工学修士, 横浜国立大学, 1988年03月

博士(工学), 横浜国立大学, 1995年03月

金属薄膜初期成長過程の漸近的性質

ナノテク・材料, 薄膜、表面界面物性

ナノテク・材料, ナノ構造物理

2021年04月01日
国際教育センター, 准教授

2017年02月01日 - 2021年03月31日
国際教育センター, 講師

2010年04月01日 - 2017年01月31日
国際交流センター, 講師

1996年08月 - 2010年03月31日
電気通信大学電気通信学部留学生専門教育担当, 講師

1988年04月 - 1991年08月
横浜国立大学, 大学院工学研究科, 生産工学専攻, 博士後期課程

1986年04月 - 1988年03月
横浜国立大学, 大学院工学研究科, 生産工学専攻, 博士前期課程

1982年04月 - 1986年03月
東海大学, 工学部, 応用物理学科

1979年04月01日 - 1982年03月31日
東京都立小平西高等学校

点状島初期成長におけるサイズ分布のWidom型スケーリング解析
中井 日佐司
電気通信大学紀要, 34巻, 1号, 掲載ページ 23-31, 出版日 2022年02月01日, 査読付
研究論文（大学，研究機関等紀要）, 日本語

４次元点状島初期成長における捕獲領域分布のスケーリング解
中井 日佐司
電気通信大学紀要, 32巻, 1号, 掲載ページ 47-53, 出版日 2020年02月01日, 査読付
研究論文（大学，研究機関等紀要）, 日本語

薄膜点状島初期成長における平均捕獲数の空間次元依存性
中井 日佐司
電気通信大学紀要, 31巻, 1号, 掲載ページ 97-103, 出版日 2019年02月01日, 査読付
研究論文（大学，研究機関等紀要）, 日本語

極小モデルに基づいた薄膜点状島初期成長のスケーリング理論
中井 日佐司
電気通信大学紀要, 電気通信大学, 30巻, 1号, 掲載ページ 300107, 出版日 2018年02月01日, 査読付
研究論文（大学，研究機関等紀要）, 日本語

一次元薄膜初期成長における局所累積サイズの漸近解析
中井 日佐司
電気通信大学紀要, 電気通信大学, 29巻, 1号, 掲載ページ 290105-290105, 出版日 2017年02月01日, 査読付, By dimensional analysis, it is confirmed that a cumulative local size xy for one-dimentional irreversible submonolayergrowth of point islands [J. G. Amar and M. N. Popescu, Surf. Sci. 419, 239 (2001)] is expressed bya function of scaled gap length Y and dimensionless deposition time R1/3θ, where R is the ratio of the monomerdiffusion rate to the deposition rate and θ is coverage. Using asymptotic analysis for xy as the limit R Ishow that xy/sav I = 1/B ∫ 1 ϕY uα tanh (YBu−α) du, where B is a certain monotonically decreasing function ofthe variable R1/3θ, α is dynamical exponent of nucleation length and sav is average size. At both of the numericalresult of xy/sav and the approximate analytical evaluation for the integral I with Taylor expansion in YB for theintegrand, correction term for Y Y−3( or limit of xy/sav as is shown to be proportional to (R1/3θ)−3/4,and the analytical evaluation is in good agreement with the numerical result in R1/3θ 400. Finally, I findanother evaluation for I with the expansion in α to improve the deviation in 100 R1/3θ < 400.
研究論文（大学，研究機関等紀要）, 日本語

電気通信大学におけ学部留学生対象の情報処理演習
中井 日佐司
多摩留学生教育研究論集, 電気通信大学国際交流推進センター ; 2006-, 10巻, 10号, 掲載ページ 31-35, 出版日 2016年03月, 査読付
研究論文（その他学術会議資料等）, 日本語

q シフト因子の対数に関するベキ級数展開とその解析
中井 日佐司
電気通信大学紀要, 28巻, 1号, 掲載ページ 1-9, 出版日 2016年02月02日, 査読付
研究論文（大学，研究機関等紀要）, 日本語

