野崎　眞次

名誉教授・その他関係者名誉教授
研究者情報

学位

  • 工学士, 東京工業大学
  • 工学修士, カンサス州ウイッチタ州立大学（米国）
  • 工学博士, カーネギーメロン大学大学院（米国）

研究キーワード

  • レクテナ
  • 酸化物半導体
  • scanning probe microscopy
  • semiconductor memories
  • oxide
  • Compound Semiconductor Materials and Devices
  • Silicon VLSI Process Technology
  • Nanomaterials and Devices
  • 太陽電池
  • 酸化膜
  • 走査型プローブ顕微鏡
  • 半導体メモリ
  • トランジスタ）
  • デバイス(LED
  • 化合物半導体材料
  • シリコン集積回路プロセス材料
  • デバイス
  • ナノ材料

研究分野

  • ナノテク・材料, 応用物理一般
  • ナノテク・材料, 応用物性
  • ナノテク・材料, ナノ材料科学
  • ナノテク・材料, 薄膜、表面界面物性
  • ナノテク・材料, 無機材料、物性
  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電子デバイス、電子機器
  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電気電子材料工学

経歴

  • 2008年06月30日 - 2008年08月26日
    マルセーユCNRS仏国立研究所, 客員教授
  • 2003年11月01日
    電気通信大学電気通信学部, 教授
  • 1993年04月01日 - 2003年10月31日
    電気通信大学電気通信学部, 助教授
  • 2002年06月 - 2002年08月
    マルセーユCNRS仏国立研究所, 客員教授
  • 2001年10月
    ナノテコ株式会社, 取締役兼任
  • 2001年06月 - 2001年09月
    マルセーユCNRS仏国立研究所, 客員教授
  • 1999年06月 - 2000年03月
    カリフォルニア大学バークレー校（文部省在外研究員）, 客員研究員
  • 1991年06月 - 1993年04月
    東京工業大学, 客員助教授
  • 1984年08月 - 1993年03月
    インテルコーポレーション（米国）, 主席研究員
  • 1989年04月 - 1991年05月
    東京工業大学, 客員研究員
  • 1988年04月 - 1989年03月
    名古屋工業大学, 客員研究員

学歴

  • 1984年07月
    カーネギメロン大学大学院（米国）, カーネギー工学科, 電気工学科, アメリカ合衆国
  • 1969年04月 - 1972年03月
    福井県立藤島高等学校

委員歴

  • 2012年12月01日 - 2014年11月30日
    専門委員, 日本学術振興会科学研究費委員会, 政府
  • 2001年04月01日 - 2003年03月31日
    シリコンテクノロジー分科会幹事, 応用物理学会, 学協会
  • 1996年10月 - 1998年09月
    自己組織化プロセス技術調査専門委員会幹事, 電気学会, 学協会
  • 1993年 - 1998年
    電子デバイス研究専門委員, 電子情報通信学会, 学協会
  • 1993年 - 1997年
    調査専門委員, 電気学会, 学協会
  • 1992年 - 1995年
    エレクトロニクス部門和文誌編集委員, 電子情報通信学会, 学協会
研究活動情報

受賞

  • 受賞日 2004年05月
    EC
    European Materials Research Society Contribution
  • 受賞日 2003年05月
    半導体理工学研究センター感謝状
  • 受賞日 2002年06月
    EC
    European Materials Research Society Contribution
  • 受賞日 2001年03月
    矢崎学術賞

