エピタキシャルリフトオフ

半導体デバイス

希釈窒化物半導体

光物性

化合物半導体

太陽電池

分子線エピタキシー

結晶成長

ナノテク・材料, 結晶工学

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電気電子材料工学

2022年04月 - 現在
電気通信大学, 大学院情報理工学研究科 基盤理工学専攻, 准教授

2019年05月 - 2022年03月
東京大学, 先端科学技術研究センター, 特任講師

2013年04月 - 2019年04月
東京大学, 先端科学技術研究センター, 特任助教

2010年04月 - 2013年03月
東京大学, 先端科学技術研究センター, 特任研究員

2025年
プログラム委員, 第22回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（第5回日本太陽光発電学会学術講演会）

2021年05月 - 2023年03月
第33回太陽光発電国際会議PVSEC-33 プログラム委員, 第33回太陽光発電国際会議PVSEC-33, 学協会

2022年11月
Guest Editor, JJAP特集号編集委員会, 学協会

受賞日 2012年10月
第三回薄膜太陽電池セミナー
ポスター賞（筆頭）, 宮下 直也

受賞日 2006年06月
IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversioin (WCPEC-4)
Outstanding Poster Award (筆頭), 宮下 直也

Complex index of refraction of MBE grown 1 eV GaInAsNSb dilute nitride layers as a function of thermal annealing
M. Gabás; E. Blanco; I. Lombardero; P.F. Palacios; I. García; N. Miyashita; Y. Okada; M. Domínguez; C. Algora
Optical Materials, Elsevier BV, 163巻, 掲載ページ 116960-116960, 出版日 2025年06月, 査読付
研究論文（学術雑誌）

Abnormal photoluminescence properties of InAs/InAsSb in-plane ultrahigh-density quantum dots
Sim Jui Oon; Takumi Ohyama; Naoya Miyashita; Koichi Yamaguchi
Japanese Journal of Applied Physics, IOP Publishing, 63巻, 8号, 掲載ページ 085501-085501, 出版日 2024年08月01日, 査読付, Abstract

InAs/InAsSb ultrahigh-density quantum dots (UHD QDs) with a density of were fabricated using MBE, and their photoluminescence (PL) properties were characterized. Through temperature dependences of PL energy, intensity and decay time of UHD QDs, it was found that in-plane strong coupling between adjacent QDs of excited and ground states due to homogeneous broadening of QD levels progressed above 60 K and above 100 K, respectively. The findings regarding the strong coupling at ground states were consistent with the temperature dependence of PL minimum energy outlined in appendix. In addition, abnormal phenomenon in PL full width at half maximum was attributed to the in-plane miniband formation resulting from strong coupling.
研究論文（学術雑誌）

Resonant tunneling injection of electrons through double stacked GaAs/InAs quantum dots with nanohole electrode
Yuji Nakazato; Naoya Miyashita; Koichi Yamaguchi
Japanese Journal of Applied Physics, IOP Publishing, 62巻, 掲載ページ 112005, 出版日 2023年10月24日, 査読付, Abstract

Resonant tunneling diodes containing closely double-stacked InAs quantum dots (QDs) were grown on GaAs substrates by molecular beam epitaxy. After growing a thin GaAs capping layer on the double-stacked InAs QDs, nanoholes were selectively formed just above the larger second QDs by thermal annealing. The Au thin film was deposited directly on top surface of the larger second QDs through the nanoholes. The second QDs contacted with Au film served as conducting dots, which can locally inject electrons into the underlying first QDs. In current versus voltage (I-V) measurements, (dI/dV) peaks were clearly observed in the forward bias voltage region. It was due to the tunneling current through a non-doped GaAs thin layer between double-stacked QDs and n-GaAs conduction band. The (dI/dV) peaks shifted toward the lower forward voltage region with increasing temperature. It was explained by the temperature dependence of the electron energy distribution in the GaAs conduction band.
研究論文（学術雑誌）

High-density and high-uniformity InAs quantum nanowires on Si(111) substrates
Ryusuke Nakagawa; Rikuta Watanabe; Naoya Miyashita; Koichi Yamaguchi
Journal of Applied Physics, AIP Publishing, 134巻, 15号, 掲載ページ 154302, 出版日 2023年10月18日, 査読付, InAs nanowires (NWs) were grown on SiOx pinholes formed on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy. Influences of electron-beam (EB) irradiation on the SiOx layer on the pinhole formation and the subsequent InAs NW growth were studied. As the EB irradiation dose increased, the pinhole density in the SiOx layer decreased. From atomic force microscopy, transmission electron microscopy, and x-ray photoelectron spectroscopy results, it was found that the pinhole etching of the SiOx layer by Ga droplets was suppressed by carbon adsorption due to the EB irradiation. By forming high-density pinholes on the SiOx layer without the EB irradiation, high-density InAs NWs with 1–2 × 1010 cm−2 were grown successfully, and the uniformity in the NW diameter improved. The standard deviation of the NW diameter was 1.8 nm (8.8%) for high-density NWs. In addition, the NW diameter decreased with decreasing EB dose, and the NW diameter was controlled by adjusting the diameter of Ga droplets forming the pinholes. As the NW diameter decreased, photoluminescence spectra of the NWs shifted to higher energies than the bandgap energy of the wurtzite InAs bulk. From these results, we successfully fabricated high-density and high-uniformity InAs NWs with quantum size effects on EB-unirradiated SiOx/Si(111).
研究論文（学術雑誌）

Inverse design of intermediate band solar cell via a joint drift-diffusion simulator and deep reinforcement learning scheme
Kodai Shiba; Naoya Miyashita; Yoshitaka Okada; Tomah Sogabe
Japanese Journal of Applied Physics, 62巻, 掲載ページ SK1046, 出版日 2023年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

High-efficiency InAs/GaAs quantum dot intermediate band solar cell achieved through current constraint engineering
Tomah Sogabe; Yasushi Shoji; Naoya Miyashita; Daniel J. Farrell; Kodai Shiba; Hwen-Fen Hong; Yoshitaka Okada
Next Materials, 1巻, 掲載ページ 100013, 出版日 2023年04月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Ultrafast inverse design of quantum dot optical spectra via a joint TD-DFT learning scheme and deep reinforcement learning
Hibiki Yoshida; Katsuyoshi Sakamoto; Naoya Miyashita; Koichi Yamaguchi; Qing Shen; Yoshitaka Okada; Tomah Sogabe
AIP Advances, 12巻, 11号, 掲載ページ 115316-115316, 出版日 2022年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Improvement of III-V dilute nitride thin films for solar cell application: Effect of antimony doping
N. AHSAN; N. MIYASHITA; K. M. Yu; W. WALUKIEWICZ; Y. OKADA
International Journal of the Society of Materials Engineering for Resources, The Society of Materials Engineering for Resources of Japan, 25巻, 2号, 掲載ページ 157-167, 出版日 2022年10月31日, 査読付
研究論文（学術雑誌）

Dependence of the radiative lifetime on the type-II band offset in GaAs_xSb_1−x/GaAs quantum dots including effects of photoexcited carriers
Yusuke Oteki; Yasushi Shoji; Naoya Miyashita; Yoshitaka Okada
Journal of Applied Physics, AIP Publishing, 132巻, 13号, 掲載ページ 134402-134402, 出版日 2022年10月07日, 査読付, In quantum dot (QD) heterostructures that have a type-II band alignment, either the electron or the hole is confined inside the QD. Due to smaller electron–hole overlap in such structures, relatively long radiative lifetimes can be realized, which is beneficial for devices such as intermediate-band solar cells. The use of GaAs_xSb_{1− x}/GaAs QDs allows us to control the energy level of the confined state by changing the type-II conduction-band offset (CBO) without the need of changing the QD size. However, the dependence of the radiative lifetime τr on the CBO needs to be considered to achieve optimum device performance. In this work, GaAs_xSb_{1− x}/GaAs QDs were grown by molecular beam epitaxy. The amount of deposition was controlled to obtain QDs with approximately the same size even for different values of As composition x, and the carrier lifetime was determined by time-resolved photoluminescence measurements. Since the CBO becomes smaller for larger values of x, a simple model would predict a larger electron–hole overlap for larger x values, and thus, the lifetime should decrease monotonically. However, the experimentally obtained lifetime does not decrease monotonically, which has interesting implications for applications. We explain the observed trend by the effect of photoexcited carriers; a triangular potential well is formed around the QDs in the case of high excitation densities, and thus, electrons are localized near the QDs. We also calculated τr considering the effect of photoexcited carriers to confirm our model, and a similar tendency was obtained.
研究論文（学術雑誌）

