layer formation of water on graphene
A.Akaishi; T.Yonemaru; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 17th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-17), Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China, 国際会議
発表日 2019年06月24日

Functionalization of graphene by N doping: Application to the oxygen reduction reaction
H.Matsuyama; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 17th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-17), Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China, 国際会議
発表日 2019年06月24日

Chalcogen passivation of GaAs(111)B surfaces
T.Suga; S.Goto; A.Ohtake; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, Compound Semiconductor Week 2019, Compound Semiconductor Week, Nara, Japan, https://www.csw-jpn.org, 国際会議
発表日 2019年05月20日

Water wettability of graphene
Jun Nakamura
口頭発表（基調）, 英語, Sociedad Mexicana de Física Reunión Anual de la División de Estado Sólido 2019, 招待, Sociedad Mexicana de Física, Papantla, Veracruz, Mexico, 国際会議
発表日 2019年05月02日

Actividad catalítica del grafeno dopado con boro para reacciones de reducción de oxígeno
Lucia Guadalupe; Arellano Sartorius; Jun Nakamura
ポスター発表, スペイン語, Sociedad Mexicana de Física Reunión Anual de la División de Estado Sólido 2019, Sociedad Mexicana de Física, Papantla, Veracruz, Mexico, 国際会議
発表日 2019年05月02日

窒素ドープグラフェンナノリボンにおける酸素還元反応
松山治薫; 五味駿一; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第６６回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 東工大大岡山キャンパス, 国内会議
発表日 2019年03月09日

Oxygen Reduction Reaction on Fullerene
菊地庸介; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 東京理科大学ナノカーボン研究部⾨2018年度成果報告会&第4回東京理科大学-電気通信大学合同研究会, 東京理科大学、電気通信大学, 東京理科大学神楽坂キャンパス, 国内会議
発表日 2019年03月01日

Structural stability of the Se- or S-treated GaAs (111) B surface
後藤俊治; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 東京理科大学ナノカーボン研究部⾨2018年度成果報告会&第4回東京理科大学-電気通信大学合同研究会, 東京理科大学、電気通信大学, 東京理科大学神楽坂キャンパス, 国内会議
発表日 2019年03月01日

GaAs(111)B表面構造の分子分圧依存性
須賀隆之; 後藤俊治; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 東京理科大学ナノカーボン研究部⾨2018年度成果報告会&第4回東京理科大学-電気通信大学合同研究会, 東京理科大学、電気通信大学, 東京理科大学神楽坂キャンパス, 国内会議
発表日 2019年03月01日

カルコゲンによるGaAs表面の不働態化機構
中村淳
ポスター発表, 日本語, 東京理科大学ナノカーボン研究部⾨2018年度成果報告会&第4回東京理科大学-電気通信大学合同研究会, 東京理科大学、電気通信大学, 東京理科大学神楽坂キャンパス, 国内会議
発表日 2019年03月01日

Oxygen Reduction Reaction Mechanism for N-doped Graphene Nanoribbons
H. Matsuyama; S. Gomi; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2018), American Vacuum Society, Hawaii, USA, 国際会議
発表日 2018年12月05日

グラフェンは疎水性か？
中村淳
口頭発表（基調）, 日本語, 第３２回ダイヤモンドシンポジウム, 招待, ダイヤモンドフォーラム, 調布, 国内会議
発表日 2018年11月15日

窒素ドープグラフェンナノクラスターの酸素還元反応に対する触媒性
松山治薫; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第３２回ダイヤモンドシンポジウム, ダイヤモンドフォーラム, 調布, 国内会議
発表日 2018年11月15日

グラフェンは疎水性か？
中村淳
公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等, 日本語, 千葉大学物性セミナー, 招待, 千葉大学, 千葉, 国内会議
発表日 2018年11月08日

Oxygen reduction reaction activity for N-doped graphene nanoclusters
H. Matsuyama; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2018, The University of Electro-Communications (UEC-Tokyo), Shinjuku, Tokyo, 国際会議
発表日 2018年11月01日

Structural stability of the Se- or S-treated GaAs (111) B surface
S. Chiba; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2018, The University of Electro-Communications (UEC-Tokyo), Shinjuku, Tokyo, 国際会議
発表日 2018年11月01日

Systematic evaluation of the structural stability of nitrogen-doped graphene
S. Goto; A. Ohtake; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2018, The University of Electro-Communications (UEC-Tokyo), Shinjuku, Tokyo, 国際会議
発表日 2018年11月01日

Oxygen Reduction Reaction on fullerene
Y. Kikuchi; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2018, The University of Electro-Communications (UEC-Tokyo), Shinjuku, Tokyo, 国際会議
発表日 2018年11月01日

Na- and Be-decorated silicon carbide monolayer for H2 storage: a DFT study
L. G. Arellano; F. de Santiago; A. Miranda; M. Cruz-Irisson; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2018, The University of Electro-Communications (UEC-Tokyo), Shinjuku, Tokyo, 国際会議
発表日 2018年11月01日

Edge-state-induced stacking of zigzag graphene nano-ribbons
T. Asano; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2018, The University of Electro-Communications (UEC-Tokyo), Shinjuku, Tokyo, 国際会議
発表日 2018年11月01日

Double Layer Formation of Water Molecules on Graphene
A. Akaishi; T. Yonemaru; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, American Vacuum Society 65th International Symposium & Exhibition (AVS-65), American Vacuum Society, Long Beach, USA, 国際会議
発表日 2018年10月24日

Stabilization Mechanism of the Se- or S-treated GaAs(111)B Surface
S. Goto; A. Ohtake; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, American Vacuum Society 65th International Symposium & Exhibition (AVS-65), American Vacuum Society, Long Beach, USA, 国際会議
発表日 2018年10月24日

Oxygen Reduction Reaction on Fullerene
Y. Kikuchi; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, American Vacuum Society 65th International Symposium & Exhibition (AVS-65), American Vacuum Society, Long Beach, USA, 国際会議
発表日 2018年10月23日

窒素ドープグラフェンのベーサル面における酸素還元反応
松山治薫; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７９回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 名古屋国際会議場, 国内会議
発表日 2018年09月21日

窒素ドープグラフェンの構造安定性の系統的評価
千葉紗彩; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７９回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 名古屋国際会議場, 国内会議
発表日 2018年09月21日

２層ジグザググラフェンナノリボンのエッジ状態間相互作用
浅野大造; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７９回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 名古屋国際会議場, 国内会議
発表日 2018年09月21日

酸素還元反応におけるフラーレンの触媒性
菊地庸介; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７９回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 名古屋国際会議場, 国内会議
発表日 2018年09月19日

S処理された GaAs(111)B 表面の構造安定性
後藤俊治; 大竹晃浩; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７９回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 名古屋国際会議場, 国内会議
発表日 2018年09月18日

Formation of Water Layer on Graphene Surfaces
Jun Nakamura
口頭発表（招待・特別）, 英語, International Symposium of Water Frontier Science & Technology Research Center, Water on Materials Surface 2018 (WMS2018), 招待, Tokyo University of Science, Tokyo, Japan, https://w-fst.tus.ac.jp/wms2018, 国際会議
発表日 2018年07月27日

Water layer formation on graphene
Jun Nakamura
口頭発表（招待・特別）, 英語, The 6th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM6), 招待, SPM Organizing Committee, Gdansk, Poland, 国際会議
発表日 2018年06月05日

Edge-state-induced stacking of zigzag graphene nano-ribbons
T. Asano; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 6th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM6), SPM Organizing Committee, Gdansk, Poland, 国際会議
発表日 2018年06月05日

Systematic evaluation of the structural stability of N-doped graphene
S. Chiba; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 6th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM6), SPM Organizing Committee, Gdansk, Poland, 国際会議
発表日 2018年06月05日

Intra- and inter-layer magnetic interactions in a van der Waals crystal
M. Kawashima; A. Akaishi; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 6th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM6), SPM Organizing Committee, Gdansk, Poland, 国際会議
発表日 2018年06月05日

Se 処理された GaAs(111)B 表面の構造安定性
後藤俊治; 大竹晃浩; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第６５回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 新宿（早稲田大学）, 国内会議
発表日 2018年03月17日

Intra- and inter-layer magnetic interactions in a van der Waals crystal
M. Kawashima; A. Akaishi; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, 2018 DPG Joint meeting of the DPG and EPS Condesed Matter Divisions, DPG and EPS Condesed Matter Divisions, Berlin, Germany, 国際会議
発表日 2018年03月13日

LiMO2(M=Mn,Co,Ni)の熱力学的安定性および磁気的特性の第一原理計算による評価
宮本惇; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第２回シンポジウム「物性科学から工学へ」, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 調布, 国内会議
発表日 2018年03月07日

Structural stability of the Se-treated GaAs(111)B surface
後藤俊治; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第２回シンポジウム「物性科学から工学へ」, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 調布, 国内会議
発表日 2018年03月07日

窒素ドープグラフェン上の酸素還元反応の窒素配位依存性
松山治薫; 赤石暁; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第２回シンポジウム「物性科学から工学へ」, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 調布, 国内会議
発表日 2018年03月07日

窒素ドープグラフェンの構造安定性に局所的窒素配列が及ぼす影響
千葉紗彩; 赤石暁; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第２回シンポジウム「物性科学から工学へ」, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 調布, 国内会議
発表日 2018年03月07日

InGaN混晶中におけるIn-In相互作用
畑木尚; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第２回シンポジウム「物性科学から工学へ」, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 調布, 国内会議
発表日 2018年03月07日

Effect s of Edge Structures on the Oxygen Reduction Reaction Activity of Nitrogen-doped Graphene Nanoribbons
S. Gomi; H. Matsuyama; A. Akaishi; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 45th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-45), American Vacuum Society, Kailua-Kona, USA, 国際会議
発表日 2018年01月16日

Quantitative Relation between the Structural Stability and the Aromaticity of Graphene Nanoflakes
M.Ushirozako; H. Matsuyama; A. Akaishi; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 45th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-45), American Vacuum Society, Kailua-Kona, USA, 国際会議
発表日 2018年01月16日

Formation of Water Bilayer on Graphene Surfaces
A. Akaishi; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 45th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-45), American Vacuum Society, Kailua-Kona, USA, 国際会議
発表日 2018年01月16日

Structural stability of the Se-treated GaAs(111)B surface
S. Goto; A. Ohtake; A. Akaishi; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The Irago Conference 2017, The University of Electro-Communications (UEC-Tokyo), Chofu, Tokyo, 国際会議
発表日 2017年11月01日

Softly-confined water cluster between free standing graphene sheets
R. Agustian; A. Akaishi; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The Irago Conference 2017, The University of Electro-Communications (UEC-Tokyo), Chofu, Tokyo, 国際会議
発表日 2017年11月01日