論文

  • CdS nanowires formed by chemical synthesis using conjugated single-stranded DNA molecules
    S. N. Sarangi; S. N. Sahu; S. Nozaki
    Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, Elsevier B.V., 97巻, -号, 掲載ページ 64-68, 出版日 2018年03月01日, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Deep level characterization improved by Laplace charge transient spectroscopy
    Shumpei Koike; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
    International Journal of Engineering and Applied Sciences, 5巻, 2号, 掲載ページ 66-69, 出版日 2018年02月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Electron beam irradiation effect on the mechanical properties of nanosilica-filled polyurethane films
    Fei Dong; Suraj Maganty; Stephan J. Meschter; Shinji Nozaki; Takeshi Ohshima; Takahiro Makino; Junghyun Cho
    POLYMER DEGRADATION AND STABILITY, 141巻, -号, 掲載ページ 45-53, 出版日 2017年07月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Development of laser lift-off process with a GaN/Al0.7Ga0.3N strained-layer superlattice for vertical UVC LED fabrication
    David Doan; Shinji Nozaki; Kazuo Uchida
    International Journal of Engineering and Applied Sciences, 4巻, 4号, 掲載ページ 51-56, 出版日 2017年04月01日, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • ZnO-nanorods: A Possible White LED Phosphor
    Sachindra Nath Sarangi; T. Arun; Dinseh K. Ray; Pratap Kumar Sahoo; Shinji Nozaki; Noriyuki Sugiyama; Kazuo Uchida
    61ST DAE-SOLID STATE PHYSICS SYMPOSIUM, 1832巻, 060022号, 掲載ページ 060022-1-060022-3, 出版日 2017年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
    DOI URL
  • ZnO-nanorods: A Possible White LED Phosphor
    Sachindra Nath Sarangi; T. Arun; Dinseh K. Ray; Pratap Kumar Sahoo; Shinji Nozaki; Noriyuki Sugiyama; Kazuo Uchida
    61ST DAE-SOLID STATE PHYSICS SYMPOSIUM, 1832巻, -号, 掲載ページ 060022-1-060022-3, 出版日 2017年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
    DOI URL
  • Growth mechanism of single-crystalline NiO thin films grown by metal organic chemical vapor
    Teuku Muhammad Roffi; Shinji Nozaki; Kazuo Uchida
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 451巻, -号, 掲載ページ 57-64, 出版日 2016年10月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • InGaP/GaAs heterojunction photosensor powered by an on-chip GaAs solar cell for energy harvesting
    Phuc Hong Than; Kazuo Uchida; Takahiro Makino; Takeshi Ohshima; Shinji Nozaki
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 55巻, 4号, 掲載ページ 04ES09-1-04ES09-6, 出版日 2016年04月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Effects of electrical stress on the InGaP/GaAs heterojunction phototransistors
    Phuc Hong Than; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
    IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, IEEE, 15巻, 4号, 掲載ページ 1-6, 出版日 2015年12月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Low-temperature formation of high-quality gate oxide by ultraviolet irradiation on spin-on-glass
    R. Usuda; K. Uchida; S. Nozaki
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 107巻, 18号, 掲載ページ 182903-1-182903-4, 出版日 2015年11月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Spectroscopic ellipsometry study of the free-carrier and band-edge absorption in ZnO thin films: Effect of non-stoichiometry
    Chaman Singh; Shinji Nozaki; Shyama Rath
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 118巻, 19号, 掲載ページ 195305-1-195305-9, 出版日 2015年11月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Visible-blind ultraviolet photodiode fabricated by UVoxidation of metallic zinc on p-Si
    Dongyuan Zhang; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 118巻, 9号, 掲載ページ 094502-1-094502-8, 出版日 2015年09月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • ZnO Nanorod-Based Non-Enzymatic Optical Glucose Biosensor
    Sachindra Nath Sarangi; Shinji Nozaki; Surendra Nath Sahu
    JOURNAL OF BIOMEDICAL NANOTECHNOLOGY, 11巻, 6号, 掲載ページ 988-996, 出版日 2015年06月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Structural, electrical, and optical properties of CoxNi1-xO films grown by metalorganic chemical vapor deposition
    Teuku Muhammad Roffi; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 414巻, -号, 掲載ページ 123-129, 出版日 2015年03月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Raman modes, dipole moment and chirality in periodically positioned Au-8 clusters
    A. Pradhani; O. Halder; S. Nozaki; S. Rath
    RSC ADVANCES, 5巻, 80号, 掲載ページ 65208-65213, 出版日 2015年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Effects of Electrical Stress and High-Energy Electron Irradiation on the InGaP/GaAs Heterojunction Phototransistor
    Phuc Hong Than; Kazuo Uchida; Takahiro Makino; Takeshi Ohshima; Shinji Nozaki
    Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Cambridge Journals, 1792巻, -号, 掲載ページ DOI:10.1557/opl.2015.403--, 出版日 2015年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
    DOI URL
  • NiO/Si heterostructures formed by UV oxidation of nickel deposited on Si substrates
    Dongyuan Zhang; Shinji Nozaki; Kazuo Uchida
    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 32巻, 3号, 掲載ページ 0131202-1-0131202-6, 出版日 2014年05月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • High-quality gate oxide formed at 150 °c for flexible electronics
    Yasuhiro Iijima; Ryo Usuda; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
    Japanese Journal of Applied Physics, Japan Society of Applied Physics, 53巻, 8号, 掲載ページ 08LC05-1-08LC05-5, 出版日 2014年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
    DOI URL
  • Hydrothermal growth of zinc oxide nanorods and glucose-sensor application
    Shinji Nozaki; Sachindra N. Sarangi; Kazuo Uchida; Surendra Sahu
    Soft Nanoscience Letters, 3巻, -号, 掲載ページ 23-26, 出版日 2013年12月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • InGaP/GaAsヘテロ接合フォトトランジスタの温度特性
    Phuc Hong THAN; 高木保志; 内田和男; 野崎眞次
    電子情報通信学会論文誌 C, 一般社団法人電子情報通信学会, J96-C巻, 9号, 掲載ページ 238-244, 出版日 2013年09月, 査読付, InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)の温度特性はこれまで多く調べられ,報告されているが,InGaP/GaAsヘテロ接合フォトトランジスタ(HPT)の温度特性についてはほとんど報告例がない.本研究では,白色光に対する光応答の高感度検出への応用を目的に,InGaP/GaAs HPTを作製し,300〜400Kの温度範囲でInGaP/GaAs HPTの電流利得β及び受光感度Sを測定した.その結果,電流利得βは温度とともに減少し,受光感度Sは320Kまで増加するがその後は減少した.これらの実験結果は,HPTの三端子等価回路により説明された.また,HBTにおいて露出した高濃度GaAsベース表面でのキャリヤの再結合を抑制し,電流利得を高めるエミッタレッジパッシベーションのHPTにおける効果も検証した.エミッタレッジパッシベーションは,HPTにおいても全ての測定温度で高い電流利得β及び受光感度Sを維持するのに有効であった.特にエミッタレッジパッシベーションは,HBT以上にHPTの高性能化に貢献することが明らかとなった.
    研究論文（学術雑誌）, 日本語
    URL
  • Effects of radiation-induced defects on the charge collection efficiency of a silicon carbide particle detector
    Naoya Iwamoto; Shinobu Onoda; Takeshi Ohshima; Shinji Nozaki; Kazutoshi Kojima
    Proceeding of SPIE, 8725巻, -号, 掲載ページ 87252G-1 – 87252G-8, 出版日 2013年07月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Highly p-typed superlattices consist of undoped InAs and carbon-doped GaAs layers
    Kazuo Uchida; Heisuke Kanaya; Hiroshi Imanishi; Atsushi Koizumi; Shinji Nozaki
    Journal of Crystal Growth, 370巻, -号, 掲載ページ 197-199, 出版日 2013年04月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Characterization of order/disordered GaInP/GaAs heterointerface by the quantum hall effect
    Kazuo Uchida; Kiwamu Satoh; Keita Asano; Atsushi Koizumi; Shinji Nozaki
    Journal of Crystal Growth, 370巻, -号, 掲載ページ 136-140, 出版日 2013年04月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Selective growth of ZnO nanorods by the hydrothermal technique
    Shinji Nozaki; Sachin N. Sarangi; Surendra N. Sahu; Kazuo Uchida
    Advances Natural Sciences: Nanoscience and Nanotechnology, 4巻, 掲載ページ 015008 (4pp), 出版日 2013年01月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • E-1/E-2 traps in 6H-SiC studied with Laplace deep level transient spectroscopy
    A. Koizumi; V. P. Markevich; N. Iwamoto; S. Sasaki; T. Ohshima; K. Kojima; T. Kimoto; K. Uchida; S. Nozaki; B. Hamilton; A. R. Peaker
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 102巻, 3号, 掲載ページ 032104-1 – 032104-4, 出版日 2013年01月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Intense ultraviolet photoluminescence observed at room temperature from NiO nanoporous thin films grown by the hydrothermal technique,
    Sachindra Nath Sarangi; Dongyuan Zhang; Kumar Sahoo; Kazuo Uchida Surendra Nath Sahu; Shinji Nozaki
    Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1494巻, -号, 掲載ページ DOI: 10.1557/0pl.2012.1699, 出版日 2013年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Fabrication of a p-NiO/n-Si heterojunction diode by UV oxidation of Ni deposited on n-Si
    Dongyuan Zhang; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
    Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1494巻, -号, 掲載ページ DOI: 10.1557/0pl.2013.520, 出版日 2013年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Effect of O2/Ni ratio on structure and surface morphology of atmospheric pressure MOCVD grown NiO thin films
    Teuku M. Roffi; Motohiko Nakamura; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
    Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1577巻, -号, 掲載ページ DOI: 10.1557/0pl.2013.651, 出版日 2013年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • High-quality single crystalline NiO with twin phases grown on sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
    Kazuo Uchida; Ken-ichi Yoshida; Dongyuan Zhang; Atsushi Koizumi; Shinji Nozaki
    AIP ADVANCES, 2巻, 掲載ページ 042154-1 – 042154-5, 出版日 2012年11月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Microstructure developments of F-doped SiO2 thin films prepared by liquid phase deposition
    Shijun Yu; Jae Sung Lee; Shinji Nozaki; Junghyun Cho
    THIN SOLID FILMS, 520巻, 6号, 掲載ページ 1718-1723, 出版日 2012年01月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Defects in an electron-irradiated 6H-SiC diode studied by alpha particle induced charge transient spectroscopy: Their impact on the degraded charge collection efficiency
    N. Iwamoto; A. Koizumi; S. Onoda; T. Makino; T. Ohshima; K. Kojima; S. Koike; K. Uchida; S. Nozaki
    Materials Science Forum, 717 - 720巻, 掲載ページ 267-270, 出版日 2012年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Peak degradation of heavily-ion induced transient currents in 6H-SiC MOS capacitors
    T. Makino; N. Iwamoto; S. Onoda; T. Ohshima; K. Kojima; S. Nozaki
    Materials Science Forum, 717-720巻, 掲載ページ 469-472, 出版日 2012年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Single-Alpha-Particle-Induced Charge Transient Spectroscopy of the 6H-SiC p(+)n Diode Irradiated With High-Energy Electrons
    Naoya Iwamoto; Atsushi Koizumi; Shinobu Onoda; Takahiro Makino; Takeshi Ohshima; Kazutoshi Kojima; Shunpei Koike; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
    IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 58巻, 6号, 掲載ページ 3328-3332, 出版日 2011年12月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Improvement of high-power-white-LED lamp performance by liquid injection
    T. M. Roffi; I. Idris; K. Uchida; S. Nozaki; N. Sugiyama; H. Morisaki; F. X; N. Soelami
    Proceedings of the 2011 International Conference of Electrical Engineering and Informatics, IEEE Catalog Number巻, CFP1177H-CDR号, 掲載ページ F2-4, 出版日 2011年07月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Transient Analysis of an Extended Drift Region in a 6H-SiC Diode Formed by a Single Alpha Particle Strike and Its Contribution to the Increased Charge Collection
    N. Iwamoto; S. Onoda; T. Makino; T. Ohshima; K. Kojima; A. Koizumi; K. Uchida; S. Nozaki
    IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 58巻, 1号, 掲載ページ 305-313, 出版日 2011年02月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • In situ CBrCl_3_ etching to control size and density of InAs/GaAs quantum dots
    Atsushi Koizumi; Hiroshi Imanishi; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
    Journal of Crystal Growth, 315巻, 1号, 掲載ページ 106 – 109, 出版日 2011年01月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Compensation-dependent carrier transport of Al-doped p-type 4H-SiC
    Atsushi Koizumi; Naoya Iwamoto; Shinobu Onoda; Takeshi Ohshima; Tsunenobu Kimoto; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
    Materials Science Forum, 679 - 680巻, 掲載ページ 201-204, 出版日 2011年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Oxygen ion induced charge in SiC MOS capacitors irradiated with gamma-rays
    Takeshi Ohshima; Naoya Iwamoto; Shinobu Onoda; Takahiro Makino; Shinji Nozaki; Kazutoshi
    Materials Science Forum, 679 - 680巻, 掲載ページ 362-365, 出版日 2011年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Refreshable decrease in peak height of ion beam induced transient current from silicon carbide metal-oxide-semiconductor capacitors
    T. Ohshima; N. Iwamoto; S. Onoda; T. Makino; M. Deki; S. Nozaki
    Proceedings of the 21nd International Conference on the Application of Accelerators in Research and Industry (AIP Conference Proceedings), 1336巻, -号, 掲載ページ 660 – 664, 出版日 2011年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Charge Enhancement Effects in 6H-SiC MOSFETs Induced by Heavy Ion Strike
    Shinobu Onoda; Takahiro Makino; Naoya Iwamoto; Gyorgy Vizkelethy; Kazutoshi Kojima; Shinji Nozaki; Takeshi Ohshima
    IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 57巻, 6号, 掲載ページ 3373-3379, 出版日 2010年12月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Aqueous-based synthesis of atomic gold clusters: Geometry and optical properties
    S. Rath; S. Nozaki; D. Palagin; V. Matulis; O. Ivashkevich; S. Maki
    Applied Physics Letters, 97巻, 掲載ページ 05310 -1 – 053103-3, 出版日 2010年08月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • DNA template driven CdSe nanowires and nanoparticles: Structure and optical properties
    S. N. Sarangi; S. Rath; K. Goswami; S. Nozaki; S. N. Sahu
    Physica E, 42巻, 掲載ページ 1670 – 1674, 出版日 2010年01月
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Charge collection efficiency of 6H-SiC P+N diodes degraded by low-energy electron irradiation
    N. Iwamoto; S. Onoda; T. Ohshima; K. Kojima; A. Koizumi; K. Uchida; S. Nozaki
    Materials Science Forum, 645 - 648巻, 掲載ページ 921-924, 出版日 2010年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Comparative study on reliability of InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors with highly Zn- and C-doped base layers
    Atsushi Koizumi; Kazuki Oshitanai; Jaesung Lee; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
    MRS Proceedings 2009, 1195巻, B06号, 掲載ページ 02, 出版日 2010年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Characterization of MOVPE-grown p-InGaAs/n-InP interfaces
    Kazuo Uchida; Hidenori Yamato; Yoshikuni Tomioka; Atsushi Koizumi; Shinji Nozaki
    Journal of Crystal Growth, 311巻, 掲載ページ 4011 – 4015, 出版日 2009年07月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • InGaP/GaAs heterointerfaces studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy and their impact on the device characteristics
    S. Nozaki; A. Koizumi; K. Uchida; H. Ono
    Proceedings of the International Conference Nanomeeting-2009: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures, 掲載ページ 18-23, 出版日 2009年05月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Enhancement of the visible luminescence from the ZnO nanocrystals by Li and Al co-doping
    J. Nayak; S. Kimura; S. Nozaki
    JOURNAL OF LUMINESCENCE, 129巻, 1号, 掲載ページ 12-16, 出版日 2009年01月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Detection of low-density Ge nanoparticles using surface-enhanced Raman spectroscopy
    Shyama Rath; Somaditya Sen; Shinji Nozaki; Masahide Tona; Shunsuke Ohtani; K. P. Jain
    Advanced Science Letters, 2巻, 3号, 掲載ページ 377 – 380, 出版日 2009年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • High-quality oxide formed by evaporation of SiO nanopowder: Application to MOSFET’s on plastic substrates and GaN epilayers
    S. Nozaki; S. Kimura; A. Koizumi; H. Ono; K. Uchida
    Materials Science in Semiconductor Processing, 11巻, 掲載ページ 384-389, 出版日 2009年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • High-quality oxide formed by evaporation of SiO nanopowder: Application to MOSFET’s on plastic substrates and GaN epilayers
    S. Nozaki; S. Kimura; A. Koizumi; H. Ono; K. Uchida
    Materials Science in Semiconductor Processing, 11巻, 掲載ページ 384 – 389, 出版日 2009年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Photoluminescence of Si nanocrystals formed by the photosynthesis
    S. Nozaki; C. Y. Chen; S. Kimura; H. Ono; K. Uchida
    THIN SOLID FILMS, 517巻, 1号, 掲載ページ 50-54, 出版日 2008年11月
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Thermal and ion induced annealing of nanocrystalline ZnO thin film deposited by atom beam sputtering
    D. C. Agarwal; F. Singh; D. Kabiraj; S. Sen; P. K. Kulariya; I. Sulania; S. Nozaki; R. S. Chauhan; D. K. Avasthi
    J. Phys. D: Appl. Phys., 41巻, 4号, 掲載ページ 045305 – 045310, 出版日 2008年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Persistent photoconductivity in ZnO nanorods deposited on electro-deposited seed layers of ZnO
    J. Nayak; J. Kasuya; A. Watanabe; S. Nozaki
    J. Phys. Condensed Matter, 20巻, 掲載ページ 195222-1 – 5, 出版日 2008年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Effect of substrate on the structure and opticl properties of ZnO nanorods
    J. Nayak; S. N. Sahu; J. Kasuya; S. Nozaki
    J. Phys. D: Appl. Phys., 41巻, 掲載ページ 115303-1 – 6, 出版日 2008年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • CdS-ZnO composite nanorods: Synthesis, characterization and application for photocatalytic degradation of 3,4-dihydroxy benzoic acid
    J. Nayak; S. N. Sahu; J. Kasuya; S. Nozaki
    Appl. Surface Science, 254巻, 22号, 掲載ページ 7215 – 7218, 出版日 2008年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Growth and optical properties of SnO2 ultra-small nanorods by the novel micelle technique
    S. Rath; S. Nozaki; H. Ono; K. Uchida; S. Khojima
    Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1087巻, 掲載ページ 1087-V03-29, 出版日 2008年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Photo-modification and synthesis of semiconductor nanocrystals
    S. Nozaki; C. Y. Chen; H. Ono; K. Uchida
    SURFACE SCIENCE, 601巻, 13号, 掲載ページ 2549-2554, 出版日 2007年07月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Correlation between the base-emitter interface crystallinity quality and the current gain in InGaP/GaAs HBTs grown by MOVPE
    Kazuo Uchida; Airi Kurokawam; Fu-Ying Yang; Zhi Jin; Shinji Nozaki; Hiroshi Morisaki
    J. Crystal Growth, 298巻, 掲載ページ 861 – 866, 出版日 2007年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Yellowish-white photoluminescence from ZnO nanoparticles doped with Al and Li
    J. Nayak; S. Kimura; S. Nozaki; H. Ono; K. Uchida
    Superlattices and Microstructures, 42巻, 掲載ページ 438 – 443, 出版日 2007年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Mechanically strong ultralow-k nanoporous silica made of SiOx nanoparticles
    Shinji Nozaki; Hiroshi Ono; Kazuo Uchida
    Proceedings of Advance Metallization Conference 2006, 掲載ページ 413 – 417, 出版日 2007年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Selective formation of size-controlled silicon nanocrystals by photosynthesis in SiO nanoparticle thin film
    Changyong Chen; Seiji Kimura; Shinji Nozaki; Hiroshi Ono; Kazuo Uchida
    IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, 5巻, 6号, 掲載ページ 671-676, 出版日 2006年11月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Position and size-controlled photosynthesis of silicon nanocrystals in SiO2 films
    C. Y. Chen; S. Kimura; S. Sen; S. Nozaki; H. Ono; K. Uchida; H. Morisaki
    Proceedings of NanoSingapore 2006: IEEE Conference on Emerging Technologies-Nanoelectronics, 掲載ページ 289 – 292, 出版日 2006年01月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • GaAs nanocrystals: Structure and vibrational properties
    J. Nayak; S. N. Sahu; S.Nozaki
    Applied Surface Science, 252巻, 掲載ページ 2867 – 2874, 出版日 2006年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Light scattering spectroscopies of semiconductor nanocrystals (quantum dots)
    Peter Y. Yu; Grant Gardner; Shinji Nozaki; Isabelle Berbezier
    J. Phys.: Conference Series, 28巻, 掲載ページ 1 – 6, 出版日 2006年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Passivation of InP-based HBTs
    Z. Jin; K. Uchida; S. Nozaki; W. Prost; F.-J. Tegude
    Applied Surface Science, 252巻, 掲載ページ 7664 – 7670, 出版日 2006年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Electron energy levels in ZnSe quantum dots
    V. V. Nikesh; Amit D. Lad; Seiji Kimura; Shinji Nozaki; Shailaja Mahamuni
    J. Appl. Phys., 100巻, 11号, 掲載ページ 113520-1 – 113520-6, 出版日 2006年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Low-temperature formation of high-quality SiOx thin films by evaporation of SiO nanopowder
    Shinji Nozaki; Seiji Kimura; Hiroshi Ono; Kazuo Uchida
    Digest of Technical Papers, 掲載ページ 19 – 22, 出版日 2006年
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Material Issues in high-frequency GaInP/GaAs heterojunction bipolar transistors
    Shinji Nozaki; Hiroshi Ono; Kazuo Uchida; Hiroshi Morisaki
    Proceedings of the XIII International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, vol. II, 掲載ページ 741 – 747, 出版日 2005年12月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • エレクトロニクス素子と集積の総合理解を目指す教育ー研究・教育活性化支援システム教育プロジェクトー（共著）
    野崎眞次; 範 公可
    電気通信大学紀要, 17巻, 1,2号, 掲載ページ 119-127, 出版日 2005年01月, 査読付
    研究論文（大学，研究機関等紀要）, 日本語
  • DNA template-driven synthesis of HgTe nanoparticles
    S. Rath; G.B.N. Chainy; S. Nozaki; S. N. Sahu
    Physica E, 30巻, 掲載ページ 182 – 185, 出版日 2005年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Self-limiting photo-assisted synthesis of silicon nanocrystals
    C. Y. Chen; S. Kimura; S.Sen; S. Nozaki; H. Ono; K. Uchida; H. Morisaki
    Mat. Res. Soc. Symp. Procs. 832, 掲載ページ F10.21.1 – F10.21.6, 出版日 2005年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • SiOx超微粒子の蒸着による低温シリコン酸化膜の作製（共著）
    木村 誠二; 野崎 眞次; 内田 和男; 小野 洋; 森崎 弘; 川崎 卓
    電気通信大学共同研究成果発表会, 掲載ページ 11-12, 出版日 2004年06月
    日本語
  • Optical nonlineality of monodispersed, capped ZnS quantum particles（共著）
    V. V. Nikesh; A. Dharmadhikari; H. Ono; S. Nozaki; G. R. Kumar; S. Mahamuni
    Appl. Phys. Lett., 84巻, 23号, 掲載ページ 4602 – 4604, 出版日 2004年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Growth and characterization of p-type InGaAs on InP substrates by LP-MOCVD using a new carbon-dopant source, CBrCl3（共著）
    K. Uchida; K. Takahashi; S. Kabe; S. Nozaki; H. Morisaki
    J. Crystal Growth, 272巻, 掲載ページ 658 – 663, 出版日 2004年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Quantum confinement effect in HgTe nanocrystals and visible luminescence（共著）
    S. Rath; A. K. Dash; S. N. Sahu; S. Nozaki
    International Journal of Nanoscience, 3巻, 3号, 掲載ページ 393 – 401, 出版日 2004年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Substrate Nanostructuration: Self-assembling and Nanoparticles
    I. Berbezier; A. Pimpinelli; R. Hull; S. Nozaki
    Superlattices and Microstructures(European Materials Research Society Symposia Proceedings), 36巻, 1-3号, 出版日 2004年
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Fabrication of nanostructured palladium-doped SiO2 films with variable temperature coefficient of resistivity
    Takahisa Ichinohe; Susumu Masaki; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki; Hiroshi Morisaki
    Thin Solid Films, 466巻, 掲載ページ 27 – 33, 出版日 2004年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Real-time measurement of rocking curves during MOVPE growth of GaxIn1-xP/GaAs（共著）
    S. Bhunia; T. Kawamura; Y. Watanabe; S. Fujikawa; J. Matsui; Y. Kagoshima; Y. Tsusaka; K. Uchida; S. Nozaki; H. Morisaki
    Appl. Surface Science, 216巻, 1-4号, 掲載ページ 382-387, 出版日 2003年06月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Heavily carbon doping of GaAs by MOVPE using a newdopant source CBrCl3 and characterization of the epilayers(共著)
    K. Uchida; S. Bhunia; N. Sugiyama; M. Furiya; M. Katoh; S. Katoh; S. Nozaki; H. Morisaki
    J. Crystal Growth, 248巻, 掲載ページ 124-129, 出版日 2003年02月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Metal organic vapor phase epitaxial growth of heavily carbon-doped GaAs using a dopant source of CCl3 and quantitative analysis of the compensation mechanism in the epilayers(共著)
    S. Bhunia; K. Uchida; S. Nozaki; N. Sugiyama; M. Furiya; H. Morisaki
    J. Appl. Phys., 93巻, 3号, 掲載ページ 1613-1619, 出版日 2003年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Metal organic vapor phase epitaxial growth of heavily carbon-doped GaAs using a dopant source of CCl3 and quantitative analysis of the compensation mechanism in the epilayers（共著）
    S. Bhunia; K. Uchida; S. Nozaki; N. Sugiyama; M. Furiya; H. Morisaki
    J. Appl. Phys., 93巻, 3号, 掲載ページ 1613 – 1619, 出版日 2003年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • The effects of Sb on the oxidation of Ge quantum dots（共著）
    Y. S. Lim; F. Bassani; A. Portavoce; A. Ronda; S. Nozaki; I. Berbezier
    Materials Science and Engineering, B101巻, 1-3号, 掲載ページ 190-193, 出版日 2003年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • EMRS 2002 Symposium S: Micro- and Nano-Structured Semiconductors
    I.Berbezier; A. Nassiopoulou; S. Nozaki
    Materials Science and Engineering, B101巻, 1-3号, 出版日 2003年
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • 超音速ジェットノズルによるシリコン超微粒子浮遊ゲートMOSキャパシターの作製(共著)
    野村政人; 野崎真次; 小野 洋; 内田和男; 森崎 弘
    応用物理学会分科会シリコンテクノロジーNo.46「量子サイズシリコン系素子−新機能と応用—」特集号, 46号, 掲載ページ 39-42, 出版日 2002年11月
    日本語
  • ダブルヘテロGaAs/GaInP HBTのDC特性変化(共著)
    降矢美保; 高橋一真; 浜 俊彦; 小野 洋; 内田和男; 野崎真次; 森崎 弘; 本城和彦
    第63回応用物理学会学術講演会予稿集, 25p-YD-8巻, 掲載ページ 288, 出版日 2002年09月
    日本語
  • Ultralow K nanoporous silica by oxidation of silicon nanocrystals（共著）
    Shinji Nozaki; H. Ono; K. Uchida; H. Morisaki; N. Ito; M. Yoshimaru
    2002 International Interconnect Technology Conference (IEEE), 掲載ページ 69, 出版日 2002年06月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Oxidation study on Ge quantum dots(共著)
    Y. S. Lim; I. Berbezier; A. Portavoce; S. Nozaki; F. Bassani; A. Ronda
    European Materials Research Society 2002 Spring Meeting, 出版日 2002年06月
    英語
  • Si超微粒子熱酸化によるナノポーラスシリカ膜の作製(共著)
    安富大祐; 木原尚志; 小野 洋; 内田和男; 野崎真次; 森崎 弘; 吉丸正樹
    電気通信大学共同研究センター第7回共同研究成果発表会, 出版日 2002年05月
    日本語
  • A photo-oxidation generated low-k dielectric film deposited by reactive evaporation of SiO（共著）
    J. J. Si; Y. Show; S. Banerjee; H. Ono; K. Uchida; Shinji Nozaki; H. Morisaki
    Microelectronic Engineering (Elsevier Science), 60巻, 3-4号, 掲載ページ 313-321, 出版日 2002年04月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Capacitance-voltage hysteresis in the metal-oxide-semiconductor capacitor with Si nanocrystals deposited by the gas evaporation technique（共著）
    P. Mishra; S. Nozaki; R. Sakura; H. Morisaki; H. Ono; K. Uchida
    Materials Research Symposium Proceedings, 686巻, 掲載ページ A.5.4.1, 出版日 2002年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Electron transport in Ge nanocrystalline films deposited using the cluster beam evaporation technique(共著)
    S. Banerjee; S. Nozaki; H. Morisaki
    J. Appl. Phys., 91巻, 7号, 掲載ページ 4307-4311, 出版日 2002年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • "Correlation between the dielectric constant and porosity of nanoporoous silica thin films deposited by the gas evaporation technique"（共著）
    J. J. Si; H. Ono; K. Uchida; S. Nozaki; H. Morisaki; N. Ito
    Appl. Phys. Lett., 79巻, 19号, 掲載ページ 3140, 出版日 2001年11月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • "固相Siナノクラスターによる半導体メモリー"（共著）
    野崎真次; 佐倉 竜太; Puspashree Mishra; 内田和男; 森崎 弘
    ナノ・インテリジェント材料シンポジウム、未踏科学技術協会・インテリジェント材料フォーラム主催、平成１３年１１月１３日、東京青学会館 （招待講演）, 出版日 2001年11月
    日本語
  • Oxidation of MBE-grown Ge dots on Si and application to nanocrystal memories: Controlled positioning of Ge dots in SiO2
    S. Nozaki
    Si Ge Net Midterm Review Meeting, September 3 -4, 2001, Marseille, France (INVITED), 出版日 2001年09月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • In-situ study of growth mode by reflection of synchrotron x-ray during the metal organic vapor phase epitaxial growth of InP（共著）
    S. Bhunia; K. Uchida; S. Nozaki; H. Morisaki; T. Kawamura; Y. Watanabe; S. Fujikawa; J. Matsui; Y. Kagoshima; Y. Tsusaka
    International Conference on Crystal Growth - 13 in Conjunction with Vapor Growth and Epitaxy - 11, Kyoto, Japan, July 30 - Aug. 4., 出版日 2001年07月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Compression of the dc drain current by electron trapping in AlGaN/GaN modulation doped field-effect transistors（共著）
    S. Nozaki; H. Feick; E. R. Weber; M. Micovic; C. Nguyen
    Appl. Phys. Lett., 78巻, 19号, 掲載ページ 2896-2898, 出版日 2001年05月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Wurtzite silicon nanocrystals deposited by the cluster-beam evaporation technique（共著）
    J. Y. Zhang; H. Ono; K. Uchida; S. Nozaki; H. Morisaki
    Phys. Stat. Sol.（b）, 223巻, 掲載ページ 41-45, 出版日 2001年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Study on pressure working time and releasing rate for phase transformation of Ge（共著）
    M. Oh-ishi; S. Akiyama; K. Uchida; S. Nozaki; H. Morisaki
    Phys. Stat. Sol.（b）, 223巻, 掲載ページ 391-395, 出版日 2001年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Effect of hydrogen treatment on high efficiency electroluminescence device using silicon nanocrystals（共著）
    K. Sato; T. Izumi; M. Iwase; Y. Show; S. Nozaki; H. Morisaki
    Mat. Res. Soc. Fall Meeting, Boston, USA, Nov. 27 - Dec. 1, 2000, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 638巻, 掲載ページ F14.30.1-F14.30.6, 出版日 2001年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Formation of Ge nanocrystals passivated with Si by gas evaporation of Si and Ge（共著）
    J. J. Si; H. Ono; K. Uchida; S. Nozaki; H. Morisaki
