海津　利行

基盤理工学専攻准教授
Ⅲ類（理工系）准教授
量子未来創生デバイス開発センター准教授
研究者情報

学位

  • 修士（工学）, 電気通信大学
  • 博士（工学）, 電気通信大学

研究キーワード

  • 化合物半導体
  • 量子ドット
  • 量子ナノ構造
  • 分子線エピタキシー
  • 半導体デバイス
  • 光物性
  • 表面界面物性
  • 結晶成長

研究分野

  • ナノテク・材料, ナノ材料科学
  • ナノテク・材料, 結晶工学
  • ナノテク・材料, 応用物性
  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電気電子材料工学

経歴

  • 2024年10月 - 現在
    電気通信大学, 量子未来創生デバイス開発センター, 准教授, 日本国
  • 2022年05月 - 2024年10月
    京都大学, 学際融合教育研究推進センター ナノテクノロジーハブ拠点, 特定研究員, 日本国
  • 2021年04月 - 2022年03月
    神戸大学, 大学院工学研究科 電気電子工学専攻, 助教, 日本国
  • 2012年10月 - 2021年03月
    神戸大学 研究基盤センター, Center for Supports to Research and Education Activities, 助教, 日本国
  • 2010年04月 - 2012年09月
    東京大学 先端科学技術研究センター, Research Center for Advanced Science and Technology, 特任助教
  • 2007年04月 - 2010年03月
    物質・材料研究機構 量子ドットセンター, ポスドク
  • 2005年10月 - 2007年03月
    日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門 放射光科学研究ユニット, 特定課題推進員
  • 2004年04月 - 2005年09月
    日本原子力研究所 放射光科学研究センター, 特定課題推進員

学歴

  • 2001年04月 - 2004年03月
    電気通信大学, 電気通信学研究科博士後期課程, 電子工学専攻
  • 1999年04月 - 2001年03月
    電気通信大学, 電気通信学研究科博士前期課程, 電子工学専攻, 日本国
  • 1995年04月 - 1999年03月
    電気通信大学, 電気通信学部, 電子工学科, 日本国
研究活動情報

受賞

  • 受賞日 2003年11月
    応用物理学会
    高密度・高均一InAs量子ドットの積層成長
    講演奨励賞受賞, 海津 利行
    国内学会・会議・シンポジウム等の賞, 日本国