一次元薄膜初期成長における結晶核間隔の数値解とその誤差評価
中井 日佐司
電気通信大学紀要, 電気通信大学, 27巻, 1号, 掲載ページ 37-43, 出版日 2015年02月27日, 査読付, Numerical solutions and an error estimation formula for gap ys between an island with size s and another island in one-dimensional submonolayer growth are presented. The origin of the error is assumed to be the numerical integral computation included in an equation for the ys. In order to evaluate the error for YM, which is the numerical approximation of ys, numerical integrations in the equation of ys are calculated with composite trapezoidal rule using 1/2M, M and 2M of number of equal divided interval. As a result, the error of the gap for M = 213 of the divided number is a onethird for the difference Ys M/2 Ys M . Similarly, the error for the numerical solution of the island size distribution Ns M is the 1/4.2 of Ns M/2 Ns M and was less than 7 × 10--9. My size-distribution result is compared to both the results of literature on the kinetic Monte-Carlo simulation and the rate equation.
研究論文（大学，研究機関等紀要）, 日本語

電通大における新入留学生向けの基礎物理学演習
中井 日佐司
多摩留学生教育研究論集, 電気通信大学国際交流推進センター, 8巻, 8号, 掲載ページ 51-55, 出版日 2012年03月, 査読付
研究論文（その他学術会議資料等）, 日本語

電気通信大学における第一次日韓共同理工学系学部留学予備教育 ―専門科目教育―
中井 日佐司; 濱野 哲子
多摩留学生教育研究論集, 電気通信大学国際交流推進センター, 8巻, 8号, 掲載ページ 57-61, 出版日 2012年03月, 査読付
研究論文（その他学術会議資料等）, 日本語

電気通信大学における留学生対象の工学基礎教育
小山直人; 奥山直樹; 中井日佐司
多摩留学生教育研究論集, 東京学芸大学, 5巻, 掲載ページ 71-74, 出版日 2006年03月, 査読付
研究論文（大学，研究機関等紀要）, 日本語

Synthesis of Fe2W by low pressure laser spraying
Y Isshiki; J Shi; H Nakai; M Hashimoto
SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, 151巻, 掲載ページ 325-328, 出版日 2002年03月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Microstructure, microhardness, composition, and corrosive properties of stainless steel 304 II. Low-pressure laser spraying with silicon
Y Isshiki; J Shi; H Nakai; M Hashimoto
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 70巻, 6号, 掲載ページ 651-656, 出版日 2000年06月
研究論文（学術雑誌）, 英語

Epitaxial growth structure and physical properties of Fe film biased dc-plasma sputter deposited on MgO(001)
CC Chen; JP Yang; H Nakai; M Hashimoto
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS, 18巻, 3号, 掲載ページ 819-822, 出版日 2000年05月
研究論文（学術雑誌）, 英語

Microstructure, microhardness, composition, and corrosive properties of stainless steel 304 - I. Laser surface alloying with silicon by beam-oscillating method
Y Isshiki; J Shi; H Nakai; M Hashimoto
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 70巻, 4号, 掲載ページ 395-402, 出版日 2000年04月
研究論文（学術雑誌）, 英語

Si（001）およびSiO_x_基板上のCuSi_x_真空蒸着薄膜の電気特性と構造
松原裕人; 楊 季平; 牧原健二; 史 蹟; 中井日佐司
第47回応用物理学関係連合講演会講演予稿集Ⅱ, 掲載ページ 599, 出版日 2000年03月
日本語

分子線蒸着法によるSi（111）面上のCu薄膜初期成長過程Ⅱ
水島博昭; 史 蹟; 中井日佐司; 橋本 満
第61回応用物理学会講演予稿集Ⅱ, 掲載ページ 488, 出版日 2000年
日本語

GaAs（001），Si（001）およびSiO_2_基板上のCu，Cu-13%Si真空蒸着薄膜の電気特性と構造
楊 季平; 松原裕人; 牧原健二; 史 蹟; 中井日佐司; 橋本 満
第60回応用物理学会学術講演会予稿集Ⅱ，甲南大学, 掲載ページ 497, 出版日 1999年09月
日本語

分子線蒸着法によるSi（111）面上でのCu薄膜初期成長過程（２）
小中敏寛; 中井日佐司; 橋本 満
第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集２, 掲載ページ 530, 出版日 1998年09月
日本語

Intial growth process of Permalloy films epitaxially grown on MgO（001）by dc biased plasma sputtering
石野正樹; 楊 季平; 史 蹟; 中井日佐司; 橋本 満
第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集２, 掲載ページ 536, 出版日 1998年09月
日本語