    Materials Research Society Symposium Proceedings, 638巻, 掲載ページ F14.4.1, 出版日 2000年11月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Analysis of twin defects in GaAs(III)B molecular beam epitaxy growth（共著）
    Y. Park; M. Cich; R. Zhao; P. Specht; E. R. Weber; E. Stach; S. Nozaki
    Journal of Vacuum Science and Technology B, 18巻, 3号, 掲載ページ 1566-1571, 出版日 2000年05月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Ultra low K SiO_2_ thin films with nano-voids by gas-evaporation technique（共著）
    S. Nozaki; S. Banerjee; K. Uchida; H. Ono; H. Morisaki
    2000 International Interconnect Technology Conference, San Francisco, CA, June 5 - 7, 2000, Proceedings, 掲載ページ 140-142, 出版日 2000年
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • クラスタービーム法で作製したゲルマニウムナノクリスタル薄膜にみられるクーロンブロッケード特性
    Souri Banerjee; S. Nozaki; H. Morisaki
    Proceedings of the 10th International Workshop on Semiconductor Physics of Semiconductor Devices, 12/14-12/18/99, Delhi, India, 掲載ページ 931-936, 出版日 1999年12月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Study of growth process of germanicem nanocrystals using a grazing incidence x-ray diffraction method（共著）
    H. Ninomiya; N. Ito; S. Rath; S. Nozaki; H. Morisaki
    Journal of Vacwm Science and Technology B, 17巻, 5号, 掲載ページ 1903-1905, 出版日 1999年10月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Analysis of twin defects in GaAs（111）B MBE growth（共著）
    Y. Park; M. Cich; R. Zhao; P. Specht; E. R. Weber; E. Stach; S. Nozaki
    18th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy, Banff, Canada, Technical Digest, 掲載ページ 147, 出版日 1999年10月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Study of growth process of germanicem nanocrystals using a grazing incidence x-ray diffraction method（共著）
    H. Ninomiya; N. Ito; S. Rath; S. Nozaki; H. Morisaki
    Journal of Vacwm Science and Technology B, 17巻, 5号, 掲載ページ 1903-1905, 出版日 1999年09月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Volume plasmons in porous silicon（共著）
    S. Sato; S. Rath; S. Akiyama; S. Nozaki; H. Morisaki
    Journal of Applied Physics, 86巻, 3号, 掲載ページ 1774-1776, 出版日 1999年08月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Optical properties of tetragonal germanium nanocrystals deposited by the clcester-beam evaporation technique : New light emitting material for future（共著）
    S. Nozaki; S. Sato; S. Rath; H. Ono; H. Morisaki
    Bulletin of Materials Science, 22巻, 3号, 掲載ページ 377-381, 出版日 1999年05月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Plasmon loss features of germanium nanocrystals fabricated by the cluster-beam evaporation technique（共著）
    S. Sato; S. Nozaki; H. Morisaki
    Thin Solid Films, 343巻, 掲載ページ 481-483, 出版日 1999年04月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Coulomb-blockade effect observed at room temperature in Ge nanocrystalline films deposited by the cluster-beam evaporation technique（共著）
    Souri Banerjee; S. Nozaki; H. Morisaki
    Applied Physics Letters, 76巻, 4号, 掲載ページ 445-447, 出版日 1999年01月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Correlation between defect structures and light emission in Si-nanocrystal cloped SiO2 films（共著）
    K. Sato; Y. Sugiyama; T. Izumi; M. Iwase; Y. Show; S. Nozaki; H. Morisaki
    Materials Research Society Symposium Proceeclings, 536巻, 掲載ページ 57-61, 出版日 1999年, 査読付
    英語
  • High efficiency electroluminescence from anodically oxidized porous silicon（共著）
    Y. Show; S. Nozaki; H. Morisaki; M. Iwase; T. Izumi
    Electrochemical Society Proceedings, 99-22巻, 掲載ページ 3-9, 出版日 1999年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • SiドープSiO2薄膜の欠陥構造（共著）
    佐藤慶介; 岩瀬満雄; 和泉富雄; 野崎眞次; 森崎 弘
    東海大学紀要工学部, 1999年巻, 2号, 出版日 1999年
    研究論文（大学，研究機関等紀要）, 日本語
  • IMPROVEMENT OF RED LIGHT EMISSION IN H2 TREATED SILICON NANOCRYSTAL（共著）
    K. Sato; Y. Sugiyama; T. Izumi; M. Iwase; Y. Show; S. Nozaki; H. Morisaki
    Electrochemical Society Proceedings, 99-22巻, 掲載ページ 240-245, 出版日 1999年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Volume Plasmons in porous silicon（共著）
    S. Sato; S. Nozaki; H. Morisaki
    The 194th Meeting of the Electrochemical Society, Boston, USA, Nov. 1 - 6, 1998, Abstruct, 4巻, 出版日 1998年11月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Improved PL in porousslicon due to the compensation of the defect center by anodic oxidation（共著）
    Y. Show; S. Rath; S. Nozaki; H. Morisaki
    Matrials Research Societyu Symposium Proceedings, 536巻, 掲載ページ 57-62, 出版日 1998年11月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Plasmon loss features of germanium nanocrystals fabricated by the cluster-beam evaporation technique（共著）
    S. Sato; S. Nozaki; H. Morisaki
    The 14th InternationalVaccum Congress, Bermingham, UK, Aug. 31 - Sep. 4, 1998, Abstract Book, 掲載ページ 109, 出版日 1998年08月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Eviclence of a tetragonal structure of germanium nanocrystals prepared by the cluster-beam deposition technique（共著）
    Shyama Rath; S. Sato; H. Ono; S. Nozaki; H. morisaki
    Mate rials Chemistry and Physics, 54巻, 1-3号, 掲載ページ 244-246, 出版日 1998年07月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Density of states of the tetragonal-phase germanium nanocrystals using X-ray photoelectron spectroscopy（共著）
    S. Sato; S. Nozaki; H. Morisaki
    Applied Physics Letters, 72巻, 19号, 掲載ページ 2460-2462, 出版日 1998年05月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Germanium nanostructures deposited by the cluster-beam evaporation technique（共著）
    S. Nozaki; S. Sato; H. Ono; H. Morisaki
    The 3rd International Symposium on Advanced Physical Fields, Tsukuba, Japan, Fev. 18-20，1998（invited），Proceedings ofthe 3rd International Symposium on Advanced Physical Fields, N. Koguch et al.（ed），J. Surface Analysis,, 出版日 1998年02月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Germanium nanostructures deposited by the clusterbeam evaporation technique（共著）
    S. Nozaki; S. Sato; H. Ono; H. Morisaki
    J. Surface Analysis, 4巻, 2号, 掲載ページ 181-184, 出版日 1998年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Oxidation characteristics of Genanocrystals embedded in an SiO2 matrix（共著）
    Shyama Rath; H. Ono; S. Nozaki; H. morisaki
    J. Surface Analysis, 4巻, 2号, 掲載ページ 251-254, 出版日 1998年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Study of electriccel properties of Ge-nanocrystalline films depositecl by cluster-beam evaporation technique（共著）
    S. Banerjee; H. Ono; S. Nozaki; H. Morisaki
    Matrials Research Society Symposium Proceedings, 536巻, 掲載ページ 551-556, 出版日 1998年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Hydrogenated carbon nitride thin films deposited by the plasma chemical vapor deposition technique using trimethylamine and ammonia（共著）
    S. Kobayashi; S. Nozaki; H. Morisaki; S. Masaki
    Japanese Journal of Applied Physics, 36巻, 8号, 掲載ページ 5187-5191, 出版日 1997年08月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Photo-oxidation of germanium nanostructures deposited by the Cluster-beam evaporation technique(共著)
    S. Sato; S. Nozaki; H. Morisaki
    Journal of Applied Physics, 81巻, 3号, 掲載ページ 1518-1521, 出版日 1997年02月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Germanium nanostructures deposited by the cluster-beam evaporation technique(共著)
    S. NOZAKI; S. SATO; H. ONO; H. MORISAKI; M. IWASE
    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 121巻, 掲載ページ 455-458, 出版日 1997年
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Photoluminescence characteristics of HF-treated Silicon nanocrystals (共著)
    S. Nozaki; S. Sato; H. Ono; H. Morisaki
    Materials Research Society Symposium Proceeding, 452巻, 掲載ページ 159-164, 出版日 1997年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • The structure and optical properties of silicon ultrafine particles deposited by the gas-evaporation technique with a supersonic jet nozzle(共著)
    H. Ono; S. Nozaki; H. Morisaki
    Nanostructured Materials, 9巻, 1-8号, 掲載ページ 567-570, 出版日 1997年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Chracterization of diamond films for photoelectrolysis electrode（共著）
    H. Ono; T. Sone; K. Moriya; S. Nozaki; H. Morisaki; S. Yugo
    Diamond Films and Technology, 7巻, 5-6号, 掲載ページ 362-364, 出版日 1997年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Porous alloyed W/si Contacts for light emitting devices（共著）
    T. Ichinohe; S. Masaki; S. Nozaki; H. Norisaki
    Electrochemical Society Proceedings, 97-7巻, 掲載ページ 517-523, 出版日 1997年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Germanium nanostractures deposited by the Cluster-beam evaporation technique（共著）
    Shinji Nozaki; S. Sato; H. Ono; H. Morisaki
    Physics, Chemistry and Application of Nanostructures : Review and Short Notes to Nanomeeting '97, World Scientific, 掲載ページ 34-42, 出版日 1997年
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Germanium nanostructures deposited by the cluster-beam evaporation technique（共著）
    Shinji Nozaki; S, Sato; H. Ono; H. Morisaki
    Physics of Semiconductor Nanostructures, Narosa Publishing House, 掲載ページ 1-11, 出版日 1997年
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Raman scattering from germanium small particles（共著）
    S. Rath; T. Yamada; S. Sato; H. Ono; S. Nozaki; H. Morisaki
    Physics of Semiconductor Nanostructures, Narosa Publishing House, 掲載ページ 232-238, 出版日 1997年
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Electronic stucture of the valence band of tetragonal germanium nanostructures deposited by the cluster-beam evaporation technique（共著）
    S. Sato; S. Nozaki; H. Morisaki
    Electrochemical Society Proceedings, 97-11巻, 掲載ページ 177-184, 出版日 1997年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • MBE法による歪InGaAs/GaAs上へのInAs成長
    脇 英司; 山口浩一; 野崎真次
    第57回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 7aZH8巻, 掲載ページ 170, 出版日 1996年09月
    研究論文（その他学術会議資料等）, 日本語
  • Carbon nitride thin films deposited by the reactive ion beam sputtering technique(共著)
    S. Kobayashi; S. Nozaki; H. Morisaki; S. Fukui; S. Masaki
    Thin Solid Films, 281巻, 掲載ページ 289-293, 出版日 1996年08月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Visible light emission from the porous alloyed Pt/Si contacts(共著)
    T. Ichinohe; S. Nozaki; H. Morisaki
    Thin Solid Films, 281巻, 掲載ページ 610-612, 出版日 1996年08月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Nitrogen-ion irradiation during the deposition of C1-xNx thin films by ion beam sputtering technique(共著)
    S. Kobayashi; K. Miyazaki; S. Nozaki; H. Morisaki; S. Fukui; S. Masaki
    Journal of Vacuum Science and Technology A, 14巻, 3号, 掲載ページ 777-780, 出版日 1996年06月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Nitrogen-ion irradiation during the deposition of C1-xNx thin films by ion beam sputtering technique(共著)
    S. Kobayashi; K. Miyazaki; S. Nozaki; H. Morisaki; S. Fukui; S. Masaki
    Journal of Vacuum Science and Technology A, 14巻, 3号, 掲載ページ 777-780, 出版日 1996年05月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Correlation between light emission and dangling bonds in porous silicon(共著)
    M. Shimasaki; Y. Show; M. Iwase; T. Izumi; T. Ichinohe; S. Nozaki; H. Morisaki
    Applied Surace Science, 92巻, 掲載ページ 617-620, 出版日 1996年02月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Raman spectroscopy of germanium films deposited with cluster-beam technique(共著)
    M. Wakaki; M; Iwase; Y. Show; K. Koyama; S. Sato; S. Nozaki; H. Morisaki
    Physica B, 219/220巻, 掲載ページ 535-537, 出版日 1996年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Self-Limited stripe width in the seletive metalorganic chemical vapor deposition of GoAs(共著)
    K. Yamaguchi; S. Nozaki
    Electrochemical Society Proceedings, 96-2巻, 掲載ページ 253-261, 出版日 1996年
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Tetragonal gemanium nanostructures seposited by the cluter-beam evaporation technique(共著)
    S. Sato; S. Nozaki; H. Morisaki; M. Iwase
    Electrochemical Society Proceedings, 95-25巻, 掲載ページ 348-357, 出版日 1996年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Photosensitive teyragonal germanium nanostructuctwrs deposited by the cluster-beam evaporation(共著)
    Shinji Nozaki; S. Sato; H. Ono; H. Morisaki; M. Iwase; K. Takahashi
    Proceeclings of the Third International Conference on Intelligent Materials, 2779巻, 掲載ページ 260-265, 出版日 1996年
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Phase transformation of germanium ultrafine particles at high temperature(共著)
    S. Nozaki; S. Sato; H. Ono; H. Morisaki; M. Iwase
    Materials Research Society Symposium Proceeding, 405巻, 掲載ページ 223-228, 出版日 1996年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Over-relaxation of misfit strain in heauily carbondoped GoAs grown by metalorganic molecular beam epitaxy after annealing(共著)
    H. Sohn; E. R. Weber; S. Nozaki; K. Takahashi
    Applied Physics Letters, 67巻, 8号, 掲載ページ 1104-1106, 出版日 1995年08月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Intelligent materials in future electronics(共著)
    K. Takahashi; S. Nozaki
    IEEE Transactions on Components,Packaging, and Manufacturing Technology-Part A, 18巻, 2号, 掲載ページ 245-248, 出版日 1995年06月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Tetragonal germanium films deposited by the cluster-beam evaporation technique(共著)
    S. Sato; S. Nozaki; H. Morisaki
    Applied physics Letters, 66巻, 23号, 掲載ページ 3176-3178, 出版日 1995年06月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Cyclic Shifts in the Photoluminescence Spectra of the Porous Si in HF(共著)
    T. Ichinohe; S. Nozaki; H. Ono; H. Morisaki
    Applied Physics Letters, 66巻, 13号, 掲載ページ 1644-1646, 出版日 1995年03月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Ambient Scanning Tunneling Microscopy and Atomic Force Microscopy on GaAs (110) Treated with (NH4)2Sx and SeS2 Solutions(共著)
    Shinji Nozaki; S. Tamura; K. Takahashi
    Journal of Vacuum Science & Technology B, 13巻, 2号, 掲載ページ 297-304, 出版日 1995年03月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Electroluminescence from carbon-doped GaAs junctions with semi-insulating GaAS(共著)
    S. X. Tian; D. Haneman; S. Nozaki; K. Takahashi
    Applied Physics Letters, 66巻, 10号, 掲載ページ 1246-1248, 出版日 1995年03月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Blue Light Emission From Germanium Ultrafine Particles by the Gas Evaporation Tehnique(共著)
    Shinji Nozaki; S. Sato; A. Denda; H. Ono; H. Morisaki
    Materials Research Sopciety Symposium Proceedings, 358巻, 掲載ページ 133-138, 出版日 1995年
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Visible Ligth Emission from Si Nanostructures(共著)
    H. Morisaki; S. Nozaki
    Physics, Chemistry and Application of Nanostructures, 掲載ページ 18-24, 出版日 1995年
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Visible Light Emission from Silicon Doped SiO2 Thin Film Deposited by Sputtering(共著)
    Shinji Nozaki; H. Nakamura; H. Ono; H. Morisaki; N. Ito
    Japenese Journal of Applied Physics supplement, 34巻, suppl34-1号, 掲載ページ 122-124, 出版日 1995年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • PhotoIuminescence study on oxygen-containing silicon nanostructures(共著)
    S. Sato; H. Ono; S. Nozaki; H. Morisaki
    Nanostructured Materials, 5巻, 5号, 掲載ページ 589-598, 出版日 1995年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • From Intelligent Sensors to Fuzzy Sensors(共著)
    K. Takahashi; Shinji Nozaki
    Sensors and Actuators A, 40巻, 2号, 掲載ページ 89-91, 出版日 1994年02月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Design of Future Electron Devices with Intelligent Materials (共著)
    Shinji Nozaki; K. Takahashi
    J, Intelligent Material Systems and Structures, 5巻, 掲載ページ 136-140, 出版日 1994年01月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Blue Ligth Emission from Silicon Ultrafine Particles(共著)
    Shinji Nozaki; S. Sato; H. Ono; H. Morisaki
    Materials Research Society Symposium Proceedings, 351巻, 掲載ページ 399-404, 出版日 1994年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Research Activities on Intelligent Materials in Japan(共著)
    K. Takahshi; S. Nozaki
    Proceedings of the 2nd International Conference on Intelligent Materials, 掲載ページ 1230, 出版日 1994年
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Double-Layer Structure and Its Role in Visible-Light Emission from Porous Silicon(共著)
    H. Ono; T. Ichinohe; S. Nozaki; H. Morisaki
    Electrochemical Society Proceedings, 94-17巻, 掲載ページ 240-251, 出版日 1994年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Effects of Anodization Temperature on Photolumimescence From Porous Silicon (共著)
    H. Ono; H. Gomyo; H. Morisaki; S. Nozaki; Y. Show; M. Shimasaki; T. Izumi
    J. Electrochemical Society, 140巻, 12号, 掲載ページ L180-L182, 出版日 1993年12月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Study on Thermal Stability of Carbon-Doped GaAs Using Novel Metalorganic Molecular Beam Epitaxial Structures (共著)
    Shinji Nozaki; K. Takahashi; M. Shirahama; K. Nagao; J. Shirakashi; E. Tokumitsu; M. Konagai
    Applied Physics Letters, 62巻, 16号, 掲載ページ 1913-1915, 出版日 1993年04月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • クラスターによる人工原子の創製(共著)
    野崎真次; 森崎 弘; 高橋 清
    インテリジェント材料, 3巻, 2号, 掲載ページ 10-15, 出版日 1993年
    研究論文（学術雑誌）, 日本語
  • Carbon doping in molecular beam epitaxial (MBE) growth of GaAs using neopentane as a novel carbon source
    E. Tokumitsu; M. Shrahama; K. Nagao; Shinji Nozaki; M. Konagai; K. Takahashi
    The 7th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 出版日 1992年08月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Modeling of silicon diffusion in GaAs using well defined silicon doped molecular beam epitaxy structures（共著）
    J. J. Murray; M. D. Deal; E. L. Allen; D. A. Stevenson; Shinji Nozaki
    J. Electrocjemical Society, 139巻, 7号, 掲載ページ 2037, 出版日 1992年07月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Anomalous enhancement of beryllium diffusion in heavily carbon-doped GaAs（共著）
    E. Tokumitsu; J. Shirakashi; Shinji Nozaki; M. Konagai; K. Takahashi; K. Matsumoto; J. J. Murray
    The 19th International Symposium on GaAs and Related Compounds, 出版日 1992年07月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Raman study of heavily carbon-doped p-type InGaAs grown by MOMBE（共著）
    J. Shirakashi; E. Tokumitsu; M. Konagai; Shinji Nozaki; K. Takahashi
    11th Record of Alloy Semiconductor Physics and Electronics Symposium, 掲載ページ 53, 出版日 1992年07月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Design of the 21st-century electron devices with intelligent materials（共著）
    Shinji Nozaki; K. Takahashi
    Proceedings of the 1st International Conference on Intelligent Materials, 掲載ページ 33-38, 出版日 1992年03月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Enhanced carbon incorporation in InGaAs grown at low temperature by metalorganic molecular beam epitaxy (MOMBE) (共著)
    J. Shirakashi; E. Tokumitsu; M. Konagai; A. Miyano; R. T. Yoshioka; Shinji Nozaki; K. Tkahashi
    Extended Abstracts of the 1992 International Conference on Solid State Devices and Materials, 掲載ページ 705, 出版日 1992年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Heavily carbon-doped p-type InGaAs by MOMBE（共著）
    E. Tokumitsu; J. Shirakashi; M. Qi; T. Yamada; Shinji Nozaki; M. Konagai; K. Takahashi
    J. Crystal Growth, 120巻, 掲載ページ 301, 出版日 1992年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • The thermal stability of heavily carbon-doped GaAs grown by metalorganic molecular beam epitaxy（共著）
    H. Sohn; E. R. Weber; Shinji Nozaki; M. Konagai; K. Takahashi
    Materials Research Society Symposium Proceedings, 262巻, 掲載ページ 129, 出版日 1992年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • GaAs Pseudo-Heterojunction Bipolal Transistor with a Heavily Carbon-Doped Base (共著)
    Shinji Nozaki; K. Saito; J. Shirakashi; M. Qi; T. Yamada; E. Tokumitsu; M. Konagai; K. Takahashi; K. Matsumoto
    Japanese J. Applied Physics, 30巻, 12B号, 掲載ページ 3840, 出版日 1991年12月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • P-type carbon-doped InGaAs grown by metalorganic molecular beam epitaxy（共著）
    J. Shirakashi; T. Yamada; M. Qi; Shinji Nozaki; K. Takahashi; E. Tokumitsu; M. Konagai
    Japanese J. Applied Physics, 30巻, 9B号, 掲載ページ L1609, 出版日 1991年09月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Critical Thickness Anisotropy in Heavily Carbon-Doped P-Type(100)GaAs Layers Grown by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy (共著)
    T. George; E. R. Weber; Shinji Nozaki; T. Yamada; M. Konagai; K. Takahashi
    Applied Physics Letters, 59巻, 1号, 掲載ページ 60, 出版日 1991年07月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Characterization of heavily carbon-doped InGaAs grown by MOMBE（共著）
    J. Shirakashi; T. Yamada; M. Qi; Shinji Nozaki; K. Takahashi
    10th Record of Alloy Semiconductor Physics and Electronics Symposium, 掲載ページ 297, 出版日 1991年07月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Improved characteeristics of GaAs ,etal-semiconductor field-effect transistors on Si substrates back-coated with SiO2 by metalorbanic chemical vapor deposition（共著）
    T. Egawa; Shinji Nozaki; T. Soga; T. Jimbo; M. Umeno
    Applied Physics Letters, 58巻, 12号, 掲載ページ 1265, 出版日 1991年03月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • MOMBE Growth and Characterization of Heavily Carbon-Doped InGaAs (共著)
    T. Yamada; Shinji Nozaki; R. Miyake; T. Fukamachi; J. Shirakashi; M. Konagai; K. Takahashi
    J. Crystal Growth, 111巻, 掲載ページ 584, 出版日 1991年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Metalorganic Chemical Vapor Deposition Growth of Undoped GaAs with a Low Electron Concentration on Si Substrate (共著)
    Shinji Nozaki; A. T. Wu; J. J. Murray; T. George; T. Egawa; M. Umeno
    Applied Physics Letters, 57巻, 25号, 掲載ページ 2669, 出版日 1990年12月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Improvement of GaAs metal-semiconductor field-effect transistors characteristics on SiO2 back-coated Si substrate by metalorganic chemical vapor deposition（共著）
    T. Egawa; Shinji Nozaki; T. Soga; T. Jimbo; M. Umeno
    Japanese J. Applied Physics, 29巻, 12号, 掲載ページ L2417, 出版日 1990年12月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Transmission Electron Microscopy Investigation of Dislocation Bending by GaAsP/GaAs Strained Layer Superlattice on Heteroepitaxial GaAs/Si (共著)
    J. S. Whelan; T. George; E. R. Weber; Shinji Nozaki; A. T. Wu; M. Umeno
    J. Applied Physics, 68巻, 10号, 掲載ページ 5115, 出版日 1990年11月, 査読付
    英語
  • GaAs PN Diodes with Heavily Carbon-Doped P-Type GaAs Grown on GaAs Substrate by MOMBE (共著)
    Shinji Nozaki; R. Miyake; T. Yamada; M. Konagai; K. Takahashi
    Japanese J. Applied Physics, 29巻, 10号, 掲載ページ L1731, 出版日 1990年10月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Improvement of GaAs MESFET's characteristics on SiO2-back-coated Si substrate by MOCVD（共著）
    T. Egawa; Shinji Nozaki; T. Soga; T. Jimbo; M. Umeno
    Extended Abstracts of the 22nd Conference on Solid State Devices and Materials, 掲載ページ 91, 出版日 1990年08月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Crystallinity and Schottky diode characteristics of GaAs grown on Si by metalorganic chemical vapor deposition（共著）
    T. Egawa; Shinji Nozaki; N. Noto; T. Soga; T. Jimbo; M. Umeno
    J. Applied Physics, 67巻, 11号, 掲載ページ 6908, 出版日 1990年06月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Heavily carbon-doped InGaAs grown by metalorganic molecular beam epitaxy（共著）
    T. Akatsuka; R. Miyake; Shinji Nozaki; T. Yamada; M. Konagai; K. Takahashi
    Japanese J. Applied Physics, 29巻, 4号, 掲載ページ L537, 出版日 1990年04月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Nucleation and defect generation in lattice matched and mismatched heteroepitaxial layers in the GaAs/AlxGa1-xP/Si system（共著）
    T. George; E. R. Weber; Shinji Nozaki; A. T. Wu; N. Noto; M. Umeno
    J. Applied Physics, 67巻, 5号, 掲載ページ 2441, 出版日 1990年03月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Effects of Growth Temperature and V/III Ration on MOCVD-Grown GaAs-on-Si (共著)
    Shinji Nozaki; N. Noto; T. Egawa; A. T. Wu; T. Soga; T. Jimbo; M. Umeno
    Japanese Journal of Applied Physics, 29巻, 1号, 掲載ページ 138, 出版日 1990年01月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Application of SIMS to the evaluation of crystal quality and electrical behavior of GaAs heteroepitaxy grown on silicon（共著）
    J. J. Murray; Shinji Nozaki; T. george; A. T. Wu; P. W. Davies
    The 7th International Conference on SIMS, 出版日 1990年
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Undoped GaAs with a low electron concentration grown on Si by MOCVD（共著）
    Shinji Nozaki; A. T. Wu; J. J. Murray; T. George; M. Umeno
    Materials Research Society Symposium Proceedings, 198巻, 掲載ページ 213, 出版日 1990年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • The influence of initial growth on defect generation in MOCVD grown GaAs/Si heteroepitaxial layers（共著）
    T. George; E. R. Weber; Shinji Nozaki; A. T. Wu; M. Umeno
    Materials Research Society Symposium Proceedings, 198巻, 掲載ページ 207, 出版日 1990年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Characterization of MOCVD-grown AlGaAs/GaAs SQW lasers and GaAs MESFETs fabrication on Si substrate with SiO2-back coating（共著）
    T. Egawa; H. Tada; Y. Kobayashi; Shinji Nozaki; T. Soga; T. Jimbo; M. Umeno
    Materials Research Society Symposium Proceedings, 198巻, 掲載ページ 141, 出版日 1990年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Heavily C-doped ptype InGaAs Lattice-matched to the GaAs substrate（共著）
    T. Yamada; T. Akatsuka; Shinji Nozaki; R. Miyake; M. Konagai; K. Takahashi
    Institute of Physics Conference Series (International Symposium and GaAs Related Compounds), 106巻, 掲載ページ 899, 出版日 1990年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Defect characterization of GaAs on Si Grown by MOCVD（共著）
    T. Soga; Shinji Nozaki; N. Noto; H. Nishikawa; T. Jimbo; M. Umeno
    Japanese Journal of Applied Physics, 28巻, 12号, 掲載ページ 2441, 出版日 1989年12月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Evidence of a gas phase transport mechanism for Si incorporation in the metalorganic chemical vapor deposition of GaAs（共著）
    T. George; E. R. Weber; Shinji Nozaki; J. J. Murray; A. T. Wu; M. Umeno
    Applied Physics Letters, 55巻, 20号, 掲載ページ 2090, 出版日 1989年11月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • New Mechanism for Si Incorporation in GaAs-on-Si Heteroepitaxial Layers Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition (共著)
    Shinji Nozaki; J. J. Murray; A. T. Wu; T. George; E. R. Weber; M. Umeno
    Applied Physics Letters, 55巻, 16号, 掲載ページ 1674, 出版日 1989年10月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • GaAs/GaAsP superlattice effects on GaAs/Si grown by MOCVD（共著）
    M. Umeno; T. Soga; T. Egawa; Shinji Nozaki; T. Jimbo
    The 7th International Workshop on Future Electron Devices, 出版日 1989年10月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Si上へのGaAsの結晶成長とそのヘテロ接合特性
    曽我哲夫; 江川孝志; 野崎真次; 能登宣彦; 神保孝志; 梅野正義
    電子情報通信学会研究会資料(SDM88-140), 掲載ページ 13, 出版日 1989年01月
    研究論文（その他学術会議資料等）, 日本語
  • Electrical properties and its degradation of GaAs/Si grown by MOCVD（共著）
    T. Egawa; D. Imanishi; Shinji Nozaki; T. Soga; T. jimbo; M. Umeno
    The 1st International Meeting on Advanced Processing and Characterization of Semiconductor Optoelectronic Devices and Integrated Circuits, 出版日 1989年
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Effects of growth temperature on MOCVD-grown GaAs-on-Si（共著）
    Shinji Nozaki; N. Noto; M. Okada; T. egawa; T. Soga; T. Jimbo; M. Umeno
    Materials Research Society Symposium Proceedings, 148巻, 掲載ページ 235, 出版日 1989年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Growth of GaAs on Si using AlGaP intermediate layer（共著）
    N. Noto; Shinji Nozaki; T. Egawa; T. Soga; T. Jimbo; M. Umeno
    Materials Research Society Symposium Proceedings, 148巻, 掲載ページ 247, 出版日 1989年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Correlation between crystallinity and Schottky diode characteristics of GaAs grown on Si by MOCVD（共著）
    T. Egawa; Shinji Nozaki; N. Noto; T. Soga; T. Jimbo; M. Umeno
    Materials Research Society Symposium Proceedings, 148巻, 掲載ページ 273, 出版日 1989年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Nucleation studies of lattice matched and mis-matched heteroepitaxial layers using the GaAs/AlxGa1-xP/Si system（共著）
    T. George; E. R. Weber; A. T. Wu; Shinji Nozaki; N. Noto; M. Umeno
    Materials Research Society Symposium Proceedings, 148巻, 掲載ページ 253, 出版日 1989年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Crystal growth of GaAs on Si using III-V alloy intermediate layer（共著）
    M. Umeno; T. Jimbo; T. Soga; T. Egawa; Shinji Nozaki; N. Noto
    8th Record of Alloy Semiconductor Physics and Electronics Symposium, 掲載ページ 343, 出版日 1989年
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Conduction and Charge Trapping in Polysilicon-Nitride-Oxide-Silicon Structures under Positive Gate Bias (共著)
    Mehran Aminzadeh; Shinji Nozaki; R.V.Giridhar
    IEEE Transactions on Electron Devices, 35巻, 4号, 掲載ページ 459, 出版日 1988年04月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Specific contact resistivity of indium contacts to n-type CdTe（共著）
    Shinji Nozaki; A. G. Milnes
    J. Electronic Materials, 14巻, 掲載ページ 147, 出版日 1985年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Numerical Modeling of Looped C-V Characteristics in a p+n Junction Containing Mid-Bandgap Electron Traps（共著）
    Shinji Nozaki; Arthur G. Milnes
    Solid State Electronics, 26巻, 2号, 掲載ページ 115, 出版日 1983年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
  • Solar cell array performance: power analysis with defects（共著）
    Shinji Nozaki; A. G. Milnes
    Proceedings of the 16th IEEE photovoltaic specialists conference, 出版日 1982年09月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Analysis of solar cell array performance with open-circuit defects（共著）
    Shinji Nozaki; Arthur G. Milnes
    Solar Cells, 6巻, 掲載ページ 375, 出版日 1982年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語