論文

  • Photo-Hall Effect Characterization and Terahertz Wave Generation with 1550 nm Excitation in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Based Photoconductive Antenna
    Y. Minami; A. Simmen; T. Kitada; Y. Harada; T. Kaizu; O. Kojima; T. Kita; O. Wada
    Journal of Applied Physics, AIP Publishing, 137巻, 21号, 掲載ページ 213102-1-8, 出版日 2025年06月, 査読付, The basic photoconductive properties of an InAs/GaAs quantum dot (QD) superlattice have been characterized to develop photoconductive antennas (PCAs) operating with a telecom wavelength excitation for practical terahertz (THz) systems. The multiple-stacked InAs/GaAs QD structure was grown by molecular beam epitaxy and photo-Hall effect measurements were performed under infrared illumination conditions using light-emitting diodes with different emission wavelengths. The results have shown that the sign reversal occurs in the Hall coefficient (RH) as the illumination wavelength changes: RH is negative at 940 nm, and positive at 1550 nm. The photocurrent at 940 nm illumination is ascribed to the electron hole pair generation in QDs, whereas the photocurrent at 1550 nm is dominated by the hole current generated through the midgap states in the structure. The hole dominant photocurrent has been interpreted by a model in which photogenerated electrons are trapped in QDs and the number of mobile electrons are reduced. High dark resistance of the present QD superlattice material provides an advantage for the application to PCA devices. THz wave generation has been demonstrated by the ultrafast 1550 nm pulse excitation of a PCA device fabricated from the QD superlattice.
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
    共同研究・競争的資金等URL
  • Lateral photoconductivity of InAs/GaAs quantum dots for 1.5 μm-wavelength excitation photoconductive terahertz antenna devices
    Toshiyuki Kaizu; Osamu Kojima; Yasuo Minami; Takahiro Kitada; Yukihiro Harada; Takashi Kita; Osamu Wada
    筆頭著者, Japanese Journal of Applied Physics, IOP Publishing, 63巻, 8号, 掲載ページ 082002-1-5, 出版日 2024年08月01日, 査読付, We report lateral photoconductive properties of multilayer-stacked undoped InAs/GaAs quantum dots (QDs) for the application of photoconductive terahertz (THz) antenna devices that operate in a 1.5 μm-telecom-wavelength band. The excitation power-dependent photocurrent showed a high value without saturation under high excitation power for the excitation wavelength of 1460 nm. From the reflection pump-probe signal, a fast photocarrier lifetime was derived. These results, together with the low dark current characteristic, support the applicability of the multilayer-stacked undoped InAs/GaAs QDs to photoconductive THz antennas operating in a 1.5 μm-wavelength band.
    研究論文（学術雑誌）
    DOI URL
    共同研究・競争的資金等URL
  • Yb-doped Y–Al–O thin films with a self-organized columnar structure and their anti-Stokes photoluminescence properties
    Y. Nakayama; N. Nakagawa; Y. Matsuo; T. Kaizu; Y. Harada; T. Ishihara; T. Kita
    AIP Advances, AIP Publishing, 12巻, 2号, 掲載ページ 025110-1-8, 出版日 2022年02月01日, 査読付
    研究論文（学術雑誌）
    DOI URL
  • Polarization-insensitive fiber-to-fiber gain of semiconductor optical amplifier using closely stacked InAs/GaAs quantum dots
    Toshiyuki Kaizu; Tomoya Kakutani; Kouichi Akahane; Takashi Kita
    筆頭著者, Japanese Journal of Applied Physics, IOP Publishing, 59巻, 3号, 掲載ページ 032002-1-5, 出版日 2020年02月17日, 査読付
    研究論文（学術雑誌）
    DOI URL
  • Photoelectrochemical Reaction in an Electric Cell with a Porous Carbon Anode
    Toshiyuki Kaizu; Yousuke Kawajiri; Masahito Enomoto; Takashi Uchino; Minoru Mizuhata; Yuichi Ichihashi; Keita Taniya; Satoru Nishiyama; Masakazu Sugiyama; Masami Ueno; Takashi Kita
    The Journal of Physical Chemistry C, American Chemical Society (ACS), 123巻, 32号, 掲載ページ 19447-19452, 出版日 2019年07月24日
    研究論文（学術雑誌）
    DOI URL
  • Wide-wavelength-range control of photoluminescence polarization in closely stacked inas/gaas quantum dots
    Toshiyuki Kaizu; Yusuke Tajiri; Takashi Kita
    筆頭著者, Journal of Applied Physics, American Institute of Physics Inc., 125巻, 23号, 掲載ページ 234304-1-8, 出版日 2019年06月21日, 査読付, 国際誌
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Adiabatic two-step photoexcitation effects in intermediate-band solar cells with quantum dot-in-well structure
    S. Asahi,T. Kaizu,T. Kita
    Scientific Reports, Nature Publishing Group, 9巻, 掲載ページ 7859-1-8, 出版日 2019年05月, 査読付, We studied the dynamics of electrons generated by two-step photoexcitation in an intermediate-band solar cell (IBSC) comprising InAs/GaAs/Al0.3Ga0.7As dot-in-well (DWELL) structure using time-resolved photocurrent (TRPC) measurement. The examined IBSC exhibited considerably slower photocurrent decay than a conventional InAs/GaAs quantum dot IBSC, which is due to the extraordina
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Carrier collection efficiency of intraband-excited carriers in two-step photon up-conversion solar cells
    Shigeo Asahi; Kenta Nishimura; Toshiyuki Kaizu; Takashi Kita
    2018 IEEE 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, WCPEC 2018 - A Joint Conference of 45th IEEE PVSC, 28th PVSEC and 34th EU PVSEC, Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 掲載ページ 3447-3450, 出版日 2018年11月26日
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
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  • Two-step photocurrent generation enhanced by the fundamental-state miniband formation in intermediate-band solar cells using a highly homogeneous InAs/GaAs quantum-dot superlattice
    Kazuki Hirao; Shigeo Asahi; Toshiyuki Kaizu; Takashi Kita
    Applied Physics Express, 11巻, 1号, 掲載ページ 012301-1-4, 出版日 2018年01月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Spatially resolved electronic structure of an isovalent nitrogen center in GaAs
    R. C. Plantenga; V. R. Kortan; T. Kaizu; Y. Harada; T. Kita; M. E. Flatte; P. M. Koenraad
    Physical Review B, 96巻, 15号, 掲載ページ 155210-1-8, 出版日 2017年10月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Efficient two-step photocarrier generation in bias-controlled InAs/GaAs quantum dot superlattice intermediate-band solar cells
    T. Kada; S. Asahi; T. Kaizu; Y. Harada; R. Tamaki; Y. Okada; T. Kita
    Scientific Reports, 7巻, 掲載ページ 5865-1-10, 出版日 2017年07月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
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  • Two-step photocurrent generation enhanced by miniband formation in InAs/GaAs quantum dot superlattice intermediate-band solar cells
    Sho Watanabe; Shigeo Asahi; Tomoyuki Kada; Kazuki Hirao; Toshiyuki Kaizu; Yukihiro Harada; Takashi Kita
    Applied Physics Letters, 110巻, 19号, 掲載ページ 193104-1-5, 出版日 2017年05月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Two-step photon up-conversion solar cells
    Shigeo Asahi; Haruyuki Teranishi; Kazuki Kusaki; Toshiyuki Kaizu; Takashi Kita
    Nature Communications, 8巻, 掲載ページ 14962-1-9, 出版日 2017年04月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
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  • Transverse-magnetic laser oscillation from highly stacked InAs/GaAs quantum dots
    Toshiyuki Kaizu; Masaya Suwa; Takaya Andachi; Yukihiro Harada; Takashi Kita
    Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference, Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 出版日 2016年12月02日
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Photocarrier transport dynamics in InAs/GaAs quantum dot superlattice solar cells using time-of-flight spectroscopy
    T. Tanibuchi; T. Kada; S. Asahi; D. Watanabe; T. Kaizu; Y. Harada; T. Kita
    Physical Review B, 94巻, 19号, 掲載ページ 1-9, 出版日 2016年11月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Polarization characteristics of electroluminescence and net modal gain in highly stacked InAs/GaAs quantum-dot laser devices
    Masaya Suwa; Takaya Andachi; Toshiyuki Kaizu; Yukihiro Harada; Takashi Kita
    Journal of Applied Physics, 120巻, 13号, 掲載ページ 1-6, 出版日 2016年10月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Emission-wavelength tuning of InAs quantum dots grown on nitrogen-delta-doped GaAs(001)
    Toshiyuki Kaizu; Kohei Taguchi; Takashi Kita
    筆頭著者, Journal of Applied Physics, 119巻, 19号, 掲載ページ 194306-1-8, 出版日 2016年05月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
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  • Saturable Two-Step Photocurrent Generation in Intermediate-Band Solar Cells Including InAs Quantum Dots Embedded in Al0.3Ga0.7As/GaAs Quantum Wells
    Shigeo Asahi; Haruyuki Teranishi; Naofumi Kasamatsu; Tomoyuki Kada; Toshiyuki Kaizu; Takashi Kita
    IEEE Journal of Photovoltaics, 6巻, 2号, 掲載ページ 465-472, 出版日 2016年03月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
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  • Effects of rapid thermal annealing on two-dimensional delocalized electronic states of the epitaxial N delta-doped layer in GaAs
    Yasuhiro Ogawa; Yukihiro Harada; Takeshi Baba; Toshiyuki Kaizu; Takashi Kita
    Applied Physics Letters, 108巻, 11号, 掲載ページ 1~4, 出版日 2016年03月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Polarization anisotropy of electroluminescence and net-modal gain in highly stacked InAs/GaAs quantum-dot laser devices
    Toshiyuki Kaizu; Masaya Suwa; Takaya Andachi; Yukihiro Harada; Takashi Kita
    2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS), 出版日 2016年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Transverse-magnetic laser oscillation from highly stacked InAs/GaAs quantum dots
    Toshiyuki Kaizu; Masaya Suwa; Takaya Andachi; Yukihiro Harada; Takashi Kita
    2016 INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE (ISLC), 出版日 2016年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Two-Dimensional Energy Dispersion in Thermally Annealed Epitaxial Nitrogen Atomic Sheet in GaAs
    Yasuhiro Ogawa; Yukihiro Harada; Kaizu Toshiyuki; Takashi Kita
    2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS), 出版日 2016年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • GaAs first-spacer-layer thickness dependence of polarized photoluminescence properties of closely-stacked InAs/GaAs quantum dots with long-wavelength emission
    Yusuke Tajiri; Toshiyuki Kaizu; Takashi Kita
    2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS), 出版日 2016年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Broadband control of emission wavelength of InAs/GaAs quantum dots by GaAs capping temperature
    Toshiyuki Kaizu; Takuya Matsumura; Takashi Kita
    筆頭著者, Journal of Applied Physics, 118巻, 15号, 掲載ページ 154301-1-6, 出版日 2015年10月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
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  • InAs/GaAs/Al0.3Ga0.7As 中間バンド型太陽電池における室温2段階光励起の飽和現象の解析
    朝日 重雄; 寺西 陽之; 笠松 直史; 加田 智之; 海津 利行; 喜多 隆
    材料, The Society of Materials Science, Japan, 64巻, 9号, 掲載ページ 690-695, 出版日 2015年09月01日, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 日本語
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  • 近接積層InAs/GaAs量子ドット半導体光アンプの光導波モード解析
    諏訪 雅也; 大橋 知幸; 安達 貴哉; 海津 利行; 原田 幸弘; 喜多 隆
