ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電子デバイス、電子機器

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電気電子材料工学

2003年 - 2012年
横浜国立大学

Reduced activation temperature of B impurities in Si(001) epitaxial layers grown by sputter epitaxy using B-doped Si(001) target compared with Si(111) target
Yoshiyuki Suda; Nobumitsu Hirose; Takahiro Tsukamoto; Akifumi Kasamatsu; Toshiaki Matsui
Journal of Crystal Growth, Elsevier BV, 654巻, 掲載ページ 128092-128092, 出版日 2025年03月, 査読付
研究論文（学術雑誌）

Hole-tunneling Si0.82Ge0.18/Si triple-barrier resonant tunneling diodes with high peak current of 297 kA/cm2 fabricated by sputter epitaxy
Yoshiyuki Suda; Nobumitsu Hirose; Takahiro Tsukamoto; Minoru Wakiya; Ayaka Shinkawa; Akifumi Kasamatsu; Toshiaki Matsui
Applied Physics Letters, 124巻, 掲載ページ 093502-1-093502-6, 出版日 2024年02月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Sn distribution in Ge/GeSn heterostructures formed by sputter epitaxy method
Takahiro Tsukamoto; Kento Ikeno; Nobumitsu Hirose; Akifumi Kasamatsu; Toshiaki Matsui; Yoshiyuki Suda
筆頭著者, Journal of Crystal Growth, 604巻, 掲載ページ 127045/1-127045/5, 出版日 2022年12月18日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Increasing the critical thickness of SiGe layers on Si substrates using sputter epitaxy method
Takahiro Tsukamoto; Yosuke Aoyagi; Shouta Nozaki; Nobumitsu Hirose; Akifumi Kasamatsu; Toshiaki Matsui; Yoshiyuki Suda
筆頭著者, Journal of Crystal Growth, 600巻, 掲載ページ 126900/1-126900/4, 出版日 2022年09月29日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Direct Growth of Patterned Ge on Insulators Using Graphene
Takahiro Tsukamoto; Nobumitsu Hirose; Akifumi Kasamatsu; Toshiaki Matsui; Yoshiyuki Suda
筆頭著者, J. Phys. Chem. C, 125巻, 掲載ページ 14117-14121, 出版日 2021年06月18日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Evaluation of crystallinity of lattice-matched Ge/GeSiSn heterostructure by Raman spectroscopy
Takahiro Tsukamoto; Nobumitsu Hirose; Akifumi Kasamatsu; Toshiaki Matsui; Yoshiyuki Suda
筆頭著者, Thin Solid Films, 31巻, 掲載ページ 138646-138646, 出版日 2021年05月31日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Simple annealing process for producing unique one-dimensional fullerene crystal named fullerene finned-micropillar
T. Onishi; T. Tsukamoto; T. Oya
責任著者, Scientific Reports, 10巻, 掲載ページ 19270, 出版日 2020年11月06日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Hole-tunneling Si0.82Ge0.18/Si asymmetric-double-quantum-well resonant tunneling diode with high resonance current and suppressed thermionic emission
Ayaka Shinkawa; Minoru Wakiya; Yuki Maeda; Takahiro Tsukamoto; Nobumitsu Hirose; Akifumi Kasamatsu; Toshiaki Matsui; Yoshiyuki Suda
Japanese Journal of Applied Physics, 59巻, 8号, 掲載ページ 080903, 出版日 2020年07月27日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Increase in Current Density at Metal/GeO2/n-Ge Structure by Using Laminated Electrode
Takahiro Tsukamoto; Shota Kurihara; Nobumitsu Hirose; Akifumi Kasamatsu; Toshiaki Matsui; Yoshiyuki Suda
筆頭著者, Electronic Materials Letters, 16巻, 掲載ページ 41-46, 出版日 2019年11月19日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Effects of Low-Temperature GeSn Buffer Layers on Sn Surface Segregation During GeSn Epitaxial Growth
Takahiro Tsukamoto; Nobumitsu Hirose; Akifumi Kasamatsu; Toshiaki Matsui; Yoshiyuki Suda
筆頭著者, Electronic Materials Letters, 16巻, 掲載ページ 9-13, 出版日 2019年11月14日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Crystallinity control of SiC grown on Si by sputtering method
Ryosuke Watanabe; Takahiro Tsukamoto; Koichi Kamisako; Yoshiyuki Suda
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 463巻, 掲載ページ 67-71, 出版日 2017年04月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

p-Cu2O/SiOx/n-SiC/n-Si memory diode fabricated with room-temperature-sputtered n-SiC and SiOx
Atsushi Yamashita; Takahiro Tsukamoto; Yoshiyuki Suda
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 55巻, 12号, 掲載ページ 124103-1-124103-5, 出版日 2016年12月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Control of surface flatness of Ge layers directly grown on Si (001) substrates by DC sputter epitaxy method
Takahiro Tsukamoto; Nobumitsu Hirose; Akifumi Kasamatsu; Takashi Mimura; Toshiaki Matsui; Yoshiyuki Suda
THIN SOLID FILMS, 592巻, 掲載ページ 34-38, 出版日 2015年10月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Low-temperature fabrication technologies of Si solar cell by sputter epitaxy method
Sohei Fujimura; Takahiro Someya; Shuhei Yoshiba; Takahiro Tsukamoto; Koichi Kamisako; Yoshiyuki Suda
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 54巻, 8号, 掲載ページ 08KD01-1-08KD01-5, 出版日 2015年08月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Formation of GeSn layers on Si (001) substrates at high growth temperature and high deposition rate by sputter epitaxy method
Takahiro Tsukamoto; Nobumitsu Hirose; Akifumi Kasamatsu; Takashi Mimura; Toshiaki Matsui; Yoshiyuki Suda
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 50巻, 12号, 掲載ページ 4366-4370, 出版日 2015年06月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Investigation of Sn surface segregation during GeSn epitaxial growth by Auger electron spectroscopy and energy dispersive x-ray spectroscopy
Takahiro Tsukamoto; Nobumitsu Hirose; Akifumi Kasamatsu; Takashi Mimura; Toshiaki Matsui; Yoshiyuki Suda
APPLIED PHYSICS LETTERS, 106巻, 5号, 掲載ページ 052103-1-052103-4, 出版日 2015年02月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