MISC

  • 酸化シリコンナノ粒子の新機能と応用
    野崎眞次
    出版日 2006年01月, 化学工業, 57巻, 1号, 掲載ページ 8 – 12, 日本語, 記事・総説・解説・論説等（その他）
  • 酸化シリコンナノ粒子の新機能：ナノの不思議
    野崎眞次
    出版日 2005年12月, SEMI News, 21巻, 6号, 掲載ページ 20 – 21, 日本語, 記事・総説・解説・論説等（その他）
  • Germanium Nanocrystals（共著）
    S. Nozaki; S. Sato; H. Morisaki
    出版日 2004年, 3巻, 掲載ページ 805-820, 英語, 記事・総説・解説・論説等（その他）
  • IV族半導体ナノクリスタルの可視発光
    野崎真次
    出版日 1997年04月, 電気学会技術報告書, 627号, 掲載ページ 70-77, 日本語, 記事・総説・解説・論説等（その他）
  • 米国での17年間
    野崎真次
    出版日 1997年, 応用物理, 66巻, 8号, 掲載ページ 874, 日本語, 記事・総説・解説・論説等（その他）
  • 半導体クラスタの物性と評価
    野崎真次
    出版日 1996年04月, 電気学会技術報告, 583号, 日本語, 記事・総説・解説・論説等（その他）
  • IV族半導体超微粒子の構造と発光(共著)
    森崎 弘; 野崎真次
    出版日 1995年, 真空, 38巻, 11号, 掲載ページ 935-942, 日本語, 査読付, 記事・総説・解説・論説等（その他）
  • インテリジェント材料の最近の研究動向（共著）
    野崎真次; 高橋 清
    出版日 1992年09月, 金属, 掲載ページ 66, 日本語, 記事・総説・解説・論説等（その他）

書籍等出版物

  • 低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発－システムオンパネルをめざして－
    木村誠二; 野崎眞次
    日本語, 共著, 第3章 SiOナノ粉末の真空蒸着による高品位シリコン酸化膜の低温形成, シーエムシー出版, 出版日 2007年02月
  • Handbook of Semiconductor Nanostructures and Nanodevices
    Souri Banerjee; Shinji Nozaki
    英語, 共著, Few-electron memory: Fabrication, operations, and challenges, American Scientific Publisher, 出版日 2006年
  • Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology
    S. Nozaki; S. Sato; H. Morisaki
    英語, 共著, Vol. 3 Germanium Nanocrystals, American Scientific Publisher, 出版日 2004年
  • Substrate Nanostructuration: Self-assembling and Nanoparticles
    I. Berbezier; A. Pimpinelli; R. Hull; S. Nozaki
    英語, 編者(編著者), Special Issue of Superlattices and Microstructures 36 (1-3)2004 (European Materials Research Society Symposia Proceedings 174, 出版日 2004年
  • EMRS 2002 Symposium S, Micro- and Nano-Structured Semiconductors
    I. Berbezier; A. Nassiopoulou; S. Nozaki
    英語, 編者(編著者), Special Issue, Materials Science and Engineering B101(1-3), 出版日 2002年
  • 自己組織化プロセス技術
    村田好正; 尾関雅志; 野崎真次
    日本語, 編者(編著者), 第11章 Ge超微粒子の作製, 培風館, 出版日 1999年
  • ナノスペースの不思議な世界：ナノ空間の材料基礎科学
    野崎真次
    日本語, 共著, 第2章第1.3節 中性クラスターで新しい材料を作製する, 工業調査会, 出版日 1997年
  • 外人科学者
    Shinji Nozaki
    英語, 共著, 在日英国商工会議所, 出版日 1996年
  • 有機半導体の実用化技術
    野崎真次; 岩本光正
    日本語, 共著, 第10章第1節 インテリジェント材料の概念, サイエンスフォーラム, 出版日 1993年