Demonstration of in-plane miniband formation in InAs/InAsSb ultrahigh-density quantum dots by analysis of temperature dependence of photoluminescence
Sho Tatsugi; Naoya Miyashita; Tomah Sogabe; Koichi Yamaguchi
Japanese Journal of Applied Physics, IOP Publishing, 61巻, 10号, 掲載ページ 102009-102009, 出版日 2022年10月, 査読付, Abstract

Self-assembled InAs/InAsSb ultrahigh-density quantum dots (UHD QDs) were grown on GaAs(001) substrate by molecular beam epitaxy. The QD density was 1 × 10¹² cm⁻², and an average separation distance between adjacent QD edges was less than 3 nm. The temperature dependence of photoluminescence (PL) minimum energy of UHD QDs was measured and was divided clearly into three temperature regions: (1) fitting to upper Varshni shift at 15–80 K, (2) decreasing from upper Varshni shift from 80–180 K and (3) re-fitting to lower Varshni shift at 180–290 K. The energy difference between upper and lower Varshni curves increased with increasing QD density. This anomalous temperature dependence of PL minimum energy was demonstrated by a simulation model of miniband formation due to electronically strong coupling of adjacent QDs, including the temperature dependence of the homogeneous broadening in the QD.
研究論文（学術雑誌）

Enhanced current generation in quantum-dot intermediate band solar cells through optimizing the position of quantum dot layers
Yusuke Oteki; Naoya Miyashita; Maxime Giteau; Kodai Shiba; Tomah Sogabe; Yoshitaka Okada
Optical Materials: X, Elsevier BV, 16巻, 掲載ページ 100207-100207, 出版日 2022年10月, 査読付
研究論文（学術雑誌）

Co-deposition of MoS₂ films by reactive sputtering and formation of tree-like structures
Myeongok Kim; Maxime Giteau; Nazmul Ahsan; Naoya Miyashita; Logu Thirumalaisamy; Chen Chen; Joan M Redwing; Yoshitaka Okada
Nanotechnology, IOP Publishing, 33巻, 34号, 掲載ページ 345708-345708, 出版日 2022年08月20日, 査読付, Abstract

Transition metal dichalcogenides are versatile layered materials with potential applications ranging from optoelectronic devices to water splitting. Top-down fabrication methods such as exfoliation are not practical for a large-scale production of high-quality devices: a bottom-up approach such as sputtering, a low-temperature deposition method, is more suitable. However, due to its anisotropic nature, the growth mechanism of molybdenum disulfide (MoS₂) via sputtering is complex and remains to be investigated in detail. In this paper, we study the growth of MoS₂ films co-deposited by using a sulfur (S) hot-lip cell and a molybdenum (Mo) sputtering target via reactive sputtering. The impact of S partial pressure on the structure and morphology of MoS₂ films was systematically characterized, and it was observed that the growth is dominated by vertically-oriented sheets with horizontal branches, resulting in a tree-like structure. The growth front of the structures is ascribed to the anisotropic incorporation of adatoms with regards to the orientation of MoS₂.
研究論文（学術雑誌）

Self-formation of InAs/InGaAsSb type-II superlattice structures on InP substrates by MBE and their application to mid-infrared LEDs
Kou Uno; Naoto Iijima; Naoya Miyashita; Koichi Yamaguchi
AIP Advances, AIP Publishing, 12巻, 8号, 掲載ページ 085301-085301, 出版日 2022年08月01日, 査読付, InAs/InGaAsSb type-II superlattice structures (SLSs) were spontaneously formed by the molecular beam epitaxy of InAs/GaAs_0.86Sb_0.14 SLSs on InP substrates. The strain due to lattice mismatch between InAs and GaAs_0.86Sb_0.14 induced two exchange reactions of In–Ga and As–Sb at both InAs/GaAs_0.86Sb_0.14 heterointerfaces, resulting in the strain relaxation and the self-formation of InAs/InGaAsSb type-II SLS. By energy dispersive x-ray spectroscopy analysis, the mixed crystal composition of the InGaAsSb layer was determined to be approximately In_0.8Ga_0.2As_0.9Sb_0.1. Electroluminescence spectra of LEDs, including the self-formed InAs/In_0.8Ga_0.2As_0.9Sb_0.1 2.5-periodic SLS, showed double peaks of 2.6 and 3.2 µm at 15 K. The luminescence spectrum was based on two transition mechanisms of type-I transition in InAs and type-II transition between InAs and InGaAsSb. The experimental results of luminescence spectra were supported by theoretical calculations. The 3.3 µm emission was maintained above 220 K.
研究論文（学術雑誌）

Spectral Splitting Solar Cells Constructed with InGaP/GaAs Two-Junction Subcells and Infrared PbS Quantum Dot/ZnO Nanowire Subcells
Haibin Wang; Shoichiro Nakao; Naoya Miyashita; Yusuke Oteki; Maxime Giteau; Yoshitaka Okada; Tatsuya Takamoto; Hidenori Saito; Shinichi Magaino; Katsuhiko Takagi; Tetsuya Hasegawa; Takaya Kubo; Takumi Kinoshita; Jotaro Nakazaki; Hiroshi Segawa
ACS Energy Letters, American Chemical Society (ACS), 掲載ページ 2477-2485, 出版日 2022年07月08日, 査読付
研究論文（学術雑誌）

Collection of photocarriers in intermediate band solar cells: experiments and equivalent circuit analysis
Nazmul Ahsan; Naoya Miyashita; Kin Man Yu; Wladek Walukiewicz; Yoshitaka Okada
Journal of Photonics for Energy, SPIE-Intl Soc Optical Eng, 12巻, 03号, 掲載ページ 032210, 出版日 2022年07月01日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Diffusion photocurrent influenced by intraband excitation in an intermediate band solar cell with type-I band alignment
Yaxing Zhu; Shigeo Asahi; Naoya Miyashita; Yoshitaka Okada; Takashi Kita
Japanese Journal of Applied Physics, IOP Publishing, 61巻, 7号, 掲載ページ 074002-074002, 出版日 2022年07月01日, 査読付, Abstract

We elucidate a photocarrier collection mechanism in intermediate band solar cells (IBSCs) with InAs-quantum dots (QDs)-in-an-Al_0.3Ga_0.7As/GaAs-quantum well structures. When the Al_0.3Ga_0.7As barrier is excited, the device electrical output can be varied by additional infrared light for the electron intraband optical transition in QDs. The photocurrent in IBSC with a single QDs-in-a-well structure shows a monotonic increase with the intraband-excitation density. Conversely, IBSC with a multilayered QDs-in-a-well structure exhibits a photocurrent reduction when electrons in QDs are optically pumped out. The simultaneously measured photoluminescence spectra proved that the polarity of QD states changes depending on the intraband-excitation density. We discuss the drift and diffusion current components and point out that the hole diffusion current is significantly influenced by carriers inside the confinement structure. Under strong intraband excitations, we consider an increased hole diffusion current occurs by blocking hole-capture in the quantum structures. This causes unexpected photocurrent reduction in the multilayered device.
研究論文（学術雑誌）

Resonant absorption for multilayer quantum well and quantum dot solar cells
Maxime Giteau; Yusuke Oteki; Kento Kitahara; Naoya Miyashita; Ryo Tamaki; Yoshitaka Okada
Journal of Photonics for Energy, 12巻, 2号, 掲載ページ 022203, 出版日 2022年04月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Erratum: Two-photon photocurrent spectra of InAs quantum dot-in-well intermediated-band solar cells at room temperature (Journal of Applied Physics (2021) 130 (124505) DOI: 10.1063/5.0060569)
Yaxing Zhu; Shigeo Asahi; Naoya Miyashita; Yoshitaka Okada; Takashi Kita
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics Inc., 130巻, 17号, 出版日 2021年11月07日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Two-photon photocurrent spectra of InAs quantum dot-in-well intermediated-band solar cells at room temperature
Yaxing Zhu; Shigeo Asahi; Naoya Miyashita; Yoshitaka Okada; Takashi Kita
Journal of Applied Physics, AIP Publishing, 130巻, 12号, 掲載ページ 124505-124505, 出版日 2021年09月28日, 査読付
研究論文（学術雑誌）