Growth structure of nickel films on GaAs（001）by dc-biased plasma-sputter-deposition
J. Yang; A. Barna; K. Makihara; H. Nakai; M. Hashimoto; P. B. Barna
Thin Solid Films, 319巻, 1-2号, 掲載ページ 115-119, 出版日 1998年04月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Electrical property on copper thin film with chromium under-layer
H Nakai; K Fudaba; K Shinzawa; M Hashimoto
THIN SOLID FILMS, 317巻, 1-2号, 掲載ページ 202-205, 出版日 1998年04月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Microhardness, microstructure and composition behavior of stainless steel 304 laser surface alloyed with silicon
Y Isshiki; H Nakai; M Hashimoto
TRENDS AND NEW APPLICATIONS OF THIN FILMS, 287-2巻, 掲載ページ 263-266, 出版日 1998年
研究論文（学術雑誌）, 英語

Phase change during the initial growth of Ni30Fe70（Invar）films deposited on MgO（001）by dc biased plasma-sputtering
J. Yang; A. Barna; K. Makihara; H. Nakai; M. Hashimoto; P. B. Barna
Materials Science Forum, 287-2巻, 掲載ページ 347-350, 出版日 1998年
研究論文（学術雑誌）, 英語

A MODELING OF DIAMOND NUCLEATION
S YUGO; K SEMOTO; K HOSHINA; T KIMURA; H NAKAI
DIAMOND AND RELATED MATERIALS, 4巻, 7号, 掲載ページ 903-907, 出版日 1995年05月
研究論文（学術雑誌）, 英語

GROWTH-KINETICS OF ANTIMONY LAYERS PREPARED ON SIOX BY MOLECULAR-BEAM DEPOSITION
H NAKAI; D BABA; A KOSUGE; M HASHIMOTO
THIN SOLID FILMS, 259巻, 1号, 掲載ページ 32-37, 出版日 1995年04月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

AUGER-ELECTRON SPECTROSCOPY ELECTRON ENERGY-LOSS SPECTROSCOPY LOW-ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION STUDY OF A V6C5 (100) SURFACE
S USAMI; H NAKAI; T YAGUCHI; Y KUMASHIRO; A FUJIMORI
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS, 5巻, 4号, 掲載ページ 985-988, 出版日 1987年07月
研究論文（学術雑誌）, 英語

留学生向け物理学概論第二再履修支援
2024年04月 - 現在
電気通信大学国際教育センター, 学域留学生で物理学概論第二(熱・電磁気)再履修者に対する学修支援。前期開講。, その他

留学生向け物理学概論第一再履修支援
2023年10月 - 現在
電気通信大学国際教育センター, 学域留学生で物理学概論第一(力学・波動)再履修者に対する学修支援。後期開講。, その他

物理工学実験第二
2016年10月 - 現在
電気通信大学, 学部専門科目

情報処理演習第二
2016年10月 - 現在
電気通信大学, 学部専門科目

基礎物理学演習第二
2016年10月 - 現在
電気通信大学, 学部専門科目

情報処理演習第一
2016年04月 - 現在
電気通信大学, 学部専門科目

日本の科学と技術Ａ
2016年04月 - 現在
電気通信大学, その他

基礎物理学演習第一
2016年04月 - 現在
電気通信大学

Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｅｘｅｒｃｉｓｅ
The University of Electro-Communications

情報処理演習第一
電気通信大学

Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｉｎ Ｊａｐａｎ Ａ
The University of Electro-Communications

1987年08月 - 現在
応用物理学会

留学生の理工系基礎科目学習支援用オンライン教材開発のための調査研究
竹田 ゆう子; 志賀 幹郎; 中井 日佐司; 渡邉 成良; 鈴木 雅久; 奥山 直樹
日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 電気通信大学, 基盤研究(C), 理工系大学に入学する学部留学生の多くは、理工系基礎科目で使われる基礎専門語彙の不足などから、授業理解や課題遂行に困難を抱えている。日本人学生が理工系基礎科目に関わる日本語の語彙や表現を中学・高校から身に付けてくるのに対し、留学生は母国で同様な分野を学習したとしても、それを日本語で表現する技能が不足している。また、日本の理数系進学者が高校で学習する内容のある部分が、母国の高校教育で扱われていない場合もある。このため、日本の大学で理数系基礎科目を履修する留学生に対する学習支援は、内容的にも日本語的にも高校教育で扱われる教育内容を包含することが不可欠である。本研究では、高校理数系科目の教科書に見られる表現を複数言語で検索のできるオンライン教材データベースを備えた学習支援システムを構築するために、以下の調査研究を行った。 1.数学に特有で、定型的に見られる表現の調査 高等学校の学習内容である数学II、数学IIIの微分について、高等学校数学教科書に出現する表現の調査を行った。 2.中国語・韓国語との対照分析 上記「1」の表現について、中国語・韓国語と対応させた。中国語について日本語と異同のある表現の分析を行った。 3.学習者の数学問題解答の分析 中国人学習者を対象に、微分問題解答による調査を行い、その結果に基づき、以下の分析を行った。 (1)日本語による数学問題の解答に用いられた日本語の分析 (2)日本語による数学問題の理解・解答と日本語力及び数学力との関係の分析, 17520344
研究期間 2005年 - 2007年

