奥野 剛史

基盤理工学専攻教授
Ⅲ類(理工系)教授
  • プロフィール:

    新規ナノ光材料や半導体微細構造における光物性実験を専門としています。 量子ドットやナノワイヤ等の量子閉じ込め構造の光学的性質、および、 それらと発光中心との相互作用を明らかにするための研究を行っています。 大きさがナノメートル(10-9 m)領域になった半導体微細構造では、 その中の電子のもつ波としての性質が顕著になってきます。 そのため、発光する色や応答速度等が、通常の大きさの半導体とは変わってきて、 自由に制御できる可能性がでてきます。また、そこに蛍光イオンを導入することにより、 通常とは異なる強度や色で発光させることができます。 このような新規ナノ光材料を創出し、その構造や発光メカニズムを解明しようとしています。


    低消費エネルギーに資しかつ環境に調和した新物質および新現象を探索しています。 これまでの研究において得た結果の例を記します。 LED電球でエネルギー蓄積可能な赤色の硫化物残光蛍光体を得ました。残光(蓄光)蛍光体は、安全標識や時計の文字盤等に緑色のものが実用化されています。しかしその性能は発展途上で、暗がりで電気スイッチの位置を示す残光シールが翌朝まで十分な明るさで光り続けることはありません。そして現状の残光蛍光体は、紫外光でエネルギーを蓄積します。現在普及がすすんでいるLED電球は紫外光成分を含まないため、残光の強度は小さく時間は短くなってしまいます。そこで、赤色に発光するイオンとエネルギー蓄積に寄与するイオンを選び、ヨウ素蒸気を援用するという独自の蛍光体作製手法により、実用化にいたっていない赤色残光を得ることに成功しました。微弱光を注意深く検出する実験により、可視光によって、赤色残光をもたらすエネルギー蓄積が生じることを明瞭に示しました。残光の強度と時間をさらに伸長するための研究を継続しています。昼間の太陽光をうけて夜中じゅう翌朝まで光り続ける残光シールが実現したとすると、街灯のない道路のガードレールにはれば昼間の太陽エネルギーを夜間に光として使用できることになります。省エネルギーおよび安全安心な社会のためにおおいに資することになります。  


    シリコンを構成元素に含む新しい黄色蛍光体を見い出しました。 蛍光体の母体材料としてGd4(SiS4)3およびY4(SiS4)3を 発光ダイオードなどの青色光で励起すると、 3価のセリウムイオンが黄色で発光します。効率は最高で62%に達します。 これまでの蛍光体では、セリウムイオン自身を青色光で励起する ことが多いのですが、この蛍光体では 母体を励起してもセリウムイオンまでほぼ100%の効率でエネルギーが 伝達されることがわかりました。 様々なイオンを用いて様々な発光色を得る、 母体の材料を制御して変更することにより様々な励起光源が 使用可能になる、などの利点が考えられます。  


    Ca2SiS4:Eu2+などの新しいチオシリケート蛍光体材料は、粉末体の作製報告がいくつかなされていました。それらをシリコン基板上に作製することに成功しています。LSIを用いた光源などに 応用できる可能性があります。バリウムやカルシウム、ユーロピウムといった 材料を適切に選んでやることにより、緑色、黄色、および赤色に対応する発光スペクトルを 得ました。

学位

  • 博士(理学), 東京大学

研究キーワード

  • 蛍光体科学
  • 光物性実験

研究分野

  • ナノテク・材料, 無機材料、物性
  • ナノテク・材料, 応用物性

経歴

  • 2004年04月 - 2015年03月
    電気通信大学 電気通信学部, 助教授、准教授
  • 2001年08月 - 2004年03月
    筑波大学 物理学系, 講師
  • 1995年04月 - 2001年07月
    筑波大学 物理学系, 助手

学歴

  • 1995年03月
    東京大学, 理学系研究科, 物理学専攻
  • 1990年03月
    東京大学, 理学部, 物理学科

委員歴

  • 2012年04月 - 2025年03月
    評議員, 日本物理教育学会, 学協会
  • 2019年04月 - 2021年03月
    光源・照明システム分科会幹事, 照明学会, 学協会
  • 2017年04月 - 2021年03月
    大学の物理教育編集委員会委員, 日本物理学会, 学協会
  • 2017年04月 - 2019年03月
    固体光源分科会幹事, 照明学会, 学協会
  • 2013年04月 - 2017年03月
    物理教育委員, 日本物理学会, 学協会
  • 2012年04月 - 2014年03月
    プログラム編集委員(中分類14.4半導体B 光物性・発光デバイス), 応用物理学会, 学協会
  • 2005年09月 - 2008年08月
    会誌編集委員, 日本物理学会, 学協会

論文

  • 「UECパスポートプログラム」の活動報告
    須子雅好; 奥野剛史; 中村仁 鈴木勝
    電気通信大学紀要, 37巻, 2号, 掲載ページ 24-28, 出版日 2025年02月, 査読付
    研究論文(大学,研究機関等紀要), 日本語
  • 電気通信大学で開催する「都立高校生のための課題探究教室」
    須田順子; 須子雅好; 奥野剛史; 中村仁; 鈴木勝
    電気通信大学紀要, 37巻, 2号, 掲載ページ 29-33, 出版日 2025年02月, 査読付
    研究論文(大学,研究機関等紀要), 日本語
  • Comprehensive study of the luminescence properties of elemental metals
    Tohru Suemoto; Shota Ono; Akifumi Asahara; Tsuyoshi Okuno; Takeshi Suzuki; Kozo Okazaki; Shuntaro Tani; Yohei Kobayashi
    Physical Review B, American Physical Society (APS), 111巻, 3号, 掲載ページ 035150_1-035150_9, 出版日 2025年01月27日, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • The decay curves of luminescence from Eu2+ in β-SiAlON are effectively analyzed using the general-order kinetics formula
    Yoriko Suda; Tsuyoshi Okuno; Takashi Takeda; Kohsei Takahashi; Naoto Hirosaki
    Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 57巻, 18号, 掲載ページ 185101-1-185101-11, 出版日 2024年02月07日, 査読付, Abstract

    Defects in phosphors affect not only luminescence intensity but also emission peak width, decay time, and afterglow. The green phosphor β-SiAlON:Eu2+ exhibits the green emission of Eu2+ at 520 nm and the blue emission of nitrogen vacancies at 460 nm in time-resolved fluorescence measurements. The decay time of the intrinsic Eu2+ transition is 0.7 μs, but afterglow is detected from 50 μs to 0.01 s. This afterglow decay curve is the same for the green emission of Eu2+ and the blue emission of nitrogen vacancies, suggesting that the defect levels of the nitrogen vacancies affect the Eu2+ transition. The afterglow decay curves were analyzed using the formula of the general-order kinetics, ${\left( {1 + t/{\tau _{\text{B } } } } \right)^{ - n } }$, where $n$ is the decay power and ${\tau _{\text{B } } }$ is the decay time. This equation is generally used when analyzing afterglow on the order of seconds to hours but has not been examined systematically applied in samples with different concentrations of Eu2+ and temperatures on the order of nanoseconds to milliseconds. The decay power $n$ is approximately 1 for all Eu2+ concentrations (x = 0.001–0.3) and undoped β-SiAlON. The decay time ${\tau _{\text{B } } }$ is correlated with the density of the nitrogen vacancies determined by electron spin resonance. Furthermore, the value of $n$ is approximately 1 for 50 μs to 0.01 s and 0.3 for 1–1000 s. Thus, the luminescence mechanism of Eu2+ can be discussed by comparing $n$ and ${\tau _{\text{B } } }$ obtained from the decay curves. In addition, several different Eu2+-doped phosphors, namely SrAl2O4:Eu2+, Dy3+, CaAlSiN3:Eu2+, and CaS:Eu2+, Tm3+, are studied.
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Red photostimulated luminescence and afterglow in CaS:Eu2+, Mn2+ phosphors
    Kazuaki Iguchi; Yuta Nishigawa; Yoriko Suda; Yasushi Nanai; Tsuyoshi Okuno
    責任著者, Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 57巻, 7号, 掲載ページ 075301-1-075301-11, 出版日 2023年11月16日, 査読付, Abstract