Two-step excitation induced photovoltaic properties in an InAs quantum dot-in-well intermediate-band solar cell
Yaxing Zhu; Shigeo Asahi; Kohei Watanabe; Naoya Miyashita; Yoshitaka Okada; Takashi Kita
Journal of Applied Physics, AIP Publishing, 129巻, 7号, 掲載ページ 074503-074503, 出版日 2021年02月21日, 査読付
研究論文（学術雑誌）

Theoretical and experimental assessment of thinned germanium substrates for III–V multijunction solar cells
Iván Lombardero; Mario Ochoa; Naoya Miyashita; Yoshitaka Okada; Carlos Algora
Progress in Photovoltaics: Research and Applications, Wiley, 28巻, 11号, 掲載ページ 1097-1106, 出版日 2020年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）

Effect of concentrated sunlight illumination on mobility and concentrator solar cell efficiency
Tomoki Harada; Naoya Miyashita; Tetsuo Ikari; Atsuhiko Fukuyama
Japanese Journal of Applied Physics, IOP Publishing, 59巻, 7号, 掲載ページ 071002-071002, 出版日 2020年07月01日, 査読付
研究論文（学術雑誌）

Fabrication and optical characterization of ultrathin III-V transferred heterostructures for hot-carrier absorbers
Maxime Giteau; Kentaroh Watanabe; Naoya Miyashita; Hassanet Sodabanlu; Fabien Atlan; Daniel Suchet; Stéphane Collin; Jean-François Guillemoles; Yoshitaka Okada
Physics, Simulation, and Photonic Engineering of Photovoltaic Devices IX, SPIE, 出版日 2020年03月03日, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）

Anneal mediated deep-level dynamics in GaInNAsSb dilute nitrides lattice-matched to GaAs
Naoya Miyashita; Yilun He; Nazmul Ahsan; Yoshitaka Okada
筆頭著者, Journal of Applied Physics, 126巻, 14号, 掲載ページ 143104, 出版日 2019年10月14日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Effect of Annealing on The Bottom Cell in GaInP/GaAs/GaInNAsSb Triple Junction Solar Cells by MBE/MOCVD Hybrid Growth
Naoya Miyashita; Yilun He; Nazmul Ahsan; Yoshitaka Okada
2019 Compound Semiconductor Week (CSW), IEEE, 出版日 2019年05月
英語

Inverted Lattice-Matched Triple Junction Solar Cells with 1.0 eV GaInNAsSb Subcell by MOCVD/MBE Hybrid Growth
Naoya Miyashita; Yilun He; Takaaki Agui; Hiroyuki Juso; Tatsuya Takamoto; Yoshitaka Okada
筆頭著者, IEEE Journal of Photovoltaics, 9巻, 3号, 掲載ページ 666-672, 出版日 2019年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Epitaxial Lift-Off of Ultrathin Heterostructures for Hot-Carrier Solar Cell Applications
Maxime Giteau; Kentaroh Watanabe; Hassanet Sodabanlu; Naoya Miyashita; Masakazu Sugiyama; Andrea Cattoni; Stephane Collin; Jean-Francois Guillemoles; Yoshitaka Okada
2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW), 出版日 2019年
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

GaSb/GaAs quantum nanostructures for intermediate band solar cell under high sunlight concentration
Yusuke Oteki; Yasushi Shoji; Naoya Miyashita; Yilun He; Yoshitaka Okada
2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW), 出版日 2019年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Light absorption enhancement in ultra-thin layers for hot-carrier solar cells: first developments towards the experimental demonstration of an enhanced hot-carrier effect with light trapping
Maxime Giteau; Kentaroh Watanabe; Naoya Miyashita; Hassanet Sodabanlu; Julie Goffard; Amaury Delamarre; Daniel Suchet; Ryo Tamaki; Zacharie Jehl; Laurent Lombez; Masakazu Sugiyama; Andrea Cattoni; St?phane Collin; Jean-Fran?ois Guillemoles; Yoshitaka Okada
Proc. SPIE, 10913巻, 掲載ページ 10913D, 出版日 2019年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Material challenges for solar cells in the twenty-first century: directions in emerging technologies
Samy Almosni; Amaury Delamarre; Zacharie Jehl; Daniel Suchet; Ludmila Cojocaru; Maxime Giteau; Benoit Behaghel; Anatole Julian; Camille Ibrahim; Léa Tatry; Haibin Wang; Takaya Kubo; Satoshi Uchida; Hiroshi Segawa; Naoya Miyashita; Ryo Tamaki; Yasushi Shoji; Katsuhisa Yoshida; Nazmul Ahsan; Kentaro Watanabe; Tomoyuki Inoue; Masakazu Sugiyama; Yoshiaki Nakano; Tomofumi Hamamura; Thierry Toupance; Céline Olivier; Sylvain Chambon; Laurence Vignau; Camille Geffroy; Eric Cloutet; Georges Hadziioannou; Nicolas Cavassilas; Pierre Rale; Andrea Cattoni; Stéphane Collin; François Gibelli; Myriam Paire; Laurent Lombez; Damien Aureau; Muriel Bouttemy; Arnaud Etcheberry; Yoshitaka Okada; Jean-François Guillemoles
Science and Technology of Advanced Materials, Taylor and Francis Ltd., 19巻, 1号, 掲載ページ 336-369, 出版日 2018年12月31日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Incorporation of hydrogen into MBE-grown dilute nitride GaInNAsSb layers in a MOCVD growth ambient
Naoya Miyashita; Yilun He; Nazmul Ahsan; Takaaki Agui; Hiroyuki Juso; Tatsuya Takamoto; Yoshitaka Okada
筆頭著者, Solar Energy Materials and Solar Cells, Elsevier B.V., 185巻, 掲載ページ 359-363, 出版日 2018年10月01日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Enhancement of photocurrent in epitaxial lift-off thin-film GaInNAsSb solar cells due to light-confinement structure
Naoya Miyashita; Benoît Behaghel; Jean-François Guillemoles; Yoshitaka Okada
筆頭著者, Applied Physics Express, Japan Society of Applied Physics, 11巻, 7号, 掲載ページ 72301, 出版日 2018年07月01日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Characterization of InGaAs/GaAsN multiple quantum well with flat conduction band for improving carrier transport in multijuction solar cell
W. Yanwachirakul; N. Miyashita; H. Sodabanlu; K. Watanabe; Y. Okada; M. Sugiyama; Y. Nakano
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, SPIE, 10527巻, 掲載ページ 10527E, 出版日 2018年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Thin-film multiple-quantum-well solar cells fabricated by epitaxial lift-off process
Tatsuya Nakata; Kentaroh Watanabe; Naoya Miyashita; Hassanet Sodabanlu; Maxime Giteau; Yoshiaki Nakano; Yoshitaka Okada; Masakazu Sugiyama
Japanese Journal of Applied Physics, 57巻, 8号, 掲載ページ 08RF03, 出版日 2018年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