    材料, Society of Materials Science Japan, 64巻, 9号, 掲載ページ 685-689, 出版日 2015年09月01日, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 日本語
    DOI URL
  • Two-step photon absorption in InAs/GaAs quantum-dot superlattice solar cells
    T. Kada; S. Asahi; T. Kaizu; Y. Harada; T. Kita; R. Tamaki; Y. Okada; K. Miyano
    Physical Review B, 91巻, 20号, 掲載ページ 201303-1-6, 出版日 2015年05月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Saturable Two-step Photo current Generation in Intermediate-band Solar Cells Including InAs Quantum Dots Embedded in Al0.3Ga0.7As/GaAs Quantum Wells
    Shigeo Asahi; Haruyuki Teranishi; Naofumi Kasamatsu; Tomoyuki Kada; Toshiyuki Kaizu; Takashi Kita
    2015 IEEE 42ND PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC), 出版日 2015年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Two-Step Photocarrier Generation in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Intermediate Band Solar Cell
    Tomoyuki Kada; Taizo Tanibuchi; Shigeo Asahi; Toshiyuki Kaizu; Yukihiro Harada; Takashi Kita; Ryo Tamaki; Yoshitaka Okada; Kenjiro Miyano
    2015 IEEE 42ND PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC), 出版日 2015年, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
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  • Suppression of thermal carrier escape and enhanced two-step photon absorption in quantum-dot intermediate-band solar cells with a high-potential barrier
    S. Asahi; H. Teranishi; N. Kasamatsu; T. Kada; T. Kaizu; T. Kita
    PHYSICS SIMULATION AND PHOTONIC ENGINEERING OF PHOTOVOLTAIC DEVICES IV, 9358巻, 出版日 2015年
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
    DOI URL
  • Photoluminescence Properties of InAs Quantum Dots on Nitrogen δ-Doped GaAs
    T. Kaizu; T. Kita
    14th International Symposium on Advanced Fluid Information, 掲載ページ 148-149, 出版日 2014年11月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Suppression of exciton-spin relaxation induced by artificial lateral quantum confinement in GaAs
    Takayuki Kiba; T. Tanaka; Yosuke Tamura; Cedric Thomas; Toshiyuki Kaizu; Yoshitaka Okada; Seiji Samukawa; Akihiro Murayama
    18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 出版日 2014年09月, 査読付
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Suppression of thermal carrier escape and efficient photo-carrier generation by two-step photon absorption in InAs quantum dot intermediate-band solar cells using a dot-in-well structure
    S. Asahi; H. Teranishi; N. Kasamatsu; T. Kada; T. Kaizu; T. Kita
    Journal of Applied Physics, 116巻, 6号, 掲載ページ 063510-1-5, 出版日 2014年08月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Polarization-insensitive optical gain characteristics of highly stacked InAs/GaAs quantum dots
    Takashi Kita; Masaya Suwa; Toshiyuki Kaizu; Yukihiro Harada
    Journal of Applied Physics, 115巻, 23号, 掲載ページ 233512-1-5, 出版日 2014年06月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Theoretical analysis of GaAs/AlGaAs quantum dots in quantum wire array for intermediate band solar cell
    T. Sogabe; T. Kaizu; Y. Okada; S. Tomić
    Journal of Renewable Sustainable Energy, 6巻, 1号, 掲載ページ 011206-1-11, 出版日 2014年01月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Fabrication of InAs Qantum Dots on Nitrided GaAs (001) Surface
    T. Kaizu; T. Kita
    13th International Symposium on Advanced Fluid Information, 掲載ページ 102-103, 出版日 2013年11月
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
  • Quantum size effects in GaAs nanodisks fabricated using a combination of the bio-template technique and neutral beam etching
    Yosuke Tamura; Toshiyuki Kaizu; Takayuki Kiba; Makoto Igarashi; Rikako Tsukamoto; Akio Higo; Weiguo Hu; Cedric Thomas; Mohd Erman Fauzi; Takuya Hoshii; Ichiro Yamashita; Yoshitaka Okada; Akihiro Murayama; Seiji Samukawa
    Nanotechnology, 24巻, 28号, 掲載ページ 285301-1-6, 出版日 2013年07月19日, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Application of photoreflectance to advanced multilayer structures for photovoltaics
    D. F. Marron; E. Canovas; I. Artacho; C. R. Stanley; M. Steer; T. Kaizu; Y. Shoji; N. Ahsan; Y. Okada; E. Barrigon; I. Rey-Stolle; C. Algora; A. Marti; A. Luque
    Materials Science and Engineering B, 178巻, 9号, 掲載ページ 599-608, 出版日 2013年05月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Photoluminescence from GaAs nanodisks fabricated by using combination of neutral beam etching and atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy regrowth
    Toshiyuki Kaizu; Yosuke Tamura; Makoto Igarashi; Weiguo Hu; Rikako Tsukamoto; Ichiro Yamashita; Seiji Samukawa; Yoshitaka Okada
    筆頭著者, Applied Physics Letters, 101巻, 11号, 掲載ページ 113108-1-4, 出版日 2012年09月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • High-density and Sub-20-nm GaAs Nanodisk Array Fabricated Using Neutral Beam Etching Process for High Performance QDs Devices
    Yosuke Tamura; Makoto Igarashi; Mohd Erman Fauzi; Rikako Tsukamoto; Toshiyuki Kaizu; Takayuki Kiba; Ichiro Yamashita; Yoshitaka Okada; Akihiro Murayama; Seiji Samukawa
    2012 12TH IEEE CONFERENCE ON NANOTECHNOLOGY (IEEE-NANO), 出版日 2012年
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
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  • Optical absorption, photo-luminescence and miniband formation of a highly ordered and dense 2-dimensional array of Si nanodisks for quantum dot solar cells
    Makoto Igarashi; Chi-Hsien Huang; Xuan-Yu Wang; Mohd Fairuz Budiman; Yosuke Tamura; Takayuki Kiba; Akihiro Murayama; Toshiyuki Kaizu; Yoshitaka Okada; Seiji Samukawa
    Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 掲載ページ 003511-003515, 出版日 2011年
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
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  • Damage-free top-down processes for fabricating two-dimensional array of sub-10-nanometer GaAs nanodiscs using bio-template and neutral beam etching for intermediate band solar cell applications
    Mohd Fairuz Budiman; Xuan-Yu Wang; Chi-Hsien Huang; Rikako Tsukamoto; Toshiyuki Kaizu; Makoto Igarashi; Pierre-Andre Mortemousque; Yoshitaka Okada; Akihiro Murayama; Kohei M. Itoh; Yuzo Ohno; Seiji Samukawa
    Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 掲載ページ 002675-002678, 出版日 2011年
    研究論文（国際会議プロシーディングス）, 英語
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  • Magnetotransport properties of Yb-doped AlxGa1-xAs/GaAs two-dimensional electron systems
    Toshiyuki Kaizu; Yasutaka Imanaka; Kanji Takehana; Tadashi Takamasu
    筆頭著者, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 42巻, 4号, 掲載ページ 1126-1129, 出版日 2010年02月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
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  • Time-Resolved X-ray Diffraction Measurements of High-Density InAs Quantum Dots on Sb/GaAs Layers and the Suppression of Coalescence by Sb-Irradiated Growth Interruption
    Naoki Kakuda; Toshiyuki Kaizu; Masamitu Takahasi; Seiji Fujikawa; Koichi Yamaguchi
    Japanese Journal of Applied Physics, 49巻, 9号, 掲載ページ 095602-1-4, 出版日 2010年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
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  • In situ X-ray diffraction during stacking of InAs/GaAs(001) quantum dot layers and photoluminescence spectroscopy
    M. Takahasi; T. Kaizu
    Journal of Crystal Growth, 311巻, 7号, 掲載ページ 1761-1763, 出版日 2009年03月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
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  • GaSb(001) Surface Reconstructions Measured at the Growth Front by Surface X-ray Diffraction
    B. P. Tinkham; O. Romanyuk; W. Braun; K. H. Ploog; F. Grosse; M. Takahasi; T. Kaizu; J. Mizuki
    Journal of Electronic Materials, 37巻, 12号, 掲載ページ 1793-1798, 出版日 2008年12月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
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  • In situ determination of Sb distribution in Sb/GaAs(001) layer for high-density InAs quantum dot growth
    Toshiyuki Kaizu; Masamitu Takahasi; Koichi Yamaguchi; Jun'ichiro Mizuki
    筆頭著者, Journal of Crystal Growth, 310巻, 15号, 掲載ページ 3436-3439, 出版日 2008年07月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Modification of InAs quantum dot structure during annealing
    Toshiyuki Kaizu; Masamitu Takahasi; Koichi Yamaguchi; Jun'ichiro Mizuki
    筆頭著者, Journal of Crystal Growth, 301-302巻, 掲載ページ 248-251, 出版日 2007年04月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
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  • In-situ X-ray diffraction study of InAs/GaAs(001) quantum dot growth
    Masamitu Takahasi; Toshiyuki Kaizu; Jun'ichiro Mizuki
    Transactions of the Materials Research Society of Japan, The Materials Research Society of Japan, 32巻, 1号, 掲載ページ 209-214, 出版日 2007年, 査読付
    研究論文（学術雑誌）
    URL
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  • Study of InAs/GaAs(001) nanoisland growth process by in-situ and real-time X-ray diffraction
    Masamitu Takahasi; Toshiyuki Kaizu; Jun'ichiro Mizuki
    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, 4巻, 掲載ページ 426-430, 出版日 2006年04月22日, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • In situ monitoring of internal strain and height of InAs nanoislands grown on GaAs(001)
    M Takahasi; T Kaizu; J Mizuki
    Applied Physics Letters, 88巻, 10号, 掲載ページ 101917-1-3, 出版日 2006年03月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Controlled stacking growth of uniform InAs quantum dots by molecular beam epitaxy
    Y Suzuki; T Kaizu; K Yamaguchi
    Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 21巻, 2-4号, 掲載ページ 555-559, 出版日 2004年03月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Self-Formation of Uniform InAs Quantum Dots and Quantum-Dot Chains
    K.Yamaguchi; T.Kaizu; T.Kanto; Y.Suzuki
    Transactions of the Materials Research Society of Japan, 29巻, 1号, 掲載ページ 117-121, 出版日 2004年01月, 査読付
  • Facet formation of uniform InAs quantum dots by molecular beam epitaxy
    T Kaizu; K Yamaguchi
    筆頭著者, Japanese Journal of Applied Physics, 42巻, 6S号, 掲載ページ 4166-4168, 出版日 2003年06月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Uniform formation of two-dimensional and three-dimensional InAs islands on GaAs by molecular beam epitaxy
    T Kaizu; K Yamaguchi
    筆頭著者, Japanese Journal of Applied Physics, 42巻, 4R号, 掲載ページ 1705-1708, 出版日 2003年04月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Uniform formation process of self-organized InAs quantum dots
    K Yamaguchi; T Kaizu; K Yujobo; Y Saito
    Journal of Crystal Growth, 237-239巻, Part2号, 掲載ページ 1301-1306, 出版日 2002年04月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Self size-limiting process of InAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
    T Kaizu; K Yamaguchi
    筆頭著者, Japanese Journal of Applied Physics, 40巻, 3S号, 掲載ページ 1885-1887, 出版日 2001年03月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL
  • Stranski-Krastanov growth of InAs quantum dots with narrow size distribution
    K Yamaguchi; K Yujobo; T Kaizu
    Japanese Journal of Applied Physics, 39巻, 12A号, 掲載ページ L1245-L1248, 出版日 2000年12月, 査読付
    研究論文（学術雑誌）, 英語
    DOI URL