    In afterglow phosphors, luminescence appears and can be observed with the naked eye for minutes to hours or more, even after photoexcitation ceases. Red afterglow and photostimulated luminescence (PSL) at 650 nm are studied in CaS:Eu2+, Mn2+ phosphors. Infrared light at 980 nm from a laser diode induces the red PSL for 990 s. Two types of trap states are found to be present in the phosphors by using thermoluminescence (TL). Deep trap states are reflected in a TL peak in the temperature region of 520 K, and are related to PSL. Shallow trap states reflected in the other TL peak at 250 K are related to afterglow. The intensity dependence of photoexcitation on PSL shows that carriers are more easily accumulated in the deep trap states than shallow trap states. Experiments of electron paramagnetic resonance are conducted to discuss the possible origins of PSL and the afterglow.
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Observation of infrared interband luminescence in magnesium by femtosecond spectroscopy
    Tohru Suemoto; Shota Ono; Akifumi Asahara; Tsuyoshi Okuno; Takeshi Suzuki; Kozo Okazaki; Shuntaro Tani; Yohei Kobayashi
    Journal of Applied Physics, 134巻, 掲載ページ 163105-1-163105-8, 出版日 2023年10月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • 照明年報 第1章 光関連材料・デバイス 1.5 その他の光源材料・デバイス
    奥野剛史
    責任著者, 照明学会誌, 107巻, 5号, 掲載ページ 194-195, 出版日 2023年09月
    研究論文(大学,研究機関等紀要)
  • 東外大農工大電通大で開く3大学協働基礎ゼミ
    奥野剛史; 黒田立; 小泉憲裕; 小林義男
    筆頭著者, 電気通信大学紀要, 35巻, 1号, 掲載ページ 36-41, 出版日 2023年02月, 査読付
    研究論文(大学,研究機関等紀要), 日本語
  • Photostimulated luminescence excited by infrared LEDs in CaS:Eu2+ red afterglow phosphors
    Syota Yamaguchi; Yoriko Suda; Yasushi Nanai; Tsuyoshi Okuno
    ラスト(シニア)オーサー, Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 56巻, 1号, 掲載ページ 015301-015301, 出版日 2022年12月22日, 査読付, Abstract