Relationship between Stability and Aromaticity of Graphene Nanoflakes
A. Akaishi; M. Ushirozako; H. Matsuyama; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2017, The University of Electro-Communications (UEC-Tokyo), Chofu, Tokyo, 国際会議
発表日 2017年11月01日

Effect of edge structures on the oxygen reduction reaction activity of nitrogen-doped graphene nanoribbons
S. Gomi; H. Matsuyama; A. Akaishi; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2017, The University of Electro-Communications (UEC-Tokyo), Chofu, Tokyo, 国際会議
発表日 2017年11月01日

Oxygen Reduction Reaction on N-doped Graphene Nanoclusters: Dependence on Nitrogen Configuration
H. Matsuyama; A. Akaishi; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, International Symposium on Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surfaces for Future Earth (NENCS), The University of Electro-Communications (UEC-Tokyo), Chofu, Tokyo, 国際会議
発表日 2017年10月29日

Anomalous Enhancement of Seebeck Coefficients fo the Graphene/h-BN Composites
J. Nakamura; A. Akaishi
口頭発表（一般）, 英語, International Symposium on Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surfaces for Future Earth (NENCS), The University of Electro-Communications (UEC-Tokyo), Chofu, Tokyo, 国際会議
発表日 2017年10月28日

Reaction Selectivity for Oxygen Reduction of N-Doped Graphene Nanoclusters
H. Matsuyama; A. Akaishi; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 232nd ECS Meeting, The Electrochemical Society, National Harbor, MD, USA, 国際会議
発表日 2017年10月01日

窒素ドープグラフェンナノリボンの酸素還元触媒能に及ぼすエッジの効果
五味駿一; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第１回シンポジウム「表面界面の科学と摩擦」, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 調布, 国内会議
発表日 2017年09月30日

グラフェン層間に拘束された水分子クラスターの動的構造評価
Rifan Agustian; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第１回シンポジウム「表面界面の科学と摩擦」, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 調布, 国内会議
発表日 2017年09月30日

Se処理したGaAs(111)B表面の構造安定性
後藤俊治; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第１回シンポジウム「表面界面の科学と摩擦」, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 調布, 国内会議
発表日 2017年09月30日

グラフェン界面の水のダイナミクス
赤石暁; 中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第１回シンポジウム「表面界面の科学と摩擦」, 招待, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 調布, 国内会議
発表日 2017年09月30日

グラフェンナノフレークの構造安定性と芳香族性
赤石暁; 後迫真人; 松山治薫; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７８回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 福岡, 国内会議
発表日 2017年09月07日

Two- to Three-dimensional Transition of Confined Water between Freestanding Graphene Sheets
Rifan Agustian; Akira Akaishi; Jun Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 第７８回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 福岡, 国内会議
発表日 2017年09月07日

酸素還元反応における窒素ドープグラフェンナノクラスターの触媒性：窒素配位依存性
松山治薫; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７８回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 福岡, 国内会議
発表日 2017年09月07日

Se処理GaAs(111)B表面の安定化機構
大竹晃浩; 後藤俊治; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７８回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 福岡, 国内会議
発表日 2017年09月05日

Structural Stability of Graphene Nanoflakes: from the View Point of Aromaticity
J. Nakamura; M. Ushirozako; H. Matsuyama; A. Akaishi
口頭発表（招待・特別）, 英語, The 5th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM5), 招待, Leibnitz Institute for Plasma Science and Technologis, Greifswald, Germany, 国際会議
発表日 2017年06月29日

Two- to Three-Dimentional Transition of Softly Confined Water Between Graphene Sheets
R. Agustian; A. Akaishi; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The 5th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM5), Leipnitz Institute for Plasma Science and Technology, Greifswald, Germany, 国際会議
発表日 2017年06月27日

二軸性歪み下におけるGaSbの電気伝導率の面方位依存性
岸本秀輝; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第６４回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, パシフィコ横浜, 国内会議
発表日 2017年03月17日

グラフェン表面における水の吸着と構造化
赤石暁; 中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 日本化学会第９７春季年会, 招待, 日本化学会, 慶応大日吉, 国内会議
発表日 2017年03月16日

グラフェン上の水２重層構造
赤石暁; 中村淳
ポスター発表, 日本語, ナノトライボロジー研究センター開設シンポジウム, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 電気通信大学, 国内会議
発表日 2017年03月08日

窒素ドープグラフェンナノクラスター上における酸素還元反応の窒素原子位置依存性
松山治薫; 赤石暁; 中村淳
ポスター発表, 日本語, ナノトライボロジー研究センター開設シンポジウム, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 電気通信大学, 国内会議
発表日 2017年03月08日

窒素ドープカイラルエッジグラフェンナノリボンの構造安定性
菊地庸介; 赤石暁; 中村淳
ポスター発表, 日本語, ナノトライボロジー研究センター開設シンポジウム, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 電気通信大学, 国内会議
発表日 2017年03月08日

Se吸着GaAs(111)B表面の構造安定性
後藤俊治; 赤石暁; 中村淳
ポスター発表, 日本語, ナノトライボロジー研究センター開設シンポジウム, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 電気通信大学, 国内会議
発表日 2017年03月08日

曲率を有するグラフェン表面における水ナノクラスターの吸着特性
玉村優佳; 赤石暁; 中村淳
ポスター発表, 日本語, ナノトライボロジー研究センター開設シンポジウム, 電気通信大学ナノトライボロジー研究センター, 電気通信大学, 国内会議
発表日 2017年03月08日

Mechanism of Stabilization and Magnetization of Impurity-doped Zigzag Graphene Naoribbons
Y. Uchida; S.-I. Gomi; H. Matsuyama; A. Akaishi; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 44th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-44), American Vacuum Society, Santa Fe, USA, 国際会議
発表日 2017年01月16日

Site-dependent Oxygen Reduction Reaction of N-doped Graphene Nanoclusters
H. Matsuyama; S.-I. Gomi; M. Ushirozako; A. Akaishi; J. Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 44th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-44), American Vacuum Society, Santa Fe, USA, 国際会議
発表日 2017年01月16日

窒素ドープグラフェンナノリボンの酸素還元反応における触媒性
五味駿一; 松山治薫; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, ２０１６年真空・表面科学合同講演会, 日本真空協会、日本表面科学会, 名古屋, 国内会議
発表日 2016年11月29日

酸素還元反応における窒素ドープグラフェンナノクラスターの触媒性
松山治薫; 田中崇太郎; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, ２０１６年真空・表面科学合同講演会, 日本真空協会、日本表面科学会, 名古屋, 国内会議
発表日 2016年11月29日

グラフェンナノリボンの物性
中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 日本磁気学会 第６２回磁気工学専門研究会, 招待, 日本磁気学会, 田町, 国内会議
発表日 2016年11月18日

Electrical conductivity of the biaxally-strained GaSb
H. Kishimoto; T. Hatayama; A. Akaishi; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2016, 国際会議
発表日 2016年11月01日

Oxygen reduction reaction on nitrogen-doped graphene nanoclusters
H. Matsuyama; S. Tanaka; A. Akaishi; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2016, 国際会議
発表日 2016年11月01日

Oxygen reduction reaction on nitrogen-doped graphene nanoribbons
S.-I. Gomi; H. Matsuyama; A. Akaishi; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2016, 国際会議
発表日 2016年11月01日

Formation of water layers on graphene surfaces
A. Akaishi; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2016, 国際会議
発表日 2016年11月01日

Structural stability of graphene nanoflakes
M. Ushirozako; A. Akaishi; J. Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2016, 国際会議
発表日 2016年11月01日

Electrical conductivity of the biaxially-strained GaSb(111) and GaSb(001)
H. Kishimoto; T. Hatayama; A. Akaishi; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, 13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 2016), Rome, Italy, 国際会議
発表日 2016年10月12日

Structural stability of graphene nanoflakes
M.Ushirozako; A. Akaishi; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, 13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 2016), Rome, Italy, 国際会議
発表日 2016年10月12日

Interfacial water layer on doped graphene surfaces
A. Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 2016), Rome, Italy, 国際会議
発表日 2016年10月12日

GaSbの電気伝導率の二軸性歪み依存性
岸本秀輝; 畑山拓也; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７７回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 新潟, 国内会議
発表日 2016年09月16日

窒素ドープグラフェンナノクラスター上の酸素還元反応
松山治薫; 田中崇太郎; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７７回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 新潟, 国内会議
発表日 2016年09月15日

Electrical conductivity of the biaxially-strained GaSb(111) films
T. Hatayama; H. Kishimoto; A. Akaishi; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2016), CSW2016, Toyama, Japan, 国際会議
発表日 2016年06月27日

Water adsorption on doped graphene surfaces
A. Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 4th International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-4), SPM Organizing Committee, Pilsen, Czech Republic, 国際会議
発表日 2016年06月09日

Mechanism of Stabilization and Magnetization of Impurity-doped Zigzag Graphene Nanoribbons
J.Nakamura; Y.Uchida; S.Gomi; H.Matsuyama; A.Akaishi
口頭発表（招待・特別）, 英語, 4th International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-4), 招待, SPM Organizing Committee, Pilsen, Czech Republic, 国際会議
発表日 2016年06月09日

Effects of edge structures on oxygen reduction reaction for nitrogen-doped graphene nanoclusters
H.Matsuyama; S.Tanaka; A.Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 4th International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-4), SPM Organizing Committee, Pilsen, Czech Republic, 国際会議
発表日 2016年06月08日

Anomalous enhancement of Seebeck coefficients for the graphene/h-BN composites
Jun Nakamura; Yushi Yokomizo
口頭発表（招待・特別）, 英語, EMN Meeting on Carbon Nanostructures, 招待, EMN, Honolulu, Hawaii (USA), 国際会議
発表日 2016年03月29日

グラフェンの大気由来吸着物
日比野浩樹; 小川友以; 高村真琴; Wang Shengnan; 関根佳明; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第６３回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 大岡山, 国内会議
発表日 2016年03月22日

グラフェン表面における水の吸着と構造
赤石暁; 中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 合同若手研究会 -表面・界面現象の新展開：吸着・物質移動・エネルギー散逸-, 招待, 東京理科大学、電気通信大学, 東京理科大学, 国内会議
発表日 2016年03月14日

Mn吸着GaAs(001)-(2x2)表面の局所無秩序構造
船附顕汰; 赤石暁; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 合同若手研究会 -表面・界面現象の新展開：吸着・物質移動・エネルギー散逸-, 東京理科大学、電気通信大学, 東京理科大学, 国内会議
発表日 2016年03月14日

GaSb(111)薄膜の電気伝導率の歪み依存性
岸本秀輝; 畑山拓也; 赤石暁; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 合同若手研究会 -表面・界面現象の新展開：吸着・物質移動・エネルギー散逸-, 東京理科大学、電気通信大学, 東京理科大学, 国内会議
発表日 2016年03月14日