N-H-related deep-level defects in dilute nitride semiconductor GaInNAs for four-junction solar cells
Yilun He; Naoya Miyashita; Yoshitaka Okada
Japanese Journal of Applied Physics, 57巻, 掲載ページ 08RD11, 出版日 2018年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Design of free-barrier InGaAs/GaNAs multiple quantum well solar cells with 1.2 eV energy gap
Warakorn Yanwachirakul; Naoya Miyashita; Hassanet Sodabanlu; Kentaroh Watanabe; Masakazu Sugiyama; Yoshitaka Okada; Yoshiaki Nakano
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 56巻, 8号, 掲載ページ 08MA04, 出版日 2017年08月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Effect of Si doping and sunlight concentration on the performance of InAs/GaAs quantum dot solar cells
Shunya Naito; Katsuhisa Yoshida; Naoya Miyashita; Ryo Tamaki; Takuya Hoshii; Yoshitaka Okada
JOURNAL OF PHOTONICS FOR ENERGY, 7巻, 2号, 掲載ページ 25505, 出版日 2017年04月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Improvement of 1.0eV GaInNAsSb solar cell performance upon optimal annealing
Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Yoshitaka Okada
筆頭著者, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 214巻, 3号, 掲載ページ 1600586, 出版日 2017年03月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Multiband modification of III-V dilute nitrides for IBSC application
Nazmul Ahsan; Naoya Miyashita; Kin Man Yu; Wladek Walukiewicz; Yoshitaka Okada
PHYSICS, SIMULATION, AND PHOTONIC ENGINEERING OF PHOTOVOLTAIC DEVICES VI, 10099巻, 掲載ページ 100990I, 出版日 2017年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Modeling and characterization of double resonant tunneling diodes for application as energy selective contacts in hot carrier solar cells
Zacharie Jehl; Daniel Suchet; Anatole Julian; Cyril Bernard; Naoya Miyashita; Francois Gibelli; Yoshitaka Okada; Jean-Francois Guillemoles
PHYSICS, SIMULATION, AND PHOTONIC ENGINEERING OF PHOTOVOLTAIC DEVICES VI, 10099巻, 掲載ページ 100990N, 出版日 2017年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Characterization of Cr Doped CuGaS2 Thin Films Synthesized By Chemical Spray Pyrolysis
Nazmul Ahsan; Sivaperuman Kalainathan; Naoya Miyashita; Takuya Hoshii; Yoshitaka Okada
Mechanics, Materials Science and Engineering, 9巻, 掲載ページ 380-387, 出版日 2017年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Insights on energy selective contacts for thermal energy harvesting using double resonant tunneling contacts and numerical modeling
A. Julian; Z. Jehl; N. Miyashita; Y. Okada; J. -F. Guillemoles
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 100巻, 掲載ページ 749-756, 出版日 2016年12月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Growth of ErAs nanodots by molecular beam epitaxy for application to tunneling junctions in multijunction solar cells
Chao-Yu Hung; Tomah Sogabe; Naoya Miyashita; Yoshitaka Okada
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 55巻, 2号, 掲載ページ 21201, 出版日 2016年02月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Improvement of 1.0 eV GaInNAsSb solar cell performance upon annealing
Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Yoshitaka Okada
筆頭著者, 2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS), 出版日 2016年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Generation and collection of photocarriers in dilute nitride GaInNAsSb solar cells
Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Yoshitaka Okada
筆頭著者, PROGRESS IN PHOTOVOLTAICS, 24巻, 1号, 掲載ページ 28-37, 出版日 2016年01月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Evaluation of concentrator photovoltaic properties of GaInNAsSb solar cells for multijunction solar cell applications
Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Yoshitaka Okada
筆頭著者, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 54巻, 8号, 掲載ページ 08KE06, 出版日 2015年08月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Electron Barrier Engineering in a Thin-Film Intermediate-Band Solar Cell
Nazmul Ahsan; Naoya Miyashita; Kin Man Yu; Wladek Walukiewicz; Yoshitaka Okada
IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS, 5巻, 3号, 掲載ページ 878-884, 出版日 2015年05月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Effect of antimony on the deep-level traps in GaInNAsSb thin films
Muhammad Monirul Islam; Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Takeaki Sakurai; Katsuhiro Akimoto; Yoshitaka Okada
APPLIED PHYSICS LETTERS, 105巻, 11号, 掲載ページ 112103, 出版日 2014年09月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Fabrication and characterization of GaAs tunnel diode and ErAs nanoparticles enhanced GaAs tunnel diode for multijunction solar cell
Tomah Sogabe; Yasushi Shoji; Mitsuyoshi Ohba; Naito Shunya; Naoya Miyashita; Chao-Yu Hung; Akio Ogura; Yoshitaka Okada
Journal of Management and Organization, Cambridge University Press, 1602巻, 3号, 出版日 2014年05月09日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Fabrication and characterization of GaAs tunnel diode and ErAs nanoparticles enhanced GaAs tunnel diode for multijunction solar cell
Tomah Sogabe; Yasushi Shoji; Mitsuyoshi Ohba; Naito Shunya; Naoya Miyashita; Chao-Yu Hung; Akio Ogura; Yoshitaka Okada
Materials Research Society Symposium Proceedings, Materials Research Society, 1602巻, January号, 掲載ページ 1-7, 出版日 2014年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Photocapacitance study of MBE grown GaInNAsSb thin film solar cells
Muhammad Monirul Islam; Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Takeaki Sakurai; Katsuhiro Akimoto; Yoshitaka Okada
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 378巻, 掲載ページ 57-60, 出版日 2013年09月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Antimony mediated growth of high-density InAs quantum dots for photovoltaic cells
F. K. Tutu; J. Wu; P. Lam; M. Tang; N. Miyashita; Y. Okada; J. Wilson; R. Allison; H. Liu
APPLIED PHYSICS LETTERS, 103巻, 4号, 掲載ページ 43901, 出版日 2013年07月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Effect of Sb on GaNAs Intermediate Band Solar Cells
Nazmul Ahsan; Naoya Miyashita; Muhammad Monirul Islam; Kin Man Yu; Wladek Walukiewicz; Yoshitaka Okada
IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS, 3巻, 2号, 掲載ページ 730-736, 出版日 2013年04月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Effect of antimony on uniform incorporation of nitrogen atoms in GaInNAs films for solar cell application
Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Yoshitaka Okada
筆頭著者, SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 111巻, 掲載ページ 127-132, 出版日 2013年04月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

InAs/GaAs quantum dot solar cell with an AlAs cap layer
F. K. Tutu; P. Lam; J. Wu; N. Miyashita; Y. Okada; K. -H. Lee; N. J. Ekins-Daukes; J. Wilson; H. Liu
APPLIED PHYSICS LETTERS, 102巻, 16号, 掲載ページ 163907, 出版日 2013年04月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Defect study of molecular beam epitaxy grown undoped GaInNAsSb thin film using junction-capacitance spectroscopy
Muhammad Monirul Islam; Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Yoshitaka Okada
Applied Physics Letters, 102巻, 7号, 掲載ページ 74104, 出版日 2013年02月18日, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Composition control of quinary GaInNAsSb alloy grown by molecular beam epitaxy
Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Muhammad Monirul Islam; Yoshitaka Okada
筆頭著者, PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 11, 10巻, 11号, 掲載ページ 1369-1372, 出版日 2013年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Effect of Sb on GaNAs Intermediate Band Solar Cells
Nazmul Ahsan; Naoya Miyashita; Muhammad M. Islam; Kin Man Yu; Wladek Walukiewicz; Yoshitaka Okada
2012 IEEE 38TH PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC), VOL 2, 3巻, 掲載ページ 730, 出版日 2013年, 査読付
研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語

Identification of defect types in moderately Si-doped GaInNAsSb layer in p-GaAs/n- GaInNAsSb/n-GaAs solar cell structure using admittance spectroscopy
Muhammad Monirul Islam; Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Takeaki Sakurai; Katsuhiro Akimoto; Yoshitaka Okada
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 112巻, 11号, 掲載ページ 114910, 出版日 2012年12月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