    Red photostimulated luminescence (PSL) at 650 nm appears under the excitation by using an infrared (IR) light-emitting diode at 940 nm in CaS:Eu2+ afterglow phosphors. The effect of doping of Dy3+ ions, alkali metal ions or Cl ions in CaS:Eu2+ on afterglow or photostimulation is investigated. Afterglow temporal decays and thermoluminescence glow curves suggest that Dy3+ ions and alkali metal ions induce different types of defects in the phosphor, and enhance the afterglow independently. Doping of Cl ions is found to enhance the photostimulation by the IR excitation. Even if the phosphor is irradiated with IR light for some seconds, the afterglow decay curve is the same as when it is not irradiated with IR light. Trap states responsible for the photostimulation are different from those responsible for the afterglow. The red photostimulation appears under the excitation at 940 nm, after the phosphor is left in the dark for 60 min. Its intensity is 68% of the red PSL generated after being left in the dark for 10 min. It is considered that the PSL decreases little, when the sample is kept in the dark.
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • 照明年報 第1章 光関連材料・デバイス 1.7 その他の光源材料・デバイス
    奥野剛史
    責任著者, 照明学会誌 Journal of the Illuminating Engineering Institute of Japan, 一般社団法人 照明学会, 106巻, 5号, 掲載ページ 207-207, 出版日 2022年09月01日
    研究論文(大学,研究機関等紀要), 日本語
  • 5年目を迎えたサイエンスカフェChofu
    奥野剛史; 君島龍太朗; 水戸和幸; 宮嵜武
    筆頭著者, 電気通信大学紀要 vol34, no1 (2022.2) pp.48-52, 34巻, 4号, 掲載ページ 48-52, 出版日 2022年02月, 査読付
    研究論文(大学,研究機関等紀要), 日本語
  • VBAとGASを用いたシフト表自動化アプリの作成とシフト組合せ最適化用の遺伝的アルゴリズムの検討
    富田一光; 佐藤寛之; 奥野剛史
    責任著者, 進化計算学会論文誌, 進化計算学会, 12巻, 3号, 掲載ページ 88-97, 出版日 2021年12月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 日本語
  • 照明年報 第1章 光関連材料・デバイス 1.7 その他の光源材料・デバイス
    奥野剛史
    責任著者, 照明学会誌 Journal of the Illuminating Engineering Institute of Japan, 一般社団法人 照明学会, 105巻, 5号, 掲載ページ 222-222, 出版日 2021年09月01日
    研究論文(学術雑誌), 日本語
  • Red afterglow and luminescence arising from defects in CaS:Eu2+,Tm3+
    Yoriko Suda; Yuki Tamura; Syota Yamaguchi; Yasushi Nanai; Tsuyoshi Okuno
    J. Phys. D: Appl. Phys., Institute of Physics, 54巻, 掲載ページ 415103(11pp), 出版日 2021年07月30日, 査読付, 700sの蓄光を生じる赤色残光蛍光体CaS:Eu2+,Tm3+において、母体CaSに起因する欠陥が残光の起源と考えられることを議論した。15Kおよび300Kにおけるナノ秒の時間分解発光スペクトルおよび寿命の測定を詳細に調べることによって、ナノ秒という光パルス励起直後のみにCaS母体欠陥からの青色発光が生じることを検出した。
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • 東京都と電通大による高大連携:課題探究教室
    須田順子; 須子雅好; 奥野剛史; 中村仁; 鈴木勝
    大学の物理教育, 日本物理学会, 27巻, 2号, 掲載ページ 118-120, 出版日 2021年07月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 日本語
  • 青色励起赤色発光リン酸塩蛍光体の発光特性
    志村佳熙; 久島大輝; 田村祐樹; 奥野剛史
    映像情報メディア学会技術報告 ITE Technical Report, 一般社団法人 映像情報メディア学会, 45巻, 2号, 掲載ページ 33-36, 出版日 2021年01月
    研究論文(学術雑誌), 日本語
  • VBAとGASを用いたシフト表自動化アプリの作成とシフト組合せ最適化用の遺伝的アルゴリズムの検討
    富田一光; 奥野剛史
    第14回進化計算シンポジウム2020 講演論文集, 進化計算学会, 掲載ページ 101-106, 出版日 2020年12月
    研究論文(研究会,シンポジウム資料等), 日本語
  • 照明年報 第1章 光関連材料・デバイス 1.7 その他の光源材料・デバイス
    奥野剛史
    責任著者, 照明学会誌 Journal of the Illuminating Engineering Institute of Japan, 一般社団法人 照明学会, 104巻, 6号, 掲載ページ 265-266, 出版日 2020年09月
    研究論文(学術雑誌), 日本語
  • 新規固体光源のための光材料研究ー半導体、ナノ材料、蛍光体-
    奥野剛史
    責任著者, 照明学会誌 Journal of the Illuminating Engineering Institute of Japan, 一般社団法人 照明学会, 104巻, 3号, 掲載ページ 116-119, 出版日 2020年03月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 日本語
  • Red persistent luminescence excited by visible light in CaS:Eu2+,Tm3+
    Yuki Tamura; Tsuyoshi Okuno; Yoriko Suda; Yasushi Nanai
    Journal of Physics D: Applied Physics, 53巻, 掲載ページ 155101, 出版日 2020年02月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • シリコン上に膜形成可能なシリコン硫化物蛍光体の研究
    中村裕貴; 青野瑞樹; 奥野剛史; 七井靖
    映像情報メディア学会技術報告 ITE Technical Report, 一般社団法人 映像情報メディア学会, 44巻, 1号, 掲載ページ 33-36, 出版日 2020年01月
    研究論文(学術雑誌), 日本語
  • 低速電子線励起用新規橙赤色硫化物蛍光体の開発
    奥野剛史; 中川康弘; 志村佳煕; 七井靖; 佐藤義孝; 御園生敏行
    信学技報 IEICE Technical Report, 一般社団法人 電子情報通信学会, EID2018-12(2019-01)巻, 掲載ページ 89-82, 出版日 2019年01月
    研究論文(学術雑誌), 日本語
  • ブレッドボードを用いた光通信実験の回路工作授業
    奥野剛史; 菅野敦史
    物理教育, 日本物理教育学会, 66巻, 3号, 掲載ページ 184-187, 出版日 2018年09月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 日本語
  • Broad luminescence of Ce3+ in multiple sites in (La,Ce,Y)6Si4S17
    Yasushi Nanai; Hayato Kamioka; Tsuyoshi Okuno
    Journal of Physics D: Applied Physics, Institute of Physics Publishing, 51巻, 13号, 掲載ページ 135103(8pp), 出版日 2018年03月08日, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Efficient host excitation in thiosilicate phosphors of lanthanide(III)-doped Y-4(SiS4)(3)
    Yasushi Nanai; Yousuke Suzuki; Tsuyoshi Okuno
    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 49巻, 10号, 掲載ページ 105103(8pages), 出版日 2016年03月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Effect of defects in TiO2 nanotube thin film on the photovoltaic properties of quantum dot-sensitized solar cells
    Masaya Akimoto; Taro Toyoda; Tsuyoshi Okuno; Shuji Hayase; Qing Shen
    THIN SOLID FILMS, 590巻, 掲載ページ 90-97, 出版日 2015年09月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Crystal structure and photoluminescence of (Gd,Ce)(4)(SiS4)(3) and (Y,Ce)(4)(SiS4)(3)
    Yasushi Nanai; Katsuhiro Suzuki; Tsuyoshi Okuno
    MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2巻, 3号, 掲載ページ 036203(11pages), 出版日 2015年03月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Electronic structures of two types of TiO2 electrodes: inverse opal and nanoparticulate cases
    Taro Toyoda; Witoon Yindeesuk; Tsuyoshi Okuno; Masaya Akimoto; Keita Kamiyama; Shuzi Hayase; Qing Shen
    RSC ADVANCES, 5巻, 61号, 掲載ページ 49623-49632, 出版日 2015年, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Correlation between photoluminescence and structure in silicon nanowires fabricated by metal-assisted etching
    Kotaro Oda; Yasushi Nanai; Toshiyuki Sato; Seiji Kimura; Tsuyoshi Okuno
    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 211巻, 4号, 掲載ページ 848-855, 出版日 2014年04月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Glycothermal synthesis and photoluminescent properties of Ce3+-doped YBO3 mesocrystals
    Hiroki Hara; Satoru Takeshita; Tetsuhiko Isobe; Yasushi Nanai; Tsuyoshi Okuno; Tomohiro Sawayama; Seiji Niikura
    JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 577巻, 掲載ページ 320-326, 出版日 2013年11月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Luminescence Properties of Rare-Earth-Doped Thiosilicate Phosphors on Silicon Substrate
    Yasushi Nanai; Yu Sakamoto; Tsuyoshi Okuno
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 52巻, 4号, 掲載ページ 04CG15(5pages), 出版日 2013年04月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • 先進理工学科における2年次専門実験(電気・電子回路実験)の準備と実施について
    奥野剛史; 大家明広; 山崎典昌; 高橋光生; 早川義彦; 矢崎和幸; 和田紀子; 藁科崇; 坂本克好; Choo Cheow Keong; 永井豊; 守屋雅隆; 沈青; 島田宏; 林茂雄
    電気通信大学紀要 vol25, no1 (2013.2) pp.73-78, 電気通信大学, 25巻, 1号, 掲載ページ 73-78, 出版日 2013年02月, 査読付, The new laboratory class of Electric and Electronic Circuit Laboratory has been conducted. All of the second year students at the Department of gineering Science are required to take this class. An example of preparation for new classes in the new department is shown. Academic engineers and faculties formerly belonging to dif ferent depar tments are cooperatively involved in the preparation and teaching for the laboratory class. The class has been successfully completed in 2011 for the first time after the reorganization of the Faculty of Informatics and Engineering in April 2010. The results concerning report scores of students, answers of students' questionnaires, and e-Learning are shown and discussed.
    研究論文(大学,研究機関等紀要), 日本語
  • Red luminescence of Eu3+ doped ZnO nanoparticles fabricated by laser ablation in aquepus solution
    K. Katsuki; T. Sato; R. Suzuki; Y. Nanai; S. Kimura; T. Okuno
    Applied Physics A, 108巻, 掲載ページ 321-327, 出版日 2012年07月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Crystal structure, photoluminescence and electroluminescence of (Ba,Eu)Si2S5
    Y. Nanai; Y. Sakamoto; T. Okuno