窒素ドープグラフェン上における酸素還元反応
松山治薫; 田中崇太郎; 赤石暁; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 合同若手研究会 -表面・界面現象の新展開：吸着・物質移動・エネルギー散逸-, 東京理科大学、電気通信大学, 東京理科大学, 国内会議
発表日 2016年03月14日

グラフェン表面の水の二重層構造
赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第２５回日本ＭＲＳ年次大会, 日本ＭＲＳ, 横浜, 国内会議
発表日 2015年12月08日

不純物ドープグラフェンナノリボンの安定化機構
内田優希; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第２５回日本ＭＲＳ年次大会, 日本ＭＲＳ, 横浜, 国内会議
発表日 2015年12月08日

窒素ドープグラフェン上の酸素還元触媒の第一原理計算
松山治薫; 市川諒英; 赤石暁; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 第２５回日本ＭＲＳ年次大会, 日本ＭＲＳ, 横浜, 国内会議
発表日 2015年12月08日

グラフェンナノフレークの構造安定性
後迫真人; 赤石暁; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 第２５回日本ＭＲＳ年次大会, 日本ＭＲＳ, 横浜, 国内会議
発表日 2015年12月08日

グラフェンおよびグラフェンナノリボンのバリスティックフォノン熱伝導
中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 第３５回表面科学学術講演会, 招待, 日本表面科学会, つくば, 国内会議
発表日 2015年12月01日

窒素ドープグラフェン表面における酸素還元反応：窒素濃度依存性
松山治薫; 市川諒英; 赤石暁; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 第３５回表面科学学術講演会, 日本表面科学会, つくば, 国内会議
発表日 2015年12月01日

グラフェン表面における水分子層の構造化
赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第３５回表面科学学術講演会, 日本表面科学会, つくば, 国内会議
発表日 2015年12月01日

グラフェンのエッジ状態がもたらす不純物の安定化機構
内田優希; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第３５回表面科学学術講演会, 日本表面科学会, つくば, 国内会議
発表日 2015年12月01日

First-principles Evaluation of The Oxygen Reduction Reaction on Nitrogen-doped Graphene
J.Nakamura; A.Ichikawa; H.Matsuyama; A.Akaishi
口頭発表（招待・特別）, 英語, 2015 EMN Bangkok Meeting, 招待, University of Electronic Science and Technology of China, Bangkok, Thailand, 国際会議
発表日 2015年11月10日

Layered Water on Graphene Surfaces
A.Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（招待・特別）, 英語, 2015 EMN Bangkok Meeting, 招待, University of Electronic Science and Technology of China, Bangkok, Thailand, 国際会議
発表日 2015年11月10日

Oxygen reduction reaction on the basal plane of nitrogen-doped graphene: Effects of local arrangement of dopants
H.Matsuyama; A.Ichikawa; A.Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, The Irago Conference 2015, TUT and UEC, Tahara, Japan, 国際会議
発表日 2015年10月23日

Conformational stabilization of graphene nanoflakes
M.Ushirozako; A.Akaishi; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2015, TUT and UEC, Tahara, Japan, 国際会議
発表日 2015年10月23日

First-principles study on locally-disordered structures of the Mn-induced GaAs(001)-(2 x 2) surface
K.Funatsuki; A.Akaishi; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2015, TUT and UEC, Tahara, Japan, 国際会議
発表日 2015年10月23日

Strain effect on the hole effective mass of GaSb: A first-priciples study
H.Kishimoto; T.Hatayama; A.Akaishi; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2015, TUT and UEC, Tahara, Japan, 国際会議
発表日 2015年10月23日

Edge-state-induced Stabilization of Dopants in Graphene
Y.Uchida; A.Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, American Vacuum Society 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62), American Vacuum Society, San Jose, USA, 国際会議
発表日 2015年10月21日

Oxygen Reduction Reaction on Nitrogen-doped Graphene
J.Nakamura; A.Ichikawa; H.Matsuyama; A.Akaishi
口頭発表（一般）, 英語, American Vacuum Society 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62), American Vacuum Society, San Jose, USA, 国際会議
発表日 2015年10月21日

Electronic Structures of the Biaxiallystrained GaSb(111) Films
T.Hatayama; A.Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, American Vacuum Society 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62), American Vacuum Society, San Jose, USA, 国際会議
発表日 2015年10月19日

男女共同参画委員会活動報告
小川賀代; 近藤高志; 沈青; 中村淳
ポスター発表, 日本語, 第１３回男女共同参画学協会連絡会シンポジウム, 男女共同参画学協会連絡会, 千葉, 国内会議
発表日 2015年10月17日

窒素ドープジグザググラフェンナノリボンの磁性
内田優希; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７６回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 名古屋市国際会議場, 国内会議
発表日 2015年09月15日

酸素還元反応における窒素ドープグラフェンの触媒性
松山治薫; 市川諒英; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７６回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 名古屋市国際会議場, 国内会議
発表日 2015年09月15日

グラフェン表面の水の層構造
赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７６回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 名古屋市国際会議場, 国内会議
発表日 2015年09月15日

GaAs(001)表面上でのMn吸着サイト
大竹晃浩; 萩原敦; 船附顕汰; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７６回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 名古屋市国際会議場, 国内会議
発表日 2015年09月13日

Oxygen reduction reaction on the basal plane of nitrogen- doped graphene
J.Nakamura; A.Ichikawa; H.Matsuyama; A.Akaishi
口頭発表（一般）, 英語, 31st European Conference on Surface Science (ECOSS-2015), Barcelona, Spain, 国際会議
発表日 2015年09月03日

Wettability of graphene surface
A.Akaishi; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, 31st European Conference on Surface Science (ECOSS-2015), Barcelona, Spain, 国際会議
発表日 2015年09月01日

Water layers on graphene surface
A.Akaishi; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, Graphene Week 2015, Graphene Flagship, Manchester, England, 国際会議
発表日 2015年06月24日

Oxygen reduction reaction on the basal plane of nitrogen-doped graphene
J.Nakamura; A.Ichikawa; H.Matsuyama; A.Akaishi
ポスター発表, 英語, Graphene Week 2015, Graphene Flagship, Manchester, England, 国際会議
発表日 2015年06月24日

Double-layer structure of water molecules on the graphene surface
A.Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 3rd International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-3), The Petroleum and Petrochemical College (PPC), Chulalongkorn University, 国際会議
発表日 2015年05月08日

Oxygen reduction reaction on nitrogen-doped graphene
Jun Nakamura
口頭発表（招待・特別）, 英語, 3rd International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-3), 招待, The Petroleum and Petrochemical College(PPC), Chulalongkorn University, Bangkok, Thailand, 国際会議
発表日 2015年05月07日

Catalytic reaction of oxygen on nitrogen-doped graphene
H.Matsuyama; A.Ichikawa; A.Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 3rd International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-3), The Petroleum and Petrochemical College (PPC), Chulalongkorn University, Bangkok, Thailand, 国際会議
発表日 2015年05月06日

Electrocatalytic Activity for Oxygen Reduction on Nitrogen-Doped Graphene
A.Ichikawa; A.Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, (ISPlasma 2015), JSAP and APS, Nagoya, Japan, 国際会議
発表日 2015年03月30日

Universal Feature of Seebeck Coefficients in Graphene/h-BN Nano-Composites
Y.Ayako; A.Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, (ISPlasma 2015), JSAP and APS, Nagoya, Japan, 国際会議
発表日 2015年03月30日

Structural Stability of B-, N-Doped Graphene Nanoribbons
Y.Uchida; A.Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, (ISPlasma 2015), JSAP and APS, Nagoya, Japan, 国際会議
発表日 2015年03月30日

Giant Seebeck Coefficiens for the Graphene/h-BN Superlattices
Nakamura; Y.Yokomizo
口頭発表（一般）, 英語, 7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, (ISPlasma 2015), JSAP and APS, Nagoya, Japan, 国際会議
発表日 2015年03月28日

窒素ドープグラフェン上の酸素還元反応
市川諒英; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第６２回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 神奈川県平塚市, 国内会議
発表日 2015年03月11日

Catalytic Reduction of Oxygen on Nitrogen-doped Graphene
A.Ichikawa; A.Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, 42nd Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-42), AVS (American Vacuum Society), Snowbird, Utah, USA, 国際会議
発表日 2015年01月19日

On the Wettability of Graphene
A.Akaishi; T.Yonemaru; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2014), American Vacuum Society, Hawaii, USA, 国際会議
発表日 2014年12月11日

Anomalous Enhancement of Seebeck Coefficients for the Graphene/h-BN Superlattices
J.Nakamura; Y.Yokomizo
口頭発表（一般）, 英語, Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2014), American Vacuum Society, Hawaii, USA, 国際会議
発表日 2014年12月11日

Universality of Seebeck Coefficients in Graphene/h-BN Nano-Composites
Y.Ayako; A.Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2014), American Vacuum Society, Hawaii, USA, 国際会議
発表日 2014年12月08日

Reduction of Oxygen on Nitrogen-Doped Graphene
A.Ichikawa; A.Akaishi; J.Nakamura
口頭発表（一般）, 英語, Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2014), American Vacuum Society, Hawaii, USA, 国際会議
発表日 2014年12月08日

熱電変換材料としてのナノカーボンのポテンシャル
中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 東京理科大学総合研究機構ナノカーボン研究部門ワークショップ 実験と理論の強調によるナノ空間・ナノ物質研究の最前線, 招待, 東京理科大学総合研究機構ナノカーボン研究部門, 東京, 国内会議
発表日 2014年11月25日

グラフェンナノリボンのバリスティック熱伝導特性
中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 第１回ナノトライボロジーワークショップ, 招待, ナノトライボロジー研究ステーション, 調布, 国内会議
発表日 2014年09月30日

グラフェンエッジ近傍不純物の構造安定性と電子状態
内田優希; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７５回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 国内会議
発表日 2014年09月19日

第一原理計算によるMn吸着GaAs(001)-(nx2)の構造安定性評価
萩原敦; 大竹晃浩; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７５回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 札幌, 国内会議
発表日 2014年09月18日

窒素ドープグラフェンの構造安定性と電子状態
梅木暁図; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７５回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 札幌, 国内会議
発表日 2014年09月18日

窒素ドープグラフェン上の酸素分子吸着
市川諒英; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７５回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 札幌, 国内会議
発表日 2014年09月18日

グラフェン/h-BN複合ナノリボンのゼーベック係数
綾子陽介; 赤石暁; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第７５回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 札幌, 国内会議
発表日 2014年09月18日

Configurational Disorder of Mn-induced (2x2) Reconstruction on GaAs(001)
A.Hagiwara; A.Ohtake; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, 18th International Conference on Molecular Beam Expitaxy (MBE2014), American Vacuum Society (AVS), Flagstaff, USA, 国際会議
発表日 2014年09月11日

電気通信大学における「パスポートプログラム」の取り組みⅢ
赤石暁; 阿部浩二; 石田尚行; 岡田佳子; 奥野剛史; 清水崇文; 白川英樹; 鈴木勝; 高田亨; 中村淳; 中村仁; 細見斉子; 山北佳宏
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会２０１４年秋季大会, 日本物理学会, 春日井, 国内会議
発表日 2014年09月08日