MISC

  • バイオテンプレート極限加工による直径制御GaAsナノディスクの作製とその発光特性
    田村洋典; 五十嵐誠; THOMAS C; FAUZI M. Erman; HU W; 肥後昭男; 塚本里加子; 海津利行; 星井拓也; 木場隆之; 山下一郎; 岡田至崇; 村山明宏; 寒川誠二
    出版日 2013年03月11日, 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 60th巻, 掲載ページ ROMBUNNO.30A-G20-7, 日本語, 201302202457316263
    URL

  • トップダウン加工GaAsナノディスクにおけるキャリアスピン緩和
    木場隆之; 木場隆之; 須崎健太; 田村洋典; 田村洋典; 五十嵐誠; 五十嵐誠; THOMAS C.; THOMAS C.; HU W.; HU W.; 海津利行; 海津利行; 岡田至崇; 岡田至崇; 寒川誠二; 寒川誠二; 寒川誠二; 村山明宏; 村山明宏
    出版日 2013年, 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 60th巻, 201302296780962772
  • 単層InAs/GaAs量子ドット構造のDLTS評価
    中野廣一; 中野廣一; 海津利行; 星井拓也; 星井拓也; 岡田至崇; 岡田至崇
    出版日 2012年08月27日, 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 73rd巻, 掲載ページ ROMBUNNO.11P-J-14, 日本語, 201202216192999626
  • 原子状水素援用MBEによる2次元GaAsナノディスクアレイのGaAs/AlGaAsキャップ層再成長
    海津利行; 海津利行; 田村洋典; 田村洋典; 五十嵐誠; 五十嵐誠; HU W; HU W; 寒川誠二; 寒川誠二; 寒川誠二; 岡田至崇; 岡田至崇
    出版日 2012年08月27日, 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 73rd巻, 掲載ページ ROMBUNNO.11P-J-13, 日本語, 201202226299693290
  • バイオテンプレート極限加工によるGaAsナノディスクの作製と発光特性
    田村洋典; 田村洋典; 五十嵐誠; 五十嵐誠; THOMAS C; THOMAS C; FAUZI M. Erman; FAUZI M. Erman; HU W; HU W; 塚本里加子; 塚本里加子; 海津利行; 海津利行; 星井拓也; 星井拓也; 木場隆之; 木場隆之; 山下一郎; 山下一郎; 岡田至崇; 岡田至崇; 村山明宏; 村山明宏; 寒川誠二; 寒川誠二; 寒川誠二
    出版日 2012年08月27日, 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 73rd巻, 掲載ページ ROMBUNNO.11A-F1-6, 日本語, 201202200797118946
  • 2次元Siナノディスクアレイにおけるミニバンド形成と電気伝導性の向上
    FAUZI Mohd Erman; FAUZI Mohd Erman; 五十嵐誠; 五十嵐誠; HU Weiguo; HU Weiguo; 海津利行; 海津利行; 岡田至崇; 岡田至崇; 寒川誠二; 寒川誠二; 寒川誠二
    出版日 2012年08月27日, 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 73rd巻, 掲載ページ ROMBUNNO.11A-F1-1, 日本語, 201202245729517798
  • 障壁材料としてSiCを用いたSi量子ナノディスクアレイ構造の電気・光学特性
    五十嵐誠; 五十嵐誠; 海津利行; 海津利行; 岡田至崇; 岡田至崇; 木場隆之; 木場隆之; 村山明宏; 村山明宏; 寒川誠二; 寒川誠二
    出版日 2011年08月16日, 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 72nd巻, 掲載ページ ROMBUNNO.1A-K-5, 日本語, 201102240790914512
  • 高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解X線回折測定(3)
    山本和輝; 角田直輝; 海津利行; 海津利行; 高橋正光; 藤川誠司; 山口浩一
    出版日 2010年08月30日, 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 71st巻, 掲載ページ ROMBUNNO.14A-ZQ-11, 日本語, 201002227006765642
  • シリコン(Si)ナノディスク2次元アレイによる高効率光吸収とバンドギャップエネルギー制御の実現
    BIN BUDIMAN Mohd Fairuz; HUANG Chi‐Hsien; HUANG Chi‐Hsien; WANG Uan‐Yu; WANG Uan‐Yu; 海津利行; 海津利行; 五十嵐誠; 五十嵐誠; 大島隆治; 大島隆治; 岡田至崇; 岡田至崇; 山下一郎; 山下一郎; 寒川誠二; 寒川誠二
    出版日 2010年08月30日, 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 71st巻, 掲載ページ ROMBUNNO.14P-NC-8, 日本語, 201002257175971754
  • 高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解X線回折測定(2)
    角田直輝; 海津利行; 高橋正光; 藤川誠司; 山口浩一
    出版日 2009年09月08日, 応用物理学会学術講演会講演予稿集, 70th巻, 1号, 掲載ページ 398, 日本語, 200902238104180998
  • Ybドープ2次元電子系におけるYbトラップ準位の考察
    海津利行; 高増正; 竹端寛治; 今中康貴
    一般社団法人日本物理学会, 出版日 2009年08月18日, 日本物理学会講演概要集, 64巻, 2号, 掲載ページ 591-591, 日本語, 1342-8349, 200902228368832122, 110007498159, AA11439205
  • 高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解X線回折測定
    角田直輝; 海津利行; 高橋正光; 藤川誠司; 山口浩一
    出版日 2009年03月30日, 応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 56th巻, 1号, 掲載ページ 450, 日本語, 200902259682874983
  • YbドープAlGaAs/GaAs2次元電子系の電気伝導特性の励起エネルギー依存性
    海津利行; 高増正; 竹端寛治; 今中康貴
    一般社団法人日本物理学会, 出版日 2009年03月03日, 日本物理学会講演概要集, 64巻, 1号, 掲載ページ 687-687, 日本語, 1342-8349, 200902229140539740, 110007372289, AA11439205
  • YbドープAlGaAs/GaAsヘテロ構造の電気伝導特性の磁場依存性
    海津利行; 高増正; 竹端寛治; 今中康貴
    一般社団法人日本物理学会, 出版日 2008年08月25日, 日本物理学会講演概要集, 63巻, 2号, 掲載ページ 587-587, 日本語, 1342-8349, 200902212701651501, 110006984672, AA11439205
  • Ybドープ2次元電子系の強磁場電気伝導特性
    高増正; 海津利行; 今中康貴; 竹端寛治
    一般社団法人日本物理学会, 出版日 2008年02月29日, 日本物理学会講演概要集, 63巻, 1号, 掲載ページ 682-682, 日本語, 1342-8349, 200902211867472900, 110007195080, AA11439205
  • In-situ X-ray diffraction study on structural evolution of InAs islands on GaAs(001) during annealing
    Masamitu Takahasi; Toshiyuki Kaizu; Jun'ichiro Mizuki
    出版日 2007年12月01日, AIP Conference Proceedings, 893巻, 掲載ページ 75-76, 0094-243X, 77958515348
    URL
    DOI URL

  • YbドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造の発光,輸送特性
    高増正; 海津利行; 今中康貴; 竹端寛治
    一般社団法人日本物理学会, 出版日 2007年08月21日, 日本物理学会講演概要集, 62巻, 2号, 掲載ページ 682-682, 日本語, 1342-8349, 200902219051471729, 110007142780, AA11439205
  • 分子線エピタキシャル法による半導体ナノ構造成長のその場X線回折
    高橋正光; 海津利行; 水木純一郎
    出版日 2007年03月27日, 応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 54th巻, 0号, 掲載ページ 109, 日本語, 200902264153217199
  • Sb照射GaAs(001)表面のその場X線回折測定
    海津利行; 高橋正光; 菅藤徹; 築地伸和; 外村慎一; 山口浩一; 水木純一郎
    出版日 2007年03月27日, 応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 54th巻, 1号, 掲載ページ 448, 日本語, 200902283227089745
  • リアルタイム計測:半導体ナノドット成長過程における構造変化
    高橋正光; 海津利行
    出版日 2006年08月29日, 応用物理学会学術講演会講演予稿集, 67th巻, 0号, 掲載ページ 10, 日本語, 200902287441777115
  • InAs/GaAs(001)成長のリアルタイムX線回折測定
    高橋正光; 海津利行; 水木純一郎
    出版日 2006年03月22日, 応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 53rd巻, 1号, 掲載ページ 323, 日本語, 200902209194865919
  • その場X線回折による成長中継中のInAs量子ドットの構造変化の解析
    海津利行; 高橋正光; 佐藤峻之; 堀田正憲; 山口浩一; 水木純一郎
    出版日 2005年03月29日, 応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 52nd巻, 1号, 掲載ページ 348, 日本語, 200902232994993216
  • InAs/GaAs(001)量子ドット成長のリアルタイムX線測定
    高橋正光; 海津利行
    出版日 2005年03月29日, 応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 52nd巻, 0号, 掲載ページ 109, 日本語, 200902239386436015
  • 自己制限InAs量子ドットの構造安定性
    岩崎誠樹; 海津利行; 山口浩一
    出版日 2004年03月28日, 応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 51st巻, 1号, 掲載ページ 357, 日本語, 200902224047187998
  • 高密度・高均一InAs量子ドットの積層成長
    海津利行; 山口浩一
    出版日 2003年08月30日, 応用物理学会学術講演会講演予稿集, 64th巻, 1号, 掲載ページ 268, 日本語, 200902297846357941
  • GaAs埋め込みInAs量子ドットの1.3μm発光
    海津利行; 武田宙; 山口浩一
    出版日 2003年08月30日, 応用物理学会学術講演会講演予稿集, 64th巻, 3号, 掲載ページ 1269, 日本語, 200902219115129850
  • 自己制限InAs量子ドット形成過程のInAs成長条件依存性 (2)
    海津利行; 山口浩一
    出版日 2003年03月27日, 応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 50th巻, 3号, 掲載ページ 1460, 日本語, 200902262766094690
  • 自己制限InAs量子ドット形成過程のInAs成長条件依存性
    海津利行; 山口浩一
    出版日 2002年09月24日, 応用物理学会学術講演会講演予稿集, 63rd巻, 1号, 掲載ページ 281, 日本語, 200902147688912507
  • InAs量子ドットのサイズ自己制限過程
    海津利行; 山口浩一
    出版日 2002年03月27日, 応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 49th巻, 1号, 掲載ページ 336, 日本語, 200902151761920847
  • InAs2次元成長層のアニールによる3次元ドット形成
    岩崎誠樹; 海津利行; 山口浩一
    出版日 2002年03月27日, 応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 49th巻, 1号, 掲載ページ 335, 日本語, 200902107441845481
  • InAsアイランドサイズの形成位置依存性
    海津利行; 山口浩一
    出版日 2001年09月11日, 応用物理学会学術講演会講演予稿集, 62nd巻, 1号, 掲載ページ 230, 日本語, 201202105086897494
  • 自己組織化InAsドットの初期形成過程
    市原純; 海津利行; 山口浩一
    出版日 2001年03月28日, 応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 48th巻, 3号, 掲載ページ 1345, 日本語, 201202191468317386
  • 自己制限InAs量子ドットのファセット形成過程
    海津利行; 山口浩一
    出版日 2001年03月28日, 応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 48th巻, 3号, 掲載ページ 1345, 日本語, 201202155098573217
  • Narrow Size Distribution of Facet-Formed InAs Quantum Dots
    出版日 2001年, Proceedings of the 6th International Symposium on Advanced Physical Fields 2001, 掲載ページ 330-334
  • 自己組織化InAs量子ドットの低成長速度形成
    祐乗坊邦彦; 海津利行; 山口浩一
    出版日 2000年09月03日, 応用物理学会学術講演会講演予稿集, 61st巻, 1号, 掲載ページ 252, 日本語, 201202184180522159
  • 自己制限InAs量子ドットの形成過程
    海津利行; 山口浩一
    出版日 2000年09月03日, 応用物理学会学術講演会講演予稿集, 61st巻, 3号, 掲載ページ 1150, 日本語, 201202164240085470
  • 自己組織化InAs量子ドットの高均一化 ドットサイズの自己制限効果
    山口浩一; 海津利行; 祐乗坊邦彦
    Straski-Krastanov成長モードの自己組織化InAs量子ドットの作製において, InAs成長量に依存しないドットサイズの自己制限効果が観察され, フォトルミネッセンス(PL)半値幅21.3meVの高均一なドットサイズ分布を達成した.この自己制限機構としては, 安定なファセット面の形成によるものと考察された.PL強度の温度依存性より, 異なるサイズを有するInAs量子ドット間で電子の熱的放出と取り込み過程が起こり, 見かけ上PL半値幅に温度依存性が見られないことを示した.低As圧成長では, コヒーレントドットの自己制限サイズが大きくなり, またコアレッセンス化が抑制されることが分かった., 一般社団法人電子情報通信学会, 出版日 2000年06月21日, 電子情報通信学会技術研究報告, 100巻, 115(LQE2000 14-25)号, 掲載ページ 13-20, 日本語, 0913-5685, 200902126606698149, 110003308075, AN10442705
  • 自己組織化InAs量子ドットの低As圧成長
    祐乗坊邦彦; 海津利行; 山口浩一
    出版日 2000年03月28日, 応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 47th巻, 1号, 掲載ページ 324, 日本語, 201202151984262880
  • 自己組織化InAs量子ドットサイズの自己制限効果(2)
    海津利行; 祐乗坊邦彦; 山口浩一
    出版日 2000年03月28日, 応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 47th巻, 1号, 掲載ページ 486, 日本語, 201202197495067446
  • 自己組織化InAs量子ドットサイズの自己制限効果
    海津利行; 山口浩一
    出版日 1999年09月01日, 応用物理学会学術講演会講演予稿集, 60th巻, 1号, 掲載ページ 393, 日本語, 200902122007669224
    URL

  • 高均一InAs自己形成量子ドットの発光特性
    海津利行; 寺沢博雅; 山口浩一
    出版日 1999年03月28日, 応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 46th巻, 1号, 掲載ページ 540, 日本語, 200902111138872155
    URL