    Journal of Physics D: Applied Physics, 45巻, 掲載ページ 265102(8pages), 出版日 2012年06月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Fabrication of ZnO nanoparticles by laser ablation of sintered ZnO in aquepus solution
    K. Kawabata; Y. Nanai; S. Kimura; T. Okuno
    Applied Physics A, 107巻, 掲載ページ 213-220, 出版日 2012年01月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • 赤外線リモコン受信モジュールを用いた赤外線検出器
    奥野剛史; 中村仁; 鈴木勝
    物理教育, 日本物理教育学会, 59巻, 2号, 掲載ページ 120-121, 出版日 2011年06月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 日本語
  • Photoluminescence properties of erbium-doped europium thiosilicate
    Mitsuharu Sugiyama; Yasushi Nanai; Yuu Okada; Tsuyoshi Okuno
    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 44巻, 9号, 掲載ページ 095404(5pages), 出版日 2011年03月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Crystal structure and optical properties of (Ba,Eu)2SiS 4
    Yasushi Nanai; Chiharu Sasaki; Yu Sakamoto; Tsuyoshi Okuno
    Journal of Physics D: Applied Physics, 44巻, 40号, 掲載ページ 405402(6pages), 出版日 2011年, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Optical Properties of Silicon Nanowires Fabricated by Electroless Silver Deposition
    Satoru Toda; Tetsuji Oishi; Takuma Yoshioka; Tsuyoshi Okuno
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 49巻, 9号, 掲載ページ 095002-1-7, 出版日 2010年, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Effective Inclusion of e-Learning in a Subject of Physics Experiments: Introductory Electronics Laboratory
    T. Okuno; K. Abe; N. Yamazaki; A. Ooe; K. Igarashi; S. Hayashi; M. Suzuki
    INTERNATIONAL CONFERENCE ON PHYSICS EDUCATION, 1263巻, 掲載ページ 130-+, 出版日 2010年, 査読付
    研究論文(国際会議プロシーディングス), 英語
  • Yellow Photoluminescence of Europium Thiosilicate on Silicon Substrate
    Masumi Nishimura; Yasushi Nanai; Takayuki Bohda; Tsuyoshi Okuno
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 48巻, 7号, 掲載ページ 072301-1-4, 出版日 2009年07月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • 電子回路学実験(量子・物質工学科)におけるeラーニング実施について
    奥野剛史; 阿部浩二; 山崎典昌; 大家明広; 五十嵐清; 林茂雄
    電気通信大学紀要 vol21, no1&2 (2009.1) pp.59-66, 電気通信大学, 21巻, 1&2号, 掲載ページ 59-66, 出版日 2009年01月, 査読付, We have started e-Learning homework system in Introductory Electronics Laboratory at theDepartment of Applied Physics and Chemistry. WebClass in the Center for Developing e-Learningis used. Students are required to do this e-Learning homework before doing electronicsexperiments in the laboratory class. They would acquire basic knowledge on each theme of theexperiment every two weeks. This e-Learning homework system seemed to be effective andinterest most of the students. This is one of the subjects in "Learning support project for coresubjects by using Student Cards." This is also an example showing WebClass system from a user.
    研究論文(大学,研究機関等紀要), 日本語
  • Photoluminescence properties of Eu3+-doped ZnO nanoneedles
    Katsuyuki Ebisawa; Tsuyoshi Okuno; Kohji Abe
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 47巻, 9号, 掲載ページ 7236-7238, 出版日 2008年09月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Intense green luminescence from Eu2+ -doped ZnO microstructures
    Hideo Sugimoto; Katsuyuki Ebisawa; Tsuyoshi Okuno
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 46巻, 33-35号, 掲載ページ L839-L841, 出版日 2007年09月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Optical spin polarization and exchange interaction in doubly charged InAs self-assembled quantum dots
    VK Kalevich; IA Merkulov; AY Shiryaev; KV Kavokin; M Ikezawa; T Okuno; PN Brunkov; AE Zhukov; VM Ustinov; Y Masumoto
    PHYSICAL REVIEW B, 72巻, 4号, 掲載ページ 045325-1-8, 出版日 2005年07月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Crosshatch observation in MBE-grown be-doped InGaAs epilayer on InP
    H Bando; M Kosuge; K Ban; H Yoshino; R Takahashi; H Okamoto; T Okuno; Y Masumoto
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 278巻, 1-4号, 掲載ページ 610-613, 出版日 2005年05月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Optical spin polarization in double charged InAs self-assembled quantum dots
    VK Kalevich; IA Merkulov; AY Shiryaev; KV Kavokin; M Ikezawa; T Okuno; PN Brunkov; AE Zhukov; VM Ustinov; Y Masumoto
    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 202巻, 3号, 掲載ページ 387-391, 出版日 2005年02月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Spin relaxation in CdTe quantum dots
    Y Chen; T Okuno; Y Masumoto; Y Terai; S Kuroda; K Takita
    PHYSICAL REVIEW B, 71巻, 3号, 掲載ページ 033314-1-4, 出版日 2005年01月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Absorption saturation energy density of InGaAs-InAIAs multiple quantum well under tensile and compressive strain
    T Okuno; Y Masumoto; A Higuchi; H Yoshino; H Bando; H Okamoto
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 44巻, 16-19号, 掲載ページ L558-L560, 出版日 2005年, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Indirect optical absorption of single crystalline beta-FeSi2
    H. Udono; I. Kikuma; T. Okuno; Y. Masumoto; H. Tajima
    Applied Physics Letters, 85巻, 11号, 掲載ページ 1937-1939, 出版日 2004年09月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Optical properties of beta-FeSi2 single crystals grown from solutions
    H Udono; Kikuma, I; T Okuno; Y Masumoto; H Tajima; S Komuro
    THIN SOLID FILMS, 461巻, 1号, 掲載ページ 182-187, 出版日 2004年08月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Quantum beats in semiconductor quantum dots
    Y Masumoto; Ignatiev, IV; K Nishibayashi; T Okuno; SY Verbin; IA Yugova
    JOURNAL OF LUMINESCENCE, 108巻, 1-4号, 掲載ページ 177-180, 出版日 2004年06月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • MBE growth and optical properties of self-organized dots of CdTe and (Cd,Mn)Te
    S Kuroda; N Itoh; Y Terai; K Takita; T Okuno; M Nomura; Y Masumoto
    JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 371巻, 1-2号, 掲載ページ 31-36, 出版日 2004年05月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Optical spin polarization of holes in negatively charged InAs/GaAs self-assembled quantum dots
    VK Kalevich; M Ikezawa; T Okuno; KV Kavokin; AY Shiryaev; PN Brunkov; AE Zhukov; VM Ustinov; Y Masumoto
    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 21巻, 2-4号, 掲載ページ 1018-1021, 出版日 2004年03月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Optical spin polarization in negatively charged InAs self-assembled quantum dots under applied electric field
    VK Kalevich; M Ikezawa; T Okuno; AY Shiryaev; AE Zhukov; VM Ustinov; PN Brunkov; Y Masumoto
    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 238巻, 2号, 掲載ページ 250-253, 出版日 2003年07月
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Luminescence quantum beats of strain-induced GaAs quantum dots
    K Nishibayashi; T Okuno; Y Masumoto; HW Ren
    PHYSICAL REVIEW B, 68巻, 3号, 掲載ページ 035333-1-6, 出版日 2003年07月
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Spin quantum beats in charged and neutral InP quantum dots
    Ignatiev, IV; T Okuno; SY Verbin; IA Yugova; Y Masumoto
    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 17巻, 1-4号, 掲載ページ 365-366, 出版日 2003年04月
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • 1.5-mu m intraband transitions in PbSe quantum dots
    T Okuno; M Ikezawa; Y Masumoto; GR Hayes; B Deveaud; AA Lipovskii
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 42巻, 2A号, 掲載ページ L123-L125, 出版日 2003年02月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Highest-order optical phonon-mediated relaxation in CdTe/ZnTe quantum dots(jointly worked)
    Journal of Luminescence, 102-103巻, 掲載ページ 623-628, 出版日 2003年
    英語
  • Spin relaxation in InP quantum dots
    Y Masumoto; Gerlovin, I; M Ikezawa; Ignatiev, I; T Okuno; S Verbin; Yugova, I
    2ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS, 0巻, 掲載ページ 1368-1371, 出版日 2003年, 査読付
    研究論文(国際会議プロシーディングス), 英語
  • Optical Study of Phonon-Mediated Carrier Relaxation in CdTe/ZnTe Self-Assembled Quantum Dots
    Tsuyoshi Okuno; Mitsuhiro Nomura; Yasuaki Masumoto; Yoshikazu Terai; Shinji Kuroda; Kôki Takita
    Journal of the Physical Society of Japan, 71巻, 12号, 掲載ページ 3052-3058, 出版日 2002年12月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • PbSe量子ドットの光物性