電気通信大学における専門教育としてのキャリア教育実践例 『エンジニアリングデザイン』を通した社会人基礎力養成
中村淳
口頭発表（基調）, 日本語, 第４回新任教員研修セミナー, 招待, 公益財団法人 大学セミナーハウス, 八王子, 国内会議
発表日 2014年09月01日

（Graphene/h-BN超格子におけるゼーベック係数の異常増大）
中村 淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 日本表面科学会摩擦の科学研究部会, 招待, 日本表面科学会摩擦の科学研究部会, 調布, 国内会議
発表日 2014年05月24日

Anomalous enhancement of Seebeck coefficients for the graphene/h-BN superlattices
J. Nakamura; Y. Yokomizo
口頭発表（招待・特別）, 英語, 2nd International Workshop on Solution Pasma and Molecular Technologies (SPM-2), 招待, Seoul, Korea, 国際会議
発表日 2014年05月16日

Recent development of droplet epitaxy in NIMS: InAs QDs on InP(111)A for telecom-application and reconstruction-dependent Ga droplet formation on GaAs (100)
T.Mano; A.Ohtake; T.Kuroda; H.Neul; X.Liu; K.Mitsuishi; A.Hagiwara; J.Nakamura; A.Castellano; S.Sanguinetti; T.Noda; Y. Sakuma; K.Sakoda
口頭発表（招待・特別）, 英語, 2nd Workshop Droplet Epitaxy of Semiconductor Nanostructures, 招待, Florence, Italy, 国際会議
発表日 2014年05月16日

Adsorption profiles of oxygen molecule on nitrogen-doped graphne
A. Ichikawa; A. Akaishi; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, 2nd International Workshop on Solution Pasma and Molecular Technologies (SPM-2), Seoul, Korea, 国際会議
発表日 2014年05月15日

Graphite is hydrophobic, or not?
T. Yonemaru; A. Akaishi; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, 2nd International Workshop on Solution Pasma and Molecular Technologies (SPM-2), Seoul, Korea, 国際会議
発表日 2014年05月15日

Seebeck coefficients of graphene/h-BN nano-composites
Y. Ayako; A. Akaishi; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, 2nd International Workshop on Solution Pasma and Molecular Technologies (SPM-2), Seoul, Korea, 国際会議
発表日 2014年05月15日

Structural stability of B-, N-doped zigzag graphene nanoribbons
Y. Uchida; A. Akaishi; J.Nakamura
ポスター発表, 英語, 2nd International Workshop on Solution Pasma and Molecular Technologies (SPM-2),, Seoul, Korea, 国際会議
発表日 2014年05月15日

グラフェンは疎水性か？
米丸朋宏; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 第６１回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 相模原, 国内会議
発表日 2014年03月19日

Giant Seebeck Coefficients of the Graphene/h-BN Superlattices
Y.Yokomizo; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 41st Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-41), AVS, Santa Fe, NM, USA
発表日 2014年01月

Structural stability and electronic structure of boron- or nitrogen-doped graphene
T.Umeki; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, American Vacuum Society 60th International Symposium & Exhibition (AVS-60), American Vacuum Society, Long Beach, USA
発表日 2013年10月

Mn吸着ＧaAs(001)表面の電子状態と構造安定性評価
萩原敦; 大竹晃浩; 奥北和哉; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第７４回応用物理学会秋季学術講演会
発表日 2013年09月

物理チャレンジ2013報告：III. 第２チャレンジ理論問題
荒船次郎; 赤井久純; 伊藤敏雄; 川村清; 佐貫平二; 杉山忠男; 鈴木亨; 鈴木直; 高須昌子; 竹中達二; 田中皓; 田中忠芳; 東辻浩夫; 中村淳; 羽田野彰; 松澤通生; 三間圀興; 北原和夫; 近藤泰洋
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２０１３年秋季大会
発表日 2013年09月

電気通信大学における「パスポートプログラム」の取り組みII
赤石暁; 阿部浩二; 石田尚行; 岡田佳子; 奥野剛史; 白川英樹; 鈴木勝; 高田亨; 中村淳; 中村仁; 細見斉子; 山北佳宏
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２０１３年秋季大会
発表日 2013年09月

Giant Seebeck coefficients of graphene/BN superlattices
Y.Yokomizo; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, The 7th International Conference on the Fundamental Science of Graphene and Applications of Graphene-Based Devices (Graphene Week 2013), TU Chemnitz, Chemnitz, Germany
発表日 2013年06月

Ferromagnetic coupling between Mn atoms on the GaAs(110) surface
M.Hirayama; J.Nakamura; S.Tsukamoto
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-2013), CS Week, Kobe
発表日 2013年05月

Effects of surface geometry on the wettability of water on graphene
H.Yonemaru; H.Shimizu; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 1st International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-1), Tokyo, Japan
発表日 2013年03月

First-pinciples study on the structural stability of boron- and nitrogen-doped graphene
T.Umeki; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 1st International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-1), Tokyo, Japan
発表日 2013年03月

Giant Seebeck effect of graphene/BN superlattices
Y.Yokomizo; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 1st International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-1), Tokyo, Japan
発表日 2013年03月

First-principles approach to the ballistic phonon thermal transport in graphene nano-ribbons
J.Nakamura; H.Tomita
口頭発表（招待・特別）, 英語, 1st International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-1), Tokyo, Japan, 国際会議
発表日 2013年03月

電気通信大学における「パスポートプログラム」の取り組み
赤石暁; 阿部浩二; 石田尚行; 岡田佳子; 奥野剛史; 白川英樹; 鈴木勝; 高田亨; 中村淳; 中村仁; 細見斉子; 山北佳宏
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会第６８回年次大会
発表日 2013年03月

STM測定と第一原理計算によるGaAs-c(4×4)α,βの電子構造解析
加来滋; 中村淳; 柳生数馬; 吉野淳二
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第６０回応用物理学会春季学術講演会
発表日 2013年03月

Ballistic phonon thermal conductance in graphene nano-ribbon
H.Tomita; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 40th Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-40), American Vacuum Society, Waikoloa, Hawaii, USA
発表日 2013年01月

Incorporation of Cr or Mn at the GaAs(001)-c(4x4)a surface
K.Okukita; A.Hagiwara; A.Ohtake; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 40th Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-40), American Vacuum Society, Waikoloa, Hawaii, USA
発表日 2013年01月

Effects of surface geometry on the wettability of water on graphene
H.Yonemaru; H.Shimizu; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 40th Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-40), American Vacuum Society, Waikoloa, Hawaii, USA
発表日 2013年01月

グラフェンナノリボンの熱伝導特性：第一原理計算からのアプローチ
中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 24th International Seminar in Nichia Course, Anan National College of Technology, 阿南工業高等専門学校 地域連携・テクノセンター 寄附講座
発表日 2013年01月

Atomic Arrangements and structural stability of the Mn adsorbed GaAs(001) surfaces
A.Hagiwara; A.Ohtake; Y.Kanno; S.Yasumura; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, American Vacuum Society 59th International Symposium & Exhibition (AVS-59), American Vacuum Society, Tampa, USA
発表日 2012年10月

Structural stability and electronic states of Cr or Mn on GaAs(001)-c(4x4)
K.Okukita; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012), MBE2012, Nara, Japan
発表日 2012年09月

Mn吸着GaAs(001)表面の原子配列
大竹晃浩; 萩原敦; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第７３会応用物理学会学術講演会
発表日 2012年09月

Ballistic phonon thermal conductancein Graphene Nano-Ribbon: First-principles calculations
Jun Nakamura; Hiroki Tomita
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 31st International conference on the physics of Semiconductors (ICPS 2012), ETH urich, Zurich
発表日 2012年07月

第一原理計算を用いた原子レベル物質設計：計算機シミュレーションで探るナノスケールの世界
中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 19th International Seminar in Nichia Course, Anan National College of Technology, 阿南工業高等専門学校 地域連携・テクノセンター 寄附講座
発表日 2012年06月

26pPSB-36 Mn吸着(2×2)-GaAs(001)表面構造および電子状態(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
菅野 雄介; 大竹 晃浩; 中村 淳
日本語, 日本物理学会講演概要集, 一般社団法人日本物理学会
発表日 2012年03月05日
開催期間 2012年03月05日- 2012年03月05日

Mn吸着(2x2)-GaAs(001)表面構造および電子状態
菅野雄介; 大竹晃浩; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会第６７回年次大会
発表日 2012年03月

GeO2酸素欠損近傍の原子レベル誘電特性：結晶構造依存性
中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第９回特定領域研究会,配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第９回特定領域研究会
発表日 2012年01月

Local profile of the dielectric constant near the oxygen vacancy in the GeO2 films
Jun Nakamura; Masahiro Tamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, AVS 58th International Symposium & Exhibition, American Vacuum Society, Nashville, USA
発表日 2011年11月

First-principles approach to ballistic phonon thermal conductivity in Graphene Nano-Ribbon
H.Tomita; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 2011 MRS Fall Meeting, Materials Research Society, USA
発表日 2011年11月

Optical characteristics of novel two-dimensional carbon materials; A possibility of ultra-transparent materials
Y.Yokomizo; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 2011 MRS Fall Meeting, Materials Research Society, USA
発表日 2011年11月

First-principles evaluation of the local dielectric properties of GeO2 ultrathin films
Jun Nakamura
口頭発表（招待・特別）, 英語, 15th International Conference on Thin Films (ICTF-15), IUVSTA, Kyoto, Japan, 国際会議
発表日 2011年11月

Ballistic phonon thermal conductivity of graphene nano-ribbons
H.Tomita; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, International Conference of New Science Created by Materials with Nano Spaces: from Fundamentals to Applications, MEXT, Tsukuba
発表日 2011年11月

IV-IV 族半導体超格子のナノスケール誘電特性
赤崎充洋; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第３１回表面科学学術講演会
発表日 2011年11月

グラフェンナノリボンのバリスティック熱伝導特性
冨田洋樹; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第３１回表面科学学術講演会
発表日 2011年11月

アームチェアグラフェンナノリボンのバリスティック熱伝導特性
冨田洋樹; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第７２回応用物理学会学術講演会
発表日 2011年09月

Er2SiO5結晶・誘電率の第一原理計算
萩原敦; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第７２回応用物理学会学術講演会
発表日 2011年09月

Electronic and magnetic properties of chemically‐derived graphene nano-ribbon
Y.Fujii; H.Tomita; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 22nd European Conference on Diamond (Diamond 2011), 22nd European Conference on Diamond (Diamond 2011)
発表日 2011年09月

GaAs(001)-(2x2)Mn表面の原子配列と電子状態評価
菅野雄介; 大竹晃浩; 平山基; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２０１１年秋季大会
発表日 2011年09月