講演・口頭発表等

  • Remote sensing: A combined big data and IoT tool for precision agriculture
    T. George; S. Nozaki
    口頭発表（招待・特別）, 英語, The Irago Conference 2018, 招待, 国際会議
    発表日 2018年11月01日
  • Effects of the tunneling barrier on the GaN Schottky diode
    M. Takahashi; S. Nozaki; K. Uchida
    ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2018, 国際会議
    発表日 2018年11月01日
  • Optical Rectenna Designed for 30 THz
    R. Kawaminami; S. Nozaki; K. Uchida
    ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2018, 国際会議
    発表日 2018年11月01日
  • Single-crystal NiO grown on GaN by MOVPE
    Shinichi Watanabe; Teuku Muhammad Roffi; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
    ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2018, 国際会議
    発表日 2018年11月01日
  • High-Al content AlGaN pn diode with p-AlGaN improved by the UV wet oxidation
    Xiaojia Zhang; Jun Morimoto; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
    ポスター発表, 英語, 19th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, San Diego, USA, 国際会議
    発表日 2018年06月05日
  • ラプラス変換QTSによる欠陥評価方法の改善
    小池俊平; 内田和男; 野崎眞次
    ポスター発表, 日本語, 第65回応用物理学春季学術講演会, 応用物理学会, 早稲田大学ベルサール高田馬場, 国内会議
    発表日 2018年03月19日
  • Electrical activation of magnesium in AlGaN by UV wet oxidation
    X. Zhang; S. Nozaki; K. Uchida
    ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2017, 国際会議
    発表日 2017年11月01日
  • Passivation of oxygen vacancies by UV wet oxidation of ZnO nanorods
    S. Sakurai; J. Cho; K. Uchida; S. Nozaki
    ポスター発表, 英語, International Symposium on Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surfaces for Future Earth, 電気通信大学（東京）, 国際会議
    発表日 2017年10月30日
  • Passivation of oxygen Vacancies by UV wet oxidation of ZnO Nanorods
    S. Sakurai; J. Cho; K. Uchida; S. Nozaki
    シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, International Symposium on Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surfaces for Future Earth, 国際会議
    発表日 2017年10月29日
  • フロントゲート型ZnO薄膜トランジスタの低温作製
    片寄翔太; 新坂龍一; 野崎眞次; 内田和男
    ポスター発表, 日本語, 第64回応用物理学春季学術講演会, 応用物理学会, 横浜, 国内会議
    発表日 2017年03月16日
  • MOVPE法による高Al組成AlGaN膜のモフォロジー及び結晶性へのVIII比の影響
    境 周一; 近藤祐也; 小林貴弘; 水上裕太; 内田和男; 野崎眞次
    ポスター発表, 日本語, 第64回応用物理学春季学術講演会, 応用物理学会, 横浜, 国内会議
    発表日 2017年03月16日
  • Quest for a solar rectenna
    Shinji Nozaki
    口頭発表（招待・特別）, 英語, Industry-UCB-UEC Workshop 2017, 招待, UEC, 電気通信大学, 国際会議
    発表日 2017年03月02日
  • ZnO-nanorods: a possible white LED phosphor
    Sachindra Nath Sarangi; Arun T; Dinseh K. Ray; Pratap Kumar Sahoo; Shinji Nozaki; Noriyuki Sugiyama; Kazuo Uchida
    口頭発表（一般）, 英語, The 61st DAE Solid State Physics Symposium, 国際会議
    発表日 2016年12月29日
  • Electrical characteristics of the MSM diode with a multilayer of metals and nonstoichiometric nickel oxide
    Sultan Mahmud; Shinji Nozaki; Kazuo Uchida
    ポスター発表, 英語, 2016 Materials Research Society Fall Meeting, Materials Research Society, Boston, MA, USA, 国際会議
    発表日 2016年11月28日
  • Electrical characteristics of the MSM diode with a multilayer of metals and nonstoichiometric nickel oxide
    Sultan Mahmud; Shinji Nozaki; Kazuo Uchida
    ポスター発表, 英語, The Irago Conference 2016, 電気通信大学、豊橋技術科学大学, 電気通信大学, 国際会議
    発表日 2016年11月01日
  • Growth and characterization of nickel ion oxide thin films grown by metal organic vapor phase epitaxy
    Teuku Muhammad Roffi; Shinji Nozaki; Kazuo Uchida
    口頭発表（一般）, 英語, 18th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, San Diego, USA, 国際会議
    発表日 2016年07月14日
  • Growth and laser lift-off of AlxGa1-xN based material systems for vertical UVC LEDs utilizing short-period superlattice structures
    David T. Doan; Chih-Chien Pan; Shinji Nozaki; Kazuo Uchida
    口頭発表（一般）, 英語, 18th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, San Diego, USA, 国際会議
    発表日 2016年07月12日
  • InGaP/GaAs Heterojunction Phototransistor Powered by an On-Chip GaAs Solar Cell for Energy Harvesting
    Than Hong Phuc; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
    ポスター発表, 英語, 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials, 応用物理学会, 札幌, 国際会議
    発表日 2015年09月28日
  • Visible-blind UV sensor made by UV oxidation of metallic zinc on p-Si
    Dongyuan Zhang; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
    口頭発表（一般）, 英語, 8th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials, Niagara Falls, Ontario, Canada, 国際会議
    発表日 2014年09月08日
  • Structural, electrical and optical properties of CoxNi1-xO films grown by metalorganic chemical vapor deposition
    Teuku Muhammad Roffi; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
    口頭発表（一般）, 英語, 17th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Lausanne, Switzerland, 国際会議
    発表日 2014年07月14日
  • High-quality gate oxide formed at 150 oC for flexible electronics
    Yasuhiro Iijima; Kenya Adachi; Ryo Usuda; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
    口頭発表（一般）, 英語, 2013 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology
    発表日 2013年11月
  • フレキシブル基板上高品位MOS作製用の特異な材料とプロセス
    野崎眞次
    シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 日本語, STARCワークショップ2013, 株式会社 半導体理工学研究センター(STARC), 新横浜
    発表日 2013年09月
  • SOG溶液を用いた塗布ゲート酸化膜の低温作製
    臼田 亮; 野崎眞次; 内田和男
    口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第74回応用物理学会学術講演会
    発表日 2013年09月
  • UV酸化によるp-NiO/n-Siヘテロ接合ダイオードの作製
    張 東元; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 英語, 応用物理学会,第74回応用物理学会学術講演会
    発表日 2013年09月
  • O2/Ni ratio dependence of structure and surface morphology in atmospheric pressure MOCVD grown NiO thin films
    Teuku Muhammad Roffi; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
    口頭発表（一般）, 英語, 第74回応用物理学会学術講演会
    発表日 2013年09月
  • Impacts of radiation-induced defects on charge collection efficiencies of silicon carbide particle detectors
    Naoya Iwamoto; Shinobu Onoda; Takahiro Makino; Takeshi Ohshima; Kazutoshi Kojima; Shinji Nozaki
    口頭発表（一般）, 英語, SPIE
    発表日 2013年05月
  • Effect of O2/Ni gas ratio on the epitaxial growth of NiO films by metalorganic chemical vapor deposition
    Teuku Muhammad Roffi; Motohiko Nakamura; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
    口頭発表（一般）, 英語, Materials Research Society
    発表日 2013年04月
  • Hydrothermal growth of zinc oxide nanorods and glucose-sensor application
    Shinji Nozaki; Sachindra N; Sarangi; Surendra N. Nath; Kazuo Uchida
    口頭発表（招待・特別）, 英語, INDO-US International Workshop on Nanosensor Science & Technology, NavalResearch Lab (US) and National Institute of Science and Technology (India), Berhampur, India, 国際会議
    発表日 2013年02月
  • Selective growth of ZnO nanorods by the hydrothermal technique
    Shinji Nozaki; Sachin N. Sarangi; Surendra N. Sahu; Kazuo Uchida
    口頭発表（招待・特別）, 英語, 6th International Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology, 6th International Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology, Ha Long City, Vietnam, 国際会議
    発表日 2012年11月
  • Effects of temperature and stress on the InGaP/GaAs heterojunction bipolar phototransistor
    Than Hong Phuc; Yasushi Takaki; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
    口頭発表（一般）, 英語, 6th International Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology
    発表日 2012年11月
  • Low-temperature formation of high-quality oxide for MOSFETs on flexible substrates
    H. Hasegawa; Y. Iijima; K. Adachi; S. Nozaki; K. Uchida
    口頭発表（一般）, 英語, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
    発表日 2012年09月
  • フレキシブル基板上高品位MOS作製用の特異な材料とプロセス
    野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, イノベーション・ジャパン2012 JSTショートプレゼンテーション,イノベーション・ジャパン2012 JSTショートプレゼンテーション
    発表日 2012年09月
  • Highly p-typed superlattices consist of undoped InAs and carbon-doped GaAs layers
    Kazuo Uchida; Heisuke Kanaya; Hiroshi Imanishi; Atsushi Koizumi; Shinji Nozaki
    口頭発表（一般）, 英語, 16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    発表日 2012年05月
  • Characterization of order/disordered GaInP/GaAs heterointerface by the quantum hall effect
    Kazuo Uchida; Atsushi Koizumi; Shinji Nozaki; Keita Asano; Kiwamu Sato
    口頭発表（一般）, 英語, 16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    発表日 2012年05月
  • Inを拡散したZnドープ及びCドープGaAsの電気的特性
    川島佑介; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会,東京支部学生会講演論文集
    発表日 2012年03月
  • High-quality oxide formed by evaporation of SiO nanopowder: Application to MOSFET’s on plastic substrates and GaN epilayers
    S. Nozaki
    その他, 英語, Electron Device Society India Chapter, IEEE
    発表日 2012年01月
  • Zinc oxide nanorods grown by the hydrothermal technique and their selective growth
    S. Nozaki
    その他, 英語, 特別講義, APEX Institute of Technology and Management
    発表日 2012年01月
  • ラプラス変換DLTSによる4H-SiC p+nダイオードの欠陥評価
    小池俊平; 岩本直也; 小野田忍; 大島 武; 小島一聡; 小泉 淳; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第20回講演会予稿集,SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第20回講演会
    発表日 2011年12月
  • ラプラス DLTS測定によるn形6H-SiC中のnegative-Uセンターの観察
    小泉 淳、V; P. Markevich; 岩本直也; 佐々木 将; 小池俊平; 大島 武; 児島一聡; 木本恒暢; 内田和男; 野崎眞次; B. Hamilton; A. R. Peaker
    口頭発表（一般）, 日本語, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第20回講演会予稿集,SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第20回講演会
    発表日 2011年12月
  • UV酸化による半導体ニッケル酸化膜の作製
    張 東元; 小泉 淳; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次
    シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 日本語, 電気通信大学・東京農工大学第8回合同シンポジウム, 電気通信大学・東京農工大学, 東京
    発表日 2011年12月
  • XPSによる低温シリコン酸化膜の評価―フレキシブル基板上の集積回路をめざして
    野崎眞次
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, EPMA・表面分析ユーザーズミーティング2011招待技術講演, 日本電子（株）
    発表日 2011年10月
  • UV酸化による半導体ニッケル酸化物の作製
    張 東元; 小泉 淳; 内田和男; Ramakrishnan Veerabahu; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 英語, 応用物理学会,第72回応用物理学会学術講演会
    発表日 2011年09月
  • Peak degradation of heavily-ion induced transient currents in 6H-SiC
    T. Makino; N. Iwamoto; S. Onoda; T. Ohshima; K. Kojima; S. Nozaki
    口頭発表（一般）, 英語, 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
    発表日 2011年09月
  • Defects in an electron-irradiated 6H-SiC diode studied by alpha particle induced charge transient spectroscopy: Their impact on the degraded charge collection efficiency
    N. Iwamoto; S. Onoda; T. Makino; T. Ohshima; K. Kojima; S. Koike; A. Koizumi; K. Uchida; S. Nozaki
    口頭発表（一般）, 英語, 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
    発表日 2011年09月
  • Improvement of high-power-white-LED lamp performance by liquid injection
    T. M. Roffi; I. Idris; K. Uchida; S. Nozaki; N. Sugiyama; H. Morisaki
    口頭発表（一般）, 英語, 2011 International Conference on Electrical Engineering and Informatics
    発表日 2011年07月
  • In-situ etching of GaAs capping layer on InAs quantum dots by CBrCl3
    H. Imanishi; A. Koizumi; M. Yoshida; K. Asano; K. Uchida; S. Nozaki
    口頭発表（一般）, 日本語, The 30th Electronic Materials Symposium (EMS-30)
    発表日 2011年06月
  • Photomodification and synthesis of semiconductor nanocrystals
    S. Nozaki
    その他, 英語, The Biresh Patel Memorial Lecture 2011, Institute of Physics, Bhubaneswar, India
    発表日 2011年01月
  • その場化学エッチングによるGaAs上InAsドットの低密度化
    今西 弘; 小泉 淳; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 電気通信大学・東京農工大学第7回合同シンポジウム予稿集,電気通信大学・東京農工大学第7回合同シンポジウム
    発表日 2010年12月
  • SiC放射線検出器の作製と特性の評価
    岩本直也; 小野田忍; 牧野高紘; 大島 武; 児島一聡; 小泉 淳; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 電気通信大学・東京農工大学第7回合同シンポジウム予稿集,電気通信大学・東京農工大学第7回合同シンポジウム
    発表日 2010年12月
  • ラプラス変換DLTSによる6H-SiC p+nダイオードの欠陥評価
    小池俊平; 岩本直也; 小野田忍; 大島 武; 小島一聡; 小泉 淳; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会
    発表日 2010年10月
  • アルファ線を用いたSiCダイオード中の欠陥評価
    岩本直也; 小野田忍; 牧野高紘; 大島 武; 児島一聡; 小泉 淳; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会
    発表日 2010年10月
  • 単一の重イオンが6H-SiC MOSFETのドレインに誘起する過渡電流
    小野田忍; 岩本直也; 牧野高紘; 児島一聡; 野崎眞次; 大島 武
    口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会
    発表日 2010年10月
  • Effective cleaning of Si by the dry ice blasting for future dry process technology
    H. Satoh; K. Uchida; A. Koizummi; S. Nozaki; W. Kondou; H. Hosono
    口頭発表（一般）, 英語, The 18th International Symposium on Semiconductor Manufacturing
    発表日 2010年10月
  • 高周波スパッタリングによるニッケル酸化物半導体の作製及び評価
    永田篤史; 内田和男; 小泉 淳; 小野 洋; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告
    発表日 2010年10月
  • CdS-ZnOヘテロ接合ナノロッドの特性及び3,4-ジヒドロキシ安息香酸の光触媒分解の応用
    小野寺信男; 小泉 淳; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 社団法人日本表面科学会主催第30回表面科学学術講演会講演要旨集,社団法人日本表面科学会主催第30回表面科学学術講演会
    発表日 2010年10月
  • オーダリング現象によるInGaP/GaAsヘテロ接合界面物性への影響
    佐藤 究; 小泉 淳; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 社団法人日本表面科学会主催第30回表面科学学術講演会講演要旨集,社団法人日本表面科学会主催第30回表面科学学術講演会
    発表日 2010年10月
  • SiOナノ粉末への光照射によるSiナノクリスタルの形成機構
    杉本真矩; 小泉 淳; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 社団法人日本表面科学会主催第30回表面科学学術講演会講演要旨集,社団法人日本表面科学会主催第30回表面科学学術講演会
    発表日 2010年10月
  • 極微Ni酸化物キャパシタによる高速整流器の作製
    木下昌久; 小泉 淳; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 社団法人日本表面科学会主催第30回表面科学学術講演会講演要旨集,社団法人日本表面科学会主催第30回表面科学学術講演会
    発表日 2010年10月
  • Compensation-dependent carrier transport of Al-doped p-type 4H-SiC
    A. Koizumi; N. Iwamoto; S. Onoda; T. Ohshima; T. Kimoto; K. Uchida; S. Nozaki
    口頭発表（一般）, 英語, The 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
    発表日 2010年09月
  • CBrCl3その場エッチングがInAs量子ドットのサイズと密度に及ぼす影響
    今西 弘; 小泉 淳; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第71回応用物理学会学術講演会
    発表日 2010年09月
  • モンテカルロシミュレーションを用いた白色LEDの蛍光体分散構造の解析
    富山茂樹; 小泉 淳; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第71回応用物理学会学術講演会
    発表日 2010年09月
  • 真空紫外光照射によるSi/SiO2界面構造の改質
    山崎政宏; 小泉 淳; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第71回応用物理学会学術講演会
    発表日 2010年09月
  • SiCダイオードの過渡電荷収集における電子線誘起欠陥の影響
    岩本直也; 小野田忍; 牧野高紘; 大島 武; 児島一聡; 小池俊平; 小泉 淳; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第71回応用物理学会学術講演会
    発表日 2010年09月
  • Refreshable decrease in peak height of ion beam induced transient current from silicon carbide metal-oxide semiconductor capacitors
    T. Ohshima; N. Iwamoto; S. Onoda; T. Makino; M. Deki; S. Nozaki
    口頭発表（一般）, 英語, The 21st International Conference on the Application of Accelerators in Research and Industry
    発表日 2010年08月
  • Oxygen Ion Induced Charge in SiC MOS Capacitors Irradiated with Gamma-rays
    T. Ohshima; N. Iwamoto; S. Onoda; T. Makino; S. Nozaki; K. Kojima
    口頭発表（一般）, 英語, The 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
    発表日 2010年08月
  • Study of in-situ CBrCl3 etching of InAs dots on GaAs substrates for controlling size and density
    A. Koizumi; H. Imanishi; K. Uchida; S. Nozaki
    口頭発表（一般）, 日本語, The 29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
    発表日 2010年07月
  • フレキシブル基板、化合物半導体基板上のMOSFET作製用酸化シリコンナノ粒子：真空蒸着と光酸化による高品位酸化膜の作製
    野崎眞次
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, ケースレー・シンポジウム2010, Keithley Instruments, Inc.
    発表日 2010年07月
  • Charge enhancement effects in 6H-SiC MOSFETs induced by heavy ion strike
    S. Onoda; T. Makino; T. Ohshima; N. Iwamoto; G. Vizkelethy; K. Kojima; S. Nozaki
    口頭発表（一般）, 英語, 2010 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference
    発表日 2010年07月
  • Effect of in-situ CBrCl3 etching on the structural properties of InAs/GaAs quatum dots for controlling size and density
    Atsushi Koizumi; Kazuo Uchida; S. Nozaki
    口頭発表（一般）, 英語, The 15th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    発表日 2010年05月
  • InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタへのレッジパッシベーションの影響
    長岡信介; 高木保志; 小泉 淳; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会,電子情報通信学会東京支部学生会「研究発表会」
    発表日 2010年03月
  • C-t法による低温酸化膜MOSキャパシターの電気的特性評価
    高井伸彰; 小池俊平; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会,電子情報通信学会東京支部学生会「研究発表会」
    発表日 2010年03月
  • ドライアイスショットによるシリコン基板洗浄とそのシリコンプロセスへの導入
    王 原; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会,電子情報通信学会東京支部学生会「研究発表会」
    発表日 2010年03月
  • 異なる成膜方法によるITO/GaAsコンタクト抵抗の研究
    荒井 優; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会,電子情報通信学会東京支部学生会「研究発表会」
    発表日 2010年03月
  • 自立GaN基板N面におけるオーミック電極の形成およびその物性評価
    斎藤雅彰; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会,電子情報通信学会東京支部学生会「研究発表会」
    発表日 2010年03月
  • 電着法による酸化亜鉛の光学的特性評価
    荒川盛司; 内田和男; 野崎眞次; 小野 洋; 小泉 淳
    口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会,電子情報通信学会東京支部学生会「研究発表会」
    発表日 2010年03月
  • MOVPE法によるInP基板上へのInAs/GaAsの作製および評価
    富岡能州; 小泉 淳; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 応用物理学会,第57回応用物理学関係連合講演会
    発表日 2010年03月
  • Comparative study on reliability of InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors with highly Zn- and C-doped base layers
    Atsushi Koizumi; Kazuki Oshitanai; Jaesung Lee; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
    口頭発表（一般）, 英語, Fall Meeting
    発表日 2009年12月
  • SiOナノ粒子への光照射によるシリコンナノ結晶の形成機構
    杉本真矩; 小泉 淳; 小野 洋; 内田和男; 野崎真次
    口頭発表（一般）, 日本語, 電気通信大学・東京農工大学第6回合同シンポジウム
    発表日 2009年12月
  • The new molding method for high power LED package with fluidic passive cooling
    Kazuo Uchida; Atsushi Koizumi; Shinji Nozaki; Hiroshi Morisaki; Noriyuki Sugiyama
    口頭発表（一般）, 英語, The second International conference on white LEDs and solid state lighting
    発表日 2009年12月
  • Charge collection efficiency of 6H-SiC P+N diodes degraded by low-energy electron irradiation
    N. Iwamoto; S. Onoda; T. Ohshima; K. Kojima; A. Koizumi; K. Uchida; S. Nozaki
    口頭発表（一般）, 英語, Internatiuonal Conference on Silicon Carbide and Related Materials-2009
    発表日 2009年10月
  • ZnOナノロッドの水熱法による選択成長とその発光特性
    菊地孝輔; 野崎眞次; 内田和男; 小野 洋; 小泉 淳
    口頭発表（一般）, 日本語, 社団法人日本表面科学会,第28回表面科学学術講演会講演要旨集
    発表日 2009年10月
  • Alドープp型4H-SiCの電気的特性の補償度依存性
    小泉 淳; 岩本直也; 大島 武; 木本恒暢; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第70回応用物理学会学術講演会
    発表日 2009年09月
  • 低エネルギー電子線照射による6H-SiCダイオードの電荷収集効率の低下
    岩本直也; 小野田忍; 大島 武; 児島一聡; 小泉 淳; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第70回応用物理学会学術講演会
    発表日 2009年09月
  • Cross-sectional scanning tunneling microscopy study of interfacial roughness in a GaInP/GaAs superlattice structure
    Atsushi Koizumi; Yoko Mori; Ryo Iida; Kazuo Uchida; Shinji Nozaki
    口頭発表（一般）, 日本語, The 28th Electronic Materials Symposium (EMS-28)
    発表日 2009年07月
  • InGaP/GaAs heterointerfaces studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy and their impact on the device characteristics
    S. Nozaki; A. Koizumi; K. Uchida; H. Ono
    口頭発表（招待・特別）, 英語, The International Conference Nanomeeting 2009, The International Conference Nanomeeting 2009, Minsk, Belarus, 国際会議
    発表日 2009年05月
  • GaNの熱酸化によるMOSキャパシタの作製と評価
    前田 哲平; 小泉 淳; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 社団法人 電子情報通信学会,東京支部学生会講演論文集
    発表日 2009年03月
  • 異なるp型ドーパントを有するInP/InGaAs HBTの特性の比較・評価
    大下内 和樹; 小泉 淳; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 社団法人 電子情報通信学会,東京支部学生会講演論文集
    発表日 2009年03月
  • Ge微粒子浮遊ゲートMOSキャパシタの作製及び電気的特性の評価
    成瀬 健; 小泉 淳; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 社団法人 電子情報通信学会,東京支部学生会講演論文集
    発表日 2009年03月
  • InTiO/p-GaAsオーミックコンタクトのラマン散乱
    李 宰盛; 木村仁志; 小泉 淳; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集,第56回応用物理学関係連合講演会
    発表日 2009年03月
  • Growth and vibrational properties of the tin-dioxide nanorods
    S. Rath; S. Nozaki; H. Ono; K. Uchida
    シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, ナノ未来材料とコヒーレント光科学第5回東京農工大・電気通信大学合同シンポジウム, 東京農工大、電気通信大学, 東京
    発表日 2008年12月
  • InGaP自然超格子発生に関わるInGaP/GaAsヘテロ接合ダイオードへの影響
    茶木健志郎; 内田和男; 野崎眞次; 小泉 淳; 小野 洋