High electron mobility in Ga(In)NAs films grown by molecular beam epitaxy
Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Makoto Inagaki; Muhammad Monirul Islam; Masafumi Yamaguchi; Yoshitaka Okada
筆頭著者, APPLIED PHYSICS LETTERS, 101巻, 22号, 掲載ページ 222112, 出版日 2012年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Extremely long carrier lifetime at intermediate states in wall-inserted type II quantum dot absorbers
Daisuke Sato; Junya Ota; Kazutaka Nishikawa; Yasuhiko Takeda; Naoya Miyashita; Yoshitaka Okada
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 112巻, 9号, 掲載ページ 94305, 出版日 2012年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Two-photon excitation in an intermediate band solar cell structure
Nazmul Ahsan; Naoya Miyashita; Muhammad Monirul Islam; Kin Man Yu; Wladek Walukiewicz; Yoshitaka Okada
APPLIED PHYSICS LETTERS, 100巻, 17号, 掲載ページ 172111, 出版日 2012年04月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Extremely long carrier lifetime over 200 ns in GaAs wall-inserted type II InAs quantum dots
Kazutaka Nishikawa; Yasuhiko Takeda; Tomoyoshi Motohiro; Daisuke Sato; Junya Ota; Naoya Miyashita; Yoshitaka Okada
APPLIED PHYSICS LETTERS, 100巻, 11号, 掲載ページ 113105, 出版日 2012年03月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Over 100 ns intrinsic radiative recombination lifetime in type II InAs/GaAs1-xSbx quantum dots
Kazutaka Nishikawa; Yasuhiko Takeda; Ken-ichi Yamanaka; Tomoyoshi Motohiro; Daisuke Sato; Junya Ota; Naoya Miyashita; Yoshitaka Okada
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 111巻, 4号, 掲載ページ 44325, 出版日 2012年02月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Transmission electron microscopy study of GaInNAs(Sb) thin films grown by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
R. Oshima; J. Y. Huang; N. Miyashita; K. Matsubara; Y. Okada; F. A. Ponce
APPLIED PHYSICS LETTERS, 99巻, 19号, 掲載ページ 191907, 出版日 2011年11月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Improvement of GaInNAsSb films fabricated by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
Naoya Miyashita; Shuhei Ichikawa; Yoshitaka Okada
筆頭著者, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 311巻, 12号, 掲載ページ 3249-3251, 出版日 2009年06月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Carrier mobility characteristics in GaInNAs dilute nitride films grown by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
Naoya Miyashita; Yukiko Shimizu; Yoshitaka Okada
筆頭著者, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 102巻, 4号, 掲載ページ 44904, 出版日 2007年08月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Effect of growth temperature on the properties of Ga(In)NAs thin films by atomic hydrogen-assisted RF-MBE
Yukiko Shimizu; Naoya Miyashita; Yusuke Mura; Akira Uedono; Yoshitaka Okada
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 301巻, 掲載ページ 579-582, 出版日 2007年04月, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

Optimization of Ga(In)NAs thin film growth by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
Shimizu Yukiko; Miyashita Naoya; Okada Yoshitaka
PROGRESS IN SEMICONDUCTOR MATERIALS V-NOVEL MATERIALS AND ELECTRONIC AND OPTOELECTRONIC APPLICATIONS, 891巻, 掲載ページ 509-+, 出版日 2006年, 査読付
研究論文（学術雑誌）, 英語

薄型量子ドット太陽電池における光閉じ込め構造と光吸収の増大
北原 健渡; 樗木 悠亮; 宮下 直也; 岡田 至崇
日本太陽光発電学会, 出版日 2022年06月24日, 「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（日本太陽光発電学会学術講演会）予稿集, 2巻, 掲載ページ 29-29, 日本語, 2436-6498

Optimizing the positions of quantum dot layers to increase the light absorption in quantum dot solar cells with light trapping structure
Yusuke Oteki; Maxime Giteau; Kei Fukushima; Kento Kitahara; Naoya Miyashita; Ryo Tamaki; Yoshitaka Okada
出版日 2022年, 6TH IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM 2022), 掲載ページ 44-46, 英語, WOS:000852566800013

中間バンド型太陽電池の光吸収増大に向けた量子ドット層位置の最適化
樗木 悠亮; Maxime Giteau; 福島 啓; 北原 健渡; 宮下 直也; 玉置 亮; 岡田 至崇
日本太陽光発電学会, 出版日 2021年10月12日, 「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（日本太陽光発電学会学術講演会）予稿集, 1巻, 掲載ページ 116-116, 日本語, 2436-6498

Fabry-Pérot共振を用いた量子ドット太陽電池の光吸収率増強
樗木 悠亮; Maxime Giteau; 福島 啓; 北原 健渡; 宮下 直也; 玉置 亮; 岡田 至崇
公益社団法人 応用物理学会, 出版日 2021年02月26日, 応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2021.1巻, 掲載ページ 2382-2382, 日本語, 2436-7613

GaAs_xSb_1-x/GaAs量子ドットの組成制御によるキャリアの長寿命化
樗木 悠亮; 庄司 靖; 宮下 直也; 岡田 至崇
公益社団法人 応用物理学会, 出版日 2020年02月28日, 応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2020.1巻, 掲載ページ 2926-2926, 日本語, 2436-7613

GaAsSb/GaAs 量子ドット形成における成長速度の影響
樗木 悠亮; 庄司 靖; 宮下 直也; 岡田 至崇
公益社団法人 応用物理学会, 出版日 2019年09月04日, 応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2019.2巻, 掲載ページ 3430-3430, 日本語, 2436-7613

Epitaxial Lifted-Off Thin Film GaInP/GaAs/GaInNAsSb Lattice-Matched Triple Junction Solar Cells
Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Yoshitaka Okada; Rao Tatavarti; Andree Wibowo; Noren Pan
出版日 2019年, Proc. The 46th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）

High-Effciency InAs-InGaAs Quantum Dash Solar Cells Developed Through Current Constraint Engineering
Yoshitaka Okada; Naoya Miyashita; Yusuke Oteki; Yasushi Shoji
出版日 2019年, Proc. The 46th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 掲載ページ 765-767, 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）, 0160-8371, WOS:000542034900157

Thinned Germanium Substrates for III-V Multijunction Solar Cells
Iv?n Lombardero; Naoya Miyashita; Mario Ochoa; Yoshitaka Okada; Carlos Alogra
出版日 2019年, Proc. The 46th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）

Growth Of Ingaas:N δ-Doped Superlattices For Multi-Junction Solar Cells
Shumpei Umeda; Shuhei Yagi; Naoya Miyashita; Yoshitaka Okada; Hiroyuki Yaguchi
出版日 2018年, Proc. The 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 掲載ページ 1861-1864, 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）, 2159-2330, 2159-2349, WOS:000469200401194

Hot Carrier Extraction Using Energy Selective Contacts and Feedback on the Remaining Distribution
Zacharie Jehl; Daniel Suchet; Naoya Miyashita; Benoit Behagel; Maxime Giteau; Amaury Delamarre; Bernice Mae; F. Yu Jeco; Jean-Francois Guillemoles; Yoshitaka Okada
出版日 2018年, Proc. The 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 掲載ページ pp.1814-1816, 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）

Carrier Collection Improvement In InGaAs/GaAsN Multiple Quantum Well Solar Cell With Flat Conduction Band
Warakorn Yanwachirakul; Naoya Miyashita; Hassanet Sodabanlu; Kentaroh Watanabe; Masakazu Sugiyama; Yoshitaka Okada; Yoshiaki Nakano
出版日 2018年, Proc. The 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 掲載ページ pp.1874-1877, 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）, 85059906214

Analysis And Control Of Deep-Level Defects In Dilute Nitride Semiconductor GaInNAsSb
Yilun He; Naoya Miyashita; Yoshitaka Okada
出版日 2018年, Proc. The 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 掲載ページ pp.896-900, 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）

基板再利用に向けたELO後基板の清浄化工程と再成長の検討
宮下直也; 八木修平; 渡辺健太郎; 木村大希; SODABANLU Hassanet; 中田達也; 杉山正和; 杉山正和; 岡田至崇
出版日 2017年08月, 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 78th巻, 掲載ページ ROMBUNNO.6p‐PA5‐23, 日本語, 201702288830548138

1eV帯InGaAs:Nδドープ超格子の作製
梅田峻平; 八木修平; 宮下直也; 岡田至崇; 矢口裕之
出版日 2017年03月01日, 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 64th巻, 掲載ページ ROMBUNNO.14p‐B6‐9, 日本語, 201702242750399704

エピタキシャルリフトオフにより分離したGaAs基板上の堆積物分析
中田達也; 渡辺健太郎; SODABANLU H; 木村大希; 宮下直也; 杉山正和; 岡田至崇; 岡田至崇; 中野義昭; 中野義昭
出版日 2017年03月01日, 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 64th巻, 掲載ページ ROMBUNNO.14p‐B6‐13, 日本語, 201702230203994233