アームチェアグラフェンナノリボンのバリスティック熱伝導特性評価
冨田洋樹; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第４回若手研究会,配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第４回若手研究会
発表日 2011年07月

GeO2酸素欠損近傍の原子レベル誘電特性：結晶構造依存性
田村雅大; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第４回若手研究会,配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第４回若手研究会
発表日 2011年07月

Mn-induced surface reconstructions on GaAs(001)
A.Ohtake; M.Hirayama; Y.Kanno; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-2011), 38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-2011), Berlin, Germany
発表日 2011年05月

酸素欠損GeO2薄膜の原子レベル誘電特性
田村雅大; 赤崎充洋; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５８回応用物理学関係連合講演会
発表日 2011年03月

カルボキシル基終端ジグザググラフェンナノリボンの磁性
藤井雄人; 冨田洋樹; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５８回応用物理学関係連合講演会
発表日 2011年03月

学会における人材育成
中村淳
口頭発表（基調）, 日本語, シンポジウム：キャリアデザインと学会活動―出会える人・テーマ・チャンス―, 応用物理学会, 国内会議
発表日 2011年03月

SiCポリタイプにおける誘電率の空間的変調
大杉拓也; 中村淳
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 日本語, 配列ナノ空間を利用した新物質科学 ユビキタス元素戦略 第７回領域会議, 大阪大学, 大阪
発表日 2011年01月

Nano-materials design by first-principles calculations
Jun Nakamura
口頭発表（招待・特別）, 英語, 5th Japanese-French Frontiers of Science Symposium (JFFoS-5), Japan Society for the Promotion of Science and Centre National de la Recherche Scientifique, Tokyo, Japan, 国際会議
発表日 2011年01月

GeO2超薄膜およびGeO2/Ge界面の誘電特性：局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響
田村雅大; 涌井貞一; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第３０回表面科学学術講演会
発表日 2010年11月

SiON/SiC界面の誘電率不連続性
大杉拓也; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第３０回表面科学学術講演会
発表日 2010年11月

カルボキシル基終端グラフェンナノリボンの磁性
藤井雄人; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第３０回表面科学学術講演会
発表日 2010年11月

BN結晶多形ヘテロ構造の電子状態
加藤豪; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第３０回表面科学学術講演会
発表日 2010年11月

酸素吸着多角柱型カーボンナノシリンダーの構造安定性と電子状態評価
藤井雄人; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第３０回表面科学学術講演会
発表日 2010年11月

Electronic and Magnetic Properties of Functionalized Graphene
Y.Fujii; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, American Vacuum Society 57th International Symposium & Exhibition (AVS-57), American Vacuum Society, Albuquerque
発表日 2010年10月

Band and Dielectric Discontinuities of the Si1-xGe/Si1-yCy Superlattices
T.Ohsugi; J.Nakamura
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, American Vacuum Society 57th International Symposium & Exhibition (AVS-57), American Vacuum Society, Albuquerque
発表日 2010年10月

学会における若手支援の取り組み
中村淳
口頭発表（基調）, 日本語, 「医学物理士が切り拓く最新放射線がん治療」（第７１回応用物理学会学術講演会シンポジウム）, 応用物理学会, 国内会議
発表日 2010年09月

「博士のキャリア相談会」で考えさせられたこと：若手は学会に何を望む？
中村淳
口頭発表（基調）, 日本語, 博士のキャリアデザイン（第７１回応用物理学会学術講演会パネル討論会）, 応用物理学会, 国内会議
発表日 2010年09月

SiC薄膜上におけるSiON超薄膜の誘電率
大杉拓也; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第７１回応用物理学会学術講演会
発表日 2010年09月

GeO2超薄膜およびGeO2/Ge界面のナノスケール誘電特性
田村雅大; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第７１回応用物理学会学術講演会
発表日 2010年09月

カルボキシル基終端ジグザググラフェンナノリボンの電子状態と磁性
藤井雄人; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第７１回応用物理学会学術講演会
発表日 2010年09月

Sb安定化GaAs(001)-(2x5)表面の原子配列
大竹晃浩; 平山基; 中村淳
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会2010年秋季大会
発表日 2010年09月

Percolation properties of nanotube/polymer composites
N.Ainoya; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 18th International Vacuum Congress (IVC-18), International Union for Vacuum Science, Technique and Applications, Beijing, China
発表日 2010年08月

Structural and electronic properties of “oxidized” carbon-nanocylinder
Y.Fujii; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-37), International Symposium on Compound Semiconductors, Takamatsu
発表日 2010年06月

Evaluation of the local dielectric constant near the oxygen vacancy for the defective HfO2 and SiO2 films
S.Wakui; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-37), International Symposium on Compound Semiconductors, Takamatsu
発表日 2010年06月

Magnetic coupling between Mn atoms on GaAs(110)
M.Hirayama; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-37), International Symposium on Compound Semiconductors, Takamatsu
発表日 2010年06月

Local profile of dielectric constants near the oxygen vacancy in GeO2
M.Tamura; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE), International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE), Tokyo, Japan
発表日 2010年06月

BN結晶多形を利用したホモマテリアル・ヘテロ構造の電子状態
加藤豪; 中村淳
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 日本語, 「配列ナノ空間を利用した新物質科学 ユビキタス元素戦略」第６回領域会議, 東北大学谷垣研究室, 名古屋
発表日 2010年05月

ホモマテリアルヘテロ界面の周期配列制御によるメタマテリアルの創製
中村淳
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 日本語, 「配列ナノ空間を利用した新物質科学 ユビキタス元素戦略」第６回領域会議, 東北大学谷垣研究室, 名古屋
発表日 2010年05月

Si(001)/La2O3(01-10)界面の第一原理的バンドオフセット評価
谷内良亮; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５７回応用物理学関係連合講演会
発表日 2010年03月

第一原理計算によるEr2SiO5の結晶構造と電子状態評価
植田啓史; 中村淳; 名取晃子; 一色秀夫
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５７回応用物理学関係連合講演会
発表日 2010年03月

有限電界下の第一原理計算を用いたSiGe混晶の誘電率評価
佐藤耕平; 大杉拓也; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５７回応用物理学関係連合講演会
発表日 2010年03月

カーボンナノチューブ分散媒質の交流電気伝導特性
挾間裕一; 相野谷直樹; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５７回応用物理学関係連合講演会
発表日 2010年03月

Si/SiO2量子井戸内D-イオン束縛エネルギーの井戸幅依存性：valley-orbit相互作用効果
千葉朋; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会第６５回年次大会
発表日 2010年03月

HfO2・SiO2薄膜における酸素欠損近傍の局所誘電率評価
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会第６５回年次大会
発表日 2010年03月

GaAs(110)表面上のMnAs単分子層膜の磁性
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会第６５回年次大会
発表日 2010年03月

有限電界下の第一原理計算による局所誘電率評価の試み
中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 物質・材料研究機構第８７回QDRセミナー, 物質・材料研究機構
発表日 2009年12月

Ge酸化物超薄膜の誘電特性
田村雅大; 涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第２９回表面科学学術講演会
発表日 2009年10月

列状酸素吸着カーボンナノシリンダーの構造安定性
藤井雄人; 平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第２９回表面科学学術講演会
発表日 2009年10月

CNT分散媒質の異方的交流電気伝導特性
挾間裕一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第７０回応用物理学会学術講演会
発表日 2009年09月

列状酸素吸着CNTの構造安定性と電子物性評価
藤井雄人; 平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第７０回応用物理学会学術講演会
発表日 2009年09月

第一原理計算によるSi(001)/La2O3(01-10)界面のバンドオフセット評価
谷内良亮; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第７０回応用物理学会学術講演会
発表日 2009年09月

HfO2薄膜の誘電特性：結晶構造依存性
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第７０回応用物理学会学術講演会
発表日 2009年09月

GaAs(110)表面上Ga置換Mn原子鎖の原子鎖間磁気相互作用
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第７０回応用物理学会学術講演会
発表日 2009年09月

バルクSi及びSi量子井戸内D-イオンのvalley-orbit分裂
千葉朋; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第７０回応用物理学会学術講演会
発表日 2009年09月

Nano-scale profile of the dielectric constant near surfaces and interfaces: A first-principles approach
Jun Nakamura
口頭発表（招待・特別）, 英語, 2nd International Workshop on Epitaxial growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano 2009), Anan National College of Technology, Anan, Japan, 国際会議
発表日 2009年08月

Inter-wire coupling of the Ga-substituted Mn atomic wire on GaAs(110)
Motoi Hirayama; Jun Nakamura; Akiko Natori
口頭発表（招待・特別）, 英語, 2nd International Workshop on Epitaxial growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano 2009), Anan National College of Technology, Anan, Japan, 国際会議
発表日 2009年08月

「学会における若手人材育成―ト応物があなたのキャリアデザインを応援します―」報告
庄司一郎; 石榑崇明; 中村淳; 小舘香椎子; 岩本光正; 河野明廣
その他, 日本語, 人材育成・男女共同参画委員会、刊行委員会、JJAP/APEX編集委員会,応用物理
発表日 2009年04月

GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子ワイヤの原子配置とスピン・電子状態
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５６回応用物理学関係連合講演会
発表日 2009年03月

歪みHfO2薄膜の誘電特性
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５６回応用物理学関係連合講演会
発表日 2009年03月

In-plane strain effects on dielectric properties of the HfO2 thin film
S.Wakui; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, 36th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces
発表日 2009年01月

Anisotropic half-metallic ground states of Mn atomic wires on GaAs(110)
M.Hirayama; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, 36th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces
発表日 2009年01月

応用物理学会における人材育成と男女共同参画の取り組み
中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 東京工業大学理工系女性研究者プロモーションプログラム講演会, 東京工業大学
発表日 2009年01月

GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態と電子状態
平山基; 中村淳; 名取晃子
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 日本語, The 13th Symposium on the Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors (PASPS13), 東北大学, 仙台
発表日 2009年01月

HfO2/La2O3超薄膜の誘電特性
涌井貞一; 谷内良亮; 中村淳; 名取晃子
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 日本語, シリコンナノエレクトロニクスの新展開-ポストスケーリングテクノロジー第３回成果報告会, 名古屋大学, 東京
発表日 2009年01月

博士のキャリア相談会―トライアル開催の報告―
中村淳; 小舘香椎子
その他, 日本語, 応用物理学会人材育成・男女共同参画委員会,応用物理
発表日 2008年11月

最先端表面研究が切り拓くナノエレクトロニクスのブレークスルー原子レベルから環境にやさしく
中村淳
口頭発表（基調）, 日本語, 第２８回表面科学学術講演会, 日本表面科学会, 国内会議
発表日 2008年11月

GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態と電子状態
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第２８回表面科学学術講演会
発表日 2008年11月

HfO2超薄膜の誘電特性
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第２８回表面科学学術講演会
発表日 2008年11月