    口頭発表（一般）, 日本語, 日本結晶成長学会,第38回結晶成長国内会議
    発表日 2008年11月
  • 基板による水熱法を用いたZnOナノロッドの成長への影響
    五十嵐一帆; 野崎眞次; 内田和男; 小野 洋; 菊池孝輔
    口頭発表（一般）, 日本語, 社団法人日本表面科学会,第28回表面科学学術講演会講演要旨集
    発表日 2008年11月
  • 断面走査形トンネル顕微鏡によるInGaP/GaAs、GaAs/InGaP両界面粗さの観察
    森 陽子; 野崎眞次; 内田和男; 小泉 淳
    口頭発表（一般）, 日本語, 社団法人日本表面科学会,第28回表面科学学術講演会講演要旨集
    発表日 2008年11月
  • SiO粉末への光照射によるSiナノ結晶の形成
    李 宰盛; 野崎真次; 小泉 淳; 内田和男; 小野 洋
    口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第69回応用物理学会学術講演会講演予講集
    発表日 2008年09月
  • InTiO(Indium Titanium Oxide)とp型GaAsの接触抵抗の低減化
    木村仁志; 小泉 淳; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第69回応用物理学会学術講演会講演予講集
    発表日 2008年09月
  • ヘテロ界面の急峻性とダイオード特性の評価
    小泉 淳; 野崎眞次; 茶木健志郎; 富岡能州; 内田和男
    口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第69回応用物理学会学術講演会講演予講集
    発表日 2008年09月
  • GaInP/GaAs界面とGaAs/GaInP界面における界面粗さがDHBTのDC特性に与える影響
    A. Koizumi; S. Nozaki; K. Uchida
    口頭発表（一般）, 日本語, 27th Electronic Materials Symposium (EMS-27)
    発表日 2008年07月
  • Characterization of the MOVPE-grown p-InGaAs/n-InP interfaces
    K. Uchida; H. Yamato; A. Koizumi; S. Nozaki
    口頭発表（一般）, 英語, The 14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    発表日 2008年06月
  • Effects of the heterointerface quality of GaInP/GaAs double heterojunction bipolar transistors
    A. Koizumi; S. Nozaki; N. Furesawa; F. - Y. Yang; K. Uchida
    口頭発表（一般）, 英語, The 14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    発表日 2008年06月
  • High-quality oxide formed by evaporation of SiO nanopowder: Application to MOSFET’s on plastic substrates and GaN epilayers
    S. Nozaki; S. Kimura; A. Koizumi; H. Ono; K. Uchida
    口頭発表（招待・特別）, 英語, The E-MRS 2008 Spring Meeting, Symposium J, European Materials Research Society, Strasbourg, France, 国際会議
    発表日 2008年05月
  • Growth and optical properties of SnO2 ultra-small nanorods by the novel micelle techniques
    S. Rath; S. Nozaki; H. Ono; K. Uchida; S. Kojima
    口頭発表（一般）, 英語, Materias Research Society Spring Meeting
    発表日 2008年03月
  • 二次元電子を用いた高性能ホール素子に関する研究
    李 一侃; 内田和男; 野崎眞次; 小野 洋
    口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会東京支部学生会研究発表会
    発表日 2008年03月
  • HBT試作のためのInP/InGaAs界面の研究
    和 秀憲; 小泉 淳; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会東京支部学生会研究発表会
    発表日 2008年03月
  • Ge微粒子の作製及びメモリデバイスへの応用
    鈴木 教志; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会東京支部学生会研究発表会
    発表日 2008年03月
  • 電子線描画を用いたAlGaN/GaN HEMTにおけるオン抵抗の低減
    古嶌 勝貴; 小泉 淳; 内田和男; 野崎眞次; 鹿内洋志; 後藤博一
    口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会2008年総合大会エレクトロニクス講演論文集
    発表日 2008年03月
  • Al/Ni/Au電極を用いた自立n-GaN基板N面へのオーミックコンタクトに関する研究
    加藤 怜; 齋藤雅影; 内田和男; 野崎眞次
    口頭発表（一般）, 日本語, 第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 2008年03月
  • LedgeパッシベーションによるInGaP/GaAs HBTの信頼性の向上
    楊 富穎; 野崎眞次; 内田和男; 小泉 淳
    口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会技術研究報告
    発表日 2008年01月
  • Photosynthesis and photoluminescence of Si nanocrystlas in sputter-deposited SiOx
    C. Y. Chen; S. Nozaki; S. Kimura; H. Ono; K. Uchida
    口頭発表（一般）, 英語, University of Electro-Communications 21st Century COE Program International Symposium on Coherent Optical Science
    発表日 2007年12月
  • シリコンナノクリスタルの光合成
    李 宰盛; 陳 長勇; 野崎真次; 内田和男; 小野 洋
    口頭発表（一般）, 日本語, 電気通信大学・東京農工大学21世紀COEプログラム第4回合同シンポジウム
    発表日 2007年12月
  • 化学合成したBi添加SiO粒子とその蒸着膜の評価
    山本翔平; 野崎眞次; 木村誠二; 内田和男; 小野 洋
    口頭発表（一般）, 日本語, 薄膜材料デバイス研究会第4回研究集会
    発表日 2007年11月
  • 高濃度p-NiOx薄膜の物性解析及び作製プロセスの最適化
    水野拓巨; 小野 洋; 内田和男; 野崎真次
    口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第68回応用物理学会学術講演会講演予講集
    発表日 2007年09月
  • SiO粉末による高品位SiOx薄膜の低温形成
    成澤正博; 木村誠二; 小野 洋; 内田和男; 野崎真次
    口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第68回応用物理学会学術講演会講演予講集
    発表日 2007年09月
  • SiOx薄膜への光照射によるSiナノ結晶の形成
    李 宰盛; 陳 長勇; 野崎真次; 内田和男; 小野 洋
    口頭発表（一般）, 日本語, 第68回応用物理学会学術講演会講演予講集
    発表日 2007年09月
  • SiOxナノ粉末から光合成されたSiナノクリスタルの発光
    陳 長勇; 野崎真次; 内田和男; 小野 洋
    口頭発表（一般）, 日本語, 第68回応用物理学会学術講演会講演予講集
    発表日 2007年09月
  • GaN MIS素子のための高品位シリコン酸化膜
    木村誠二; 小野 洋; 内田和男; 野崎真次
    口頭発表（一般）, 日本語, 第68回応用物理学会学術講演会講演予講集
    発表日 2007年09月
  • Photoluminescence of Si nanocrystals formed by the photosynthesis
    S. Nozaki; C. Y. Chen; S. Kimura; H. Ono; K. Uchida
    口頭発表（招待・特別）, 英語, International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures, Marseille, France, 国際会議
    発表日 2007年05月
  • InP/InGaAs HBTデバイスに向けたp型InGaAs層の作製及び、TCADによる評価
    芋川 直; 内田和男; 野崎眞次; 小野 洋
    口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会東京支部学生会研究発表会第12回
    発表日 2007年03月
  • 酸化銅ナノロッドの太陽電池への応用
    崎野晃滋; 野崎眞次; 内田和男; 小野 洋
    口頭発表（一般）, 日本語, 固体化学の新しい指針を探る研究会第56回定例研究会『若手研究者による研究発表会』
    発表日 2007年03月
  • 水熱法によるZnOナノロッドの作製
    粕谷仁一; 野崎眞次; 内田和男; 小野 洋
    口頭発表（一般）, 日本語, 固体化学の新しい指針を探る研究会第56回定例研究会『若手研究者による研究発表会』
    発表日 2007年03月
  • Mechanically strong ultralow-k nanoporous silica made of SiOx nanoparticles
    Shinji Nozaki; Hiroshi Ono; Kazuo Uchida
    口頭発表（一般）, 日本語, 電気通信大学・東京農工大学21世紀COEプログラム,電気通信大学・東京農工大学21世紀COEプログラム第3回合同シンポジウム
    発表日 2006年12月
  • SiO nanopowder with metastable Si-Si networks
    C. Y. Chen; S. Kimura; S. Nozaki; K. Uchida; H. Ono
    口頭発表（一般）, 日本語, 電気通信大学・東京農工大学21世紀COEプログラム,電気通信大学・東京農工大学21世紀COEプログラム第3回合同シンポジウム
    発表日 2006年12月
  • Ni酸化物の物性評価とp-GaNオーミックコンタクトへの応用
    斉藤貴夫; 内田和男; 野崎眞次; 小野 洋
    口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,薄膜材料デバイス研究会第3回研究集会
    発表日 2006年11月
  • Bi添加SiOによるワイドギャップ半導体の作製
    宮田浩正; 木村誠二; 野崎眞次; 内田和男; 小野 洋
    口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,薄膜材料デバイス研究会第3回研究集会
    発表日 2006年11月
  • Mechanically strong ultralow-k nanoporous silica made of SiOx nanoparticles
    Shinji Nozaki; Hiroshi Ono; Kazuo Uchida
    口頭発表（一般）, 英語, Advanced Metallization Conference
    発表日 2006年10月
  • Mechanically strong ultralow-k nanoporous silica made of SiOx nanoparticles
    Shinji Nozaki; Hiroshi Ono; Kazuo Uchida
    口頭発表（一般）, 英語, 応用物理学会,Advanced Metallization Conference
    発表日 2006年09月
  • 走査型トンネル顕微鏡によるGaInP/GaAsへテロ界面の粗さ解析
    大塚史之; 渡邊明広; 野崎真次; 内田和男; 小野 洋
    口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第67回応用物理学会学術講演会講演予講集
    発表日 2006年09月
  • Photo-modification and synthesis of semiconductor nanocrystals
    S. Nozaki; C. Y. Chen; H. Ono; K. Uchida
    口頭発表（招待・特別）, 英語, International Conference on Nano-Structures Self Assembling, CNRS-France, Aix-en-Provence, France, 国際会議
    発表日 2006年07月
  • Low-temperature formation of high-quality SiOx thin films by evaporation of SiO nanopowder
    Shinji Nozaki; Seiji Kimura; Hiroshi Ono; Kazuo Uchida
    口頭発表（招待・特別）, 英語, The 13th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices, 応用物理学会, Tokyo, Japan, 国際会議
    発表日 2006年07月
  • Correlation between the base-emitter interface crystalline quality and the current gain in InGaP/GaAs HBT grown by MOVPE
    K. Uchida; A. Kurokawa; S. Nozaki; H. Morisaki
    口頭発表（一般）, 英語, The 13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    発表日 2006年05月
  • Yellowish-white photoluminescence from ZnO nanoparticles
    J. Nayak; S. Nozaki; H. Ono; K. Uchida
    口頭発表（一般）, 英語, The E-MRS 2006 Spring Meeting, Symposium K
    発表日 2006年05月
  • 表面プラズモン効果を用いたラマン分光法による低密度のGe超微粒子の分析
    寺田 力; セン・ソマディティヤ; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第53回応用物理学会学関係連合講演会
    発表日 2006年03月
  • 自然超格子を有するInGaP/GaAs HBTへテロ接合界面におけるバンド不連続の研究
    触澤宣晶; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第53回応用物理学会学関係連合講演会
    発表日 2006年03月
  • InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ特性への表面再結合の影響
    黒川愛里; 金 智; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会,電子情報通信学会技術研究報告
    発表日 2006年01月
  • Material Issues in high-frequency GaInP/GaAs heterojunction bipolar transistors
    Shinji Nozaki; Hiroshi Ono; Kazuo Uchida; Hiroshi Morisaki
    口頭発表（招待・特別）, 英語, The XIII International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, IEEE, EDS, New Delhi, India, 国際会議
    発表日 2005年12月
  • 光励起によるシリコンナノ結晶の形成とその二次元配列
    野崎眞次; C. Y. Chen; 小野 洋
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, 電気通信大学・東京農工大学21世紀COEプログラム第2回合同シンポジウム
    発表日 2005年12月
  • Position and size-controlled photosynthesis of silicon nanocrystals
    C. Y. Chen; S. Kimura; S. Sen; S. Nozaki; H. Ono; K. Uchida; H. Morisaki
    シンポジウム・ワークショップパネル（公募）, 英語, 電気通信大学・東京農工大学21世紀COEプログラム第2回合同シンポジウム, 東京
    発表日 2005年12月
  • SiO超微粉を原料とした低温・高品位SiO2薄膜の製作と評価
    野崎眞次; 木村誠二; 小野 洋; 内田和男; 森崎 弘
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, 薄膜材料デバイス研究会第2回研究集会
    発表日 2005年11月
  • NiO薄膜を用いたp-GaNオーミックコンタクトに関する研究
    内藤寛人; 斉藤貴夫; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 薄膜材料デバイス研究会第2回研究集会
    発表日 2005年11月
  • BiドープSiOx導電膜の特性評価
    牛田賢志; 木村誠二; 森崎 弘; 野崎眞次; 内田和男; 小野 洋
    口頭発表（一般）, 日本語, 薄膜材料デバイス研究会第2回研究集会
    発表日 2005年11月
  • バラスト抵抗用Ni微粒子混合誘電体薄膜の作製と評価
    横山 彩; 野崎眞次; 内田和男; 小野 洋; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 薄膜材料デバイス研究会第2回研究集会
    発表日 2005年11月
  • ナノ構造分散系としての金属ドープガラス薄膜の電気伝導とデバイス応用(II)
    大杉秀水; 一戸隆久; 野崎眞次; 森崎 弘; 正木 進
    口頭発表（一般）, 日本語, 薄膜材料デバイス研究会第2回研究集会
    発表日 2005年11月
  • バラスト抵抗用Ni微粒子混合Si3N4薄膜の作製と評価
    横山 彩; 野崎眞次; 内田和男; 小野 洋; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 電気学会,誘電・材料/電子材料合同研究会
    発表日 2005年10月
  • Passivation of III-V semiconductor HBTs
    Z. Jin; K. Uchida; S. Nozaki; W. Prost; F. –J. Tegude
    口頭発表（招待・特別）, 英語, IV International Workshop on Semiconductor Surface Passivation, Ustron, Poland, 国際会議
    発表日 2005年09月
  • ナノポーラスシリカLow-k膜の低温熱処理と膜機械強度
    倪 威; 小野 洋; 内田和男; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第66回応用物理学会学術講演会講演
    発表日 2005年09月
  • 走査型トンネル顕微鏡によるGaInP氏前兆格子構造の観察
    平川長規; 大塚史之; 野崎真次; 小野 洋; 内田和男; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会,第66回応用物理学会学術講演会
    発表日 2005年09月
  • 酸化シリコンナノ粒子の新機能
    野崎眞次
    その他, 日本語, イノベーションジャパン2005
    発表日 2005年09月
  • Light scattering spectroscopies of semiconductor nanocrystals (quantum dots)
    P. Y. Yu; G. Gardner; S. Nozaki; I. Berbezier
    口頭発表（招待・特別）, 英語, The 3rd International Conference on Materials for Advanced Technologies, Symposium Y: Optical Spectroscopic Techniques, Singapore, 国際会議
    発表日 2005年07月
  • 階段状ドーピングプロファイルによるバラクターダイオードの高性能化（共著）
    中島誠幸; 内田和男; 野崎眞次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 電子情報通信学会2005年総合大会エレクトロニクスソサイエティ
    発表日 2005年03月
  • Pdナノクリスタル含有SiO2の大気中及び低真空中SPM観察（共著）
    平川長規; 野崎眞次; 小野 洋; 内田和男; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第52回応用物理学関係連合講演会
    発表日 2005年03月
  • Self-limiting photo-assited synthesis of silicon nanocrystals
    C. Y. Chen; S. Kimura; S .Sen; S. Nozaki; H. Ono; K. Uchida; H. Morisaki
    口頭発表（一般）, 英語, Materias Research Society Fall Meeting, ボストン
    発表日 2004年12月
  • Self-limiting photo-assisted synthesis of silicon nanocrystals（共著）
    C. Y. Chen; S. Kimura; S. Sen; S. Nozaki; H. Ono; K. Uchida; H. Morisaki
    口頭発表（一般）, 英語, 東京農工大学・電気通信大学21世紀COEプログラム合同シンポジウム予稿集「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」
    発表日 2004年12月
  • 金属酸化物透明電極を用いた白色LEDの高機能化に関する研究（共著）
    伊藤 純; 内田 和男; 野崎 眞次; 森崎 弘; 長岡 亜季則; 内藤 寛人
    口頭発表（一般）, 日本語, 日本光学会年次学術講演会OJ2004
    発表日 2004年11月
  • ナノ構造分散系としての金属ドープガラス薄膜の電気伝導とデバイス応用（共著）
    椛木 弘美; 一戸 隆久; 野崎 眞次; 森崎 弘; 正木 進
    口頭発表（一般）, 日本語, 薄膜材料デバイス研究会アブストラクト集
    発表日 2004年11月
  • ITO薄膜における深さ方向の構造についての光学的研究（共著）
    長岡 亜季則; 野崎 眞次; 内田 和男; 森崎 弘; 伊藤 純; 内藤 寛人
    口頭発表（一般）, 日本語, 薄膜材料デバイス研究会アブストラクト集
    発表日 2004年11月
  • 超高真空走査型トンネル顕微鏡によるInGaP/GaAs超格子断面の観察（共著）
    郡司 貢; 平川 長規; 千葉 綾子; 小野 洋; 内田 和男; 野崎 眞次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 日本結晶学会年会講演要旨集
    発表日 2004年11月
  • CBrCl3をドーパント源としたp-InGaAsのMOVPE成長（共著）
    加部 正悟; 触澤 宣晶; 小野 洋; 内田和男; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第65回応用物理学会学術講演会講演予講集
    発表日 2004年09月
  • 紫外線照射による高品位SiOx膜の作製（共著）
    越川 智朗; 木村 誠二; 小野 洋; 内田和男; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第６５回応用物理学会学術講演会講演予講集
    発表日 2004年09月
  • Heガス中蒸発法による低誘電率のナノポーラスシリカ膜の作製（共著）
    加藤 明宏; Wei Ni; 小野 洋; 内田和男; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第６５回応用物理学会学術講演会講演予講集
    発表日 2004年09月
  • Ge超微粒子フローティングゲートMOSキャパシタの作製と電気的特性（共著）
    杉本 武; 寺田 力; Somaditya Sen; 小野 洋; 内田和男; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第６５回応用物理学会学術講演会講演予講集
    発表日 2004年09月
  • SiOx超微粒子の蒸着による低温シリコン酸化膜の作製（共著）
    木村 誠二; 野崎 眞次; 内田 和男; 小野 洋; 森崎 弘; 川崎 卓
    その他, 日本語, 電気通信大学共同研究成果発表会
    発表日 2004年06月
  • Synthesis, properties and applications of germanium nanocrystals
    S. Nozaki
    口頭発表（一般）, 英語, INDO-US Workshop on Nano-Scale Materials: From Science to Technology, Puri
    発表日 2004年04月
  • Synthesis, properties and applications of germanium nanocrystals
    S. Nozaki
    口頭発表（招待・特別）, 英語, INDO-US Workshop on Nano-Scale Materials: From Science to Technology, Puri, 国際会議
    発表日 2004年04月
  • ナノ珪素系粒子の評価と応用
    木村誠二; 小野 洋; 野崎眞次; 内田和男; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 電気通信大学21世紀COEプログラム第1回公開シンポジウム予稿集
    発表日 2003年12月
  • パラジウムナノ構造含有薄膜の電気的特性評価
    一戸隆久; 正木進; 内田和男; 野崎眞次; 森崎弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第２回２１世紀連合シンポジウム
    発表日 2003年11月
  • Si超微粒子熱酸化によるナノポーラスシリカ膜の作製(共著)
    安富大祐; 木原尚志; 小野 洋; 内田和男; 野崎真次; 森崎 弘; 吉丸正樹
    その他, 日本語, 電気通信大学共同研究センター第7回共同研究成果発表会
    発表日 2002年05月
  • "固相Siナノクラスターによる半導体メモリー"（共著）
    野崎真次; 佐倉 竜太; Puspashree Mishra; 内田和男; 森崎 弘
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, ナノ・インテリジェント材料シンポジウム、未踏科学技術協会・インテリジェント材料フォーラム主催、平成１３年１１月１３日、東京青学会館 （招待講演）
    発表日 2001年11月
  • Oxidation of MBE-grown Ge dots on Si and application to nanocrystal memories: Controlled positioning of Ge dots in SiO2
    S. Nozaki
    口頭発表（招待・特別）, 英語, Si Ge Net Midterm Review Meeting, September 3 -4, 2001, Marseille, France (INVITED), 国際会議
    発表日 2001年09月
  • SiO2超微粒子薄膜のLow-k応用（共著）
    木原尚志; 安富大祐; 内田和男; 小野 洋; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第60回半導体・集積回路技術シンポジウム、電気化学会電子材料委員会主催、平成13年6月6-7日、大阪国際交流センター
    発表日 2001年06月
  • MOVPE成長GaInP材料物性とGaInP/GaAs HBT DC特性に関する報告（共著）
    池上隆幸; 杉山智之; 降矢美保; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第48回応用物理学関係連合講演会，明治大学
    発表日 2001年03月
  • Si超微粒子からのEL発光（共著）
    佐藤慶介; 大場鉄平; 弓野 聡; 岩瀬満雄; 和泉富雄; 庄 善之; 野崎眞次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第48回応用物理学関係連合講演会，明治大学
    発表日 2001年03月
  • 銅フタロシアニン／シリコンヘテロ接合ダイオードの特性（共著）
    小野 洋; 岩本卓三; 内田和男; 野崎眞次; 伊藤進夫; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第48回応用物理学関係連合講演会，明治大学
    発表日 2001年03月
  • 超高真空断面走査形トンネル顕微鏡による半導体へテロ界面GaInP/GaAsの観察（共著）
    三保基陽; 茶圓 聡; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第48回応用物理学関係連合講演会，明治大学
    発表日 2001年03月
  • フッ酸処理したSi超微粒子からの赤色発光強度の増大（共著）
    佐藤慶介; 岩瀬満雄; 和泉富雄; 庄 善之; 野崎眞次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 電気化学会第67回大会講演要旨集, 名古屋大学
    発表日 2000年04月
  • 新低誘電材料としての酸化Si超微粒子の作製と評価（共著）
    舟崎秀夫; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第47回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 2000年03月
  • 全反射X線を用いたSiO2多孔質膜の誘電率測定（共著）
    木原尚志; 舟崎秀夫; 伊藤進夫; S. Banerjee; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第47回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 2000年03月
  • 水素終端したSi(III)2×1劈開面のSTSによる評価（共著）
    西方 誠; 三保基陽; NS. McAlpine; 小野 洋; 内田和男; 野崎眞次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第47回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 2000年03月
  • フッ酸処理したSi超微粒子のEL特性（共著）
    佐藤慶介; 杉山陽介; 岩瀬満雄; 和泉富雄; 庄 善之; 野崎眞次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第47回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 2000年03月
  • AlGaN/GaN HEMTのドレイン電流の異常減少
    S. Nozaki; H. Feick; J. Kruger; E. R. Webe
    口頭発表（一般）, 英語, 2000 Workshop on Compound Semiconductors and Devices, 2/20-2/23/00, San Diego, CA, USA
    発表日 2000年02月
  • AlGaN/GaN HEMTのドレイン電流の異常減少
    S. Nozaki; H. Feick; J. Kruger; E. R. Webe
    口頭発表（招待・特別）, 英語, 2000 Workshop on Compound Semiconductors and Devices, 2/20-2/23/00, San Diego, CA, USA, 国際会議
    発表日 2000年02月
  • クラスタービーム法で作製したゲルマニウムナノクリスタル薄膜にみられるクーロンブロッケード特性
    Souri Banerjee; S. Nozaki; H. Morisaki
    口頭発表（招待・特別）, 英語, Proceedings of the 10th International Workshop on Semiconductor Physics of Semiconductor Devices, 12/14-12/18/99, Delhi, India, 国際会議
    発表日 1999年12月
  • 陽極酸化によるポーラスシリコンからのEL強度の増大（共著）
    庄 善之; 野崎眞次; 森崎 弘; 岩瀬満雄; 和泉富雄
    口頭発表（一般）, 日本語, 第60回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1999年09月
  • SiO2膜中のSi超微粒子の形成（共著）
    佐藤慶介; 杉山陽介; 岩瀬満雄; 和泉富雄; 上野武夫; 矢口紀恵; 庄 善之; 野崎眞次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第60回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1999年09月
  • Si超微粒子内の伝導ESR(光照射効果（共著）
    杉山陽介; 佐藤慶介; 岩瀬満雄; 和泉富雄; 庄 善之; 野崎眞次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第60回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1999年09月
  • Si超微粒子の形成過程における光音響スペクトル変化（共著）
    桑畑周司; 佐藤慶介; 杉山陽介; 岩瀬満雄; 和泉富雄; 武藤信男; 庄 善之; 野崎眞次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第60回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1999年09月
  • Optical properties of tetragonal germanium nanocrystals deposited by the clcester-beam evaporation technique : New light emitting material for future（共著）
    S. Nozaki; S. Sato; S. Rath; H. Ono; H. Morisaki
    口頭発表（招待・特別）, 英語, Bulletin of Materials Science, 国際会議
    発表日 1999年05月
  • 熱酸化および陽極酸化を行ったポーラスシリコンからの発光（共著）
    庄 善之; 野崎眞次; 森崎 弘; 岩瀬満雄; 和泉富雄
    口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会，第8回研究集会，光るシリコン-プロセス・素子技術の新展開-，東京農工大学
    発表日 1999年04月
  • Si超微粒子の発光と常磁性欠陥（共著）
    岩瀬満雄; 佐藤慶介; 和泉富雄; 上野武夫; 矢口紀恵; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 応用物理学会分科会シリコンテクノロジー：光るシリコンープロセス・素子技術の新展開ー特集号，東京農工大学（東京）
    発表日 1999年04月
  • Si微粒子の水素処理による発光特性の変化（共著）
    佐藤慶介; 杉山陽介; 岩瀬満雄; 和泉富雄; 庄 善之; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第46回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1999年03月
  • トリメチルアミンを用いた高周波プラズマCVD法によるGaNの作製（共著）
    島袋淳一; 池上隆幸; 内田和男; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第46回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1999年03月
  • 低誘電材料としてのSi酸化物超微粒子の作製と評価(I)（共著）
    道又重臣; 小澤宏之; 舟崎秀夫; 佐藤井一; 小野 洋; 内田和男; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第46回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1999年03月
  • 銅フタロシアニン分子薄膜の構造と電気特性の膜厚依存性（共著）
    宮崎隆誌; 岩本卓三; 野崎真次; 森崎 弘; 伊藤進夫
    口頭発表（一般）, 日本語, 第46回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1999年03月
  • ダイヤモンド薄膜/p-Si構造電極による二酸化炭素の還元I（共著）
    曽根崇史; 小野 洋; 木村正光; 野崎真次; 森崎 弘; 湯郷成美
    口頭発表（一般）, 日本語, 第46回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1999年03月
  • ダイヤモンド薄膜/p-Si電極の光電気化学特性評価（共著）
    小野 洋; 曽根崇史; 野崎真次; 森崎 弘; 湯郷成美
    口頭発表（一般）, 日本語, 電気化学会第66回大会講演要旨集
    発表日 1999年03月
  • 半導体ナノクリスタルの電子・光機能とデバイス応用
    野崎真次
    口頭発表（一般）, 日本語, シンポジウム'99「明日をめざす科学技術
    発表日 1999年02月
  • 半導体ナノクリスタルの電子・光機能とデバイス応用
    野崎真次
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, シンポジウム'99「明日をめざす科学技術
    発表日 1999年02月
  • 固体クラスターの粒子サイズ効果による電子・光機能（共著）
    野崎真次; 内田和男; 小野 洋; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, ナノスペースラボ・シンポジウム'99
    発表日 1999年01月
  • 固体クラスターの粒子サイズ効果による電子・光機能（共著）
    野崎真次; 内田和男; 小野 洋; 森崎 弘
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, ナノスペースラボ・シンポジウム'99
    発表日 1999年01月
  • RFスパッタリング法により作成したSi微粒子の欠陥と発光との関係（共著）
    佐藤慶介; 杉山陽介; 岩瀬満雄; 和泉富雄; 庄 善之; 野崎真次; 森崎 弘
    その他, 日本語, 第9回粒子線の先端的応用技術に関するシンポジウム
    発表日 1998年11月
  • 電極材料としてのダイヤモンド薄膜の電気特性（共著）
    曽根崇史; 小野 洋; 木村正光; 野崎真次; 森崎 弘; 湯郷成美
    その他, 日本語, 第12回ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集
    発表日 1998年11月
  • Si微粒子のESR法による評価（共著）
    佐藤慶介; 杉山陽介; 岩瀬満雄; 和泉富雄; 庄 善之; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1998年09月
  • ポーラスシリコンにおけるプラズモンエネルギー変化（共著）
    佐藤井一; シャーマ・ラス; 秋山深一; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1998年09月
  • 超音速ジェットノズル付ガス中蒸発法で作製されたSi超微粒子の評価II