p-Cu2O/SiCxOy/n-SiC/n-Si memory diode having resistive nonvolatile memory and rectifying behaviors
Atsushi Yamashita; Yoshihiko Sato; Takahiro Tsukamoto; Yoshiyuki Suda
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 7巻, 7号, 掲載ページ 074203-1-074203-4, 出版日 2014年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Planar electron-tunneling Si/Si0.7Ge0.3 triple-barrier resonant tunneling diode formed on undoped strain-relaxed buffer with flat surface
Takafumi Okubo; Takahiro Tsukamoto; Yoshiyuki Suda
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 7巻, 3号, 掲載ページ 034001-1-034001-4, 出版日 2014年03月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Effects of DC Sputtering Conditions on Formation of Ge Layers on Si Substrates by Sputter Epitaxy method
Takahiro Tsukamoto; Nobumitsu Hirose; Akifumi Kasamatsu; Takashi Mimura; Toshiaki Matsui; Yoshiyuki Suda
2014 7TH INTERNATIONAL SILICON-GERMANIUM TECHNOLOGY AND DEVICE MEETING (ISTDM), 掲載ページ 97-98, 出版日 2014年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Effects of boron dopants of Si (001) substrates on formation of Ge layers by sputter epitaxy method
Takahiro Tsukamoto; Nobumitsu Hirose; Akifumi Kasamatsu; Takashi Mimura; Toshiaki Matsui; Yoshiyuki Suda
Applied Physics Letters, 103巻, 17号, 掲載ページ 172103-1-172103-4, 出版日 2013年10月21日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

PN-Diode P-Oxide-Semiconductor/N-SiC/N-Si Resistive Nonvolatile Memory for Cross-Point Memory Array
Yoshihiko Sato; Atsushi Yamashita; Takahiro Tsukamoto; Yoshiyuki Suda
NONVOLATILE MEMORIES 2, 58巻, 5号, 掲載ページ 53-57, 出版日 2013年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Layered Structures of Interfacial Water and Their Effects on Raman Spectra in Graphene-on-Sapphire Systems
Hiroki Komurasaki; Takahiro Tsukamoto; Kenji Yamazaki; Toshio Ogino
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 116巻, 18号, 掲載ページ 10084-10089, 出版日 2012年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Evolution of step morphology on vicinal sapphire (1-102) surfaces accompanied with self-assembly of comb-shaped chemical domains
Hiroki Komurasaki; Toshinari Isono; Takahiro Tsukamoto; Toshio Ogino
APPLIED SURFACE SCIENCE, 258巻, 15号, 掲載ページ 5666-5671, 出版日 2012年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Effects of Surface Chemistry of Substrates on Raman Spectra in Graphene
Takahiro Tsukamoto; Kenji Yamazaki; Hiroki Komurasaki; Toshio Ogino
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 116巻, 7号, 掲載ページ 4732-4737, 出版日 2012年02月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Graphene etching controlled by atomic structures on the substrate surface
Takahiro Tsukamoto; Toshio Ogino
CARBON, 50巻, 2号, 掲載ページ 674-679, 出版日 2012年02月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Fabrication of Three-Dimensional Porous Alumina Microstructures Using Imprinting Method
Takahiro Tsukamoto; Toshio Ogino
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 159巻, 4号, 掲載ページ C155-C159, 出版日 2012年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Control of Graphene Etching by Atomic Structures of the Supporting Substrate Surfaces
Takahiro Tsukamoto; Toshio Ogino
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 115巻, 17号, 掲載ページ 8580-8585, 出版日 2011年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

'Graphene-on-insulator' fabricated on atomically controlled solid surfaces
T. Tsukamoto; T. Ogino
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 43巻, 37号, 掲載ページ 374014-1-374014-6, 出版日 2010年09月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Control of the spatial distribution of porous alumina micro-domes formed during anodic oxidation
Takahiro Tsukamoto; Toshio Ogino
ELECTROCHIMICA ACTA, 54巻, 20号, 掲載ページ 4712-4717, 出版日 2009年08月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Morphology of Graphene on Step-Controlled Sapphire Surfaces
Takahiro Tsukamoto; Toshio Ogino
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2巻, 7号, 掲載ページ 075502-1-075502-3, 出版日 2009年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Observation of Three Dimensional Micro-Scaled Structures Buries in Porous Alumia Layers Fabricated by Anodic Oxidation
Takahiro Tsukamoto; Takahide Oya; Toshio Ogino
e-J. Surf. Sci. Nanotech, 6巻, 掲載ページ 147-151, 出版日 2008年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語