カーボンナノチューブ分散媒質の異方的電気伝導特性
挾間裕一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第２８回表面科学学術講演会
発表日 2008年11月

酸素吸着グラフェンの積層構造の構造安定性と凝集性質
江口俊輔; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第２８回表面科学学術講演会
発表日 2008年11月

Si(111)-(7×7)表面上の銀クラスター形成過程の計算機シミュレーション
千葉朋; 冷清水裕子; 泉水一紘; 須藤彰三; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第２８回表面科学学術講演会
発表日 2008年11月

La2O3(0001)超薄膜の誘電特性
谷内良亮; 涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本表面科学会,第２８回表面科学学術講演会
発表日 2008年11月

Activities of the Japan Society of Applied Physics (JSAP)
Activities of the Japan; Society of; Applied; Physics (JSAP; The; rd IUPAP International Conference on Women in Physics; Oc; Seoul, Korea; K.Ishikawa; M.N-.Gamo; K.Ishikawa; M.O.Watanabe; Y.Toyama; H.Iijima; K.Ito; J.Nakamura; K.Kodate
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, The 3rd IUPAP International Conference on Women in Physics 2008, The Korean Physical Society, Seoul, Korea
発表日 2008年10月

La2O3(0001)超薄膜の誘電特性
谷内良亮; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第６９回応用物理学会学術講演会
発表日 2008年09月

HfO2超薄膜の局所誘電率プロファイル
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第６９回応用物理学会学術講演会
発表日 2008年09月

GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子ワイヤの原子配置とスピン・電子状態
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第６９回応用物理学会学術講演会
発表日 2008年09月

SiC結晶多形の誘電率：第一原理計算による積層構造依存性評価
佐藤耕平; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第６９回応用物理学会学術講演会
発表日 2008年09月

学会における若手人材育成―応物があなたのキャリアデザインを応援します―
庄司一郎; 石榑崇明; 中村淳; 小舘香椎子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第６９回応用物理学会学術講演会
発表日 2008年09月

Si(111)-(7x7)表面上の銀クラスター形成過程の計算機シミュレーション
千葉朋; 冷清水裕子; 泉水一紘; 須藤彰三; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第６９回応用物理学会学術講演会
発表日 2008年09月

GaAs(110)表面上のGa置換Mnナノワイヤの原子配置とスピン・電子状態
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２００８年秋季大会
発表日 2008年09月

異方的な超微粒子分散媒質の高周波電気伝導特性
挾間裕一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２００８年秋季大会
発表日 2008年09月

グラフェンリボンのバリスティック熱コンダクタンス
山口翔; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２００８年秋季大会
発表日 2008年09月

酸化グラフェン積層物質の構造安定性
江口俊輔; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２００８年秋季大会
発表日 2008年09月

GaAs(001)-(2x4)-Sb吸着構造の再検討
大竹晃浩; 平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２００８年秋季大会
発表日 2008年09月

Anomalous enhancement of the local dielectric constant near defects in SiO2
S.Wakui; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14), 14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14), Dublin, Ireland
発表日 2008年07月

Polytype dependence of permittivity of SiC films
J.Nakamura; K-H.Sato; Y.Iwasaki; S.Wakui; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14), 14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14), Dublin, Ireland
発表日 2008年07月

GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 第４回量子ナノ材料セミナー,第４回量子ナノ材料セミナー, 電気通信大学, 調布
発表日 2008年07月

GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 第４回量子ナノ材料セミナー,第４回量子ナノ材料セミナー
発表日 2008年07月

Atomic-scale friction of nanometer-sized contacts
M.Igarashi; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14), 14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14), Dublin, Ireland
発表日 2008年06月

First-principles calculations on STM images for subsurface dopants: tip-induced band-bending and dependence on dopant species
M.Hirayama; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14), 14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14), Dublin, Ireland
発表日 2008年06月

人材育成・男女共同参画第８回ミーティング報告「博士『後』のキャリアを考える２」
津村徳道; 中村淳; 庄司一郎; 坂野井和代
その他, 日本語, 応用物理学会 人材育成・男女共同参画委員会,応用物理 77, 581 (2008)
発表日 2008年05月

Si/酸化物界面近傍における誘電率の空間分布：第一原理計算による評価
中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 東京大学物性研究所客員所員講演会, 東京大学物性研究所
発表日 2008年04月

欠陥のあるSiO2/Si(001)界面・SiO2超薄膜の局所誘電率評価
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 日本語, シリコンナノエレクトロニクスの新展開-特定領域研究ポストスケール第２回成果報告会, 名古屋大学, 東京
発表日 2008年03月

多谷半導体中のD-基底状態：磁場効果
井上純一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会第６３回年次大会
発表日 2008年03月

SiO2/Si(001)界面におけるナノスケール誘電特性の第一原理計算
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会第６３回年次大会
発表日 2008年03月

ナノスケールの摩擦機構：ティップサイズ効果
五十嵐正典; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会第６３回年次大会
発表日 2008年03月

不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算II：STM像の不純物原子種依存性
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会第６３回年次大会
発表日 2008年03月

Si(111)水素終端表面近傍不純物のSTMシミュレーション：不純物種依存性と探針誘起バンドベンディング
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５５回応用物理学関係連合講演会
発表日 2008年03月

SiO2薄膜中の欠陥近傍における局所誘電率の異常増大
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５５回応用物理学関係連合講演会
発表日 2008年03月

（グラフェンの応用物性）グラフェンの酸化とコンポジット材料
中村淳; 伊藤潤; 尾越勇太; 名取晃子
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 第５５回応用物理学関係連合講演会, 応用物理学会
発表日 2008年03月

Dielectric properties of the interface between Si and SiO_2
Sadakazu Wakui; Jun Nakamura; Akiko Natori
口頭発表（一般）, 英語, 35th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces
発表日 2008年01月

Band-bending effects on STM images for subsurface dopants
Motoi Hirayama; Jun Nakamura; Akiko Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 15th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy, Japan Society of Applied Physics, Atagawa (Shizuoka)
発表日 2007年12月

Si量子ドットの多電子基底状態
桝日向; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 表面科学会,第２７回表面科学講演大会
発表日 2007年11月

Dielectic properties of the interface between Si adn SiO2
S.Wakui; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI2007), The 154th Committee on Semiconductor Interfaces and Their Applications, Japan Society for the Promotion of Science (JSPS), Hachiouji, Japan
発表日 2007年11月

Nano-scale profile of the dielectric constant near the Si/Oxide interface: A first-principles approach
Jun Nakamura
口頭発表（招待・特別）, 英語, 212th Electrochemical society (ECS-212), The Electrochemical Society, Washington D.C., 国際会議
発表日 2007年10月

グラフェンのバリスティック熱伝導特性
斎藤浩一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会第６２回年次大会
発表日 2007年09月

Mechanism of velocity saturation and lateral resonance in atomic-scale sliding friction
M.Igarashi; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, International Conference on Nano Science and Technology (ICN+T 2007), International Union of Vacuum Science, Technique and Applications (IUVSTA), Stockholm, Sweden
発表日 2007年07月

STM simulations for B- and P-doped Si(111) surfaces
M.Hirayama; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, International Conference on Nano Science and Technology (ICN+T 2007), International Union of Vacuum Science, Technique and Applications (IUVSTA), Stockholm, Sweden
発表日 2007年07月

Mechanism of velocity saturation of atomic friction force and the dynamic superlubricity
J.Nakamura; J.Ito; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, International Conference on Nano Science and Technology (ICN+T 2007), International Union of Vacuum Science, Technique and Applications (IUVSTA), Stockholm, Sweden
発表日 2007年07月

１次元Tomlinsonモデルを用いた原子レベル摩擦機構の解明
中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 豊田理化学研究所・特定課題研究「ナノトライボロジー」平成１９年度第一回研究会, 豊田理化学研究所
発表日 2007年06月

有限温度原子レベル摩擦機構～１次元Tomlinsonモデルによる解析～
中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 日本物理学会２００７年春季大会シンポジウム：ナノスコピック系の摩擦の物理：摩擦の素過程と制御, 日本物理学会
発表日 2007年03月

第一原理計算によるSiO2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性評価
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２００７年春季大会
発表日 2007年03月

不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５４回応用物理学関係連合講演会
発表日 2007年03月

酸素吸着グラフェンの構造双安定性の第一原理計算
伊藤潤; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２００７年春季大会
発表日 2007年03月

SiO2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５４回応用物理学関係連合講演会
発表日 2007年03月

不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算
平山基; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５４回応用物理学関係連合講演会
発表日 2007年03月

SiO2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 日本語, ゲートスタック研究会第１２回研究会, 応用物理学会, 三島
発表日 2007年02月

外部電場はSi(001)面の表面超構造を変化させるか？
中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, 第１回NIMSナノ計測センターシンポジウム「半導体表面における構造と物性の新展開 - Si(001)とGe(001)表面を中心として -」, 物質・材料研究機構
発表日 2007年02月

ac conductivity and dielectric constant of conductor-insulator composites
Y.Koyama; T.B.Murutanto; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 6th International IEEE Conference on Polymers and Adhesives in Microelectronics and Photonics (Polytronic 2006), IEEE
発表日 2007年01月

B／PドープSi(111)表面のSTM像の第一原理シミュレーション
平山基; 中村淳; 名取晃子
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 日本語, 第6回ドーパント計測研究会, 産業技術総合研究所, つくば
発表日 2007年01月

STM simulations for B- and P-doped Si(111) surfaces
H.Hirayama; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, The 14th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM-14), The Japan Society of Applied Physics
発表日 2006年12月

Mechanism of velocity saturation of atomic friction force and the dynamic superlubricity at torsional resonance
M.Igarashi; J.Nakamura; A.Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, The 14th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM-14), The Japan Society of Applied Physics
発表日 2006年12月

人材育成・男女共同参画第８回ミーティング報告「博士『後』のキャリアを考える」
坂野井和代; 中村淳; 庄司一郎; 近藤高志
その他, 日本語, 応用物理学会 人材育成・男女共同参画委員会,応用物理
発表日 2006年12月

Deielectproperties of the interface between Si and SiO2
Sadakazu Wakui; Jun Nakamura; Akiko Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 2006 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices - Science and Technology, The Japan Society of Applied Physics, Kawasaki
発表日 2006年11月

First-principles calculation of electrostatic property of the interface: Ultra-thin Al/Si(111)
Tomo Shimizu; Kenji Natori; Jun Nakamura; Akiko Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 2006 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices - Science and Technology, The Japan Society of Applied Physics, Kawasaki
発表日 2006年11月

First-principles evaluations of dielectric properties from nano-scale of points of view
Jun Nakamura; Sadakazu Wakui; Akiko Natori
口頭発表（招待・特別）, 英語, 8th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT-8), IEEE, Shanghai, 国際会議
発表日 2006年10月