    池沢, 道男; 奥野, 剛史; 舛本, 泰章; A.A.Lipovskii
    ナノ学会会報, ナノ学会, 1巻, 1号, 掲載ページ 27-32, 出版日 2002年10月
    研究論文(その他学術会議資料等), 日本語
  • Ultrafast and wideband response in optical nonlinearity of molecular-beam-epitaxy-grown GaAs
    T Okuno; Y Masumoto; S Kadono; S Kitade; H Bando; H Okamoto
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 41巻, 7A号, 掲載ページ L745-L747, 出版日 2002年07月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Complementary detection of confined acoustic phonons in quantum dots by coherent phonon measurement and Raman scattering
    M Ikezawa; T Okuno; Y Masumoto; AA Lipovskii
    PHYSICAL REVIEW B, 64巻, 20号, 掲載ページ / 201315-1-4, 出版日 2001年11月
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Femtosecond response time in beryllium-doped low-temperature-grown GaAs/AlAs multiple quantum wells
    T Okuno; Y Masumoto; Y Sakuma; Y Hayasaki; H Okamoto
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 79巻, 6号, 掲載ページ 764-766, 出版日 2001年08月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Optical study of strain-induced GaAs quantum dots
    K Nishibayashi; T Okuno; T Mishina; S Sugou; HW Ren; Y Masumoto
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 40巻, 3B号, 掲載ページ 2084-2086, 出版日 2001年03月
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Optical nonlinearity and response time in beryllium-doped standard temperature MBE grown GaAs/AlAs MQW
    T Okuno; Y Masumoto
    CLEO(R)/PACIFIC RIM 2001, VOL I, TECHNICAL DIGEST, 掲載ページ 528-529, 出版日 2001年, 査読付
    研究論文(国際会議プロシーディングス), 英語
  • Large optical nonlinearity and fast response time in low-temperature grown GaAs/AlAs multiple quantum wells
    T Okuno; Y Masumoto; M Ito; H Okamoto
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 77巻, 1号, 掲載ページ 58-60, 出版日 2000年07月
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Size-dependent picosecond energy relaxation in PbSe quantum dots
    T Okuno; Y Masumoto; M Ikezawa; T Ogawa; AA Lipovskii
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 77巻, 4号, 掲載ページ 504-506, 出版日 2000年07月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Strong confinement of PbSe and PbS quantum dots
    T Okuno; AA Lipovskii; T Ogawa; Amagai, I; Y Masumoto
    JOURNAL OF LUMINESCENCE, 87-9巻, 掲載ページ 491-493, 出版日 2000年05月
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Imaging and single dot spectroscopy of InP self-assembled quantum dots
    M Sugisaki; HW Ren; SV Nair; JS Lee; S Sugou; T Okuno; Y Masumoto
    JOURNAL OF LUMINESCENCE, 87-9巻, 掲載ページ 40-45, 出版日 2000年05月
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Confinement effects in strain-induced InGaAs/GaAs quantum dots
    HW Ren; SV Nair; JS Lee; S Sugou; T Okuno; K Nishbayashi; Y Masumoto
    PHYSICA E, 7巻, 3-4号, 掲載ページ 403-407, 出版日 2000年05月
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Systematic control of spectral hole burning and homogeneous linewidth by disorder in Y2O3 : Pr3+ crystalline systems
    T Okuno; T Suemoto
    PHYSICAL REVIEW B, 59巻, 14号, 掲載ページ 9078-9087, 出版日 1999年04月
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Excitonic luminescence from self-organized quantum dots of CdTe grown by molecular beam epitaxy
    S Kuroda; Y Terai; K Takita; T Okuno; Y Masumoto
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 38巻, 4B号, 掲載ページ 2524-2528, 出版日 1999年04月
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Temperature dependence of luminescence decay time of InP quantum disks
    T Okuno; HW Ren; M Sugisaki; K Nishi; S Sugou; Y Masumoto
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 38巻, 2B号, 掲載ページ 1094-1097, 出版日 1999年02月
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Optical anisotropy in self-assembled InP quantum dots
    M Sugisaki; HW Ren; SV Nair; K Nishi; S Sugou; T Okuno; Y Masumoto
    PHYSICAL REVIEW B, 59巻, 8号, 掲載ページ R5300-R5303, 出版日 1999年02月
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Zero-dimensional excitonic properties of self-organized quantum dots of CdTe grown by molecular beam epitaxy
    Y Terai; S Kuroda; K Takita; T Okuno; Y Masumoto
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 73巻, 25号, 掲載ページ 3757-3759, 出版日 1998年12月
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Magnetic field effects in InP self-assembled quantum dots
    M Sugisaki; HW Ren; K Nishi; S Sugou; T Okuno; Y Masumoto
    PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 256巻, 掲載ページ 169-172, 出版日 1998年12月
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Time-resolved luminescence study of InP quantum dots in GaInP matrix
    T Okuno; HW Ren; M Sugisaki; K Nishi; S Sugou; Y Masumoto
    SOLID-STATE ELECTRONICS, 42巻, 7-8号, 掲載ページ 1319-1323, 出版日 1998年07月
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Self-organized quantum dots of zinc-blend MnTe grown by molecular beam epitaxy
    S Kuroda; Y Terai; K Takita; T Okuno; Y Masumoto
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 184巻, 掲載ページ 274-278, 出版日 1998年02月
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Temperature dependence of luminescence decay time of InP quantum disks
    T Okuno; HW Ren; M Sugisaki; K Nishi; S Sugou; Y Masumoto
    1998 INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS - CONFERENCE PROCEEDINGS, 掲載ページ 147-150, 出版日 1998年, 査読付
    研究論文(国際会議プロシーディングス), 英語
  • Fine splitting in the optical spectra of InP self-assembled single quantum dot
    M Sugisaki; HW Ren; SV Nair; K Nishi; S Sugou; T Okuno; Y Masumoto
    PROCEEDINGS OF THE THIRD INTERNATIONAL CONFERENCE ON EXCITONIC PROCESSES IN CONDENSED MATTER - EXCON '98, 98巻, 25号, 掲載ページ 298-303, 出版日 1998年, 査読付
    研究論文(国際会議プロシーディングス), 英語
  • Time-resolved luminescence of InP quantum dots in a Ga0.5In0.5P matrix: Carrier injection from the matrix
    T Okuno; HW Ren; M Sugisaki; K Nishi; S Sugou; Y Masumoto
    PHYSICAL REVIEW B, 57巻, 3号, 掲載ページ 1386-1389, 出版日 1998年01月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Defect-induced persistent hole burning in MgO-doped Pr3+: YAG systems
    T Suemoto; T Okuno; D Nakano
    OPTICS COMMUNICATIONS, 145巻, 1-6号, 掲載ページ 113-118, 出版日 1998年01月
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Reconsideration of relaxation processes of excitons in CuCl nanocrystals
    T Okuno; A Satake; Y Masumoto
    JOURNAL OF LUMINESCENCE, 72-4巻, 掲載ページ 383-385, 出版日 1997年06月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Exciton localization and decomposition dynamics in cuprous halide nanocrystals
    T Okuno; H Miyajima; A Satake; Y Masumoto
    PHYSICAL REVIEW B, 54巻, 23号, 掲載ページ 16952-16957, 出版日 1996年12月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Observation of two types of spectral holes in MgO-doped Y2O3:Pr3+ crystals
    T Okuno; K Tanaka; T Suemoto
    OPTICS COMMUNICATIONS, 123巻, 4-6号, 掲載ページ 512-516, 出版日 1996年02月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • Two types of spectral holes in Y2O3:Pr3+ crystalline systems
    Tsuyoshi Okuno; Tohru Suemoto
    Journal of Luminescence, Elsevier Science B.V., 66-67巻, 1-6号, 掲載ページ 179-183, 出版日 1995年, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • LUMINESCENCE SIDE BANDS DUE TO DISTRIBUTED STARK LEVELS IN PR3+-ZRO2-Y2O3(YSZ)
    T OKUNO; K TANAKA; K KOYAMA; T SUEMOTO
    JOURNAL OF LUMINESCENCE, 60-1巻, 掲載ページ 85-88, 出版日 1994年04月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • The role of divalent ions in persistent hole-burning mechanism in Y2O3 : Pr3+ crystals(jointly worked)
    1994 OSA Technical Digest Series, 15巻, 掲載ページ 242-245, 出版日 1994年
    英語
  • HOMOGENEOUS LINE-WIDTH OF PRASEODYMIUM IONS IN VARIOUS INORGANIC MATERIALS
    T OKUNO; K TANAKA; K KOYAMA; M NAMIKI; T SUEMOTO
    JOURNAL OF LUMINESCENCE, 58巻, 1-6号, 掲載ページ 184-187, 出版日 1994年01月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語
  • PERSISTENT SPECTRAL HOLE-BURNING OF PR-3+ IONS IN YTTRIA STABILIZED ZIRCONIA - A NEW HOLE-BURNING MATERIAL
    K TANAKA; T OKUNO; H YUGAMI; M ISHIGAME; T SUEMOTO
    OPTICS COMMUNICATIONS, 86巻, 1号, 掲載ページ 45-50, 出版日 1991年10月, 査読付
    研究論文(学術雑誌), 英語