講演・口頭発表等

  • 半導体光共振器中での電気光学効果を利用したテラヘルツ電界センサ： 位相差信号の共振器Q値依存性
    原田幸弘; 北田貴弘; 海津利行; 南康夫; 小島磨; 喜多隆; 和田修
    口頭発表（一般）, 日本語, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 国内会議
    発表日 2025年03月17日
    開催期間 2025年03月14日- 2025年03月17日
  • 半導体光共振器中での電気光学効果を利用したテラヘルツ電界センサ：結晶面方位の検討
    北田貴弘; 原田幸弘; 海津利行; 南康夫; 小島磨; 喜多隆; 和田修
    口頭発表（一般）, 日本語, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 国内会議
    発表日 2025年03月17日
    開催期間 2025年03月14日- 2025年03月17日
  • 逆積み構造太陽電池のスマートスタックに向けたエピタキシャル薄膜の3回転写プロセス開発
    切柳匠登; 宮下直也; 牧田紀久夫; 菅谷武芳; 海津利行; 山口浩一
    ポスター発表, 日本語, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 国内会議
    発表日 2025年03月16日
    開催期間 2025年03月14日- 2025年03月17日
  • 面内超高密度量子ドットにおける強結合遷移モデル
    甲斐涼雅; 海津利行; 宮下直也; 山口浩一
    ポスター発表, 日本語, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 国内会議
    発表日 2025年03月16日
    開催期間 2025年03月14日- 2025年03月17日
  • Si基板上のInAsナノワイヤーからの横方向成長によるInAs薄膜成長
    アチャリヤ淳一; 海津利行; 宮下 直也; 山口 浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 国内会議
    発表日 2025年03月16日
    開催期間 2025年03月14日- 2025年03月17日
  • InAs量子ドット成長に起因する格子不整合歪みを利用した差周波混合によるテラヘルツ電磁波発生
    鈴木崇斗; 小島磨; 海津利行; 和田修; 喜多隆
    口頭発表（一般）, 日本語, 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 国内会議
    発表日 2024年09月16日
    開催期間 2024年09月16日- 2024年09月20日
  • 多重積層InAs/ GaAs量子ドットを用いた光伝導アンテナの様々な励起光波長における光電流の励起光強度依存性
    海津利行; 小島磨; 南康夫; 北田貴弘; 原田幸弘; 喜多隆; 和田修
    口頭発表（一般）, 日本語, 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 国内会議
    発表日 2024年09月16日
    開催期間 2024年09月16日- 2024年09月20日
  • Lateral Photoconductivity of Multiple-Stacked InAs/GaAs Quantum Dot Structure for Photoconductive Antenna Device
    T. Kaizu; I. Kohama; Y. Minami; T. Kitada; Y. Harada; O. Kojima; T. Kita; O. Wada
    口頭発表（一般）, 英語, Compund Semiconductor Week 2021, 国際会議
    発表日 2021年05月12日
    開催期間 2021年05月09日- 2021年05月13日
  • 光伝導アンテナ応用へ向けた多重積層InAs/GaAs量子ドットの電気特性評価
    南康夫; 新免歩; 北田 貴弘; 原田幸弘; 海津利行; 小島磨; 喜多隆; 和田修
    ポスター発表, 日本語, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 国内会議
    発表日 2021年03月19日
    開催期間 2021年03月16日- 2021年03月19日
  • 光伝導アンテナ応用へ向けた多重積層InAs/GaAs量子ドットの光学特性評価
    海津利行; 小濱一晟; 南康夫; 北田貴弘; 原田幸弘; 小島磨; 喜多隆; 和田修
    日本語, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 国内会議
    発表日 2021年03月19日
    開催期間 2021年03月16日- 2021年03月19日
  • Polarization-Insensitive Optical Gain of Highly stacked InAs/GaAs Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifier
    T. Kaizu; T. Kakutani; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, SmiconNano2019, Kobe, 日本国, 国際会議
    発表日 2019年09月25日
    開催期間 2019年09月24日- 2019年09月27日
  • One-Dimensional Electronic States in Highly-Stacked InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices
    T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, Compound Semiconductor Week 2019, Nara, 国際会議
    発表日 2019年05月
  • 近接積層InAs/GaAs量子ドット超格子の1次元電子状態の測定温度依存性
    海津利行; 喜多隆
    口頭発表（一般）, 日本語, 第66回応用物理学会春季学術講演, 国内会議
    発表日 2019年03月11日
    開催期間 2019年03月09日- 2019年03月12日
  • “Effects of GaAs-Capping Temperature on The Emission Wavelength of InAs Quantum Dots Grown on Nitrogen-Doped GaAs(001)Surfaces
    N. Uenishi; T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, 20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, China, 国際会議
    発表日 2018年09月
  • 多孔質炭素電極を用いた光化学電池の基礎特性
    榎本 雅仁; 若木 大智; 海津 利行; 喜多 隆
    口頭発表（一般）, 日本語, 平成30年度半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会, 奈良先端科学技術大学院大学, 国内会議
    発表日 2018年07月
  • Carrier Collection Efficiency of Intraband-Excited Carriers in Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells
    S. Asahi; K. Nishimura; T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, 7th edition of the World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Hawaii, 国際会議
    発表日 2018年06月
  • Multiple Stacking of Capping Temperature-Controlled InAs/GaAs Quantum Dots with AlGaAs Barrier Layers for Broadband Emission
    T. Kaizu; T. Koike; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, Compound Semiconductor Week 2018, Cambridge, MA, USA, 国際会議
    発表日 2018年05月
  • One-Dimensional Electronic States in Closely Stacked InAs/GaAs Quantum Dots with Different Growth Temperatures
    T. Kaizu; K. Hirao; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, International Conference on Nanophotonics and Nano-optoelectronics 2018, Yokohama, 国際会議
    発表日 2018年04月
  • Extraction Efficiency of Up-Converted Electrons in Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells
    S. Asahi; K. Nishimura; T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, International Conference on Nanophotonics and Nano-optoelectronics 2018, Yokohama, 国際会議
    発表日 2018年04月
  • Two-Step Photo-Excitated Electrons with Extremely-Long Lifetime in Intermedeate-band Solar Cells Using Dot-in Well Strucyure
    S. Asahi; H. Teranishi; T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, 27th Photovoltaic Science and Engineering Conference, Otsu, 国際会議
    発表日 2017年11月
  • Infrared Absorption Characteristics in Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells
    K. Kusaki; S. Asahi; T. Kaizu; R. Tamaki; Y. Okada; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, 27th Photovoltaic Science and Engineering Conference, Otsu, 国際会議
    発表日 2017年11月
  • Efficient Two-Step Photocurrent in Intermediate Band Solar Cells Using Highly Homogeneous InAs/GaAs Quantum-Dot Superlattice
    K. Hirao; S. Asahi; T. Kaizu; Y. Harada; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, 27th Photovoltaic Science and Engineering Conference, Otsu, 国際会議
    発表日 2017年11月
  • One-Dimensional Miniband Formation in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice
    T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, International Symposium on Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surfaces for Future Earth -Material Research, Characterization and Imaging by In situ/Operando XAFS and X-ray Techniques-, Tokyo, 国際会議
    発表日 2017年10月
  • Laser-induced Hydrogen Production Using Porous Carbon
    M. Enomoto; Y. Kawajiri; T. Kaizu; T. Uchino; Y. Ichihashi; K. Taniya; S. Nishiyama; M. Mizuhata; M. Sugiyama; M. Ueno; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, International Symposium on Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surfaces for Future Earth -Material Research, Characterization and Imaging by In situ/Operando XAFS and X-ray Techniques-, Tokyo, 国際会議
    発表日 2017年10月
  • 低温キャップInAs/GaAs量子ドット超格子中間バンド型太陽電池における熱脱出の抑制
    平尾 和輝; 朝日 重雄; 海津 利行; 原田 幸弘; 喜多 隆
    口頭発表（一般）, 日本語, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 国内会議
    発表日 2017年09月
  • 低温キャップInAs/GaAs量子ドット超格子中間バンド型太陽電池における2段階光吸収の増強
    平尾 和輝; 朝日 重雄; 海津 利行; 原田 幸弘; 喜多 隆
    口頭発表（一般）, 日本語, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成29年度第1回研究会, 国内会議
    発表日 2017年09月
  • Photon Up-Converted Photocurrent in a Single Junction Solar Cell with a Hetero-Interface
    K. Kusaki; S. Asahi; T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, 33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Netherlands, 国際会議
    発表日 2017年09月
  • Increasing Photovoltage Boosted by Photon Up-Conversion in a Single-Junction Solar Cell with a Hetero-Interface
    S. Asahi; K. Kusaki; T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, 33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Netherlands, 国際会議
    発表日 2017年09月
  • Extended Optical Response of Two-Step Photoexcitation in InAs/GaAs Quantum-Dot Superlattice Intermediate Band Solar Cells
    K. Hirao; S. Asahi; T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, 33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Netherlands, 国際会議
    発表日 2017年09月
  • Stokes and Anti-Stokes Photoluminescence in Nitrogen ð-Doped Layer in GaAs
    Y. Harada; Y. Ogawa; T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, 29th International Conference on Defects in Semiconductors, Matsue, 国際会議
    発表日 2017年07月
  • Increasing Current Generation by Photon Up-Conversion in a Single-Junction Solar Cell with a Hetero-Interface
    S. Asahi; K. Kusaki; T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, 2017 IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Washington D.C., 国際会議
    発表日 2017年06月
  • Broadband Control of Polarization Characteristics in Closely-Stacked InAs/GaAs Quantum Dots
    T. Kaizu; Y. Tajiri; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, Compound Semiconductor Week 2017, Berlin, 国際会議
    発表日 2017年05月
  • GaAs中のエピタキシャル窒素膜における反ストークス発光
    原田 幸弘; 小川 泰弘; 海津 利行; 喜多 隆
    口頭発表（一般）, 日本語, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 国内会議
    発表日 2017年03月
  • GaAs中のデルタドーピング窒化層を利用した光によるフォノン制御
    小川 泰弘; 原田 幸弘; 海津 利行; 喜多 隆
    ポスター発表, 日本語, 第27回光物性研究会, 国内会議
    発表日 2016年12月
  • Two-dimensional delocalized electronic states of epitaxial N d-doped layer in GaAs
    Y. Harada; Y. Ogawa; T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（招待・特別）, 英語, Energy, Materials, and Nanotechnology Meeting on Epitaxy, 招待, 国際会議
    発表日 2016年09月
  • InAs/GaAs量子ドット中間バンド型太陽電池における電子の熱脱出過程の解明
    平尾 和輝; 渡辺 翔; 朝日 重雄; 海津 利行; 原田 幸弘; 喜多 隆
    口頭発表（一般）, 日本語, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 国内会議
    発表日 2016年09月
  • Control In-Ga Intermixing in InAs Quantum Dot on Nitrogen δ-Doped GaAs
    T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, 19th International Conference on Molecular-Beam Epitaxy, Montpellier, 国際会議
    発表日 2016年09月
  • Spatial Electronic Structure of an Isovalent Nitrogen Center in GaAs
    R. Plantenga; V. Kortan; T. Kaizu; Y. Harada; T. Kita; M. Flatte; P. Koenraad
    口頭発表（一般）, 英語, 33rd International Conference on the Physics of Semiconductors, Beijing, 国際会議
    発表日 2016年08月
  • Thermal carrier-escape process from the intermediate band in InAs/GaAs quantum dot solar cells
    K. Hirao; S. Asahi; S. Watanabe; T. Kaizu; Y. Harada; T. Kita
    ポスター発表, 日本語, 第35回電子材料シンポジウム, 国内会議
    発表日 2016年07月
  • Two-Dimensional Energy Dispersion in Thermally Annealed Epitaxial Nitrogen Atomic Sheet in GaAs
    Y. Ogawa; Y. Harada; T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, 2016 Compound Semiconductor Week, Toyama, 国際会議
    発表日 2016年06月
  • Polarization Anisotropy of Electroluminescence and Net-Modal Gain in Highly Stacked InAs/GaAs Quantum-Dot Laser Devices
    T. Kaizu; M. Suwa; T. Andachi; Y. Harada; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, 2016 Compound Semiconductor Week, Toyama, 国際会議
    発表日 2016年06月
  • GaAs First-Spacer-Layer Thickness Dependence of Polarized Photoluminescence Properties of Closely-Stacked InAs/GaAs Quantum Dots with Long-Wavelength Emission
    Y. Tajiri; T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, 2016 Compound Semiconductor Week, Toyama, 国際会議
    発表日 2016年06月
  • Extended Electron Lifetime in Intermediate-Band Solar Cells Using Dot-in-Well Structure
    S. Asahi; H. Teranishi; S. Watanabe; T. Kada; T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, 32nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Munich, 国際会議
    発表日 2016年06月
  • Enhancement of Two-Step Photon Absorption Due to Miniband Formation in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Solar Cell
    S. Watanabe; S. Asahi; T. Kada; T. Kaizu; Y. Harada; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, 32nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Munich, 国際会議
    発表日 2016年06月
  • 急速熱アニールしたGaAs中のエピタキシャル窒素膜の輻射再結合寿命