第一原理計算に基づく絶縁超薄膜誘電率の理論的解析
中村淳
口頭発表（招待・特別）, 日本語, Nano CMOS 今後１５年の展望とその技術課題, IEEE-EDS Japan Chapter
発表日 2006年09月

D-基底状態の拡散量子モンテカルロ計算：有効質量異方性および多谷効果
井上純一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２００６年秋期大会
発表日 2006年09月

原子摩擦力の速度飽和機構
五十嵐正典; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２００６年秋期大会
発表日 2006年09月

Dielectric discontinuity at a twin boundary in Si(111)
Jun Nakamura; Akiko Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, ICPS-28 (28th International Conference on the Physics of Semiconductors), International Conference on the Physics of Semiconductors, Vienna, Austria
発表日 2006年07月

Charge correlation and spin coupling in double quantum dots
Hyuga Masu; Jun Nakamura; Akiko Natori
シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, ICPS-28 (28th International Conference on the Physics of Semiconductors), International Conference on the Physics of Semiconductors, Vienna, Austria
発表日 2006年07月

第一原理計算による極薄膜Al/Si界面の検討：界面水素終端の影響
清水共; 名取研二; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第５３回応用物理学関係連合講演会
発表日 2006年03月

縦型２重量子ドットのスピン結合と磁場制御
桝日向; 山田太一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会第６１回年次大会
発表日 2006年03月

Si(111)双晶境界近傍の局所的誘電率変化
中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会第６１回年次大会
発表日 2006年03月

First-principles calculations of dielectric constatns for ultrathin SiO2 films
S.Wakui; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, 33rd Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-33)
発表日 2006年01月

Dielectric discontinuity at a stacking fault in Si(111)
J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, 33rd Conference on the Physics and Chemisty of Semiconductor Interfaces (PCSI-33)
発表日 2006年01月

First-Principles evaluations of dielectric constants
J.Nakamura; S.Wakui; A.Natori
口頭発表（招待・特別）, 英語, IEEE-EDS International Workshop on Nano CMOS, IEEE-EDS, Mishima, Japan, 国際会議
発表日 2006年01月

First-principles calculations of dielectric constants for ultrathin SiO2 films
S.Wakui; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)
発表日 2005年11月

First-principles calculations on adsorption and diffusion of oxygen atoms on graphene sheets
J.Ito; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)
発表日 2005年11月

Structural stabilities and electronic properties of planar Si compounds
M.Hirayama; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)
発表日 2005年11月

Controlling the spin coupling in double quantum dots
H.Masu; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)
発表日 2005年11月

Dielectric properties for ultra-thin films of the polytypes of SiC
J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)
発表日 2005年11月

Atomic scale mechanism of friction
S.Wakunami; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)
発表日 2005年11月

Electronic and magnetic properties of BNC ribbons
T.Nitta; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)
発表日 2005年11月

Ga- and As-Rich Limit of Surface Reconstruction on GaAs(001)
A.Ohtake; P.Kocan; K.Seino; W.G.Schmidt; J.Nakamura; A.Natori; N.Koguchi
口頭発表（一般）, 英語, 23-rd European Conference on Surface Science (ECOSS-23)
発表日 2005年09月

Friction mechanism in atomic-scale
S.Wakunami; J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, 23-rd European Conference on Surface Science (ECOSS-23)
発表日 2005年09月

First-principles evaluations of dielectric constants for ultra-thin semiconducting films
J.Nakamura; A.Natori
口頭発表（一般）, 英語, 23-rd European Conference on Surface Science (ECOSS-23)
発表日 2005年09月

SiO2超薄膜の誘電特性
涌井貞一; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２００５年秋期大会
発表日 2005年09月

原子レベルの摩擦機構
涌波信弥; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２００５年秋期大会
発表日 2005年09月

SiC多形超薄膜の誘電特性
中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２００５年秋期大会
発表日 2005年09月

グラフェンシートの酸素吸着と拡散過程の第一原理計算
伊藤潤; 中村淳; 名取晃子
口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会,日本物理学会２００５年秋期大会
発表日 2005年09月

若手からの提言「多様化するライフスタイルとキャリアプラン」
中村淳; 青木画奈
その他, 日本語, 応用物理
発表日 2004年12月

ポスドク制度の実態報告
中村淳
口頭発表（基調）, 日本語, 第６５回応用物理学会学術講演会, 国内会議
発表日 2004年09月

ポスドク・任期付き技術者／研究者の現状と将来像
中村淳
口頭発表（基調）, 日本語, 第６４回応用物理学会学術講演会, 国内会議
発表日 2003年09月

7aSP-10 SiO2超薄膜のトンネル特性(表面ナノ構造量子物性,領域9)
渡会 雅敏; 中村 淳; 名取 晃子
日本語, 日本物理学会講演概要集, 一般社団法人日本物理学会
発表日 2002年08月13日
開催期間 2002年08月13日- 2002年08月13日

7aSM-1 GaAs(001)-c(4×4)表面に対する新たな構造モデルの提唱(表面界面構造・電子物性,領域9)
大竹 晃浩; 中村 淳; 塚本 史郎; 小口 信行; 名取 晃子
日本語, 日本物理学会講演概要集, 一般社団法人日本物理学会
発表日 2002年08月13日
開催期間 2002年08月13日- 2002年08月13日

25pPSB-43 Si(100)面のダイマーバックリングダイナミクス(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
長内 理尚; 中村 淳; 安永 均; 名取 晃子
日本語, 日本物理学会講演概要集, 一般社団法人日本物理学会
発表日 2002年03月01日
開催期間 2002年03月01日- 2002年03月01日

25pPSB-60 不均一表面層の2端子間2次元電流分布(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
名取 晃子; 伊藤 哲朗; 中村 淳; 安永 均
日本語, 日本物理学会講演概要集, 一般社団法人日本物理学会
発表日 2002年03月01日
開催期間 2002年03月01日- 2002年03月01日

Interface Structural analysis using medium-energy coaxial impact-collision ion scattering spectroscopy
H.Sone; T.Kobayashi; G.Dorenbos; J.Nakamura; M.Aono; C.F.McConville
口頭発表（招待・特別）, 英語, ICAARI-6, Texas, USA, 国際会議
発表日 2000年

Structure and electronic states for a double strand of Au atoms
J.Nakamura
口頭発表（招待・特別）, 英語, 24th Relativity Workshop: The Society for Discrete Variational Xa, 招待, The Society for Discrete Variational Xa, Kyoto, Japan, 国際会議
発表日 1999年09月

上級コンピュータ演習
The University of Electro-Communications

上級コンピュータ演習
電気通信大学

基盤理工学専攻基礎
電気通信大学

基盤理工学専攻基礎
電気通信大学

UECパスポートプログラムB
電気通信大学

UECパスポートプログラムB
電気通信大学

UECパスポートプログラムA
The University of Electro-Communications

UECパスポートプログラムA
電気通信大学

ナノエレクトロニクス特論
電気通信大学

ナノエレクトロニクス特論
電気通信大学

基礎電磁気学および演習
The University of Electro-Communications

凝縮系物理学特別講義IV
千葉大学大学院理学研究科

凝縮系物理学特別講義IV
千葉大学大学院理学研究科

総合コミュニケーション科学
電気通信大学

Ｋ課程輪講
電気通信大学

電磁気学および演習
電気通信大学

電磁気学および演習
電気通信大学

基礎電磁気学および演習
電気通信大学

基礎電磁気学および演習
電気通信大学

総合コミュニケーション科学
The University of Electro-Communications

総合コミュニケーション科学
電気通信大学

ＵＥＣパスポートプログラムII
電気通信大学

ＵＥＣパスポートプログラムI
The University of Electro-Communications

UECパスポートセミナー
電気通信大学

数値計算法
The University of Electro-Communications

計算数理工学
The University of Electro-Communications

固体電子論
The University of Electro-Communications

ナノエレクトロ二クス特論
The University of Electro-Communications

電磁気学第一
電気通信大学

Ｋ課程輪講
The University of Electro-Communications

Ｋ課程輪講
電気通信大学

先進理工学専攻基礎
電気通信大学

先進理工学専攻基礎
電気通信大学

ＵＥＣパスポートプログラムII
The University of Electro-Communications

ＵＥＣパスポートプログラムII
電気通信大学

ＵＥＣパスポートプログラムI
電気通信大学

ＵＥＣパスポートプログラムI
電気通信大学

UECパスポートセミナー
The University of Electro-Communications

UECパスポートセミナー
電気通信大学

数値計算法
電気通信大学

数値計算法
電気通信大学

電子工学実験第一
電気通信大学

電子工学実験第一
The University of Electro-Communications

電子工学実験第一
電気通信大学

計算数理工学
電気通信大学

計算数理工学
電気通信大学

固体電子論
電気通信大学

固体電子論
電気通信大学

ナノエレクトロ二クス特論
電気通信大学

ナノエレクトロ二クス特論
電気通信大学

電磁気学第一
The University of Electro-Communications

電磁気学第一
電気通信大学

2005年01月 - 現在
American Vacuum Society

日本工学アカデミー

日本表面真空学会

Electrochemical Society

American Chemical Society

表面科学会

応用物理学会

日本物理学会

アメリカ物理学会

一酸化炭素還元能を発現させる非平面π共役系原子配列の設計と評価
中村 淳
日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 電気通信大学, 基盤研究(C), 24K08242
研究期間 2024年04月01日 - 2027年03月31日

二次元錯体配列によるシナジェティック触媒の新展開
藪 浩; 中村 淳; 熊谷 明哉
日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 東北大学, 基盤研究(A), 23H00301
研究期間 2023年04月01日 - 2026年03月31日

Mn-GaAs系二次元構造制御による新奇強磁性物質の創製と磁性発現機構の解明
中村 淳; 大竹 晃浩
日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(B), 電気通信大学, 基盤研究(B), 原子レベル結晶成長技術と精緻な第一原理電子状態計算を駆使し、GaAs表面におけるMnの成長素過程を詳細に明らかにした。最表面に吸着したMn原子は、As-rich条件下においては表面第二層のGa原子位置を優先的に置換し、表面のAsが少ない条件では格子間位置に組み込まれることが明らかとなった。希薄磁性半導体薄膜を実現するためには、Gaを優先的に置換する必要があり、本研究により、その必要条件が示された。, 22360020
研究期間 2010年 - 2012年