Multiband Formation in Cr doped CuGaS2 Thin Films Synthesized by Chemical Spray Pyrolysis
Nazmul Ahsan; Sivaperuman Kalainathan; Naoya Miyashita; Takuya Hoshii; Yoshitaka Okada
出版日 2017年, Proc. 44th IEEE Photovoltaics Specialists Conference, 掲載ページ pp.2334-2337, 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）

Analysis of Deposited Residues and Its Cleaning Process on GaAs Substrate after Epitaxial Lift-Off
Tatsuya Nakata; Kentaroh Watanabe; Hassanet Sodabanlu; Daiki Kimura; Naoya Miyashita; Yoshitaka Okada; Yoshiaki Nakano; Masakazu Sugiyama
出版日 2017年, Proc. 44th IEEE Photovoltaics Specialists Conference, 掲載ページ pp.854-857, 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）, 0160-8371, WOS:000455636000208

Laser Beam Induced Current (LBIC) Mapping of InGaP/GaAs/Ge Triple Junction Solar Cells with Luminescence Coupling
Bernice Mae Yu Jeco; Tomah Sogabe; Akio Ogura; Naoya Miyashita; Ryo Tamaki; Yoshitaka Okada
出版日 2016年, 2016 IEEE 43RD PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC), 掲載ページ 1229-1234, 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）, 0160-8371, WOS:000399818701051

Designing III-V dilute nitride alloys for IBSC application
Nazmul Ahsan; Naoya Miyashita; Kin Man Yu; Wladek Walukiewicz; Yoshitaka Okada
出版日 2016年, 2016 IEEE 43RD PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC), 掲載ページ 2761-2764, 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）, 0160-8371, WOS:000399818702180

Siドープ量子ドット太陽電池の集光特性評価
内藤駿弥; 宮下直也; 下村北斗; 下村北斗; 玉置亮; 星井拓也; 岡田至崇
出版日 2015年02月26日, 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 62nd巻, 掲載ページ ROMBUNNO.13A-A26-5, 日本語, 201502288802603447

Characterization of 1.0 eV GaInNAsSb solar cells for multi-junction applications and the effect of annealing
Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Yoshitaka Okada
出版日 2015年, Proc. 25nd European Photovoltaic Solar Energy Conference, 掲載ページ pp.1461-1465, 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）

Effect of light concentration on Si doped quantum dot solar cells
Shunya Naitoh; Naoya Miyashita; Kasidit Toprasertpong; Ryo Tamaki; Takuya Hoshii; Masakazu Sugiyama; Yoshitaka Okada
出版日 2015年, Proc. 25nd European Photovoltaic Solar Energy Conference, 掲載ページ pp.245-248, 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）

Concentrating Photovoltaic Properties of GaInNAsSb/Ge Dual Junction Tandem Solar Cell
Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Yoshitaka Okada
出版日 2014年, 2014 IEEE 40TH PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC), 掲載ページ 520-523, 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）, WOS:000366638900119

Local conductivity characteristics of individual ErAs island for solar cell tunnel junction application
Chao-Yu Hung; Tomah Sogabe; Naoya Miyashita; Yasushi Shoji; Shunya Naitoh; Yoshitaka Okada
出版日 2014年, 2014 IEEE 40TH PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC), 掲載ページ 228-232, 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）, WOS:000366638900052

Device Structure Engineering of GaInNAsSb/GaAs Heterojunction Solar Cells
Naoya Miyashita; Muhammad Monirul Islam; Nazmul Ahsan; Yoshitaka Okada
出版日 2013年, 2013 IEEE 39TH PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC), 掲載ページ 2109-2112, 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）, 0160-8371, WOS:000340054100474

Study on The Device Structure of GaInNAs(Sb) Based Solar Cells for Use in 4-junction Tandem Solar Cells
Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Muhammad Monirul Islam; Yoshitaka Okada
出版日 2012年, 2012 38TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC), 掲載ページ 954-956, 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）, WOS:000309917801054

Bias dependent admittance measurement of GaInNAsSb-based solar cell structure
Muhammad Monirul Islam; Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Yoshitaka Okada
出版日 2012年, 2012 38TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC), 掲載ページ 2543-2547, 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）, WOS:000309917802188

Evaluation of GaInNAs(Sb) solar cells for use in next generation III-V tandem solar cells
Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; M. Monirul Islam; Yoshitaka Okada
出版日 2011年, Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 掲載ページ 000526-000529, 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）, 0160-8371, 84861045652

Effect of antimony on electron trap density in GaInNAsSb solar cell grown by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
Naoya Miyashita; Haruhiro Oigawa; Yoshitaka Okada
出版日 2010年, Proc. 25th European Photovoltaic Solar Energy Conference / 5th IEEE World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 掲載ページ pp.946-949, 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）

ANTIMONY ENHANCED HOMOGENEOUS NITROGEN INCORPORATION INTO GaInNAs FILMS GROWN BY ATOMIC HYDROGEN-ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY
Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Yoshitaka Okada
出版日 2010年, 35TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE, 掲載ページ 2084-2088, 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）, 0160-8371, WOS:000287579502073

Effect of indium composition on GaInNAsSb solar cells grown by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
Naoya Miyashita; Shuhei Ichikawa; Yoshitaka Okada
出版日 2009年, 2009 34TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE, VOLS 1-3, 掲載ページ 1126-+, 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）, 0160-8371, WOS:000280345900245

Effect of Increasing Nitrogen Composition on the Performance of GaAs/GaInNAs Heterojunction Solar Cells
Naoya Miyashita; Yukiko Shimizu; Yoshitaka Okada
出版日 2007年, Proc. 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 掲載ページ pp.414-417, 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）

Fabrication of GaInNAs-based solar cells for application to multi-junction tandem solar cells
Naoya Miyashita; Yukiko Shimizu; Naoto Kobayashi; Yoshitaka Okada; Masafumi Yamaguchi
出版日 2006年, CONFERENCE RECORD OF THE 2006 IEEE 4TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION, VOLS 1 AND 2, 掲載ページ 869-872, 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）, WOS:000241251600222

Optimization of growth of GaInNAs dilute nitrides for multi-junction solar cell applications
Yukiko Shimizu; Naoya Miyashita; Yusuke Mura; Akira Uedono; Yoshitaka Okada
出版日 2006年, CONFERENCE RECORD OF THE 2006 IEEE 4TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION, VOLS 1 AND 2, 掲載ページ 811-814, 英語, 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）, WOS:000241251600207

Fabrication of GaAs/GaInNAs Heterojunction Solar Cells Applicable To High-Efficiency Multi-junction Tandem Structures
KOBAYASHI Naoto; MIYASHITA Naoya; SHIMIZU Yukiko; OKADA Yoshitaka; YAMAGUCHI Masafumi
出版日 2005年09月13日, Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials, 2005巻, 掲載ページ 352-353, 英語, 10022541889, AA10777858

Photovoltaics for Space
Naoya Miyashita; Yoshitaka Okada
分担執筆, Chapter 10. Inverted lattice-matched GaInP/GaAs/GaInNAsSb triple-junction solar cells: epitaxial lift-off thin-film devices and potential space applications, ELSEVIER, 出版日 2022年10月

逆積み構造太陽電池のスマートスタックに向けたエピタキシャル薄膜の3回転写プロセス開発
切柳 匠登; 宮下 直也; 牧田 紀久夫; 菅谷 武芳; 海津 利行; 山口 浩一
ポスター発表, 第72回応用物理学会春季学術講演会
発表日 2025年03月16日
開催期間 2025年03月14日- 2025年03月17日

Analyses of Luminescence Coupling in ELO thin-film tandem solar cells
Sota Itsubo; Dairoku Inaba; Naoya Miyashita; Koichi Yamaguchi
ポスター発表, 英語, 35th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
発表日 2024年11月14日

Characterization of Spalling-released thin-film tandem solar cells
Naoya Miyashita; Yasushi Shoji; Takeyoshi Sugaya; Tomah Sogabe; Koichi Yamaguchi; Yoshitaka Okada
口頭発表（一般）, 英語, 35th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
発表日 2024年11月13日