    小川 泰弘; 原田 幸弘; 海津 利行; 喜多 隆
    口頭発表（一般）, 日本語, 第63回応用物理学会春季学術講演会, 国内会議
    発表日 2016年03月
  • Time-Resolved Photoluminescence of Thermally-Annealed Nitrogen Atomic Sheet in GaAs
    Y. Ogawa; Y. Harada; T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, 17th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures, Nara, 国際会議
    発表日 2016年03月
  • Polarized Photoluminescence Properties of Closely-Stacked InAs/GaAs Quantum Dots with Long-Wavelength Emission
    T. Kaizu; Y. Tajiri; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, 17th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures, Nara, 国際会議
    発表日 2016年03月
  • InAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池におけるミニバンド形成が2段階光吸収に与える影響
    渡辺 翔; 朝日 重雄; 加田 智之; 海津 利行; 原田 幸弘; 喜多 隆
    口頭発表（一般）, 日本語, 第63回応用物理学会春季学術講演会, 国内会議
    発表日 2016年03月
  • Extremely Long Carrier Lifetime Due to Electron-Hole Separation in Quantum-Dot Intermediate-Band Solar Cells
    S. Asahi; H. Teranishi; T. Kada; T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, 17th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures, Nara, 国際会議
    発表日 2016年03月
  • InAs/GaAs量子ドット超格子を利用したホットキャリア型太陽電池
    渡部 大樹; 原田 幸弘; 海津 利行; 喜多 隆
    口頭発表（一般）, 日本語, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 国内会議
    発表日 2015年09月
  • Epitaxial Nitrogen Atomic Sheet in GaAs Grown by Nitorogen δ-Doping Technique
    Y. Harada; T. Baba; Y. Ogawa; T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（招待・特別）, 英語, 5th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, 招待, Taiwan, 国際会議
    発表日 2015年09月
  • 急速熱アニールによるGaAs中のエピタキシャル窒素シートにおける2次元物性の制御
    小川 泰弘; 原田 幸弘; 海津 利行; 喜多 隆
    口頭発表（一般）, 日本語, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成27年度第1回研究会, 国内会議
    発表日 2015年07月
  • Enhancement of Two Dimensionality in Epitaxial Nitrogen Atomic Sheet in GaAs by Rapid Thermal Annealing
    Y. Harada; Y. Ogawa; T. Baba; T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, 21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems/17th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Sendai, 国際会議
    発表日 2015年07月
  • Broadband Control of Emission Wavelength of InAs/GaAs Quantum Dots by Growth Temperature GaAs Capping Layer
    T. Kaizu; T. Matsumura; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, 21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems/17th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Sendai, 国際会議
    発表日 2015年07月
  • Annealing effects on the delocalized electronic states of epitaxial two-dimensional nitrogen atomic sheet in GaAs
    Y. Ogawa; Y. Harada; T. Baba; T. Kaizu; T. Kita
    ポスター発表, 日本語, 34th Electronic Materials Symposium, 国内会議
    発表日 2015年07月
  • Two-Step Photocarrier Generation in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Intermediate Band Solar Cell
    T. Kada; T. Tanibuchi; S. Asahi; T. Kaizu; Y. Harada; T. Kita; R. Tamaki; Y. Okada; K. Miyano
    口頭発表（一般）, 英語, 42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, New Orleans, 国際会議
    発表日 2015年06月
  • Saturable Two-Step Photocurrent Generation in Intermediate-Band Solar Cells Including InAs Quantum Dots Embedded in Al0.3Ga0.7As/GaAs Quantum Wells
    S. Asahi; H. Teranishi; N. Kasamatsu; T. Kada; T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, 42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, New Orleans, 国際会議
    発表日 2015年06月
  • GaAs中のエピタキシャル二次元窒素膜におけるアニール効果
    原田 幸弘; 小川 泰弘; 馬場 健; 海津 利行; 喜多 隆
    口頭発表（一般）, 日本語, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 国内会議
    発表日 2015年03月
  • GaAs中のエピタキシャル2次元窒素シート非局在電子状態の発光ダイナミクス
    馬場 健; 原田 幸弘; 海津 利行; 喜多 隆
    ポスター発表, 日本語, 第24回光物性研究会, 国内会議
    発表日 2014年12月
  • Two-dimensional electronic states of epitaxial nitrogen atomic sheet in GaAs
    Y. Harada; T. Baba; T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（招待・特別）, 英語, International Symposium on Recent Progress of Photonic Devices and Materials, 招待, 国際会議
    発表日 2014年11月
  • Suppression of Thermal Carrier Escape and Efficient Photo-Carrier Generation by Two-Step Photon Absorption in Intermediate-Band Solar Cells Using a Dot-in-Well Structure
    S. Asahi; H. Teranishi; N. Kasamatsu; T. Kada; T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Kyoto International Conference Center, 国際会議
    発表日 2014年11月
  • Photoluminescence Decay Dynamics in Epitaxial Two-Dimensional Nitrogen Atomic Sheet in GaAs
    T. Baba; Y. Harada; T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, International Symposium on Recent Progress of Photonic Devices and Materials, Kobe University, 国際会議
    発表日 2014年11月
  • Modulation of Photoluminescence Properties of InAs Quantum Dots on Nitrogen δ-Doped GaAs
    T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, International Symposium on Recent Progress of Photonic Devices and Materials, Kobe University, 国際会議
    発表日 2014年11月
  • Photoluminescence Properties of InAs Quantum Dots on Nitrogen δ-Doped GaAs
    T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, Eleventh International Conference on Flow Dynamics, Sendai, 国際会議
    発表日 2014年10月
  • GaAs中のエピタキシャル二次元窒素膜の電子状態 (II)
    原田 幸弘; 馬場 健; 海津 利行; 喜多 隆
    口頭発表（一般）, 日本語, 第75回応用物理学会学術講演会, 国内会議
    発表日 2014年09月
  • GaAs中のエピタキシャル二次元窒素膜における発光ダイナミクス
    馬場 健; 原田 幸弘; 海津 利行; 喜多 隆
    口頭発表（一般）, 日本語, 第75回応用物理学会学術講演会, 国内会議
    発表日 2014年09月
  • Enhancement of interaction among nitrogen pair centers in epitaxial two-dimensional nitrogen atomic sheet in GaAs
    T. Baba; Y. Harada; T. Kaizu; T. Kita
    ポスター発表, 日本語, 33rd Electronic Materials Symposium, 国内会議
    発表日 2014年07月
  • Structural Modification of InAs Quantum Dots Grown on Nitrided GaAs(001)Surface
    T. Kaizu; K. Taguchi; T. Kita
    ポスター発表, 英語, 8th International Conference on Quantum Dots, Pisa, 国際会議
    発表日 2014年05月
  • 窒素δドープGaAs(001)層上のInAs量子ドット自己形成
    海津 利行; 田口 航平; 喜多 隆
    口頭発表（一般）, 日本語, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 神奈川, 国内会議
    発表日 2014年03月
  • InAs/GaAs量子ドット太陽電池の量子準位を介した２段階光吸収
    加田 智之; 朝日 重雄; 海津 利行; 喜多 隆; 玉置 亮; 宮野 健次郎; 岡田 至崇
    口頭発表（一般）, 日本語, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 神奈川, 国内会議
    発表日 2014年03月
  • InAs/AlxGa1-xAs量子ドットにおけるキャリアの熱活性特性
    朝日 重雄; 寺西 陽之; 笠松 直史; 加田 智之; 海津 利行; 喜多 隆
    口頭発表（一般）, 日本語, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 神奈川, 国内会議
    発表日 2014年03月
  • Fabrication of InAs Quantum Dots on Nitrided GaAs (001) Surface
    T. Kaizu; T. Kita
    口頭発表（一般）, 英語, 10th International Conference on Flow Dynamics, Sendai International Center, 国際会議
    発表日 2013年11月
  • Photoluminescence Properties of Height-controlled GaAs Nanodisks Fabricated by Neutral Beam Etching
    T. Kaizu; Y. Tamura; M. Igarashi; W. Hu; C. Thomas; S. Samukawa; Y. Okada
    ポスター発表, 英語, 40th International Symposium on Compound Semiconductors, Kobe, 国際会議
    発表日 2013年05月
  • 中性粒子ビームエッチングにより作製したGaAsナノディスクのPL特性のディスク高さ依存性
    海津 利行; 田村 洋典; 五十嵐 誠; トーマス セドリック; 胡 衛国; 寒川 誠二; 岡田 至崇
    ポスター発表, 日本語, 第60回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 神奈川, 国内会議
    発表日 2013年03月
  • トップダウン加工GaAsナノディスクにおけるキャリアスピン緩和
    木場 隆之; 須崎 健太; 田村 洋典; 五十嵐 誠; セドリック トーマス; 胡 衛国; 海津 利行; 岡田 至崇; 寒川 誠二; 村山 明宏
    口頭発表（一般）, 日本語, 第60回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 神奈川, 国内会議
    発表日 2013年03月
  • 単層InAs/GaAs量子ドット構造のDLTS評価
    中野 廣一; 海津 利行; 星井 拓也; 岡田至崇
    口頭発表（一般）, 日本語, 秋季第73回応用物理学会学術講演会, 応用物理学会, 愛媛, 国内会議
    発表日 2012年09月
  • 原子状水素援用MBEによる2次元GaAsナノディスクアレイのGaAs/AlGaAsキャップ層再成長
    海津 利行; 田村 洋典; 五十嵐 誠; 胡 衛国; 寒川 誠二; 岡田 至崇
    口頭発表（一般）, 日本語, 秋季第73回応用物理学会学術講演会, 応用物理学会, 愛媛, 国内会議
    発表日 2012年09月
  • バイオテンプレート極限加工によるGaAsナノディスクの作製と発光特性
    田村 洋典; 五十嵐 誠; トーマス セドリック; モハマド エルマン ファウジ; 胡 衛国; 塚本 里加子; 海津 利行; 星井 拓也; 木場 隆之; 山下 一郎; 岡田 至崇; 村山 明宏; 寒川 誠二
    口頭発表（一般）, 日本語, 秋季第73回応用物理学会学術講演会, 応用物理学会, 愛媛, 国内会議
    発表日 2012年09月
  • Observation of photo- luminescence from 2-dimentional GaAs nanodisk array regrown by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
    T. Kaizu; Y. Tamura; M. Igarashi; W. Hu; R. Tsukamoto; I. Yamashita; S. Samukawa; Y. Okada
    口頭発表（一般）, 英語, 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Nara, 国際会議
    発表日 2012年09月
  • 2次元Siナノディスクアレイにおけるミニバンド形成と電気伝導性の向上
    モハマド エルマン ファウジ; 五十嵐 誠; 胡 衛国; 海津 利行; 岡田 至崇; 寒川 誠二
    口頭発表（一般）, 日本語, 秋季第73回応用物理学学術講演会, 応用物理学, 愛媛, 国内会議
    発表日 2012年09月
  • High-density and Sub-20-nm GaAs Nanodisk Array Fabricated Using Neutral Beam Etching Process for High Performance QDs Devices
    Y. Tamura; M. Igarashi; M. E. Fauzi; R. Tsukamoto; T. Kaizu; T. Kiba; I. Yamashita; Y. Okada; A. Murayama; S. Samukawa
    口頭発表（一般）, 英語, 12th International Conference on Nanotechnology, United Kingdom, 国際会議
    発表日 2012年08月
  • バイオテンプレート極限加工によるGaAs 量子ナノディスク構造の制御
    田村 洋典; 五十嵐 誠; モハマド エルマン ファウジ; 胡 衛国; 海津 利行; 岡田 至崇; 寒川 誠二
    口頭発表（一般）, 日本語, 春季第59回応用物理学会関係連合講演会, 応用物理学会, 東京, 国内会議
    発表日 2012年03月
  • 障壁材料としてSiCを用いたSi量子ナノディスクアレイ構造の電気・光学特性
    五十嵐 誠; 海津 利行; 岡田 至崇; 木場 隆之; 村山 明宏; 寒川 誠二
    口頭発表（一般）, 日本語, 秋季第72回応用物理学会学術講演会, 応用物理学会, 山形, 国内会議
    発表日 2011年09月
  • Fabrication of Two-dimensional Array of Sub-10nm GaAs Nanodisk by Combination of Bio-template and Neutral Beam Etching
    林 士弘; 王 宣又; 黄 啓賢; 塚本 里加子; 海津利行; 五十嵐 誠; 岡田 至崇; 寒川誠二
    口頭発表（一般）, 日本語, 秋季第72回応用物理学会学術講演会, 応用物理学会, 山形, 国内会議
    発表日 2011年09月
  • Optical Absorption, Photo-Luminescence and Miniband Formation of a Highly Ordered and Dense 2-Dimensional Array of Si Nanodisks for Quantum Dot Solar Cells
    M. Igarashi; C.H. Huang; X. Y. Wang; M. F. Budiman; Y. Tamura; T. Kiba; A. Murayama; T. Kaizu; Y. Okada; S. Samukawa
    口頭発表（一般）, 英語, 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Seattle, 国際会議
    発表日 2011年06月
  • Damage-free Top-down Processes of Fabricating Two-dimensional Array of Sub-10nm Nanometer GaAs Nanodisks using Bio-template and Neutral Beam Etching for Intermediate Band Solar Cell Applications
    X. Y. Wang; C. H. Huang; R. Tsukamoto; T. Kaizu; M. Igarashi; P. A. Mortemousque; H. Shinohara; Y. Okada; A. Murayama; K. Itoh; Y. Ohno; I. Yamashita; S. Samukawa
    口頭発表（一般）, 英語, 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Seattle, 国際会議
    発表日 2011年06月
  • 高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解X線回折測定(3)
    山本 和輝; 角田 直輝; 海津 利行; 高橋 正光; 藤川 誠司; 山口 浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 秋季第71回応用物理学会学術講演会, 応用物理学会, 長崎, 国内会議
    発表日 2010年09月
  • シリコン(Si)ナノディスク2次元アレイによる高効率光吸収とバンドギャップエネルギー制御の実現
    ブディマン モハマド; ファイルズ; 黄 啓賢; 王 宣又; 海津 利行; 五十嵐 誠; 大島 隆治; 岡田 至崇; 山下 一郎; 寒川 誠二
    口頭発表（一般）, 日本語, 秋季第71回応用物理学会学術講演会, 応用物理学会, 長崎, 国内会議
    発表日 2010年09月
  • 高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解X線回折測定(2)
    角田 直輝; 海津 利行; 高橋 正光; 藤川 誠司; 山口 浩一
    口頭発表（一般）, 日本語, 秋季第70回応用物理学会学術講演会, 応用物理学会, 富山, 国内会議
    発表日 2009年09月
  • Ybドープ2次元電子系におけるYbトラップ準位の考察
    海津 利行; 高増 正; 竹端 寛治; 今中 康貴
    口頭発表（一般）, 日本語, 日本物理学会第64回秋季大会, 日本物理学会, 東京, 国内会議
    発表日 2009年09月
  • Real-time X-ray diffraction measurements during Sb-mediated SK growth and annealing of InAs quantum dots
    T. Kaizu; N. Kakuda; M. Takahasi; S.Fujikawa; K. Yamaguchi
    ポスター発表, 英語, 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Kobe, 国際会議
    発表日 2009年07月
  • Magnetotransport properties of Ytterbium doped AlxGa1-xAs/GaAs two-dimensional electron system
    T. Kaizu; Y. Imanaka; K. Takehana; T. Takamasu
    ポスター発表, 英語, 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, Kobe, 国際会議
    発表日 2009年07月