チタン窒化物基ナノコンポジット磁性薄膜の作製と評価
橋本 満; 中井 日佐司; 史 蹟
日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 電気通信大学, 基盤研究(C), 本研究ではCo-Ti-N系ナノコンポジット薄膜の作製および構造と物性の評価について研究した。まず作製条件と薄膜の構造の関係をあきらかにした。直流スパッタ法で、アルゴンと窒素の混合ガスを用い、作製した試料はアモルファスである。適切なN_2分圧で作製した試料は、作製後の真空アニール処理で薄膜中のTiとNと反応し、TiNが形成される。その結果CoとTiNと相分離し、Co-TiNナノコンポジット薄膜が形成される。CoとTiNの結晶粒の面内のサイズは10nm以下であり、基板面と垂直の繊維状の組織になっている。またCo-TiNナノコンポジット薄膜の磁気特性について調べた結果、薄膜の厚さは100nm以下では薄膜は面内方向と垂直方向について磁気的同方性を示す。つまり面内方向と垂直方向と同じような磁気特性が測定された。ところが薄膜の厚さが100nm以上の場合、垂直異方性を示すこと、つまり垂直方向が容易軸になることが明らかになった。さらにCo-Ti-N薄膜の磁気的性質の作製条件・構造への依存性について調べた。作成したままの試料はほとんど強磁性を示さない、400〜700℃の間でアニール処理すると飽和磁化が温度とともに増加する。さらに温度を上げると変化しなくなる。これは作製したままの試料ではCoとTi、Nとが結合していて、アニール処理するとTiとNが反応し、Coが分離されるためである。Nの薄膜の中への混入量も磁気性質に大きく影響する。少ない場合は相分離が十分に進行できないため、飽和磁化が低下する。しかし多すぎる場合にCoも窒化され、飽和磁化が同じく低下する。したがって薄膜を作製する際に窒素の分圧をコントロールし、窒素の混入量をコントロールすることが重要である。その他、Co-TiNナノコンポジット薄膜は金属・合金薄膜と比べると、電気抵抗、硬度が非常に高いことが判明した。 本研究の結果から、Co-TiNナノコンポジット薄膜が垂直記録媒体として非常に有望と考えられる。, 12650656
研究期間 2000年 - 2001年

大学・学部・学科/部会・教科（含む実験等）の教育プログラム等の改善・修正などへの関与
その他, 企画立案・運営等, 実施期間 2024年04月01日 - 2024年07月31日, 留学生向けネットワークポリシー講習(4月入学生) 4月入学院生・研究生の留学生対象ネットワークポリシー講習会の企画・実施。情報システム関連の手続・講習のために必要なwebclassへのアクセス方法、情報システム利用に関する誓約書の内容説明および提出、INFOSS受講登録を含む。また、受講登録方法や期限までに受講していない留学生に対するフォローアップ。

ネットワークポリシー研修
10月上旬〜中旬にネットワークポリシー研修(対面、オンデマンド+ヘルプデスク)開催。研究生・院生である留学生対象。参加者8名(対面 8名、オンデマンド+ヘルプデスク 0 名)。
2024年10月 - 2024年10月

ネットワークポリシー研修
4月上旬〜中旬にネットワークポリシー研修(対面、オンデマンド+ヘルプデスク)開催。研究生・院生である留学生対象。参加者16名(対面 16名、オンデマンド 0 名)。
2024年04月 - 2024年04月

2023年度国費学部留学生大学進学説明会（大阪大学）
ビデオ会議システム(ZOOM)を使用して、大阪大学で予備教育を受けている学部国費留学生向けに進学説明を行った。回数は30分を2回であり、15名の参加があった。
※2024年度は、この留学制度による留学生が4名配置された。
2023年11月 - 2023年11月