    鈴木智博; 小野 洋; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第45回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1998年03月
  • ガス中蒸発法による低誘電率Si酸化膜の作製
    小沢 宏之; 小野 洋; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第45回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1998年03月
  • Germanium nanostructures deposited by the cluster-beam evaporation technique（共著）
    S. Nozaki; S. Sato; H. Ono; H. Morisaki
    口頭発表（招待・特別）, 英語, The 3rd International Symposium on Advanced Physical Fields, Tsukuba, Japan, Fev. 18-20，1998（invited），Proceedings ofthe 3rd International Symposium on Advanced Physical Fields, N. Koguch et al.（ed），J. Surface Analysis,, 国際会議
    発表日 1998年02月
  • クラスタービーム蒸着法による正方晶ゲルマニウムナノクリスタルの作製と物性評価
    野崎真次
    その他, 日本語, 日本学術振興会荷電粒子ビームの工業への応用第132委員会 第139回研究会
    発表日 1998年
  • 超音速ジェットノズル付ガス中蒸発法で作製されたSi超微粒子の評価II（共著）
    鈴木智博; 小野 洋; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第45回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1998年
  • ガス中蒸発法による低誘電率Si酸化膜の作製（共著）
    小澤宏之; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第45回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1998年
  • クラスタービーム蒸着法による正方晶ゲルマニウムナノクリスタルの作製と物性評価
    野崎真次
    その他, 日本語, 日本学術振興会荷電粒子ビームの工業への応用第132委員会 第139回研究会
    発表日 1998年
  • 中性クラスター形成による新材料創性ー新ゲルマニウム材料の誕生
    野崎真次; 佐藤井一; 小野 洋; 森崎 弘
    その他, 日本語, ナノスペースラボ・シンポジウム'97
    発表日 1997年10月
  • 中性クラスター形成による新材料創性ー新ゲルマニウム材料の誕生
    野崎真次; 佐藤井一; 小野 洋; 森崎 弘
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, ナノスペースラボ・シンポジウム'97
    発表日 1997年10月
  • MBE法によるInAs量子ドット構造の選択的自己形成
    長谷川 久; 脇 英司; 山口浩一; 野崎真次
    口頭発表（一般）, 日本語, 第44回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1997年03月
  • Si微粒子のESR
    渡辺祥聡; 庄 善之; 和泉富雄; 小沢宏之; 佐藤井一; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第44回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1997年03月
  • クラスタービーム蒸着法で作製したGeクラスター膜の電気的特性
    川手俊矢; 佐藤井一; 秋山深一; 道又重臣; 野崎真次; 森崎 弘; 小日向貢
    口頭発表（一般）, 日本語, 電気化学会第64回大会講演要旨集
    発表日 1997年03月
  • クラスタービーム法によるGeナノ構造薄膜のラマン分光評価
    黒下恭志; 大河原淳平; 岩瀬満雄; 若木守明; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 電気化学会第64回大会講演要旨集
    発表日 1997年03月
  • RFスパッタ法で作製したSiドープSiO2多層膜反射鏡の反射率特性
    剣持大介; 佐藤井一; 山田剛之; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第44回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1997年03月
  • SiドープSiO2ガラスからのエレクトロルミネッセンス
    矢部智一; 安原昌樹; 小野 洋; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第44回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1997年03月
  • ダイアモンド薄膜の光電気化学的特性II
    小野 洋; 野崎真次; 森崎 弘; 湯郷成美
    口頭発表（一般）, 日本語, 第44回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1997年03月
  • トリメチルアミン・アンモニア混合プラズマ中のイオン種
    小林 哲; 島袋淳一; 野崎真次; 森崎 弘; 正木 進
    口頭発表（一般）, 日本語, 第44回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1997年03月
  • クラスタービーム蒸着法で作製したテトラゴナルGeナノ構造の価電子帯構造
    佐藤井一; 川出俊也; 秋山深一; 道又重臣; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第44回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1997年03月
  • クラスタービーム法によるテトラゴナルGeナノ構造新材料の創製（共著）
    川出俊矢; 佐藤井一; 野崎真次; 森崎 弘; 岩瀬満雄
    その他, 日本語, 粒子線技術開発定例研究会資料集 電気化学会
    発表日 1997年
  • クラスタービーム蒸着法で作製したGeクラスター膜の電気特性（共著）
    佐藤井一; 野崎真次; 森崎 弘; 岩瀬満雄
    その他, 日本語, 粒子線を用いた次世代材料プロセス技術論文集 電気化学会
    発表日 1997年
  • Size reduction of germanium nanocrystals by oxidation
    S. Rath; H. Ono; S. Nozaki; H. Morisaki
    その他, 英語, 電子材料研究会 電気学会
    発表日 1997年
  • クラスタービーム蒸着法で作製したSiナノ微粒子の光酸化（共著）
    川出俊矢; 室井崇臣; 佐藤井一; 野崎真次; 森崎 弘
    その他, 日本語, 第8回粒子線の先端的応用技術に関するシンポジウム 電気化学会
    発表日 1997年
  • Ge超微粒子薄膜のX線回折と全反射法による評価（共著）
    二宮秀之; 伊藤進夫; 佐藤井一; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第58回応用物理学会学術講演予稿集
    発表日 1997年
  • ダイアモンド薄膜の光電気化学的特性II（共著）
    小野 洋; 曽根崇史; 森谷恵介; 野崎真次; 森崎 弘; 湯郷成美
    口頭発表（一般）, 日本語, 第58回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1997年
  • クラスタービーム蒸着法で作製したテトラゴナルGeナノ構造の光学的評価（共著）
    佐藤井一; 川出俊矢; 秋山深一; 道又重臣; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第58回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1997年
  • 陽極酸化したポーラスシリコンのEL特性（共著）
    八巻哲也; 小野 洋; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第58回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1997年
  • Germanium nanostructures deposited by the cluster-beam evaporation technique(共著)
    S. NOZAKI; S. SATO; H. ONO; H. MORISAKI; M. IWASE
    口頭発表（招待・特別）, 英語, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 国際会議
    発表日 1997年
  • Germanium nanostractures deposited by the Cluster-beam evaporation technique（共著）
    Shinji Nozaki; S. Sato; H. Ono; H. Morisaki
    口頭発表（招待・特別）, 英語, Physics, Chemistry and Application of Nanostructures : Review and Short Notes to Nanomeeting '97, World Scientific, 国際会議
    発表日 1997年
  • Germanium nanostructures deposited by the cluster-beam evaporation technique（共著）
    Shinji Nozaki; S, Sato; H. Ono; H. Morisaki
    口頭発表（招待・特別）, 英語, Physics of Semiconductor Nanostructures, Narosa Publishing House, 国際会議
    発表日 1997年
  • クラスタービーム蒸着法で作製したSiナノ微粒子の光酸化
    川手俊矢; 室井崇臣; 佐藤井一; 野崎真次; 森崎 弘
    その他, 日本語, 第8回粒子線の先端的応用技術に関するシンポジウム
    発表日 1997年
  • SiドープSiO2多層膜を用いた光共振器の作製とその光学的評価
    剣持大介; 佐藤井一; 小野 洋; 野崎真次; 森崎 弘
    その他, 日本語, 電子情報学会信学技報
    発表日 1997年
  • クラスタービーム蒸着法で作製したGeクラスター膜の構造変化
    川手俊矢; 佐藤井一; 野崎真次; 森崎 弘; 岩瀬満雄
    口頭発表（一般）, 日本語, 第７回粒子線の先端的応用技術に関するシンポジウム
    発表日 1996年11月
  • クラスタービーム法によるゲルマニウム超微粒子の作製と特性評価
    野崎真次; 佐藤井一; 森崎 弘; 高橋 清
    口頭発表（一般）, 日本語, 第57回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1996年09月
  • クラスタービーム法によるゲルマニウム超微粒子の作製と特性評価
    野崎真次; 佐藤井一; 森崎 弘; 高橋 清
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, 第57回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1996年09月
  • クラスタービーム法によるGeナノ構造薄膜のラマン分光・ATR評価
    黒下恭志; 大河原淳平; 岩瀬満雄; 若木守明; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第57回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1996年09月
  • クラスタービーム法によるFeSixクラスター膜（?氈j
    大河原淳平; 岩瀬満雄; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第57回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1996年09月
  • ポーラスシリコンおよびSiドープSiO2薄膜の欠陥構造（ESR評価）
    庄善之; 佐藤慶介; 岩瀬満雄; 和泉富雄; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第57回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1996年09月
  • 超音速ジェットノズル付ガス中蒸発法で作製されたSi超微粒子の評価
    小野 洋; 鈴木智博; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第57回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1996年09月
  • HF処理したSi超微粒子からのPLとポーラスSiからのPLの関係
    佐藤井一; 高倉陽一; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 電気化学会第63回大会講演要旨集
    発表日 1996年04月
  • PN接合ポーラスシリコンのエレクトロルミネッセンス特性
    新田展崇; 八巻哲也; 小野 洋; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 電気化学会第63回大会講演要旨集
    発表日 1996年04月
  • はじめに：半導体ナノクリスタルの量子物理とデバイス応用
    野崎真次
    口頭発表（一般）, 日本語, 第43回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1996年03月
  • はじめに：半導体ナノクリスタルの量子物理とデバイス応用
    野崎真次
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, 第43回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1996年03月
  • トリメチルアミンを用いたプラズマCVD法によるCN膜の作製
    小林 哲; 宮崎恵子; 野崎真次; 森崎 弘; 福井繁雄; 正木 進
    口頭発表（一般）, 日本語, 第43回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1996年03月
  • Heガス中蒸発した水素終端Si微粒子からのPL
    高倉陽一; 佐藤井一; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第43回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1996年03月
  • 高周波グロー放電法によるトリメチルアミンを用いたC1-xNxの成膜(共著)
    小林哲; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 電気化学会第63回学術大会シンポジウム 粒子線を用いた次世代材料プロセス技術論文集
    発表日 1996年
  • クラスタービーム法で作製したテトラゴナルGe超微粒子の光物性(共著)
    佐藤井一; 野崎真次; 森崎 弘
    その他, 日本語, 電子情報通信学会信学技報
    発表日 1996年
  • クラスタービーム蒸着法で作製したテトラゴナルGeクラスター膜の相転移(共著)
    佐藤井一; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 電気化学会第63回学術大会/シンポジウム 粒子線を用いた次世代材料プロセス技術論文集
    発表日 1996年
  • Molecular Beam Epitaxial Growth of Copper Phthalocyanine On Si(111)
    T. Kunugi; S. Nozaki; H. Morisaki; K. Takahashi
    口頭発表（一般）, 英語, Japan IEMT Symposium
    発表日 1995年12月
  • クラスタービーム法によるテトラゴナルGeナノ構造の光酸化
    佐藤井一; 野崎真次; 森崎 弘; 高橋 清
    口頭発表（一般）, 日本語, 日本MRS第7回年次総会学術シンポジウム
    発表日 1995年12月
  • 銅をメッキしたポーラスSi電極によるCO2の光電気化学的還元
    山田真人; 小野 洋; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 電気化学秋季大会講演要旨集
    発表日 1995年09月
  • イオンビームスパッタ法によるC1-xNx薄膜の作製
    小林 哲; 野崎真次; 森崎 弘; 福井繁雄; 正木 進
    その他, 日本語, 電気化学協会第62回学術大会講演 粒子線を用いた次世代材料プロセス技術論文集
    発表日 1995年04月
  • クラスタービーム法によるGeナノ構造の評価
    岩瀬満雄; 佐藤井一; 小野 洋; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 電気化学協会第62回学術大会講演要旨集
    発表日 1995年04月
  • ケミカルエッチング法による多孔質Siのフォトルミネッセンススペクトルの温度依存性
    秋永成信; 成澤稔裕; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第42回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1995年03月
  • 水素ガス中蒸発したGe超微粒子の光酸化（２）ー熱処理による発光のレッドシフト
    伝田 敦; 佐藤井一; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第42回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1995年03月
  • クラスタービーム法によるGeクラスター膜（３）ー膜構造ー
    佐藤井一; 岩瀬満雄; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第42回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1995年03月
  • クラスタービーム法によるGeクラスター膜（４）ー可視領域発光ー
    佐藤井一; 岩瀬満雄; 野崎真次; 伝田 敦; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第42回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1995年03月
  • イオンビームスパッタ法によるC1-xNx薄膜の作製
    小林 哲; 福井繁雄; 正木 進; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第42回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1995年03月
  • ポーラスシリコン層内の非発光中心
    庄 善之; 島崎美恵子; 岩瀬満雄; 和泉富雄; 一戸隆久; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第42回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1995年03月
  • SiドープSiO2ガラスのESR
    片野寿昭; 庄 善之; 岩瀬満雄; 和泉富雄; 中村 仁; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第42回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1995年03月
  • 選択成長における微細ストライフプ構造の自己制限機構(共著)
    山口浩一; 野崎真次
    その他, 日本語, 電気学会電子材料研究会資料
    発表日 1995年
  • Si/C複合ターゲットを用いたIBSD法によるSi1-xCx薄膜
    小林 哲; 福井繁雄; 正木 進; 野崎真次; 森崎 弘
    その他, 日本語, Process of the 5th Symposium on Beam Engineering of Advanced Material Synthesis
    発表日 1994年11月
  • 多孔質シリコンからの可視領域発光における可逆的な波長変化
    一戸隆久; 新田展崇; 小野 洋; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第５５回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1994年09月
  • SiドープSiO2ガラスの可視領域発光
    中村 仁; 矢部智一; 小野 洋; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第55回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1994年09月
  • 水素ガス中蒸発したGe超微粒子の光酸化
    佐藤井一; 伝田 敦; 小野 洋; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第55回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1994年09月
  • クラスタービーム法によるGeクラスター膜（１）
    岩瀬満雄; 佐藤井一; 小野 洋; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第55回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1994年09月
  • クラスタービーム法によるGeクラスター膜（２）
    佐藤井一; 岩瀬満雄; 小野 洋; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第55回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1994年09月
  • 半導体微粒子の光触媒効果と光エネルギー変換への応用
    山田真人; 小野 洋; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 電気化学秋期大会講演要旨集
    発表日 1994年09月
  • 原子オーダ構造制御の現状と展望
    野崎真次
    その他, 日本語, 電気学会技術報告書
    発表日 1994年07月
  • ガス中蒸発法Siからの青色発光機構I
    佐藤井一; 小野 洋; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第４１回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1994年03月
  • 電解溶液種による多孔質シリコンの可視発光への影響
    一戸隆久; 小野 洋; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第55回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1994年03月
  • 酸素含有シリコンナノ構造からの高強度青色発光と発光機構(共著)
    小野 洋; 野崎真次; 森崎 弘
    その他, 日本語, 電気学会研究会資料
    発表日 1994年
  • Research Activities on Intelligent Materials in Japan(共著)
    K. Takahshi; S. Nozaki
    口頭発表（招待・特別）, 英語, Proceedings of the 2nd International Conference on Intelligent Materials, 国際会議
    発表日 1994年
  • 酸素含有シリコンナノ構造からの高強度青色発光と発光機構(共著)
    小野 洋; 野崎真次; 森崎 弘
    その他, 日本語, 電気学会研究会資料
    発表日 1994年
  • 酸化膜被覆白金シリサイド電極－水溶液中でのイオンの状態密度分布の温度依存性I
    小野 洋; 東 洋一; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 電気化学秋期大会講演要旨集
    発表日 1993年10月
  • 材料科学の遺伝子制御とナノスペースラボ
    野崎真次; 森崎 弘; 高橋 清
    口頭発表（一般）, 日本語, 第５４回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1993年09月
  • 材料科学の遺伝子制御とナノスペースラボ
    野崎真次; 森崎 弘; 高橋 清
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, 第５４回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1993年09月
  • ガス中蒸発法Siからの青色発光
    小野 洋; 佐藤井一; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第５４回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1993年09月
  • スパッタ法によるSi添加SiO2薄膜の可視光発光
    小野 洋; 野間重雄; 中村 仁; 野崎真次; 森崎 弘
    口頭発表（一般）, 日本語, 第５４回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1993年09月
  • スパッタ法によるSi添加SiO2薄膜の可視発光 (共著)
    野間重雄; 中村 仁; 小野 洋; 野崎真次; 森崎 弘
    その他, 日本語, 電子情報通信学会信学技報
    発表日 1993年
  • MOMBE法によるInGaAsへのカーボンの高濃度ドーピング
    白樫淳一; 宮野暁史; 吉岡ヒカルド; 野崎真次; 徳光永輔; 小長井 誠; 高橋 清
    口頭発表（一般）, 日本語, 第５３回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1992年04月
  • Design of the 21st-century electron devices with intelligent materials（共著）
    Shinji Nozaki; K. Takahashi
    口頭発表（招待・特別）, 英語, Proceedings of the 1st International Conference on Intelligent Materials, 国際会議
    発表日 1992年03月
  • カーボンドープp形GaAs中のBe拡散
    徳光永輔; 白樫淳一; 野崎真次; 小長井 誠; 高橋 清; 松本和彦; J. Murray
    口頭発表（一般）, 日本語, 第３９回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1992年03月
  • MOMBE法による高濃度カーボンドープp形GaInAs(IV)
    白樫淳一; 鹿島秀夫; 野崎真次; 徳光永輔; 小長井 誠; 高橋 清
    口頭発表（一般）, 日本語, 第３９回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1992年03月
  • MOMBE法による高濃度カーボンドープGaAsの熱的安定性
    野崎真次; 山田 巧; 白樫淳一; 徳光永輔; 小長井 誠; 高橋 清; H.Sohn; E.R. Weber
    口頭発表（一般）, 日本語, 第５２回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1991年10月
  • MOMBE法による高濃度カーボンドープp形GaAs/InGaAs超格子
    白樫淳一; 鹿島秀夫; 斉 鳴; 野崎真次; 徳光永輔; 小長井 誠; 高橋 清
    口頭発表（一般）, 日本語, 第５２回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1991年10月
  • MOMBE法による高濃度カーボンドープp形InGaAs(III)
    白樫淳一; 山田 巧; 野崎真次; 三宅隆二; 風呂 進; 小島康寿; 徳光永輔; 小長井 誠; 高橋 清
    口頭発表（一般）, 日本語, 第３８回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1991年03月
  • MOMBE法による高濃度カーボンドープp形GaAsのTEM観察
    山田 巧; 野崎真次; T.George; 深町太一; 三宅隆二; 小長井 誠; 高橋 清
    口頭発表（一般）, 日本語, 第５１回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1990年09月
  • MOMBE法による高濃度カーボンドープp形GaInAs(II)
    赤塚 健; 山田 巧; 三宅隆二; 野崎真次; 小長井 誠; 高橋 清
    口頭発表（一般）, 日本語, 第５１回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1990年09月
  • MOMBE法による高濃度カーボンドープp形GaAsを用いたpn接合特性
    三宅隆二; 野崎真次; 中川直之; 赤塚 健; 小長井 誠; 高橋 清
    口頭発表（一般）, 日本語, 第５１回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1990年09月
  • Pseudo-Hetero-epitaxial Problems in Heavily Carbon-Doped GaAs Grown on GaAs Substrate by MOMBE
    S. Nozaki; R. Miyake; T. Akatsuka; T. Yamada; T. Fukamachi; K. Saito; M. Konagai; K. Takahashi
    口頭発表（一般）, 英語, The 32nd Electronic Materials Conf.
    発表日 1990年06月
  • 超高濃度カーボンドープp形GaAsの結晶性評価（共著）
    深町太一; 山田 巧; 野崎真次; 三宅隆二; 小長井誠; 高橋 清
    その他, 日本語, 電子情報通信学会研究会資料(ED90-107)
    発表日 1990年
  • 超高濃度カーボンドープp形GaAsの結晶性評価（共著）
    深町太一; 山田 巧; 野崎真次; 三宅隆二; 小長井誠; 高橋 清
    その他, 日本語, 電子情報通信学会研究会資料(ED90-107)
    発表日 1990年
  • カーボンドープp形GaAs、InGaAsのデバイスへの応用に関する検討（共著）
    三宅隆二; 野崎真次; 山田 巧; 神山さとみ; 白樫淳一; 小長井誠; 高橋清
    その他, 日本語, 電子情報通信学会研究会(ED90-108)
    発表日 1990年
  • カーボンドープp形GaAs、InGaAsのデバイスへの応用に関する検討（共著）
    三宅隆二; 野崎真次; 山田 巧; 神山さとみ; 白樫淳一; 小長井誠; 高橋清
    その他, 日本語, 電子情報通信学会研究会(ED90-108)
    発表日 1990年
  • GaAs/GaAsP superlattice effects on GaAs/Si grown by MOCVD（共著）
    M. Umeno; T. Soga; T. Egawa; Shinji Nozaki; T. Jimbo
    口頭発表（招待・特別）, 英語, The 7th International Workshop on Future Electron Devices, 国際会議
    発表日 1989年10月
  • MOCVD法によるSi上GaAsの高抵抗化
    野崎真次; 能登宣彦; Albert Wu; 安形保則; 江川孝志; 曽我哲夫; 神保孝志; 梅野正義
    口頭発表（一般）, 日本語, 第５０回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1989年09月
  • 歪超格子中間層を用いたSi上へのGaAsの結晶成長
    曽我哲夫; 野崎真次; 蒋 仲埜; 安形保則; 西川廣信; 神保孝志; 梅野正義
    口頭発表（一般）, 日本語, 第５０回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1989年09月
  • MOMBE法による高濃度カーボンドープp形GaInAs-GaAsとの格子整合
    赤塚 健; 三宅隆二; 野崎真次; 山田 巧; 徳光永輔; 小長井 誠; 高橋 清
    口頭発表（一般）, 日本語, 第５０回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1989年09月
  • MOMBE法による高濃度カーボンドープp形GaAsを用いたpn 接合特性
    三宅隆二; 野崎真次; 赤塚 健; 山田 巧; 徳光永輔; 小長井 誠; 高橋 清
    口頭発表（一般）, 日本語, 第５０回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1989年09月
  • Etch Pits of MOCVD-Grown GaAs on Si with III-V Compound Intermediate Layers
    T. Soga; H. Nishikawa; S. Nozaki; N. Noto; T. Jimbo; M. Umeno
    口頭発表（一般）, 英語, Int. Conf. on the Science and Technology of Defect Control in Semiconductors
    発表日 1989年09月
  • Surface Morphology and Crystal Quality of MOCVD-Grown GaAs on Si with III-V Alloy Intermediate Layers
    T. Soga; S. Nozaki; N. Noto; T. Jimbo; M. Umeno
    口頭発表（一般）, 英語, The 7th Int. Conf. on Crystal Growth
    発表日 1989年08月
  • MOCVD法で成長したSi基板上GaAsに及ぼす成長条件（成長温度,V/III比)の影響
    野崎真次; 能登宣彦; 板倉秀明; 曽我哲夫; 神保孝志; 梅野正義
    その他, 日本語, 電子情報通信学会
    発表日 1989年05月
  • MOCVD法で成長したSi基板上GaAsに及ぼす成長条件（成長温度,V/III比)の影響
    野崎真次; 能登宣彦; 板倉秀明; 曽我哲夫; 神保孝志; 梅野正義
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, 電子情報通信学会
    発表日 1989年05月
  • Si基板上へのシングルドメインGaAs,GaPの成長
    梅野正義; 神保孝志; 曽我哲夫; 野崎真次; 能登宣彦
    その他, 日本語, 応用物理学会結晶工学分科会第９２回研究会
    発表日 1989年05月
  • Si基板上へのシングルドメインGaAs,GaPの成長
    梅野正義; 神保孝志; 曽我哲夫; 野崎真次; 能登宣彦
    口頭発表（招待・特別）, 日本語, 応用物理学会結晶工学分科会第９２回研究会
    発表日 1989年05月
  • MOCVD法によるSi上GaAsのV/III依存性
    野崎真次; 能登宣彦; 岡田昌彦; 安形保則; 江川孝志; 曽我哲夫; 神保孝志; 梅野正義
    口頭発表（一般）, 日本語, 第３６回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1989年04月
  • GaAs on Siの選択エピタキシャル成長(II)
    曽我哲夫; 多田仁史; 野崎真次; 能登宣彦; 神保孝志; 梅野正義
    口頭発表（一般）, 日本語, 第３６回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1989年04月
  • MOCVD法によるGaAs /Siの成長温度依存性
    田岡峰樹; 岡田昌彦; 野崎真次; 能登宣彦; 曽我哲夫; 神保孝志; 梅野正義
    口頭発表（一般）, 日本語, 第３６回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1989年04月
  • MOCVD法による中間層を用いて成長したGaAs/Siの結晶性と電気的特性
    江川孝志; 野崎真次; 能登宣彦; 曽我哲夫; 神保孝志; 梅野正義
    口頭発表（一般）, 日本語, 第３６回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1989年04月
  • Si基板上GaAsに及ぼすγ線照射の影響
    今泉 充; 能登宣彦; 野崎真次; 曽我哲夫; 神保孝志; 梅野正義
    口頭発表（一般）, 日本語, 第３６回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1989年04月
  • AlGaP中間層を用いたSi上GaAs成長(II)
    能登宣彦; 野崎真次; T. George; 安形保則; 江川孝志; 曽我哲夫; 神保孝志; 梅野正義
    口頭発表（一般）, 日本語, 第３６回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
    発表日 1989年04月
  • Si上へのGaAsの結晶成長とそのヘテロ接合特性
    曽我哲夫; 江川孝志; 野崎真次; 能登宣彦; 神保孝志; 梅野正義
    その他, 日本語, 電子情報通信学会研究会資料(SDM88-140)
    発表日 1989年01月
  • Crystal growth of GaAs on Si using III-V alloy intermediate layer（共著）
    M. Umeno; T. Jimbo; T. Soga; T. Egawa; Shinji Nozaki; N. Noto
    口頭発表（招待・特別）, 英語, 8th Record of Alloy Semiconductor Physics and Electronics Symposium, 国際会議
    発表日 1989年
  • GaAs-on-Si for optical interconnections（共著）
    Shinji Nozaki; J. R. Carruthers
    その他, 英語, 電気学会電子材料、光・量子デバイス合同研究会資料(EFM-88-39)
    発表日 1988年12月
  • GaAs-on-Si for optical interconnections（共著）
    Shinji Nozaki; J. R. Carruthers
    口頭発表（招待・特別）, 英語, 電気学会電子材料、光・量子デバイス合同研究会資料(EFM-88-39)
    発表日 1988年12月
  • Characterization of GaAs Schottky Diodes Fabricated on Si Substrate Using Strained Layer Superlattice by MOCVD
    T. Egawa; T. Tada; S. Nozaki; N. Noto; T. Soga; T. Jimbo; M. Umeno
    口頭発表（一般）, 英語, The 2nd Int. Conf. on Formation of Semiconductor Interfaces
    発表日 1988年11月
  • MOCVD法によるSi上GaAsのオレンジピールモフォロジ
    野崎真次; 能登宣彦; 岡田昌彦; 安形保則; 江川孝志; 曽我哲夫; 神保孝志; 梅野正義
    口頭発表（一般）, 日本語, 第４９回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1988年10月
  • AlGaP中間層を用いたSi上GaAs成長
    能登宣彦; 野崎真次; 安形保則; 江川孝志; 曽我哲夫; 神保孝志; 梅野正義
    口頭発表（一般）, 日本語, 第４９回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1988年10月
  • MOCVD法により成長したGaAs/SiのSchottky特性
    江川孝志; 能登宣彦; 野崎真次; 安形保則; 曽我哲夫; 神保孝志; 梅野正義
    口頭発表（一般）, 日本語, 第４９回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1988年10月
  • GaAs on Siの接合特性
    曽我哲夫; 江川孝志; 野崎真次; 能登宣彦; 今泉 充; 神保孝志; 梅野正義
    口頭発表（一般）, 日本語, 第４９回応用物理学会学術講演会講演予稿集
    発表日 1988年10月