ELO薄膜タンデム太陽電池の発光結合特性評価
伊坪壮太; 稲葉大陸; 宮下直也; 山口浩一
ポスター発表, 第85回応⽤物理学会秋季学術講演会
発表日 2024年09月19日
開催期間 2024年09月16日- 2024年09月20日

Spalling工程による薄膜タンデム太陽電池の作製と評価
宮下直也; 庄司靖; 菅谷武芳; 曽我部東馬; 山口浩一; 岡田至崇
口頭発表（一般）, 第85回応用物理学会秋季学術講演会
発表日 2024年09月17日
開催期間 2024年09月16日- 2024年09月20日

2端子型ELO薄膜タンデム太陽電池のサブセルI-V解析
宮下直也; 稲葉大陸; 伊坪壮太; 曽我部東馬; 岡田至崇; 山口浩一
ポスター発表, 第21回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（第4回⽇本太陽光発電学会学術講演会）
発表日 2024年07月11日
開催期間 2024年07月11日- 2024年07月12日

バイアス光照射による薄膜タンデム太陽電池の各サブセルのI-V測定
稲葉 大陸; 伊坪 壮太; 宮下 直也; 曽我部 東馬; 岡田 至崇; 山口 浩一
ポスター発表, 第71回応用物理学会春季学術講演会
発表日 2024年03月24日

InAs/InAsSb面内超高密度量子ドット層の光伝導特性
大山 琢未; 荒尾 光哉; 宮下 直也; 山口 浩一
ポスター発表, 第71回応用物理学会春季学術講演会
発表日 2024年03月24日

Si(111)基板上への高密度InAsSb/InAsコアシェルナノワイヤーの成長
渡部 陸太; 中川 竜輔; 宮下 直也; 山口 浩一
ポスター発表, 第71回応用物理学会春季学術講演会
発表日 2024年03月24日

Dilute nitride based MQWs with strain compensation for 1.0 eV subcells
Naoya Miyashita; Yusuke Oteki; Nazmul Ahsan; Tomah Sogabe; Koichi Yamaguchi; Yoshitaka Okada
口頭発表（一般）, 英語, The 33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33)
発表日 2022年11月

Optimizing the positions of quantum dot layers to increase the light absorption in quantum dot solar cells with light trapping structure
Yusuke Oteki; Maxime Giteau; Kei Fukushima; Kento Kitahara; Naoya Miyashita; Ryo Tamaki; Yoshitaka Okada
6th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2022
発表日 2022年
開催期間 2022年- 2022年

Fabry-Pérot共振を用いた量子ドット太陽電池の光吸収率増強
樗木 悠亮; Maxime Giteau; 福島 啓; 北原 健渡; 宮下 直也; 玉置 亮; 岡田 至崇
日本語, 応用物理学会学術講演会講演予稿集, 公益社団法人 応用物理学会
発表日 2021年02月26日
開催期間 2021年02月26日- 2021年02月26日

エピタキシャルリフトオフ法を用いた薄膜太陽電池の作製
宮下 直也; 岡田 至崇
口頭発表（招待・特別）, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 招待
発表日 2020年09月

エピタキシャルリフトオフ法を用いたエピ薄膜分離と基板再生技術開発
宮下 直也; 岡田 至崇
口頭発表（招待・特別）, 第67回応用物理学会春季学術講演会, 招待
発表日 2020年03月

GaAs_xSb_1-x/GaAs量子ドットの組成制御によるキャリアの長寿命化
樗木 悠亮; 庄司 靖; 宮下 直也; 岡田 至崇
日本語, 応用物理学会学術講演会講演予稿集, 公益社団法人 応用物理学会
発表日 2020年02月28日
開催期間 2020年02月28日- 2020年02月28日

GaAsSb/GaAs 量子ドット形成における成長速度の影響
樗木 悠亮; 庄司 靖; 宮下 直也; 岡田 至崇
日本語, 応用物理学会学術講演会講演予稿集, 公益社団法人 応用物理学会
発表日 2019年09月04日
開催期間 2019年09月04日- 2019年09月04日

Strain Compensated Dilute Nitride MQWs As New 1 eV Solar Cell Absorber
Naoya Miyashita; Yoshitaka Okada
口頭発表（一般）, 英語, SemiconNano 2019, Kobe, 国際会議
発表日 2019年09月

Study of GaInP/GaAs/GaInNAsSb 3J solar cells: Effect of hydrogen incorporation to GaInNAsSb in MOCVD/MBE hybrid growth
Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Yoshitaka Okada
口頭発表（一般）, 英語, Asia Pacific Society for Materials Research (APSMR) Annual Meeting 2019, 招待, Sapporo, 国際会議
発表日 2019年07月

Epitaxial Lifted-Off Thin Film GaInP/GaAs/GaInNAsSb Lattice-Matched Triple Junction Solar Cells
Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Yoshitaka Okada; Rao Tatavarti; Andree Wibowo; Noren Pan
口頭発表（一般）, 英語, The 46th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC-46), Chicago, 国際会議
発表日 2019年06月

Effect of Annealing on The Bottom Cell in GaInP/GaAs/GaInNAsSb Triple Junction Solar Cells by MBE/MOCVD Hybrid Growth
Naoya Miyashita; Yilun He; Nazmul Ahsan; Yoshitaka Okada
2019 Compound Semiconductor Week (CSW), IEEE, http://orcid.org/0000-0003-1311-1589
発表日 2019年05月
開催期間 2019年05月- 2019年05月

高倍集光下におけるGaSb/GaAs量子ナノ構造太陽電池の特性
樗木 悠亮; 庄司 靖; 宮下 直也; 何 軼倫; 岡田 至崇
日本語, 応用物理学会学術講演会講演予稿集, 公益社団法人 応用物理学会
発表日 2019年02月25日
開催期間 2019年02月25日- 2019年02月25日

GaSb/GaAs quantum nanostructures for intermediate band solar cell under high sunlight concentration
Yusuke Oteki; Yasushi Shoji; Naoya Miyashita; Yilun He; Yoshitaka Okada
英語, 2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW)
発表日 2019年
開催期間 2019年- 2019年

Epitaxial Lift-Off of Ultrathin Heterostructures for Hot-Carrier Solar Cell Applications
Maxime Giteau; Kentaroh Watanabe; Hassanet Sodabanlu; Naoya Miyashita; Masakazu Sugiyama; Andrea Cattoni; Stephane Collin; Jean-Francois Guillemoles; Yoshitaka Okada
英語, 2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW)
発表日 2019年
開催期間 2019年- 2019年

ELO-released thin film solar cells and application to multi-junction devices
Naoya Miyashita; Yilun He; Nazmul Ahsan; Beno?t Behaghel; Jean-Fran?ois Guillemoles; Yoshitaka Okada
口頭発表（一般）, 英語, 7th LIA NextPV International Workshop, Bordeaux, 国際会議
発表日 2018年12月

Inverted growth of lattice-matched multijunction solar cells with 1.0 eV GaInNAsSb subcell
Naoya Miayshita; Yilun He; Takaaki Agui; Hiroyuki Juso; Tatsuya Takamoto; Yoshitaka Okada
口頭発表（一般）, 英語, The 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-7), Waikoloa, 国際会議
発表日 2018年06月

Inverted and non-inverted grown lattice-matched multijunction solar cells with 1.0eV GaInNAsSb subcell
Naoya Miyashita; Yoshitaka Okada
口頭発表（一般）, 英語, 6th LIA NextPV International Workshop, Tokyo, 国際会議
発表日 2017年12月

Characterization of Inverted Grown Lattice-matching Multijunction Solar Cells with 1.0eV Dilute Nitride Subcell
Naoya Miyashita; Takaaki Agui; Hiroyuki Juso; Tatsuya Takamoto; Yoshitaka Okada
口頭発表（一般）, 英語, Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-27), Shiga, 国際会議
発表日 2017年11月

Development of dilute nitrides and multijunction solar cells
Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Yoshitaka Okada
口頭発表（一般）, 英語, 2nd International Conference on Advances in Materials Science and Technology, 招待, Vellore, 国際会議
発表日 2017年10月