MISC

  • 巻頭言 四半世紀をむかえる「大学の物理教育」誌
    奥野剛史
    一般社団法人 日本物理学会, 出版日 2019年03月, 日本物理学会誌 BUTSURI, 74巻, 3号, 掲載ページ 125, 日本語, 査読付, 招待, その他, 0029-0181
  • Eu2+含有シリコン硫化物からの黄色発光 = シリコンウェーハ上に形成されるEu2+蛍光体物質 =
    奥野剛史
    日本工業出版, 出版日 2009年01月, 光アライアンス, 20巻, 1号, 掲載ページ 29-32, 日本語, 記事・総説・解説・論説等(その他), 0917-026X, 40016404640, AA11758790
  • Absorption saturation intensity of InGaAs-InAlAs MQW under tensile and compressive strain
    T Okuno; Y Masumoto; A Higuchi; H Yoshino; H Bando; H Okamoto
    出版日 2004年, 2004 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Conference Proceedings, 掲載ページ 560-561, 英語, 1092-8669, WOS:000228291000147

講演・口頭発表等

  • 赤色蛍光体Ca2Si5N8:Eu2+ のTm3+ 添加による長残光化のメカニズム
    須田順子; 奥野剛史; 宮川勇人; 神垣良昭
    口頭発表(一般), 日本語, (2025.3)第72回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集16p-K302-5
    発表日 2025年03月16日
  • 硫化物蛍光体Y4(SiS4)3:Ho3+,Ce3+ の発光特性
    堀真秀; 奥野剛史
    ポスター発表, 日本語, (2025.3)第72回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集15p-P11-7
    発表日 2025年03月15日
  • beta-SiAlONに添加したEu2+ による発光の減衰曲線解析
    須田順子; 奥野剛史; 武田隆史; 高橋向星; 広崎尚登
    口頭発表(一般), 日本語, (2024.3)71回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集24a-12J-8
    発表日 2024年03月24日
  • アップコンバージョン蛍光体Y4(SiS4)3:Er3+ の発光特性
    山中遥翔; 奥野剛史
    ポスター発表, 日本語, (2024.3)71回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集23p-P04-18
    発表日 2024年03月23日
  • 金属における発光寿命と強度の系統的な理解に向けて
    末元徹; 森野春樹; 奥野剛史; 小野頌太; 鈴木剛; 岡崎浩三; 谷峻太郎; 小林洋平
    口頭発表(一般), 日本語, (2024.3)第71回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集23a-13N-5
    発表日 2024年03月23日
  • CaS:Yb2+ における熱蛍光および近赤外光励起赤色発光
    西川優大; 奥野剛史
    (2023.9)第84回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集23p-A305-7
    発表日 2023年09月23日
  • 銅ニッケル合金の近赤外領域における超高速発光の組成比依存性
    森野春樹; 末元徹; 奥野剛史; 小野頌太; 鈴木剛; 岡崎浩三; 小林洋平; 谷峻太郎
    (2023.9) 日本物理学会第78回年次大会 講演概要集16a-B104-2
    発表日 2023年09月16日
  • 金属におけるフェムト秒赤外発光の特性と状態密度の相関
    末元徹; 小野頌太; 森野春樹; 奥野剛史; 鈴木剛; 岡崎浩三; 小林洋平; 谷峻太郎
    (2023.9) 日本物理学会第78回年次大会 講演概要集16a-B104-1
    発表日 2023年09月16日
  • CaS:Yb2+ における近赤外光励起による赤色光刺激発光
    西川優大; 奥野剛史; 井口一秋
    ポスター発表, 日本語, (2023.3)第70回応用物理学会春季学術講演会 上智大学 講演予稿集16a-PB06-2
    発表日 2023年03月16日
    開催期間 2023年03月16日
  • 金属における超高速発光特性と電子比熱の相関
    末元徹; 森野春樹; 奥野剛史; 小野頌太; 鈴木剛; 岡崎浩三; 谷峻太郎; 小林洋平
    ポスター発表, 日本語, (2023.3)第70回応用物理学会春季学術講演会 上智大学 講演予稿集16a-PA04-5
    発表日 2023年03月16日
    開催期間 2023年03月16日
  • 銅ニッケル合金における近赤外超高速発光の組成依存
    森野春樹; 末元徹; 奥野剛史; 小野頌太; 鈴木剛; 岡崎浩三; 谷峻太郎; 小林洋平
    ポスター発表, 日本語, (2023.3)第70回応用物理学会春季学術講演会 上智大学 講演予稿集16a-PA04-6
    発表日 2023年03月16日
    開催期間 2023年03月16日
  • ミリ秒残光を示すEu2+ 添加蛍光体の残光特性
    須田順子; 奥野剛史
    ポスター発表, 日本語, (2023.3)第70回応用物理学会春季学術講演会 上智大学 講演予稿集16a-PB06-2
    発表日 2023年03月16日
    開催期間 2023年03月
  • CaS:Eu2+,Mn2+ 赤色残光蛍光体の発光特性
    井口一秋、奥野剛史、田村祐樹、山口翔太
    ポスター発表, 日本語, (2022.3)応用物理学会 青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県)オンラインハイブリッド開催第69回春季学術講演会予稿集23a-P02-4, 応用物理学会(2022.3), 青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県)・オンラインハイブリッド開催
    発表日 2022年03月
    開催期間 2022年03月23日
  • Cs2Cu2I5 の発光に関する研究
    西原睦喜、奥野剛史
    ポスター発表, 日本語, (2022.3)応用物理学会 青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県)オンラインハイブリッド開催第69回春季学術講演会予稿集23a-P02-3, 応用物理学会(2022.3), 青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県)・オンラインハイブリッド開催
    発表日 2022年03月
    開催期間 2022年03月23日
  • CaS:Eu2+,Tm3+ の欠陥による発光の特徴と赤色残光
    須田順子、田村祐樹、山口翔太、七井靖、奥野剛史
    口頭発表(一般), 日本語, (2022.3)応用物理学会 青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県)オンラインハイブリッド開催第69回春季学術講演会予稿集22a-D316-6, 応用物理学会(2022.3), 青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県)・オンラインハイブリッド開催
    発表日 2022年03月
    開催期間 2022年03月22日
  • CaAl2O4:Ce3+,Dy3+の白色発光および残光特性
    磯部英智香、渡部勇太、奥野剛史、木村浩丈、山口翔太
    ポスター発表, 日本語, 応用物理学会(2021春) オンライン開催 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会(2021.3), オンライン開催
    開催期間 2021年03月19日
  • 赤色残光蛍光体CaS:Eu2+,Dy3+のアルカリ金属イオン添加効果
    山口翔太、奥野剛史、田村祐樹、須田順子
    ポスター発表, 日本語, 応用物理学会(2021春) オンライン開催 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会(2021.3), オンライン開催
    開催期間 2021年03月19日
  • 3価のサマリウム原料を用いた蛍光体SrFCl:Sm2+の作製
    木村浩丈、奥野剛史、黒川郁弥、富田一光
    ポスター発表, 日本語, 応用物理学会(2021春) オンライン開催 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会(2021.3), オンライン開催
    開催期間 2021年03月19日
  • 青色励起赤色発光リン酸塩蛍光体の発光特性
    志村佳熙、久島大輝、田村祐樹、奥野剛史
    口頭発表(一般), 日本語, 映像情報メディア学会 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会 オンライン 2021年1月28日-29日 (発表は29日) ITE Technical Report vol45,no2 IDY2021-1(Jan.2020) pp.33-36, 映像情報メディア学会, オンライン
    開催期間 2021年01月29日
  • VBAとGASを用いたシフト表自動化アプリの作成とシフト組合せ最適化用の遺伝的アルゴリズムの検討
    富田一光、奥野剛史
    口頭発表(一般), 日本語, 進化計算学会 第14回進化計算シンポジウム2020 講演論文集p101-106 2020年12月19日-20日(発表は20日)オンライン開催 Z3-02, 進化計算学会, オンライン
    開催期間 2020年12月20日
  • 可視光励起可能な赤色残光蛍光体CaS:Eu2+,Tm3+の発光特性
    田村祐樹、奥野剛史、須田順子、七井靖
    ポスター発表, 日本語, 応用物理学会(2020春) 上智大学四谷キャンパス、千代田区(東京都)2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会(2020.3), 上智大学 四谷キャンパス、千代田区(東京都)
    開催期間 2020年03月13日
  • 青色励起赤色発光リン酸塩蛍光体の発光および残光特性
    志村佳熙、奥野剛史、久島大輝
    ポスター発表, 日本語, 応用物理学会(2020春) 上智大学四谷キャンパス、千代田区(東京都)2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会(2020.3), 上智大学 四谷キャンパス、千代田区(東京都)
    開催期間 2020年03月13日
  • 希土類フリー蛍光体Zn3(PO4)2:Mn2+,Si4+とZn3(PO4)2:Mn2+,Ga3+の評価
    富田 一光、奥野 剛史
    ポスター発表, 日本語, 応用物理学会(2020春) 上智大学四谷キャンパス、千代田区(東京都)2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会(2020.3), 上智大学 四谷キャンパス、千代田区(東京都)
    開催期間 2020年03月13日
  • シリコン上に膜形成可能なシリコン硫化物蛍光体の研究
    中村裕貴、青野瑞樹、奥野剛史、七井靖
    口頭発表(一般), 日本語, 映像情報メディア学会 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会 鳥取大学 鳥取キャンパス 鳥取市(鳥取県) 2020年1月23日-24日 (発表は23日) ITE Technical Report vol44,no1 IDY2020-10(Jan.2020) pp.33-36, 映像情報メディア学会, 鳥取大学 鳥取キャンパス 鳥取市(鳥取県)
    開催期間 2020年01月23日
  • 新規固体光源のための光材料研究ー半導体、ナノ材料、蛍光体ー
    奥野剛史
    口頭発表(招待・特別), 日本語, 2019年度(第52回)照明学会全国大会, 招待, 照明学会, 九州大学伊都キャンパス, 光源・照明システム分科会が主催するシンポジウム。テーマは「光源・照明システムの未来」。4個の分科会が合併して光源・照明システム分科会が今回発足したのにあたって開かれたシンポジウム。旧固体光源分科会から、発表者の研究内容および旧分科会で行われていたいくつかの研究例を紹介した。, 国内会議
    発表日 2019年09月11日
  • Zn3(PO4)2:Mn2+,Ga3+ の熱蛍光特性と燐光減衰曲線の評価