ホモマテリアルヘテロ界面の周期配列制御によるメタマテリアルの創製
中村 淳
日本学術振興会, 科学研究費助成事業 特定領域研究, 電気通信大学, 特定領域研究, 本研究は、(1)人工的に制御された「ホモマテリアルヘテロ界面」構造を利用したヘテロ界面の基礎物理モデルの構築と、(2)その周期配列制御によるメタマテリアルの創製、を目論むものである。すなわち、本質的に界面の格子不整合を含まない同物質の異結晶形ヘテロ構造を利用して、新たなメタマテリアルの創製とそのヘテロ構造デバイスへの応用の可能性を探る。昨年までにとりあげた窒化ホウ素(BN)に加え、本年はIV-IV族化合物半導体として最も典型的な物質で、ワイドバンドギャップ半導体として応用上も非常に重要な炭化ケイ素(SiC)、およびポストスケール世代の半導体材料として注目されるSiGe混晶を対象として、その「ホモマテリアルヘテロ界面」の電子状態を評価した。密度汎関数理論に基づく第一原理計算を用いて結晶多形超格子の電子状態計算を行った。用いた結晶多形は、立方晶系(閃亜鉛鉱構造)の3C、および六方晶系の2H(ウルツ鉱構造)、4H、および6Hである。本研究では3C/nHタイプの超格子(n=2,4,6)を考えた。SiCやSiGeのようなIV-IV族半導体および昨年評価を行ったBNのようなIII-V族化合物半導体の超格子はいずれもタイプIIの超格子となり、一方IV族単体半導体同士のヘテロ界面を用いるといずれもタイプIの超格子となることがわかった。化合物であるか単体であるかによって超格子のタイプが異なるのは、そのバンドダイヤグラムから理解可能であることが示された。また、各超格子について局所誘電率(屈折率)の空間プロファイルを評価したところ、界面近傍における誘電率の変化領域は原子レベル(高々2から3原子層以内)であることがわかった。ホモマテリアルヘテロ界面を用いることによって、急峻な界面特性を持つ超格子を作製可能であることが理論的に示された。, 22013006
研究期間 2010年 - 2011年

ナノスケールSiO2/Si界面の局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響
名取 晃子; 中村 淳
日本学術振興会, 科学研究費助成事業 特定領域研究, 電気通信大学, 特定領域研究, 電界印加下の密度汎関数基底状態計算(B. Meyer et al., Phys. Rev. B 63(2001)205426)を用いて電界誘起電荷密度を求め、ガウス分布フィルターを用いて粗視化を行う。粗視化された電界誘起電荷観密度を用いてガウス則より粗視化された局所内部電界を評価し、電束密度連続の式より局所誘電率の3次元空間分布を求める定式化とプログラム開発を行った。 SiO2超薄膜と理想的なSiO2/Si(001)界面に酸素欠損を導入し、電子分極による光学誘電率、電子分極と格子分極による静的誘電率の3次元空間分布を調べた。欠陥近傍での光学誘電率の空間変化は小さいが、静的誘電率は欠陥近傍で増大することを見出した。 さらに、HfO2、La2O3等のイオン性の強いhigh-k超薄膜の誘電特性、Ge-MOSの酸化膜として期待されるGeO2超薄膜、GeO2/Ge(001)界面の局所誘電特性の計算を行った。GeO2酸化膜では、結晶構造の異なるquartz構造とrutile構造の2種類の薄膜を調べた。quartz構造薄膜は共有結合性が強く、quartz構造SiO2膜と類似の誘電特性を示す。イオン結合性の強いrutile構造薄膜はquartz構造より大きな静的誘電率を持ち、酸素欠損近傍での静的誘電率はさらに増大することを示した。 HfO2超薄膜の誘電特性の計算は論文にまとめ、J. Vac. Sci. Technol. Bに掲載された。GeO2超薄膜、GeO2/Ge(001)界面の局所誘電特性の研究成果は、"37^ Conf. on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces"で発表され、現在、論文を執筆中である。, 20035005
研究期間 2008年 - 2009年

La酸化物超薄膜/Si界面の原子レベル誘電特性の解明
中村 淳
日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(C), 電気通信大学, 基盤研究(C), 密度汎関数理論に基づく第一原理電子状態計算を用いて、La酸化物超薄膜単体およびLa酸化物とSi基板界面における原子レベル誘電特性、電子状態計算を行った。La酸化物表面においては、表面緩和により誘電率が著しく低下することがわかった。また、界面におけるバンドオフセットは、界面原子配列の詳細に大きく依存することがわかった。, 19560020
研究期間 2007年 - 2009年

ナノコンタクトの摩擦機構と超潤滑
名取 晃子; 中村 淳
日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(C), 電気通信大学, 基盤研究(C), 摩擦力顕微鏡(FFM)が開発されて原子スケールでの摩擦力の観測が可能となり、ナノスケールのコンタクトの摩擦に対して巨視的な接触面での摩擦則が成立しないことが明らかになっている。本研究の目的は、ナノスケールコンタクトの摩擦機構を明らかにし、摩擦が消滅する超潤滑の出現機構と出現条件を解明することである。 FFMでの単針の運動をTomlinsonモデルを用いて調べ、以下のことがらを明らかにした。 (1)FFMで観測される摩擦力のスキャン速度飽和について、新たな機構を提唱した。 (2)単針先端が複数個の原子で構成される場合の摩擦機構を明らかにした。 (3)FFM単針を振動させながらスキャンしたときに観測される摩擦消失(動的超潤滑)の機構を明らかにした。, 18540313
研究期間 2006年 - 2008年

ナノスケールSiO2/Si界面の電子状態と局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響
名取 晃子; 中村 淳
日本学術振興会, 科学研究費助成事業 特定領域研究, 電気通信大学, 特定領域研究, 電界印加下の密度汎関数基底状態計算(B.Meyer et al,Phys.Rev.B 63(2001)205426)を用いて電界誘起面平均電荷密度を求め、ガウス則より局所内部電界を評価し、電束密度連続の式より局所誘電率を計算する定式化とプログラム開発を行った。 SiO_2超薄膜と理想的なSiO_2/Si(001)界面に適用し(S. Wakui et al.,in submission to J.Vac.Sci.Tech.B)、電子分極による光学誘電率、電子分極と格子分極の双方による静的誘電率の評価を行った。光学誘電率、静的誘電率共に、表面、界面近傍で急峻に変化することを見出した。さらに、SiO_2超薄膜と理想的なSiO_2/Si(001)界面に酸素空孔を導入し、欠陥が局所誘電率に与える影響を調べた。酸素空孔近傍で光学誘電率、静的誘電率双方に増大が見られた。光学誘電率増強は、酸素空孔に起因するSiタッグリングボンド準位がSiエネルギーギャップ中に現れることにより、電子分極が増大することによる。SiO_2超薄膜での静的誘電率増強には、酸素空孔によるSi原子層間隔の減少にも起因する。さらに、SiO_2超薄膜内のHf原子のSi原子置換により、静的誘電率が局所的に異常に大きく増大する現象を見出した(S.Wakui et al.,in submission to Appl.Phys.Lett.)。, 19026004
研究期間 2007年 - 2007年

ナノメータ・スケール集積エレクトロニクスの理論的構築
名取 研二; 中村 淳; 佐野 伸行; 山部 紀久夫
日本学術振興会, 科学研究費助成事業 特定領域研究, 筑波大学, 特定領域研究, 1.昨年度に開発した、MOSFET中のキャリヤ輸送にフェルミ統計を考慮したモンテカルロ・シミュレーションにより、極微細MOSFETにおいて、バリステイックな電流やキャリヤ速度がフォノン散乱によって抑制される状況を解析した。 2.将来の有望な素子候補といわれる、ナノワイヤからなるFETの特性に関して、バリステイックなキャリヤ輸送の場合の電流電圧特性の一般公式を与えた。ナノワイヤの1次元バンド構造を与えれば、容易にFET特性を算出できる。これを用いて、ナノワイヤの性能極限などを議論できる。 3.MOSFETの閾値電圧の揺らぎの検討に関して。昨年度の深さ方向1次元の解析を、面内にそのようなカラムが束ねられているモデルに拡張して、チャネル内のキャリヤ伝導をカラム間のパーコレーションとして扱うシミュレーション・モデルを開発した。従来の大規模シミュレータのような計算コストが掛からない、3次元的な不純物位置情報を反映した、閾値電圧の標準偏差を知る強力なツールとなる可能性がある。 4.Siの(113)面上に、Geのナノワイヤが自己組織化的に成長する機構の解析に関して。昨年、第一原理計:算およびSTM観察の結果より、成長するGeの結晶構造がTPI&Rモデルといわれる構造であることを特定した。続いて、本年度はGe結晶の応力分布を算出し、結晶内の一方向にcompressiveなストレスが、またこれと直交する方向にtensileなストレスがかかっており、このストレス異方性が細長い島成長からワイヤ成長へと方向付けていることを明らかにした。ワイヤの自己組織化の有力な機構のひとつと見られる。 5.ナノスケール素子形成のための、シリコン面の制御法の検討。陽極酸化によりシリコン面に酸化膜フェンスで囲まれた領域を形成し、極低溶存酸素純水に依るエッチングで、領域内を完全にステップフリーとすることができた。また、シリコン面のテラス構造をCuを含む溶液に浸漬し、ステップに沿ったCu吸着によりCuナノワイヤを形成することができた。これらは、ナノスケールの素子構造形成の制御法の一つとして注目される。, 13025210
研究期間 2001年 - 2003年

ヘテロエピタキシャル結晶SiO_2/Si(001)の原子レベルのトンネル障壁
名取 晃子; 中村 淳
日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(C), 電気通信大学, 基盤研究(C), SiO2/Si超格子構造を用いて密度汎関数第一原理計算を行い、エネルギー分散関係とブロッホ関数の空間分布より、価電子帯バンドオフセットの新たな評価法を提案した。従来の評価法は層厚が十分暑い場合にしか適用できないが、本方法は層暑が薄い場合にも適用でき、厚い場合には従来の評価方法による値に一致する。 下記の結果が得られ、現在、論文執筆中である。 (1)SiO2層厚が薄い場合の価電子帯バンドオフセットのSiO2層厚依存性と、ホールの侵入長評価:SiO2層厚が減少すると価電子帯のバンドオフセットは減少する。これはSiO2層のエネルギーギャップの減少による。ホールの侵入長と価電子帯のバンドオフセットの結果は、コンシステントな結果を与える。 (2)Si層厚が薄い場合の、エネルギーギャップと価電子帯のバンドオフセットの、Si層厚依存性:Si層厚が減少するとエネルギーギャップは増加し、価電子帯のバンドオフセットは減少する。これは、Si層での量子閉じ込め効果による。 (3)価電子帯のバンドオフセットの、電子・正孔注入濃度依存性:電子注入により価電子帯のバンドオフセットは増加し、正孔注入により価電子帯のバンドオフセットは減少する。これは、Si層内のキャリア注入により静電ポテンシャルが変化することによる。, 13640322
研究期間 2001年 - 2002年

多摩科学技術高校模擬講義
出演, 出前授業
2022年11月22日 - 2022年11月22日

佐原高校模擬授業
出演, 出前授業
2022年07月13日 - 2022年07月13日

EAJジェンダーシンポジウム「イノベーションと多様性」
出演, 日本工学アカデミー, セミナー・ワークショップ
2022年05月06日 - 2022年05月06日