担当経験のある科目_授業

  • 先端融合科学特論Ⅰ－７a スマート物質・材料工学
    神戸大学
  • Advanced Science and TechnologyI-7a
    Kobe University

所属学協会

  • 1999年02月 - 現在
    応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

  • 量子ドット超格子を用いた集積化高感度電界センサの実現
    和田 修; 小島 磨; 海津 利行; 原田 幸弘; 南 康夫
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 神戸大学, 基盤研究(C), 研究分担者, 本研究では外部の電界を量子ドット（QD）超格子構造に印加し、これを含む共振器構造を透過する光信号の変調成分をとらえることにより、電界を高感度に検出するセンサの実現を目指す。本年度は、量子効果の導入による電気光学係数自体の増大効果、および光共振器構造による光子の長寿命化による電気光学効果の増強効果、の二つの効果に焦点を合わせて研究を進めた。 QD超格子構造の電気光学係数の評価を行うための導波路素子の準備と電気光学係数評価光学系の検討を進めるとともに、光共振器構造の基本設計理論の構築に重点 をおいて研究を行い、以下のような成果を得た。
    QD超格子構造を含む導波路素子については、暗電流や逆方向電圧印加特性など基本的特性を測定して光学測定への適用性を確かめた。また電気光学係数の計測光学系については、光信号偏光特性計測の精度を十分に高めるための光学系の新たな設計を行って部品選定を完了し、次年度の高精度測定系の構築の見通しを得た。
    光共振器構造の設計においては、共振器のQ値増大による光子寿命の延長に起因する電気光学効果の増強と、Q値の増大に伴う透過光出力の減衰との間に生ずるトレードオフ関係を考慮しながら共振器構造の最適化を行うことが必要である。本年度は基本設計理論を構築することを目指して、多層膜構造の光学特性マトリクスを用いた計算アルゴリズムを考案し、外部電界の印加による透過光信号の位相変調信号の算定が可能であることを確認できたことにより、この計算方法が最適化探索に活用できることが分かった。, 22K04218
    研究期間 2022年04月 - 2025年03月
  • 窒素デルタドープによるGaAs基板上InAs量子ドット発光の1.5μm帯長波長化
    海津 利行
    学術研究助成基金助成金／基盤研究(C), 研究代表者
    研究期間 2017年04月 - 2020年03月
    URL
  • 未踏光周波数帯域を開拓する広帯域偏波無依存光アンプ基盤技術の構築
    喜多 隆
    科学研究費補助金／基盤研究(B)
    研究期間 2016年04月 - 2019年03月
    URL