    富田 一光、奥野 剛史
    口頭発表(一般), 日本語, 応用物理学会(2019春) 東京工業大学大岡山キャンパス、目黒区(東京都)2019年第66回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会(2019.3), 東京工業大学大岡山キャンパス、目黒区(東京都)
    開催期間 2019年03月12日
  • CaAl2O4:M,Ga3+ (M=Ce3+,Eu2+) 蛍光体の発光特性
    渡部 勇太、奥野 剛史
    口頭発表(一般), 日本語, 応用物理学会(2019春) 東京工業大学大岡山キャンパス、目黒区(東京都)2019年第66回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会(2019.3), 東京工業大学大岡山キャンパス、目黒区(東京都)
    開催期間 2019年03月12日
  • ボールミルを用いたBaMoO4:Eu3+ の作製
    柿野 良太郎、奥野 剛史
    口頭発表(一般), 日本語, 応用物理学会(2019春) 東京工業大学大岡山キャンパス、目黒区(東京都)2019年第66回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会(2019.3), 東京工業大学大岡山キャンパス、目黒区(東京都)
    開催期間 2019年03月12日
  • 青色励起可能な赤色発光リン酸塩蛍光体の発光特性
    久島 大輝、奥野 剛史
    口頭発表(一般), 日本語, 応用物理学会(2019春) 東京工業大学大岡山キャンパス、目黒区(東京都)2019年第66回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会(2019.3), 東京工業大学大岡山キャンパス、目黒区(東京都)
    開催期間 2019年03月12日
  • II-Y2S4蛍光体の発光波長制御
    黒川 郁弥、奥野 剛史
    口頭発表(一般), 日本語, 応用物理学会(2019春) 東京工業大学大岡山キャンパス、目黒区(東京都)2019年第66回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会(2019.3), 東京工業大学大岡山キャンパス、目黒区(東京都)
    開催期間 2019年03月12日
  • 亜鉛を含むシリコン硫化物蛍光体膜の作製と評価
    中村 裕貴、奥野 剛史
    口頭発表(一般), 日本語, 応用物理学会(2019春) 東京工業大学大岡山キャンパス、目黒区(東京都)2019年第66回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会(2019.3), 東京工業大学大岡山キャンパス、目黒区(東京都)
    開催期間 2019年03月12日
  • 低速電子線励起用新規橙赤色硫化物蛍光体の開発
    奥野剛史、中川康弘、志村佳熙、七井靖、佐藤義孝、御園生敏行
    口頭発表(一般), 日本語, 電子情報通信学会 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会 鹿児島大学 群元キャンパス 鹿児島市(鹿児島県) 2019年1月24日-25日 (発表は25日) EID24 信学技報 IEICE Technical Report EID2018-12(2019-1) pp.89-92, 電子情報通信学会, 鹿児島大学 群元キャンパス 鹿児島市(鹿児島県)
    開催期間 2019年01月25日
  • 赤色蛍光体CaAlSiN3:Eu2+の低Eu2+濃度における青色発光の検討
    須田 順子、神垣 良昭、奥野 剛史
    口頭発表(一般), 日本語, 応用物理学会(2018春) 早稲田大学西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場、新宿区(東京都)2018年 2018年第65回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会(2018.3), 早稲田大学西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場、新宿区(東京都)
    開催期間 2018年03月19日
  • La2S3:Ce3+の赤色カソードルミネッセンスおよびフォトルミネッセンス
    中川 康弘、奥野 剛史、七井 靖
    口頭発表(一般), 日本語, 応用物理学会(2018春) 早稲田大学西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場、新宿区(東京都)2018年 2018年第65回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会(2018.3), 早稲田大学西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場、新宿区(東京都)
    開催期間 2018年03月19日
  • 発光色の調整可能なCaM2O4:Eu3+ (M = Sc,In)蛍光体の発光特性
    佐々木 智徳、奥野 剛史、極檀 紘希
    口頭発表(一般), 日本語, 応用物理学会(2018春) 早稲田大学西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場、新宿区(東京都)2018年 2018年第65回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会(2018.3), 早稲田大学西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場、新宿区(東京都)
    開催期間 2018年03月19日
  • Ca2SiS4:Eu2+,Er3+蛍光体の残光特性
    保木 渉馬、奥野 剛史、青野 瑞樹、七井 靖
    口頭発表(一般), 日本語, 応用物理学会(2018春) 早稲田大学西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場、新宿区(東京都)2018年 2018年第65回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会(2018.3), 早稲田大学西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場、新宿区(東京都)
    開催期間 2018年03月17日
  • Broad luminescence of Ce3+ in multiple sites in (La,Ce,Y)6Si4S17 phosphor
    Yasushi Nanai, Hayato Kamioka and Tsuyoshi Okuno
    ポスター発表, 英語, International Symposium on Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surfaces for Future Earth, The University of Electro-Communications, Tokyo, Japan
    開催期間 2017年10月28日
  • 青色蛍光体SrAl2O4:Ce3+ におけるGa添加による発光向上
    極檀紘希、奥野剛史、七井靖
    口頭発表(一般), 日本語, 応用物理学会(2017春) パシフィコ横浜、横浜市(神奈川)2017年 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会(2017.3), パシフィコ横浜、横浜市(神奈川)
    開催期間 2017年03月16日
  • Y4(SiS4)3:Ln3+ 蛍光体の温度特性およびエネルギー緩和過程
    満澤隆太郎、鈴木洋介、奥野剛史、七井靖
    口頭発表(一般), 日本語, 応用物理学会(2017春) パシフィコ横浜、横浜市(神奈川)2017年 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会(2017.3), パシフィコ横浜、横浜市(神奈川)
    開催期間 2017年03月16日
  • Sr2SiS4:Eu2+,Ln3+ 蛍光体の発光および残光特性
    青野瑞樹、奥野剛史、七井靖
    口頭発表(一般), 日本語, 応用物理学会(2017春) パシフィコ横浜、横浜市(神奈川)2017年 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会(2017.3), パシフィコ横浜、横浜市(神奈川)
    開催期間 2017年03月16日
  • 2価、4価イオン共添加Y2O2S:Eu3+ 蛍光体の熱蛍光特性
    滝沢健太、奥野剛史、七井靖
    口頭発表(一般), 日本語, 応用物理学会(2017春) パシフィコ横浜、横浜市(神奈川)2017年 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会(2017.3), パシフィコ横浜、横浜市(神奈川)
    開催期間 2017年03月16日
  • 逆オパール構造とナノ粒子構造を有する増感太陽電池用TiO2 電極の光吸収・発光・光電子収量特性評価
    豊田太郎、奥野剛史、神山慶太、早瀬修二、沈青
    口頭発表(一般), 日本語, 応用物理学会(2017春) パシフィコ横浜、横浜市(神奈川)2017年 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会(2017.3), パシフィコ横浜、横浜市(神奈川)
    開催期間 2017年03月14日
  • (La,Ce,Y)6Si4S17 蛍光体の時間分解発光特性
    七井靖,上岡隼人,奥野剛史
    口頭発表(一般), 日本語, 応用物理学会(2016秋) 新潟朱鷺メッセ、新潟市 2016年 2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会(2016.9), 新潟朱鷺メッセ、新潟市
    開催期間 2016年09月15日
  • 新規シリコン硫化物蛍光体の母体励起発光
    七井靖、奥野剛史
    口頭発表(招待・特別), 日本語, 第363回蛍光体同学会, 蛍光体同学会, 講演予稿集p7-14, 国内会議
    開催期間 2016年06月03日
  • (La,Ce,Y)6Si4S17 蛍光体の発光帯とCe3+ 置換サイトとの関係
    七井靖,花輪有紀,上岡隼人,奥野剛史
    口頭発表(一般), 日本語, 応用物理学会(2016春) 東京工業大学、目黒区(東京)2016年 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会(2016.3), 東京工業大学、目黒区(東京)
    開催期間 2016年03月21日
  • Y4(SiS4)3:Ce3+ 蛍光体の粒径および均一性の評価
    片柳賢祐,奥野剛史,七井靖,御園生敏行,佐藤義孝
    ポスター発表, 日本語, 応用物理学会(2016春) 東京工業大学、目黒区(東京)2016年 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会(2016.3), 東京工業大学、目黒区(東京)
    開催期間 2016年03月20日
  • 黄色から赤色の残光蛍光体 Ca2SiS4:Eu におけるNd3+, Gd3+ 添加の影響
    清水裕介,奥野剛史,七井靖
    ポスター発表, 日本語, 応用物理学会(2016春) 東京工業大学、目黒区(東京)2016年 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会(2016.3)
    開催期間 2016年03月20日
  • イットリウムチオシリケート蛍光体の温度特性に関する研究
    満澤隆太郎、鈴木洋介、奥野剛史、七井靖
    口頭発表(一般), 日本語, 応用物理学会(2016春) 東京工業大学、目黒区(東京)2016年 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会(2016.3), 東京工業大学、目黒区(東京)
    開催期間 2016年03月20日
  • 添加物による Y4(SiS4)3 蛍光体の発光特性の研究
    鈴木智大,奥野剛史,七井靖
    ポスター発表, 日本語, 応用物理学会(2016春) 東京工業大学、目黒区(東京)2016年 2016年第63回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会(2016.3), 東京工業大学、目黒区(東京)
    開催期間 2016年03月20日
  • 新規シリコン硫化物蛍光体の探索
    七井靖、奥野剛史
    口頭発表(招待・特別), 日本語, 第358回蛍光体同学会, 蛍光体同学会, 講演予稿集p9-15, 国内会議
    開催期間 2015年06月05日