Effect of Hydrogen Annealing for Dilute Nitride GaInNAsSb Solar Cells
Naoya Miyashita; Yilun He; Yoshitaka Okada
口頭発表（一般）, 英語, Compound Semiconductor Week (CSW) 2017, Berlin, 国際会議
発表日 2017年05月

Enhancement of photocurrent in thin film dilute nitride cells separated by epitaxial lift-off technique
Naoya Miyashita; Yoshitaka Okada
口頭発表（一般）, The 63rd JSAP spring meeting (English session symposium: "Photovoltaic 4.0"）, Yokohama, 国内会議
発表日 2017年03月

Characterization of Dilute Nitride Based Photovoltaics for Multi-junction Solar Cell Applications
Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Yoshitaka Okada
口頭発表（一般）, 英語, International Conference on Modern Materials Research (ICMMR2016), 招待, Uthangarai, 国際会議
発表日 2016年12月

Improvement of Dilute Nitride GaInNAsSb Thin Films and Photovoltaic Characteristics
Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Yoshitaka Okada
口頭発表（一般）, 英語, International Conference on Materials Processing and Applications (ICMPA2016), 招待, Vellore, 国際会議
発表日 2016年12月

Enhancement of Photocurrent in Epitaxial Lift-Off Thin Film GaInNAsSb Solar Cells By The Light Confinement Structure
Naoya Miyashita; Beno?t Behaghel; Jean-Fran?ois Guillemoles; Yoshitaka Okada
口頭発表（一般）, 英語, Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-26), Singapore, 国際会議
発表日 2016年10月

Improvement of 1.0 eV GaInNAsSb solar cell performance upon annealing
Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Yoshitaka Okada
口頭発表（一般）, 英語, Compound Semiconductor Week (CSW) 2016, Toyama, 国際会議
発表日 2016年06月

Enhancement of Carrier Collection in GaInNAs:Sb Solar Cells
Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Yoshitaka Okada
口頭発表（一般）, 英語, EMN Prague Meeting, 招待, Prague, 国際会議
発表日 2016年06月

Improved Carrier Collection in Thick GaInNAsSb Solar Cells
N. Miyashita; N. Ahsan; Y. Okada
口頭発表（一般）, 英語, The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6), Kyoto, 国際会議
発表日 2014年11月

多接合太陽電池用GaInNAs(Sb)薄膜のMBE成長と高品質化
宮下直也; 岡田至崇
口頭発表（一般）, 日本語, 第44回結晶成長国内会議, 招待, 東京, 国内会議
発表日 2014年11月

Effect of Electric Field in GaInNAsSb based Solar Cells
Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Muhammad Monirul Islam; Yoshitaka Okada
口頭発表（一般）, 英語, 2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Kyoto, 国際会議
発表日 2013年09月

Photovoltaic Characteristics of GaInNAsSb Solar Cells under Concentrated Light Source
N. Miyashita; K. Watanabe; Y. Okada
口頭発表（一般）, 英語, 9th Conference on Concentrator Photovoltaics (CPV-9), Miyazaki, 国際会議
発表日 2013年04月

Fabrication of nip and pin structure GaInNAsSb solar cells
Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Yoshitaka Okada
口頭発表（一般）, 英語, 2012 Collaborative Conference on Crystal Growth, 招待, Orland, 国際会議
発表日 2012年12月

High Electron Mobility in Ga(In)NAs Films Grown by MBE
Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Makoto Inagaki; Muhammad Monirul Islam; Masafumi Yamaguchi; Yoshitaka Okada
口頭発表（一般）, 英語, The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Nara, 国際会議
発表日 2012年09月

Antimony Surfactant Mediated Improvement of the Properties of GaInNAsSb Films for Multi-junction Tandem Solar Cells
Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Kin Man Yu; Wladek Walukiewicz; Yoshitaka Okada
口頭発表（一般）, 英語, 2011 MRS spring meeting, San Francisco, 国際会議
発表日 2011年04月

Reduction of nitrogen-induced localized states in GaInNAs films grown by antimony-assisted MBE
Naoya Miyashita; Nazmul Ahsan; Yoshitaka Okada
口頭発表（一般）, 英語, Renewable Energy 2010 International Conference and Exhibition, Yokohama, 国際会議
発表日 2010年06月

Characteristics of GaInNAsSb Solar Cells Grown by Atomic Hydrogen-Assisted Molecular Beam Epitaxy
Naoya Miyashita; Shuhei Ichikawa; Yoshitaka Okada
口頭発表（一般）, 英語, 18th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, Kolkata, 国際会議
発表日 2009年01月

インフォパ ワード・エネルギー概論
2024年 - 現在
東京外国語大学

集積回路基礎
2024年 - 現在
電気通信大学

電子工学実験第二；X線回折
2022年 - 現在
電気通信大学

環境工学
2022年 - 現在
電気通信大学

基盤理工学専攻基礎
2024年
電気通信大学

光エレクトロニクス物性特論
2020年
埼玉大学

日本太陽光発電学会

応用物理学会

移動体用太陽電池の研究開発（超高効率モジュール技術開発）
高本達也; 杉山正和; 岡田至崇
NEDO 太陽光発電主力電源化推進技術開発／太陽光発電の新市場創造技術開発, 連携研究者, 格子不整合系太陽電池の剥離技術開発
研究期間 2020年07月 - 2025年03月

バンド間遷移向上に向けた高不整合混晶の中間バンドエンジニアリング
宮下 直也
日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(C), 東京大学, 基盤研究(C), 研究代表者, 本研究はマルチバンド材料であるGaInNAsに着目し中間バンドを介した2段階励起レート向上と再緩和抑制に向け検討を進めている。GaInNAsはInとNの添加量を制御することによってGaAs基板上への格子整合が可能な材料として知られているが、N組成の増加に伴い導入される結晶欠陥の抑制が課題となる。 本年度は、GaAs基板上に成長可能な歪み補償型GaInNAs/GaNAs系多重量子井戸構造を用いた太陽電池を作製し、成膜条件、構造の検討を実施した。 高分解X線回折測定により良好な周期構造とヘテロ界面の形成を確認した。また、GaAs基板に対して格子整合を維持されており、設計通りの歪み補償効果が実現できていることを確認した。また、多重量子井戸層の成長温度の最適化を行い、発電特性の改善を得た。さらにポストアニールを実施し、周期構造、光吸収端エネルギー、発電特性への変化を調べ、最適条件の検討を進めた。また、多重量子井戸構造の改善に向け、ヘテロ界面へのGaAsスペーサー層の挿入を検討した。成膜時、およびポストアニールに伴うIn等の構成元素の相互拡散の影響について調べ、構造の最適化を進めた。以上の最適化検討を行い、標準条件下において多重量子井戸層の量子効率の向上を得た。また、活性層における2段階励起特性評価のため、評価システムの設計および白色光源の導入を行った。, 20K05682
研究期間 2020年04月 - 2024年03月

希釈窒化物半導体による近赤外域多重量子井戸構造の歪み制御技術開発
宮下直也
池谷科学技術振興財団, 単年度研究助成, 東京大学, 研究代表者, 0311063-A
研究期間 2019年04月 - 2020年03月

超高効率・低コストIII-V化合物太陽電池モジュールの研究開発（超高効率セルおよび低コスト化技術開発）
岡田至崇; 杉山正和
NEDO 高性能・高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発／革新的新構造太陽電池の研究開発, 連携研究者
研究期間 2015年07月 - 2020年03月

原子状水素を用いた希釈窒化物混晶への水素修飾とN-H結合の制御
宮下 直也
日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 研究代表者
研究期間 2016年04月 - 2018年03月

高効率集光型太陽電池セル、モジュール及びシステムの開発（日EU共同開発）
山口真史; 岡田至崇
NEDO 革新的太陽光発電技術研究開発（革新型太陽電池国際研究拠点設備事業）, 連携研究者
研究期間 2010年 - 2014年

ポストシリコン超高効率太陽電池の研究開発
中野義昭; 宮野健次郎; 瀬川浩司; 岡田至崇
NEDO 革新的太陽光発電技術研究開発（革新型太陽電池国際研究拠点設備事業）, 連携研究者
研究期間 2008年 - 2014年