担当経験のある科目_授業

  • 総合コミュニケーション科学
    The University of Electro-Communications
  • 総合コミュニケーション科学
    電気通信大学
  • 大学院輪講第二
    The University of Electro-Communications
  • 大学院輪講第二
    電気通信大学
  • 卒業研究
    The University of Electro-Communications
  • 卒業研究
    電気通信大学

所属学協会

  • アメリカ電気学会
  • アメリカ材料研究学会
  • アメリカ物理学会
  • 応用物理学会
  • 電気学会
  • 電子情報通信学会
  • アメリカ電気化学学会

Works_作品等

  • ベンチャー企業（ナノテコ）を共同で設立し運営
    共同研究者等：森崎 弘、内田和男
    公開期間 2001年
  • 科学技術アクショングループ(在日英国商工会議所の分科委員会)推進委員
    公開期間 1995年 - 1997年
  • インドー日本科学技術協力推進委員
    公開期間 1994年 - 1997年
  • インドにおける研究所、大学にて講演(インテリジェント材料)
    公開期間 1993年 - 1993年

共同研究・競争的資金等の研究課題

  • 光レクテナの開発
    ソニーセミコンダクターソリューションズ, 研究助成
    研究期間 2018年06月22日 - 2019年03月31日
  • 高効率太陽光発電用レクテナの開発
    科学技術振興機構, 委託研究
    研究期間 2013年10月01日 - 2019年03月30日
  • 酸化物半導体抵抗変換型デバイスのニューロネットワーク集積回路の設計・試作
    日本学術振興会, 調査研究
    研究期間 2018年05月23日 - 2018年06月30日
  • 水熱法による酸化物半導体ナノ材料の作製および光酸化による高品質化
    日本学術振興会, 調査研究
    研究期間 2017年12月15日 - 2018年02月12日

産業財産権

  • 整流素子
    特許権, 野崎眞次, 内田和男, 黒川真吾, 古川 実, 白土 正, PCT/JP2013/067564, 出願日: 2013年06月26日, 電気通信大学、日本電業工作（株）, WO2014/207853, 公開日: 2014年12月31日
  • 整流素子
    特許権, 野崎眞次, 内田和男, 黒川真吾, 古川 実, 白土 正, 2012-094148, 出願日: 2012年04月17日, 国立大学法人電気通信大学、日本電業工作株式会社, 5607676, 発行日: 2014年09月05日
  • 酸化膜形成方法、MOSデバイス製造方法、MOSトランジスタ製造方法、SiOx粉末、及びSiOx粉末製造方法
    特許権, 野崎眞次, 内田和男, 木村誠二, 後藤博一, 柳原将貴, 伊吹山 正浩, 特願2007-208641, 出願日: 2007年08月09日, 電通大、サンケン電気（株）、電気化学工業（株）, 特開2009-41080, 公開日: 2009年02月26日, 特許第5221075号, 発行日: 2013年03月15日
  • 発光素子の製造方法
    特許権, 内藤寛人, 内田和男, 野崎眞次, 特願2007-203446, 出願日: 2007年08月03日, 電気通信大学、ナノテコ, 2008-60561, 公開日: 2008年03月13日, 特許第5196224号, 発行日: 2013年02月15日
  • 結晶質シリコン内在SiOx成形体の製造方法とその用途
    特許権, 野崎眞次, 内田和男, 森崎 弘, 川崎 卓, 伊吹山 正浩, 特願2004-280053, 出願日: 2004年09月27日, 電気通信大学、電気化学工業, 特開2006-89356, 公開日: 2006年04月06日, 特許第4966486号, 発行日: 2012年04月06日
  • Process for producing SiOx particles
    特許権, Shinji Nozaki, Kazuo Uchida, Hiroshi Morisaki, Takashi Kawasaki, Masahiro Ibukiyama, PCT/JP2005/017466 11/663,586(USfiling), 出願日: 2005年09月22日, The University of Electro-Communications, Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha, WO2006/035663, 公開日: 2006年04月06日, US 7,803,340, 発行日: 2010年09月28日
  • 透明導電性成形物およびその製造方法
    特許権, 野崎眞次, 内田和男, 森崎 弘, 木村誠二, 川崎 卓, 特願2005-160930, 出願日: 2005年06月01日, 電気化学工業、電気通信大学, 特許第4570152号, 発行日: 2010年08月20日
  • 発光ダイオードおよびその製造方法、発光ダイオードアレイ
    特許権, 内田和男, 森崎 弘, 野崎眞次, 2008-27725, 出願日: 2008年02月07日, ナノテコ（株）, 2009-188249, 公開日: 2009年08月20日
  • 白色LED装置及びその製造方法
    特許権, 内田和男, 森崎 弘, 野崎眞次, 杉山智之, 特願2007-300744, 出願日: 2007年11月20日, ナノテコ, 2009-147312, 公開日: 2009年07月02日
  • 酸化膜形成方法、MOSデバイス製造方法、MOSトランジスタ製造方法、SiOx粉末、及びSiOx粉末製造方法
    特許権, 野崎眞次, 内田和男, 木村誠二, 後藤博一, 柳原将貴, 伊吹山正浩, 特願2007-208641, 出願日: 2007年08月09日, 電気通信大学、電気化学工業、サンケン電気, 2009-41080, 公開日: 2009年02月26日
  • 発光素子およびその製造方法
    特許権, 内田和男, 野崎眞次, 加藤匡也, 2007-170557, 出願日: 2007年06月28日, ナノテコ（株）, 2009-10191, 公開日: 2009年01月15日
  • バイポーラトランジスタ、マルチフィンガーバイポーラトランジスタ、バイポーラトランジスタ製造用エピタキシャル基板、及びバイポーラトランジスタの製造方法
    特許権, 本城和彦, 内田和男, 加藤修一, 森崎 弘, 野崎眞次, 一戸隆久, -, ナノテコ（株）, 特許第3942984号, 発行日: 2007年04月13日
  • 発光素子
    特許権, 能登宣彦, 山田雅人, 野崎眞次, 内田和男, 森崎 弘, -, 信越化学、ナノテコ, 特許第3872398号, 発行日: 2006年10月27日
  • SiOx粉末の製造方法、SiOx粉末からなる膜
    特許権, 野崎眞次, 内田和男, 森崎 弘, 川崎 卓, 伊吹山正浩, -, 電気化学工業、電気通信大学, 特許第3868396号, 発行日: 2006年10月20日
  • 発光素子、およびその製造方法
    特許権, 内藤寛人, 内田和男, 野崎眞次, 特願2006-213878, 出願日: 2006年08月04日, 電気通信大学
  • 発光素子
    特許権, 能登宣彦, 山田雅人, 遠藤正久, 池田 均, 野崎眞次, 内田和男, 森崎 弘, -, 信越化学、ナノテコ, 特許第3814151号, 発行日: 2006年06月09日
  • SiOx粒子の製造法
    特許権, 野崎眞次, 内田和男, 森崎 弘, 川崎 卓, 伊吹山 正浩, -, 電気通信大学、電気化学工業, WO 2006/035663 A1, 公開日: 2006年04月06日
  • SiOx粒子の製造法
    特許権, SiOx粒子の製造法, PCT/JP2005/17466, 出願日: 2005年09月22日, 電気化学工業、電気通信大学
  • バイポーラトランジスタ、マルチフィンガーバイポーラトランジスタ、バイポーラトランジスタ製造用エピタキシャル基板、及びバイポーラトランジスタの製造法
    特許権, 特許出願2003-283995, 出願日: 2003年07月31日, 特許公開2005-51164, 公開日: 2005年02月24日
  • 白色発光ダイオード
    特許権, 特許出願2004-319954, 出願日: 2004年11月02日
  • 結晶質シリコン内在SiOx成形体の製造方法とその用途
    特許権, 特許出願2004-280053, 出願日: 2004年09月27日
  • 発光素子及び発光素子の製造方法
    特許権, 特許出願2003-23480, 出願日: 2003年01月31日, 特許公開2004-235509, 公開日: 2004年08月19日
  • 発光素子及び発光素子の製造方法
    特許権, 特許出願2002-378578, 出願日: 2002年12月26日, 特許公開2004-214232, 公開日: 2004年07月29日
  • 発光素子及びその製造方法
    特許権, 特許出願2002-349259, 出願日: 2002年11月29日, 特許公開2004-200184, 公開日: 2004年07月15日
  • 発光素子及びその製造方法
    特許権, 特許出願2003-363363, 出願日: 2003年10月23日, 特許公開2004-165654, 公開日: 2004年06月10日
  • 発光素子及び発光素子の製造方法
    特許権, 特許出願2002-308989, 出願日: 2002年10月23日, 特許公開2004-146541, 公開日: 2004年05月20日
  • 発光素子の製造方法及び発光素子
    特許権, 特許出願2002-308956, 出願日: 2002年10月23日, 特許公開2004-146537, 公開日: 2004年05月20日
  • 発光素子の製造方法及び発光素子
    特許権, 特許出願2002-230343, 出願日: 2002年08月07日, 特許公開2004-071896, 公開日: 2004年03月04日
  • 発光素子及び発光素子の製造方法
    特許権, 特許出願2002-259396, 出願日: 2002年09月04日, 特許公開2003-174197, 公開日: 2003年06月20日
  • SiOx粒子、その製造方法及び用途
    特許権, 特許出願2003-132866, 出願日: 2003年05月12日, 特許公開2004-331480
  • 半導体装置の製造方法
    特許権, 特許出願2001-191783, 出願日: 2001年06月25日, 特許公開2003-007696, 公開日: 2003年01月10日
  • 発光素子
    特許権, 特願2001-024946, 出願日: 2001年01月31日, 特許公開2002-232005, 公開日: 2002年08月16日
  • 発光素子
    特許権, 特許出願2003-080935, 出願日: 2002年03月24日
  • 低比誘電率SiOx膜、製造方法、それを用いた半導体装置
    特許権, 国際出願番号PCT/JP01/03822, 出願日: 2001年05月07日
  • 窒化物半導体製造方法
    特許権, 特許出願平11-79548, 出願日: 1999年03月24日, 特許公開2000-277436, 公開日: 2000年10月06日
  • シリコン基板上における高抵抗ガリウム砒素の製造法
    特許権, 特願平1-165134, 出願日: 1989年06月27日

その他

  • 太陽光発電用レクテナに関する研究が注目され、オーム社のインタビューを受け、その雑誌の専門用語の検索Engine, pp. 70 – 71, OHM 4, 2014：光レクテナ「太陽電池に代わる高効率太陽光発電用デバイス」として掲載された。
    2014年 - 2014年