所属学協会

  • 2017年03月 - 現在
    照明学会
  • 2012年05月 - 現在
    蛍光体同学会
  • 2010年10月 - 現在
    日本物理教育学会
  • 1997年01月 - 現在
    応用物理学会
  • 1991年01月 - 現在
    日本物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

  • 可視光から近赤外光の波長可変励起による微弱光検出を利用した蓄光蛍光体の研究
    奥野剛史
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 電気通信大学, 基盤研究(C), 研究代表者, 本研究は、蓄光蛍光体に光をあてた際に、そのエネルギーを蓄えている実体とエネルギーの深さを、さまざまな色の光をあてて、生じる微弱な蓄光の強さを検出することによって明らかにしようとするものである。, 22K04682
    研究期間 2022年04月 - 2025年03月
  • 母体の光吸収波長を利用した低温焼成新規高演色蛍光体材料の開拓
    奥野剛史
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 電気通信大学, 基盤研究(C), 研究代表者, 本研究の目的は、母体の光吸収波長を最大限に利用することのできる新規高演色蛍光体材料を開拓することである。吸収波長領域の幅は350nmから450nmの間に20nm以上、室温での内部量子効率が60%以上、発光波長は630nm以上670nm以下のものを得る。これを実現するために、母体で光励起された電子および正孔が、蛍光イオンへ捕獲されてエネルギー移動が良好に生じるための機構を解明する。エネルギー移動の効率が高まるために母体がもつべき不純物準位の条件を明らかにする。 本研究では、650Cから1050C程度の低温かつ硫黄蒸気下で作製可能な硫化物、および、そこから派生する物質群や作製方法を利用する。エネルギー移動を促進する新しい不純物準位や、さまざまな蛍光イオンの導入を試みる。母体の光励起波長、赤色の発光波長、母体に含まれる不純物準位、これらを制御して新規蛍光体を開拓する。, 16K06719
    研究期間 2016年04月 - 2019年03月

産業財産権

  • 蛍光体、その製造方法及び発光装置
    特許権, 七井靖, 奥野剛史, 特願2012-272083, 出願日: 2012年12月13日, 国立大学法人電気通信大学, 特開2014-118421, 公開日: 2014年06月30日, 6099126, 発行日: 2017年03月03日
  • 発光素子とその製造方法、並びにErSi2ナノワイヤーとその製造方法
    特許権, 大田直樹, 奥野剛史, 特願2007-142044, 出願日: 2007年05月29日
  • 半導体素子
    特許権, 岡本紘, 坂東弘之, 高橋了, 吉野英生, 舛本泰章, 奥野剛史, 特願2004-249408, 出願日: 2004年08月30日, 国立大学法人千葉大学、国立大学法人筑波大学、国立大学法人電気通信大学, 特許公開2006-065133